JP5799882B2 - 磁気センサ装置 - Google Patents

Description

この発明は、紙幣等の紙葉状媒体上に形成された微小磁性パターンを検出する磁気センサ装置に関する。

磁気センサ装置は、磁界強度に対して抵抗値が変化する特性を有している磁気抵抗効果素子を複数使用したセンサ装置である。紙幣等の紙葉状媒体に含まれる磁性パターンを多チャンネル同時に検出するライン型の磁気センサ装置においては、この磁性パターンの磁化量が微小であるため、感度良く磁性パターンを検出するためには、半導体磁気抵抗効果素子よりも感度の高い異方性磁気抵抗効果素子を使用し、複数の異方性磁気抵抗効果素子がすべて磁気飽和せず感度が高くなる磁界強度環境下に設けた上で、紙幣など紙葉状媒体は強磁界環境を通過させる必要がある。

しかしながら、異方性磁気抵抗効果素子を使用した磁気センサ装置においては、異方性磁気抵抗効果素子が１０ｍＴ程度の磁界強度で飽和するため、複数の異方性磁気抵抗効果素子を飽和せず感度が高くなる磁界強度環境下に配置することが難しいという問題があった。

このような問題を解決するため、特開２００８−１４５３７９号公報（特許文献１参照）には、永久磁石による検出用磁界が同時に付与する強磁性体薄膜磁気抵抗素子（異方性磁気抵抗効果素子）の感磁方向のバイアス磁界強度が飽和磁界以下の磁束量となるように永久磁石の位置を調整して配置した磁気センサが開示されている。

特開２００８−１４５３７９号公報

しかしながら、特許文献１に記載の磁気センサでは、具体的な強磁性体薄膜磁気抵抗素子の感磁方向のバイアス磁界強度が飽和磁界以下の磁束量となるような永久磁石の配置方法が開示されていない。また、多チャンネルで出力するためには複数の強磁性体薄膜磁気抵抗素子に印加される感磁方向のバイアス磁界強度を均一とする必要があるがその方法が開示されていない。

また、非接触方式の磁気センサにおいて被検知物の検出感度を向上させるには、バイアス磁石の磁力を高め、異方性磁気抵抗効果素子に適切なバイアス磁界を印加しつつ、被検知物が搬送される搬送路の磁界強度を高める必要があるが、被検知物は異方性磁気抵抗効果素子よりもバイアス磁石の遠方を通過するため、被検知物による磁界強度の変化は小さく個々の異方性磁気抵抗効果素子の出力信号が小さくなるという課題がある。

この発明は上述のような課題を解決するためになされたものであり、磁性パターンを有する被検知物を磁気抵抗効果素子から微小距離離間させた非接触状態で、多チャンネルで安定して感度良く、被検知物の磁性パターンを検出する磁気センサ装置を得るものである。

この発明における磁気センサ装置は、被検知物の一方の面に面し、前記被検知物の搬送方向に沿って交互に異なる磁極を有する磁石と、
前記被検知物の他方の面に面し、前記搬送方向に沿って前記磁石と対向して配置され、前記搬送方向の長さが前記磁石の前記搬送方向の長さより長く、前記磁石との間で形成され前記被検知物に交差する交差磁界を生成する軟磁性体と、
この軟磁性体の前記被検知物に面した表面上に、前記搬送方向と直交する方向に複数個アレイ状に固定され、出力端子を有し、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記磁界の前記搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する前記搬送方向に感磁作用を有する磁気抵抗効果素子とを備え、
前記磁気抵抗効果素子は、前記磁石の前記搬送方向の中心から、前記搬送方向のいずれかの側に偏って、前記交差磁界の前記搬送方向の成分の大きさが零点を除く前記磁気抵抗効果素子自身の前記搬送方向の飽和磁界強度以下である位置に配置されているものである。

また、この発明における磁気センサ装置は、被検知物の一方の面に面し、前記被検知物の搬送方向に沿って所定の長さの磁極を有する磁石と、
前記被検知物の他方の面に面し、前記搬送方向に沿って前記磁石と対向して配置され、前記搬送方向の長さが前記磁石の前記搬送方向の長さより長く、前記磁石との間で形成され前記被検知物に交差する交差磁界を生成する軟磁性体と、
この軟磁性体の前記被検知物に面した表面上に、前記搬送方向と直交する方向に複数個アレイ状に固定され、出力端子を有し、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記磁界の前記搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する前記搬送方向に感磁作用を有する磁気抵抗効果素子とを備え、
前記磁気抵抗効果素子は、前記磁石の前記搬送方向の中心から、前記搬送方向のいずれかの側に偏って、前記交差磁界の前記搬送方向の成分の大きさが零点を除く前記磁気抵抗効果素子自身の前記搬送方向の飽和磁界強度以下である位置に配置されているものである。

この発明によれば、複数の異方性磁気抵抗効果素子に印加される感磁方向のバイアス磁界強度のばらつきが小さくなり、複数のチャンネルに亘って安定的に感度良く被検知物の磁性パターンが検出される。

この発明の実施の形態１における磁気センサ装置の被検出体の搬送方向から見た断面図である。 この発明の実施の形態１における磁気センサ装置の被検出体の挿排出方向から見た断面図である。 図１における磁性体キャリアへの基板とＡＭＲ素子の実装状態を示す拡大図である。 図１における中空部から基板側を見たＡＭＲ素子の実装状態を示す上面図である。 この発明の実施の形態１におけるライン型の磁気センサ装置のＡＭＲ素子と外部回路との接続状態を示す接続図である。 図１に示すライン型の磁気センサ装置における磁石とヨークと磁性体キャリアから生成される磁界分布を示す図である。 この発明の実施の形態１における磁気センサの検出原理を説明する磁力線ベクトル図である。 この発明の実施の形態１における磁気センサの検出原理を説明するために計算を行った形態を示す図である 図８における搬送方向（Ｘ軸方向）の磁界の搬送方向（Ｘ軸方向）における強度変化を示す図である。 図８における間隔方向（Ｚ軸方向）の磁界の搬送方向（Ｘ軸方向）における強度変化を示す図である。 ＡＭＲ素子の印加磁界と抵抗変化率を示す図である。 この発明の実施の形態１におけるミアンダ形状の抵抗パターンを有するＡＭＲ素子の上面図である。 図４における磁気抵抗パターンの構成方法をＴ字構成に変更した場合の実装状態を示す上面図である。 図１３におけるミアンダ形状の抵抗パターンを有するＡＭＲ素子の上面図である。 この発明の実施の形態２における磁気センサ装置の被検出体の搬送方向から見た断面図である。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１におけるライン型の磁気センサ装置の被検出体（被検知物）の搬送方向から見た断面図である。図２は、この発明の実施の形態１における磁気センサ装置の被検出体の挿排出方向から見た断面図である。図１及び図２において、筐体１は内部に中空部２を有し、筐体１の一方の側面（側壁）に読取り幅（被検出体の搬送方向と直交する方向）に亘って第１のスリット部３を備え、他方の側面（側壁）に第１のスリット部３に平行に第２のスリット部４を備え、中空部２を介して第１のスリット部３と第２のスリット部４とが接続されており、例えば、被検出体である磁性パターンを含んだ紙幣５は第１のスリット部３から挿入され、中空部２を搬送経路として搬送され、第２のスリット部４から排出される。

中空部２における搬送方向の一方の面に搬送方向の両側面に磁界均一性を向上するための一対の磁石用ヨーク７が配置された搬送方向に沿ってＳ極Ｎ極を有する磁石６が筐体１に紙幣５から離間して設置され、対向する他方の面に磁性体キャリア８が筐体１に紙幣５から離間して設置されている。

磁性体キャリア８の搬送路側表面に、紙幣５から離間して、ガラスエポキシ等の樹脂で形成された基板９が設けられ、また磁性体キャリア８に異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子）１０が載置されて実装されている。このＡＭＲ素子１０はシリコンやガラス等の基板表面に抵抗体を備え、この抵抗体に流れる電流の方向に直交する磁界の変化に対応して抵抗値が変化する特性を有している。尚、磁性体キャリア８は鉄などの軟磁性体である。

図３は、図１における磁性体キャリア８への基板９とＡＭＲ素子１０の実装状態を示す拡大図である。図４は、図１における中空部２から基板９側を見たＡＭＲ素子１０の実装状態を示す上面図である。図３及び図４において、基板９は、磁性体キャリア８に固定されている。この基板９は、穴部９ａを有しており、回路規模が大きい場合は、多層基板で構成されることもある。

ＡＭＲ素子１０は、基板９に包囲されるように９ａに露出している磁性体キャリア８の表面に接着材で固定されている。ＡＭＲ素子１０の電極１０１ａ〜１０１ｃは、基板９に設けられた電極１１１ａ〜１１１ｃとそれぞれ金属ワイヤ１２で接続され、電極１１１ａ〜１１１ｃは伝送線路１１を通して基板９の外部の裏面に設けられた外部パッド１１２ａ〜１１２ｃと接続されている。外部パッド１１２ａ〜１１２ｃには、増幅回路、信号処理回路、バイアス電圧等の外部回路が接続される。尚、基板の穴部９ａはＡＭＲ素子１０や金属ワイヤ１２を保護するために樹脂等で封止されることもある。

図４において、ＡＭＲ素子１０の抵抗体パターン１０２ａと１０２ｂは矩形形状の長辺が読取り幅方向（Ｙ軸方向）に延在するように平行に配置され、隣接する抵抗体パターン１０２ａと１０２ｂとは直列接続され、この直列接続部がＡＭＲ素子１０の電極１０１ｂに、抵抗体パターン１０２ａの他方が電極１０１ａに、抵抗体パターン１０２ｂの他方が電極１０１ｃに接続されている。

図５は、この発明の実施の形態１におけるライン型の磁気センサ装置のＡＭＲ素子１０と外部回路との接続状態を示す接続図である。図４及び図５において、電極１０１ａは金属ワイヤ１２（電気接続手段）にて電極１１１ａに接続され、外部パッド１１２ａを経由して直流電源電圧Ｖｃｃに接続されている。電極１０１ｂは金属ワイヤ１２にて電極１１１ｂに接続され、外部パッド１１２ｂを経由して信号を処理する処理回路１５に接続されている。電極１０１ｃは金属ワイヤ１２にて電極１１１ｃに接続され、外部パッド１１２ｃを経由して直流接地（ＧＮＤ）されている。

図６は、図１に示すライン型の磁気センサ装置における磁石６と磁石用ヨーク７と磁性体キャリア８から生成される磁界分布を示す図である。なお、図６では図１の構成要素から磁界分布を説明するために必要な構成要素を記載し他は省略している。

図６に示すように、磁力線は磁性体の磁極面に対して垂直（Ｂｚ方向)に入射するという特性から磁性体キャリア８の表面付近ではＸ軸方向の磁界（Ｂｘ）が非常に小さく間隔方向（Ｚ軸方向）の磁界（Ｂｚ）が主成分となる。ＡＭＲ素子１０はこのＢｘが非常に小さく間隔方向（Ｚ軸方向）の磁界（Ｂｚ）が強磁界強度である磁性体キャリア８の表面に設けられ、紙幣５は間隔方向の磁界（Ｂｚ）が強磁界強度である位置を間隔方向の磁界を交差するように通過する。

図６において、磁力線１７は異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子）１０の抵抗体パターン１０２ａ、１０２ｂが配置されている付近では、搬送経路に交差する交差磁界である磁石６のＮ極から磁性体キャリア８へと向かう成分が主成分となっているが、図７（ａ）に示すように、間隔方向（Ｚ軸方向）から少しだけ搬送方向（Ｘ軸方向）に傾いているため、この磁界の搬送方向（Ｘ軸方向）成分がＡＭＲ素子１０のバイアス磁界として作用している。

被検知物（紙幣）５が近づいてくると、図７（ｂ）に示すように、磁力線１７が被検知物（紙幣）５側に傾くため搬送方向（Ｘ軸方向）の磁界（Ｂｘ）が小さくなり、被検知物（紙幣）５が離れていくと、図７（ｃ）に示すように、磁力線１７が被検知物（紙幣）５側に傾くため搬送方向（Ｘ軸方向）の磁界（Ｂｘ）が大きくなることにより、Ｘ方向成分を感磁する異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子）１０の抵抗値が変化し、被検知物（紙幣）５を検知することができる。

図８は、この発明の実施の形態１における磁気センサの検出原理を説明するために計算を行った形態を示す図である。なお、図８では図１の構成要素から磁界分布を説明するために必要な構成要素を記載し他は省略している。

図９は図８において、磁石６の材質をネオジム焼結磁石とし、Ｘ軸方向の磁界強度（Ｂｘ）の紙幣５の搬送方向（Ｘ軸方向）における強度変化を計算した結果であり、パラメータとして対向する磁石６と磁性体キャリア８との間隔方向（Ｚ軸方向）をＺ＝０ｍｍ〜０．６ｍｍまで変化させている。なお、Ｘ軸方向の原点は磁石６の中心とし、Ｚ軸方向の原点は磁性体キャリア８の表面としている。

図１０は、図８におけるＺ軸方向の磁界強度（Ｂｚ）の紙幣５の搬送方向（Ｘ軸方向）における強度変化を計算した結果であり、パラメータとして対向する磁石６と磁性体キャリア８との間隔方向（Ｚ軸方向）をＺ＝０ｍｍ〜２ｍｍまで変化させている。なお、Ｘ軸方向の原点は磁石６の中心とし、Ｚ軸方向の原点は磁性体キャリア８の表面としている。

ＡＭＲ素子１０として図１１に示す飽和磁界強度が１０ｍＴのＡＭＲ素子を用いる場合、Ｂｘ＝−２〜−６ｍＴ（バイアス磁界範囲Ａ）あたりと＋２〜６ｍＴ（バイアス磁界範囲Ｂ）あたりで適切な感度が得られるため、各ＡＭＲ素子１０の抵抗体パターン１０２ａ、１０２ｂに印加されるＢｘが上記バイアス磁界範囲Ａもしくはバイアス磁界範囲Ｂに収まるようにＡＭＲ素子１０を精度良く配置する必要がある。

図９によると、例えばＡＭＲ素子１０の厚みが０．３ｍｍ（Ｚ＝０．３ｍｍ）の場合、抵抗体パターン１０２ａ、１０２ｂに印加されるＢｘをバイアス磁界範囲Ａに収めるためには、ＡＭＲ素子１０をＸ＝３．７ｍｍ〜４．８ｍｍの位置に配置すればよく、Δ１ｍｍ以上の非常に緩い組付け位置精度でＡＭＲ素子をバイアス磁界範囲に収めることが可能であり、特にラインセンサにおいて、それぞれのＡＭＲ素子１０の感磁方向のバイアス磁界強度のばらつきが小さくなり、チャネル間ばらつきの抑制に非常に有効となる。なお、本効果により、ＡＭＲ素子１０ばかりでなく、磁石６と磁性体キャリア８の組付け精度も緩和可能である。

また、紙幣５が抵抗体パターン１０２ａ、１０２ｂに掛かったときの磁界変化は、紙幣５の周辺の磁界（紙幣５に印加される磁界）に比例し、その磁界変化をＡＭＲ素子１０で検出するため、高出力化のためには紙幣５により大きな磁界をかける必要があるが、この発明の実施の形態１では、図１０より紙幣５に印加される磁界はＢｚ＝約１８０ｍＴとなり、ＡＭＲ素子１０と紙幣５が離間していても感度良く紙幣５の磁性パターンが検出される。

本構成によれば高出力化のため磁石６の磁界強度を大きくしても、ＡＭＲ素子１０の抵抗パターン１０２ａ、１０２ｂに印加されるＢｘは小さいため、組付け精度を大きく悪化させることなく、ライン型の磁気センサ装置において安定した出力を得ることができる。

また、ＡＭＲ素子１０の厚みを薄くしていくと、抵抗パターン１０２ａ、１０２ｂに印加されるＢｘが小さくなっていくため、より感度の高い（図１１でより傾きが急峻な）ＡＭＲ素子１０も安定して使用可能となり、出力を上げるためにＡＭＲ素子１０の感度を上げることが可能となる。

同様に、バイアス磁界範囲Ｂを使用する場合、図９において、例えばＡＭＲ素子１０の厚みが０．３ｍｍ（Ｚ＝０．３ｍｍ）の場合、ＡＭＲ素子１０をｘ＝６．２ｍｍ〜９．８ｍｍの位置に配置すればよく、図１０より紙幣５に印加される磁界はＢｚ＝約１３０ｍＴ〜１７０ｍＴとなり、バイアス磁界範囲Ａに対して、ＡＭＲ素子１０と紙幣５が離間している場合の出力が多少下がるが、Δ３ｍｍ以上の非常に緩い組付け位置精度で感度良く紙幣５の磁性パターンを検出することが可能である。

このように、紙幣には間隔方向（Ｚ軸方向）の強磁界が印加されるため、ＡＭＲ素子と紙幣が離間していても、感度良く紙幣の磁性パターンが検出される。また、ＡＭＲ素子１０の抵抗パターン１０２ａ、１０２ｂに印加する搬送方向（Ｘ軸方向）のバイアス磁界強度は、Ｘ軸方向位置での変化が小さいため組付け精度が向上する。さらにＡＭＲ素子１０の厚みを薄くすることで、出力を向上させるために磁石６の磁界の強さを大きくしたり、ＡＭＲ素子１０の感度を上げても多チャンネルにて安定した出力が得られる。さらに、磁石６と磁性体キャリア８を対向配置としているため、安定した磁路が形成され、外部の磁性体の影響を受けにくく、安定して被検知物５の磁性パターンが検出される。

ＡＭＲ素子１０の抵抗体パターン１０２ａ、１０２ｂは矩形形状としたが、図１２に示すように長辺が読取り幅方向（Ｙ軸方向）に延在するように配置したミアンダ形状としても良い。この場合、抵抗体パターン１０２ａ、１０２ｂの抵抗値が矩形形状のものより増加し高抵抗値となるので、ＡＭＲ素子１０の磁界変化の検出感度が向上し、磁気センサ装置の検出感度が増加する。

ＡＭＲ素子１０の抵抗体パターン１０２ａ、１０２ｂの配置は図１３のように垂直配置でも良い。また、この配置の場合でも図１４のようにミアンダ形状としてもよい。

また、搬送方向の両側面に磁界均一性を向上するために一対の磁石用ヨーク７が配置された磁石６としたが、磁石用ヨーク７がなくても良い。

また、磁石６の磁極は被検知物５の搬送方向に沿って順にＳ極Ｎ極として配置したが、Ｎ極Ｓ極として配置しても良い。

なお、本実施の形態１では、磁気抵抗効果素子１０は、ＡＭＲ素子を用いたが、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子を用いても良い。

実施の形態２．
この発明の実施の形態２について、図１５を用いて説明する。この発明の実施の形態１（図１）では、磁石６は、被検知物５の搬送方向に沿ってＳ極Ｎ極を有するように配置されていたが、この発明の実施の形態２では、搬送方向に沿って一方の磁極（図１５においてはＮ極）を配置している。図１５において、図１と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

図１５においても、磁石６と磁性体キャリアとの間にＺ方向の磁界が形成されるため、この発明の実施の形態１と同様の作用効果が得られる。

１ 筐体
２ 中空部
３ 第１のスリット部
４ 第２のスリット部
５ 被検知物（紙幣）
６ 磁石
７ ヨーク
８ 磁性体キャリア
９ 基板
９ａ 基板の穴部
１０ 異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子）
１０１ａ〜１０１ｃ ＡＭＲ素子の電極
１０２ａ〜１０２ｃ 抵抗体パターン
１１ 伝送線路
１１１ａ〜１１１ｃ 伝送線路の電極
１１２ａ〜１１２ｃ 伝送線路の外部パッド
１２ 金属ワイヤ（電気接続手段）
１５ 処理回路
１７ 磁力線
３１ 電気シールド板
７１ ケーブル

Claims (6)

1. 被検知物の一方の面に面し、前記被検知物の搬送方向に沿って交互に異なる磁極を有する磁石と、
   前記被検知物の他方の面に面し、前記搬送方向に沿って前記磁石と対向して配置され、前記搬送方向の長さが前記磁石の前記搬送方向の長さより長く、前記磁石との間で形成され前記被検知物に交差する交差磁界を生成する軟磁性体と、
   この軟磁性体の前記被検知物に面した表面上に、前記搬送方向と直交する方向に複数個アレイ状に固定され、出力端子を有し、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記磁界の前記搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する前記搬送方向に感磁作用を有する磁気抵抗効果素子とを備え、
   前記磁気抵抗効果素子は、前記磁石の前記搬送方向の中心から、前記搬送方向のいずれかの側に偏って、前記交差磁界の前記搬送方向の成分の大きさが零点を除く前記磁気抵抗効果素子自身の前記搬送方向の飽和磁界強度以下である位置に配置されている磁気センサ装置。
2. 被検知物の一方の面に面し、前記被検知物の搬送方向に沿って所定の長さの磁極を有する磁石と、
   前記被検知物の他方の面に面し、前記搬送方向に沿って前記磁石と対向して配置され、前記搬送方向の長さが前記磁石の前記搬送方向の長さより長く、前記磁石との間で形成され前記被検知物に交差する交差磁界を生成する軟磁性体と、
   この軟磁性体の前記被検知物に面した表面上に、前記搬送方向と直交する方向に複数個アレイ状に固定され、出力端子を有し、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記磁界の前記搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する前記搬送方向に感磁作用を有する磁気抵抗効果素子とを備え、
   前記磁気抵抗効果素子は、前記磁石の前記搬送方向の中心から、前記搬送方向のいずれかの側に偏って、前記交差磁界の前記搬送方向の成分の大きさが零点を除く前記磁気抵抗効果素子自身の前記搬送方向の飽和磁界強度以下である位置に配置されている磁気センサ装置。
3. 筐体と、
   この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、
   この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、
   前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、
   前記筐体に設けられ、前記被検知物の一方の面に面し、搬送方向に沿って交互に異なる磁極を有する磁石と、
   前記被検知物の他方の面に面し、前記搬送方向に沿って前記磁石と対向して配置され、前記搬送方向の長さが前記磁石の前記搬送方向の長さより長く、前記磁石との間で形成され前記被検知物に交差する交差磁界を生成する軟磁性体と、
   この軟磁性体の前記被検知物に面した表面上に、前記搬送方向と直交する方向に複数個アレイ状に固定され、出力端子を有し、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記磁界の前記搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する前記搬送方向に感磁作用を有する磁気抵抗効果素子と、
   この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力する基板と、
   この基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、
   前記磁気抵抗効果素子は、前記磁石の前記搬送方向の中心から、前記搬送方向のいずれかの側に偏って、前記交差磁界の前記搬送方向の成分の大きさが零点を除く前記磁気抵抗効果素子自身の前記搬送方向の飽和磁界強度以下である位置に配置されている磁気センサ装置。
4. 筐体と、
   この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、
   この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、
   前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、
   前記筐体に設けられ、前記被検知物の一方の面に面し、搬送方向に沿って所定の長さの磁極を有する磁石と、
   前記被検知物の他方の面に面し、前記搬送方向に沿って前記磁石と対向して配置され、前記搬送方向の長さが前記磁石の前記搬送方向の長さより長く、前記磁石との間で形成され前記被検知物に交差する交差磁界を生成する軟磁性体と、
   この軟磁性体の前記被検知物に面した表面上に、前記搬送方向と直交する方向に複数個アレイ状に固定され、出力端子を有し、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記磁界の前記搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する前記搬送方向に感磁作用を有する磁気抵抗効果素子と、
   この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力する基板と、
   この基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、
   前記磁気抵抗効果素子は、前記磁石の前記搬送方向の中心から、前記搬送方向のいずれかの側に偏って、前記交差磁界の前記搬送方向の成分の大きさが零点を除く前記磁気抵抗効果素子自身の前記搬送方向の飽和磁界強度以下である位置に配置されている磁気センサ装置。
5. 前記磁石は、前記磁石と前記軟磁性体とが対向する対向方向に沿った側面にヨークが配置され、
   前記磁気抵抗効果素子は、前記ヨークと対向し、前記搬送方向に沿って、前記磁石側の前記ヨークの端部よりも前記ヨーク側の位置から、前記磁石側の前記ヨークの端部と反対側の前記ヨークの端部までの範囲に、前記磁気抵抗効果素子の中心が配置されることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の磁気センサ装置。
6. 前記磁石は、前記磁石と前記軟磁性体とが対向する対向方向に沿った側面にヨークが配置され、
   前記搬送方向に沿って、前記磁石側の前記ヨークの端部と反対側の前記ヨークの端部から、前記磁石に対して前記ヨークの外側に、前記磁気抵抗効果素子の中心が配置されることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の磁気センサ装置。

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