JP4891861B2 - 低下されたドーパント含量を有する高純度多結晶シリコンを製造するための方法及び装置 - Google Patents
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Description
mρ=プラトーに達するまでの半径方向の比電気抵抗分布の傾き[Ωcm/mm]
ρ∞=プラトーが始まる時の比電気抵抗[Ωcm]
ρ0=析出開始直後の細いロッド表面上に析出されたポリシリコンの最小比電気抵抗[Ωcm]
r(ρ∞)=プラトーが始まる時のポリシリコンロッドの半径[mm]
r(ρ0)=析出開始直後の細いロッドの表面上のポリシリコンロッドの半径[mm]、これはr=0として定義される。
抵抗の測定は、規格SEMI MF 397-02 (2003年10月22日)に相応して、かつドーパントの測定は、規格SEMI MF 1389-0704 (2003年10月22日)に相応して実施される。挙げられた規格は、次により刊行されている:Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI(登録商標)), San Jose, CA.(U.S.A.)。
多結晶シリコンの析出を、独国特許(DE)第1209113号明細書に記載されたように行った。反応ガスのケイ素含有成分として、トリクロロシランを使用した。バッチ交換の間に、供給管路及び排出管路並びにベルジャを、図4から明らかであるように、不活性ガスでパージした。不活性ガスとして、窒素を使用し;選択された窒素量は、供給管路中で1m3/h、並びに排出管路中及びベルジャ中でその都度3m3/hであった。
多結晶シリコンの析出を、例1に記載されたように行った。このポリシリコンのリン含量及び平均の比抵抗を、その都度、析出された直径全体(100〜150mm)に亘って測定した。そのためには、析出し、かつ不活性ガスパージを伴う本発明による方法を用いた80個のバッチを、技術水準による(不活性ガスパージなし)200個のバッチと比較した。
多結晶シリコンの析出を、例1に記載されたように行った。ポリシリコンロッドの比電気抵抗の半径方向の分布を、析出された直径全体に亘って測定した。そのためには、不活性ガスパージを伴う本発明による方法を用いて析出された5個のバッチ(バッチ1〜5)を、技術水準により(不活性ガスパージなし)析出された5個のバッチ(バッチ1V〜5V)と比較した。析出のパラメーターは、不活性ガスパージありもしくはなしの相違を除き、10個の全てのバッチについて同じであった。表1は、測定された値を示す。
Claims (7)
- 高純度多結晶シリコンのバッチ式製造方法であって、開いた析出反応器中でケイ素からなるU字型の支持物質を固定し、析出反応器を空気密に密閉し、前記のU字型の支持物質を直流を流すことにより加熱し、析出反応器中へ供給管路を経てケイ素含有反応ガス及び水素を導通し、それにより前記支持物質上にケイ素が反応ガスから析出し、前記支持物質の直径が大きくなり、かつ排ガスが生じ、前記排ガスを排出管路を経て析出反応器から除去し、かつ前記支持物質が所望の直径に達した後に析出を終了し、前記支持物質を室温に冷却し、前記析出反応器を開き、前記支持物質を析出反応器から除去し、かつケイ素からなる二番目のU字型の支持物質を析出反応器中に固定することによる方法であって、
析出されたケイ素を有する一番目の支持物質を取り出すために析出反応器を開いてから、二番目の支持物質上にケイ素を析出するために反応器を閉じるまで、不活性ガスを、前記の供給管路及び排出管路を通して、開いた反応器中へ導入することを特徴とする、高純度多結晶シリコンのバッチ式製造方法。 - さらに、不活性ガスの供給を、析出反応器のポリシリコンロッドを取り出すために持ち上げられたベルジャ中へ行う、請求項1記載の方法。
- 不活性ガスの供給を、少なくとも0.5m3/hの流速を有し、上向きの、向きを変えられるノズルを介して行う、請求項2記載の方法。
- 不活性ガスとして窒素又は希ガスを使用する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 不活性ガスとして窒素又はアルゴンを使用する、請求項4記載の方法。
- 不活性ガスの供給を、供給管路及び排出管路を介して底板の供給口及び排出口を経て行い、その際、熱交換器又は飽和器がその間に設置されていてよく、かつ供給管路を経る不活性ガスの流速は少なくとも0.5m3/hであり、かつ排出管路を経る不活性ガスの流速は少なくとも1m3 /hである、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 供給口(2)を介して底板(3)を経て反応器(4)中へ導く止め弁(8)を備えた反応ガス(1)用の供給管路並びに反応器(4)の底板(3)中の排出口(5)を経て止め弁(7)を介して屋外へ又は後処理に導く排ガス(6)用の排出管路を含んでいる、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法を実施するための装置であって、
止め弁(10)を介して制御可能である不活性ガス管路(11)が、止め弁(8)の後方で供給管路(1)中へ流入し、かつ止め弁(9)を介して制御可能である不活性ガス管路(11)が、止め弁(7)の前方で排出管路(6)中へ流入することを特徴とする装置。
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