JP4894040B2 - 磁気センサ - Google Patents
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その他にも、1次巻き線と2次巻線を設けた環状のコアの一部に微小な間隙を設けて1次巻き線に直流電流を流し、間隙上を磁性体が通過する際の環状コア内の磁束の変化を2次巻き線の誘起電圧から検知する直流励磁方式や、環状コアの一部に微小な間隙を設けて間隙上を磁性体が通過する際の環状コア内の磁束の変化をコアに巻いた巻線のインピーダンス変化として交流ブリッジ回路で検出するインピーダンス方式等が存在する。
また、半導体磁気抵抗素子に永久磁石により磁界のバイアスをかけ、磁性体の近接による磁界の変化を抵抗値の変化として検知する方法(例えば、特許文献2、特許文献3)も存在する。
以下、図面に基づいて基本原理を説明した後、実施例について説明を行う。
このバイアス磁界は抵抗値の変化が飽和する磁界以下であれば磁気センサとして機能するものであるが、センサとしての感度や精度を向上させるためには抵抗値変化がより線形に近い付近に設定することが好ましく、そのために図2(a)に示すようなバイアス磁界+HB又は−HBを設けており、具体的な数値としては、強磁性体薄膜磁気抵抗素子3に加わる磁束密度が2〜50G程度となるようなバイアス磁界に設定することが望ましい。
(1)使用する永久磁石6は、磁気センサ1に必要とされる感度によってその強さが決定されるものであり、高感度が必要である場合には強い磁石を採用する。磁石の種類としては、希土類磁石、合金磁石、フェライト磁石など、特に限定することなく採用可能である。
(2)検出対象である磁性体とのギャップについては、感度との兼ね合いもあるが、検出対象の磁性体が微弱である場合には抵抗値の変化は小さく、磁性体が強力である場合には抵抗値の変化幅も大きい傾向にある。よって、この点を考慮して、抵抗値Rが飽和しないようにギャップを調整する。
(3)永久磁石6と強磁性体薄膜磁気抵抗素子3との位置関係は、強磁性体薄膜磁気抵抗素子3に加わるバイアス磁界を決定するためのものであり、最も重要な条件である。強磁性体薄膜磁気抵抗素子3に加わるバイアス磁界強度を飽和磁界以下の磁束量に設定する際に影響するパラメータとしては、磁石の強さ、磁石の大きさ、磁石の中心からの距離及びその位置での角度が挙げられ、これらを調整してバイアス磁界を+HB又は−HBに設定する。
また、永久磁石6と強磁性体薄膜磁気抵抗素子3との相対的な角度がθ[°]だけずれているとすると、その位置での強磁性体薄膜磁気抵抗素子3に加わる磁束密度Bx´,By´は、以下の式(3)及び(4)で求めることができる。
このようにして、強磁性体薄膜磁気抵抗素子3の感磁方向に加わる磁束密度を求めることができ、これによって抵抗値Rが飽和しない範囲で変化させるように設定することが可能となる。以下、具体的な構成について各実施例を用いて説明する。
このように、x方向の磁界H1xがバイアス磁界HBとなるように調整することによって、図3(c)に示すように、抵抗値RBが飽和することなく変化するようになるため、高い感度は保ちつつ飽和することのない磁気センサを実現することが可能となる。
具体的には、磁極の軸の一側方に発生している比較的径の小さい楕円状の磁力線を用いるものとし、図4(b)に示すように、この小径の楕円状の磁力線が強磁性体薄膜磁気抵抗素子3を通過した際に、強磁性体薄膜磁気抵抗素子3の感磁方向であるx方向の磁界H1xがバイアス磁界HBとなるように調整し、かつ、小径の楕円状の磁力線の一部分を円弧として切り取るように磁性体の通過面Lを設ける。また、通過面Lと基板2とは、磁性体の侵入側が近く磁性体が離れていくに従って距離が開くように、一定の角度をもって配置しているものである。この角度は、概ね10°〜65°の範囲とすることで本実施例2の効果を実現できる。
なお、本実施例2では、通過面Lに対して永久磁石6を傾けた状態で配置したが、永久磁石6から円弧状に発生する磁力線6−1が上記説明の状態となればよく、実際の配置としては必ずしも永久磁石6を傾けて設置する必要はない。また、小径の楕円状の磁力線を用いるものとしたが、必ずしもこれに限定されるものではなく、感度との関係で適宜設定可能なものであり、楕円状の磁力線の一部を本実施例のように使用するものであれば、その径は特に限定されない。
ここで、強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1、3−2が磁界の変化に対して抵抗値を変化する感磁方向は基板2の面に平行なx方向である。永久磁石6と強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1、3−2の位置と方向の相対関係を調整して、x方向の磁界H1x、H2xが図2の飽和磁界内のバイアス磁界+HB、−HBになるようにする。具体的には、図5(a)に示す場合においては、磁極の軸が強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1、3−2の中間を通るようにすることで、図5(b)に示すように、磁極の軸に対して略対称に発生した磁力線が強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1、3−2をそれぞれ通過するようになり、x方向の磁界H1x、H2xが逆向きで同じ大きさとなり、この値がバイアス磁界+HB、−HBとなるように、永久磁石6と基板2との距離を調整する。
このように、強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1、3−2を用いることによって、2つの出力波形が得られ、これらの差をとることで、実施例1に比べて2倍の出力を得ることが可能となる。また、2つの波形の差をとる構成とすることで、それぞれの波形に同一のノイズが入ったとしても、差をとることでこれらが相殺されることになるため、ノイズの影響を小さくすることが可能となる。
具体的には、磁極の軸の一側方に発生している比較的径の小さい楕円状の磁力線6−1、6−2を用いるものとし、図6(b)に示すように、この小径の楕円状の磁力線6−1が強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1を通過した際に、強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1の感磁方向であるx方向の磁界H1xがバイアス磁界HBとなり、かつ、これとは別の小径の楕円状の磁力線6−2が強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−2を通過した際に、強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1の感磁方向であるx方向の磁界H2xがバイアス磁界−HBとなるように調整する。この場合、磁極の軸が強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1、3−2の中間を通る楕円状の磁力線(図示省略)は、中間点を通過する部分においては基板2に対して略垂直(x方向のベクトル成分無し)となっており、この中間点に対して左右に配置された強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1、3−2には、逆向きで同じ大きさのx方向の磁界H1x、H2xが発生し、この値がバイアス磁界+HB、−HBとなるように、永久磁石6と基板2との距離及び角度を調整する。
また、2つの小径の楕円状の磁力線6−1、6−2の一部分を共に円弧として切り取るように磁性体の通過面Lを設ける。さらに、通過面Lと基板2とは、磁性体の侵入側が近く磁性体が離れていくに従って距離が開くように、一定の角度をもって配置しているものである。この角度は、概ね10°〜65°の範囲とすることで本実施例2の効果を実現できる。
他方、前記実施例3での説明と同様に、強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1、3−2にはそれぞれ逆方向の磁界H1x、H2xによりバイアス磁界+HB、−HBとなるように調整されているので、ほぼ同様な位置を通る強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−2の抵抗値RBは、磁力線6−2により図6(c)の破線で示した曲線のように、ほぼ強磁性体薄膜磁気抵抗素子3−1の抵抗値RBの波形である図6(c)の実線の曲線を反転した波形となる。これにより、反転した2つの出力波形が得られ、これらの差をとることで、実施例2に比べて2倍の出力を得ることが可能となる。また、2つの波形の差をとる構成とすることで、それぞれの波形に同一のノイズが入ったとしても、差をとることでこれらが相殺されることになるため、ノイズの影響を小さくすることが可能となる。
前記図8の結線によって、温度及びノイズの影響を少なくすることが可能となったが、図8の結線では、中間点から取り出した信号ライン上にノイズが入った場合にはこれを除去することが出来なかったが、この図9に示すような結線でT1、T2から得られる信号に同一のノイズが入ったとしても、これらの差分をとることでノイズを相殺させて除去することが可能となる。つまり、図9の構成とすることで、強磁性体薄膜磁気抵抗素子に対する温度、ノイズの影響を小さくできるだけでなく、取り出した信号ラインに飛来するノイズをも除去することが可能となる。
図10(a)は、磁気センサの上側平面を示し、10は本実施例における磁気センサであり、S1、S2、S3、・・Snはそれぞれ2個よりなる強磁性体薄膜磁気抵抗素子である。図1に示した強磁性体薄膜磁気抵抗素子3を長手方向に略一線上に複数個nを配置したもので、被検出媒体8上の幅方向の磁性体9の分布を検出可能にするものである。このとき、永久磁石6は、複数個の磁気センサのそれぞれで設けてもよいし、共通な1本で構成するようにしてもよい。図10(b)は、(a)の強磁性体薄膜磁気抵抗素子S1、S2・・、Snから電気出力信号を取り出す回路例を示す。11−1、11−2、11−3、・・11−nはアンプ、Sig1、Sig2、Sig3、・・Signは強磁性体薄膜磁気抵抗素子S1、S2、・・Snで検出された信号出力である。このような1本又は複数個の磁石とセンサを隙間なく一直線上に配置する構成により、幅のある被検出媒体8上の幅方向の磁性体9の分布を一度の読み取りで検出することが可能となる。
図11(a)は、磁気センサの上側平面を示し、12は本実施例における磁気センサであり、S1、S2、S3、・・Snはそれぞれ、図9に示した接続のように、4個からなるブリッジ状に構成した強磁性体薄膜磁気抵抗素子である。図1に示した強磁性体薄膜磁気抵抗素子3を長手方向に略一線上に複数個nを配置したもので、被検出媒体8上の幅方向の磁性体9の分布を検出可能にするものである。このとき、永久磁石6は、複数個の磁気センサのそれぞれで設けてもよいし、共通な1本で構成するようにしてもよい。図11(b)は、(a)の強磁性体薄膜磁気抵抗素子S1、S2・・、Snから電気出力信号を取り出す回路例を示す。13−1、13−2、13−3、・・13−nはアンプ、Sig1、Sig2、Sig3、・・、Signは強磁性体薄膜磁気抵抗素子S1、S2、・・Snで検出された信号出力である。このような1本又は複数個の磁石とセンサを隙間なく一直線上に配置する構成により、幅のある被検出媒体8上の幅方向の磁性体9の分布を一度の読み取りで検出することが可能となる。
Claims (3)
- 磁性体等の検出物の移動による微弱な磁束の変化を検出する磁気センサにおいて、線状若しくは略並行に折り返された形状の強磁性体薄膜磁気抵抗素子2個を一定の距離をもって略並列に配置した基板と、前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子にバイアス磁界を加える永久磁石とからなり、
前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子の長手方向と前記磁性体等の検出物の移動する方向とが略直角となるように合わせ、
前記永久磁石の磁極の軸の一方側に発生している楕円状の磁力線のみを検出用磁界として使用し、
前記永久磁石による検出用磁界が同時に付与する前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子の感磁方向のバイアス磁界強度が飽和磁界以下の磁束量となり、かつ、前記2個の強磁性体薄膜磁気抵抗素子の各感磁方向に付与されるバイアス磁界の方向が反対となるように、前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子の形成面に対して垂直よりも前記感磁方向側に傾けた角度で前記永久磁石からの磁力線を前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子に入射せしめるべく前記基板と永久磁石の位置関係を調整し、
前記基板と前記磁性体等の検出物の移動する面との角度が10°〜65°の範囲内で傾斜した位置関係となるように調整して、前記磁性体等の検出物の移動する面に対して前記楕円状の磁力線が傾斜して入射するように構成したことを特徴とする磁気センサ。 - 前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子は、一定の距離をもって略並列に配置された2個を1組としてこれを延伸方向に2組並べて計4個を基板上に設け、これら4個を交差させて接続してブリッジ構成とし、それぞれの組において並列に配置した2個の強磁性体薄膜磁気抵抗素子の各感磁方向に付与されるバイアス磁界の方向が反対になる位置と角度で永久磁石を配置したことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 請求項1又は2記載の磁気センサを概略一線上に複数個配置したことを特徴とする磁気センサ。
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