JP4890018B2 - 白色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール - Google Patents

白色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP4890018B2
JP4890018B2 JP2005362493A JP2005362493A JP4890018B2 JP 4890018 B2 JP4890018 B2 JP 4890018B2 JP 2005362493 A JP2005362493 A JP 2005362493A JP 2005362493 A JP2005362493 A JP 2005362493A JP 4890018 B2 JP4890018 B2 JP 4890018B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
phosphor
white
light
mortar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005362493A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006233184A (ja
Inventor
久芳 大長
仁志 武田
秀和 羽山
睦夫 升田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koito Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Koito Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koito Manufacturing Co Ltd filed Critical Koito Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2005362493A priority Critical patent/JP4890018B2/ja
Publication of JP2006233184A publication Critical patent/JP2006233184A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4890018B2 publication Critical patent/JP4890018B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

本発明は、白色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュールに関し、詳細には、他の色を発光する蛍光体を用いずに白色発光する蛍光体およびそれを用いた発光モジュールに関する。
環境問題や省電力の観点から水銀を使用しない、発光ダイオード(LED)や半導体レーザー(LD)を励起光源として蛍光体と組み合わせ、そのときの発光を光源とし、消費電力の少ない照明用光源が開発されている。
例えば、特許文献1には、青色系の発光の一部を吸収して発光するCe付活希土類アルミン酸塩蛍光体からの橙色系の発光との加色混合によって全体として白色系の発光を呈する発光ダイオードが開示されている。しかしながら、この組み合わせのタイプは、最終的に得られる白色光の発光色が限定され、また本光源の照明下での色の再現性が好ましい色に再現されず、演色性に問題があった。
近年、このような問題を解決するため、2色加色での白色合成の欠点を補う方法として、紫外又は短波長可視光を半導体発光素子からの一次光(励起光)とし、緑・青・赤3成分の蛍光体を混合する手法が紹介されている。この際に使用する青色発光蛍光体としては、例えば、特許文献2および特許文献3等に記載のものが挙げられ、中でも、Sr5(PO43Cl:Eu2+が代表的なものとして挙げられる。
しかし、(1)近紫外線での効率のよく安定した発光する赤・緑色を発光する蛍光体がない、(2)広帯域で吸収のある赤・緑色を発光する蛍光体は青色光を吸収し、青色の発光が不安定になり、安定した白色光が得られない、(3)赤・緑・青各色発光の3種類以上の蛍光体を用いるため、混合・分散等の工程が必要となり、高コストとなり、結果的に高価なものとなってしまう、という問題があった。
特許第2927279号明細書 特開2003−160785号公報 特開2004−127988号公報
従って、本発明の目的は、上記問題点を解決することであり、1種で白色発光できる蛍光体およびそれを用いた発光モジュールを提供することである。
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、以下の構成を採用することによって、上記目的が達成され、本発明を成すに至った。
(1) 下記一般式で表されることを特徴とする白色発光蛍光体。
(M5-a-x-y,Mga)(PO43Q:Eu2+ x,Mn2+ y
(MはCaおよびSrのうちの一種又は複数の組み合わせであり、QはClおよびFのうちの一種又は複数の組み合わせであり、0.05≦a≦3、0<x<5および0<y<5であり、かつ、0.05<a+x+y<5であり、EuとMnのmol比率Eu:Mnは1:1〜1:8である。)
(2) 励起ピーク波長が350〜420nmであることを特徴とする(1)記載の白色発光蛍光体。
(3) 少なくとも、発光ピーク波長が350〜420nmの半導体発光素子と(1)または(2)に記載の白色発光蛍光体とから構成されることを特徴とする発光モジュール。
本発明の白色発光蛍光体は、既存の青色発光蛍光体の一つであるSr5(PO4)Cl:Eu2+にMn2+とMgの両方の元素を混在させ、また必要に応じてSrの少なくとも一部をCaに置き換えることで、LEDの発光波長(近紫外線)を吸収し、白色発光するものである。
本発明の蛍光体は、他の色を発光する蛍光体を用いずに白色を発光できるものである。
本発明の白色発光蛍光体は、下記一般式で表されることを特徴とするものである。
(M5-a-x-y,Mga)(PO43Q:Eu2+ x,Mn2+ y
(MはCaおよびSrのうちの一種又は複数の組み合わせであり、QはClおよびFのうちの一種又は複数の組み合わせであり、0.05≦a≦3、0<x<5および0<y<5であり、かつ、0.05<a+x+y<5である。)
このような上記一般式で表される白色発光蛍光体は、励起ピーク波長が350〜420nmであり、その中でも、励起ピーク波長が385〜405nmであることが好ましい。
また、上記一般式で表される白色発光蛍光体において、M(Ca、Sr)は、部分的に(50mol%)までバリウム(Ba)に置き換えてもよい。
また、上記一般式で表される白色発光蛍光体において、アニオン成分は単独で塩素(Cl)であることが好ましいが、部分的に(50mol%まで)フッ素(F)に置き換えてもよい。
また、上記一般式で表される白色発光蛍光体において、発光中心となる付活材金属ユーロピウム(Eu)およびマンガン(Mn)の和x+yは、0.1〜1.5molであるものが好ましい。
また、上記一般式で表される白色発光蛍光体において、発光中心となる付活材金属Eu,Mnのmol比率Eu:Mnは、1:1〜1:8であるものが好ましく、1:2〜1:6であるものがより好ましい。
また、本発明の白色発光蛍光体は、紫外線発光半導体素子と組み合わせて発光モジュールとすることができる。
この場合、発光モジュールは、蛍光体としては、本発明の白色発光蛍光体のみの使用で十分であるが、より望ましい、所望の色度の白色を得るためには、さらに他蛍光体を用いることも可能である。
例えば、350〜420nmの励起光で緑〜橙色に発光する蛍光体を、更に、用いることにより、より望ましい白色度の発光モジュールとすることができる。
本発明の白色発光蛍光体を用いる発光モジュールに用いられる半導体発光素子としては、発光ピーク波長が350〜420nmであれば、特に限定されないが、紫外線を発光する半導体発光素子として一般的なInGaN/GaN系のものが好ましい。詳細には、特開2002−17100号公報に記載されているもの等が好適に使用できる。
InGaN/GaN系の半導体発光素子は、In量が多くなるほど発光ピーク波長が長くなり、In量が減るほど発光ピーク波長が短くなる。よって、InGaN/GaN系の半導体発光素子を発光モジュールに適用するためには、その発光ピーク波長が350〜420nmになるように、Inの量を適宜調製する。
本発明の白色発光蛍光体を用いる発光モジュールは、前記の半導体発光素子と本発明の白色発光蛍光を含む蛍光体とから構成されるものであるが、より具体的には、該半導体発光素子上に該蛍光体の層を設ける構成が挙げられる。
その場合、半導体発光素子上に設ける該蛍光体層は、蛍光体を単層又は複数層を層状に積層配置しても良いし、複数の蛍光体を単一の層内に混合して配置しても良い。上記半導体発光素子上に蛍光体層を設ける形態としては、半導体発光素子の表面を被覆するコーティング部材に蛍光体を混合する形態、モールド部材に蛍光体を混合する形態、或いはモールド部材に被せる被覆体に蛍光体を混合する形態、更には半導体発光素子ランプの投光側前方に蛍光体を混合した透光可能なプレートを配置する形態等が挙げられる。
また、半導体発光素子上のモールド部材に、前述の蛍光体が添加されていても良い。更に、前述の蛍光体からなる蛍光体層を、発光モジュールの外側に設けても良い。発光モジュールの外側に設ける形態としては、発光モジュールのモールド部材の外側表面に蛍光体を層状に塗布する形態、或いは蛍光体をゴム、樹脂、エラストマー等に分散させた成形体(例えば、キャップ状)を作製し、これを半導体発光素子に被覆する形態、又は前記成形体を平板状に加工し、これを半導体発光素子の前方に配置する形態等が挙げられる。
本発明の白色発光蛍光体を用いる発光モジュールの具体的な形態の1例を図17に示す。図17に示す発光モジュールは、1のチップはInGaN活性層を有する中心波長が395nm付近の短波長可視光LEDチップであり、この短波長可視光LEDチップ1は接着剤層を介してリードフレーム2に固定されている。短波長可視光LEDチップ1とリードフレーム2は金線ワイヤー3により電気的に接続されている。前記短波長可視光LEDチップ1は、バインダー樹脂に蛍光体粉末を混練した蛍光体ペースト4で覆われている。この蛍光体ペースト4のバインダー樹脂は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ノルボルネン系樹脂、フッ素樹脂、金属アルコキシド、ポリシラザン、アクリル樹脂等が挙げられる。また、この発光モジュールは、この蛍光体ペースト4の周囲を覆う封止材5を有している。封止材5には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ノルボルネン系樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、低融点ガラス等の可視光に対し透明な材料が挙げられる。
なお、発光モジュール用の形態はこの発光モジュール構造に限定されるものではなく、例えば短波長可視光LEDチップ1の発光面に蛍光体層としてコーティングする等など、種々の形態がある。
以下に本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、勿論本発明の範囲は、これらによって限定されるものではない。
実施例1
Sr3.65Mg(PO4)3Cl:Eu2+ 0.05,Mn2+ 0.3の調製
炭酸ストロンチウム、炭酸マグネシウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化ストロンチウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを3.15:1:3:0.5:0.025:0.3のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
実施例2
Ca3.65Mg(PO4)3Cl:Eu2+ 0.05,Mn2+ 0.3の調製
炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化カルシウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを3.15:1:3:0.5:0.025:0.3のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
実施例3
Sr3.65Mg(PO4)3Cl0.7F0.3:Eu2+ 0.05,Mn2+ 0.3の調製
炭酸ストロンチウム、炭酸マグネシウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化アンモニウム、フッ化アンモニウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを3.65:1:3:0.7:0.3:0.025:0.3のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
実施例4
Sr2.85Ca0.2Mg(PO4)3Cl:Eu2+ 0.05,Mn2+ 0.3の調製
炭酸ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化ストロンチウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを2.35:0.2:1:3:0.5:0.025:0.3のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
実施例5
Ca3.75Mg(PO4)3Cl:Eu2+ 0.05,Mn2+ 0.2の調製
炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化カルシウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを3.25:1:3:0.5:0.025:0.2のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
実施例6
Ca4.15Mg0.5(PO4)3Cl:Eu2+ 0.05,Mn2+ 0.3の調製
炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化カルシウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを3.65:0.5:3:0.5:0.025:0.3のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
比較例1
Sr1.55Mg3.1(PO4)3Cl:Eu2+ 0.05,Mn2+ 0.3の調製
炭酸ストロンチウム、炭酸マグネシウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化ストロンチウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを1.05:3.1:3:0.5:0.025:0.3のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。その結果、試料が溶融ガラス化し、蛍光体粉末が得られなかった。
そこで、炭酸ストロンチウム、炭酸マグネシウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化ストロンチウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを1.05:3.1:3:0.5:0.025:0.3のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中950℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
比較例2
Sr4.65(PO4)3Cl:Eu2+ 0.05,Mn2+ 0.3の調製
炭酸ストロンチウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化ストロンチウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを4.15:3:0.5:0.025:0.3のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
比較例3
Sr4.9(PO4)3Cl:Eu2+ 0.1の調製
炭酸ストロンチウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化ストロンチウム及び酸化ユーロピウムを4.4:3:0.5:0.05のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
比較例4
Ba3.65Mg(PO4)3Cl:Eu2+ 0.05,Mn2+ 0.3の調製
炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、リン酸二水素アンモニウム、塩化バリウム、酸化ユーロピウム及び炭酸マンガンを3.15:1:3:0.5:0.025:0.3のモル比で精秤し、乳鉢で乾式混合した。この混合紛体をアルミナ坩堝に入れ、電気炉で空気中900℃で2時間焼成した。焼成物を乳鉢で粉砕混合し、アルミナ坩堝に入れ電気炉で水素1−窒素9の還元雰囲気中1050℃で3時間焼成した。焼成後、乳鉢で粉砕し、洗浄・乾燥して調製した。
図1〜10に実施例1〜6及び比較例1〜4の蛍光体の発光スペクトル、図11〜図16に実施例1〜6の蛍光体の励起スペクトルを示す。図1〜図10の縦軸は相対強度であり、各図の縦軸にふられた目盛りの幅は、等しい強度の幅を示している。
発光モジュールの作製
図18に示す発光モジュールを作成して、発光特性を評価した。半導体発光素子として、発光波長が395nm、外部量子効率が18%のInGaN/GaN系LEDチップ1を用いた。具体的には、カップ上のホルダー中にリードフレーム2を設置し、LEDチップ1をダイボンドし、一方のリードフレーム2に金属ワイヤー3をボンドし、シリコーン樹脂(東レダウ製JSR−6301)で表面が平坦になるまでモールドした。
白色蛍光体と透明バインダー6(東レダウ製JSR−6125)を1:1で混合して蛍光体ペーストを作製し、蛍光体ペーストを厚さ1mmの石英板に膜厚100μmで塗布し、蛍光体フィルター7とした。この蛍光体フィルター7を150℃で一時間硬化させ、前記LEDチップ1上に前記蛍光体を固定化した。
作製した発光モジュールを駆動電流20mA、駆動電圧3.5VでLEDチップに通電、発光させ、その発光を上方に設置した分光器8で測定した。
実施例1〜6および比較例1〜4で得られた発光モジュールの発光特性について、以下の項目について評価を行った。結果を表1に示す。
評価項目
A 全発光強度比(全波長領域の積分発光強度の比)
B 450nm付近の発光成分の発光強度(該当波長領域の積分発光強度の比)
C 600nm付近の発光成分の発光強度(該当波長領域の積分発光強度の比)
D 発光色度(B成分とC成分を加色混合したときの色度)
Figure 0004890018
また、実施例1〜6および比較例1〜4で得られた発光モジュールの発光スペクトル分布について、図1〜10に示す。
以上の結果より、実施例1〜6の発光モジュールは、いずれも、450nmと600nm付近に2つの発光ピークを有し、即ち450nm付近の発光ピークに基づく青色光と600nm付近の発光ピークに基づく橙色の混色により、白色光が得られるものであった。また、色度(x,y)も白色の領域に含まれるものであった。
これに対し、マグネシウム比率を大きくした比較例1は600nm付近に発光ピークを有し、マグネシウムの添加を無くした比較例2は450nmと600nm付近に2つの発光ピークを有するが、実施例と比較すると発光強度は低く、既存蛍光灯用青色蛍光体である比較例3およびバリウムとマグネシウムの組み合わせを用いた4は450nmにのみ発光ピークを有するので、青色発光成分が強く、白色光が得られない。
比較例1では、マグネシウム比率を大きくしたところ、蛍光体の融点が低下し、1050℃の焼成温度ではガラス化した。そこで、ガラス化しない温度である950℃で焼成したところ、発光強度が約半分に低下し、実用化できなかった。
本発明の白色発光蛍光体は、例えば、紫外線発光半導体素子と組み合わせて発光モジュールを構成することが可能であり、該発光モジュールは、例えば車両用灯具等へ適用が期待できる。
実施例1の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 実施例2の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 実施例3の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 実施例4の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 実施例5の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 実施例6の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 比較例1の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 比較例2の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 比較例3の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 比較例4の白色蛍光体の発光スペクトル分布を示す図である。 実施例1の白色蛍光体の励起スペクトル分布を示す図である。 実施例2の白色蛍光体の励起スペクトル分布を示す図である。 実施例3の白色蛍光体の励起スペクトル分布を示す図である。 実施例4の白色蛍光体の励起スペクトル分布を示す図である。 実施例5の白色蛍光体の励起スペクトル分布を示す図である。 実施例6の白色蛍光体の励起スペクトル分布を示す図である。 本発明の白色発光蛍光体を用いる発光モジュールの形態の1例を示す図である。 実施例及び比較例で作製した発光モジュールの概略を示す図である。
符号の説明
1 LEDチップ
2 リードフレーム
3 金属ワイヤー
4 蛍光体ペースト
5 封止材
6 透明バインダー
7 蛍光体フィルター
8 分光器

Claims (3)

  1. 下記一般式で表されることを特徴とする白色発光蛍光体。
    (M5-a-x-y,Mga)(PO43Q:Eu2+ x,Mn2+ y
    (MはCaおよびSrのうちの一種又は複数の組み合わせであり、QはClおよびFのうちの一種又は複数の組み合わせであり、0.05≦a≦3、0<x<5および0<y<5であり、かつ、0.05<a+x+y<5であり、EuとMnのmol比率Eu:Mnは1:1〜1:8である。)
  2. 励起ピーク波長が350〜420nmであることを特徴とする請求項1記載の白色発光蛍光体。
  3. 少なくとも、発光ピーク波長が350〜420nmの半導体発光素子と請求項1または2に記載の白色発光蛍光体とから構成されることを特徴とする発光モジュール。
JP2005362493A 2005-01-26 2005-12-15 白色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール Expired - Fee Related JP4890018B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005362493A JP4890018B2 (ja) 2005-01-26 2005-12-15 白色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005018830 2005-01-26
JP2005018830 2005-01-26
JP2005362493A JP4890018B2 (ja) 2005-01-26 2005-12-15 白色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006233184A JP2006233184A (ja) 2006-09-07
JP4890018B2 true JP4890018B2 (ja) 2012-03-07

Family

ID=37041188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005362493A Expired - Fee Related JP4890018B2 (ja) 2005-01-26 2005-12-15 白色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4890018B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2175007A4 (en) * 2007-06-29 2011-10-19 Mitsubishi Chem Corp LUMINOPHORE, METHOD FOR PRODUCING LUMINOPHORE, COMPOSITION CONTAINING LUMINOPHORE, AND LIGHT EMITTING DEVICE
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 Lumination Llc 由4價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
JP2011096685A (ja) * 2008-01-25 2011-05-12 Koito Mfg Co Ltd 蛍光体を用いた発光モジュール及びこれを用いた車両用灯具

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
DE20115914U1 (de) * 2001-09-27 2003-02-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP3875242B2 (ja) * 2004-04-22 2007-01-31 株式会社東芝 ハロリン酸塩蛍光体、発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006233184A (ja) 2006-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7274045B2 (en) Borate phosphor materials for use in lighting applications
TWI420710B (zh) White light and its use of white light-emitting diode lighting device
US10199547B2 (en) Red phosphor and light emitting device including the same
US20060231851A1 (en) Red phosphor for LED based lighting
JP4779384B2 (ja) Ce付活希土類アルミン酸塩系蛍光体及びこれを用いた発光素子
JP5323308B2 (ja) 発光モジュール
US8497625B2 (en) Light emitting module and phosphor
JP2008013592A (ja) 白色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール
JP5125039B2 (ja) 希土類酸窒化物系蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP4890017B2 (ja) 青色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール
JP4890018B2 (ja) 白色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール
JP2008024852A (ja) 蛍光体の製造方法
JP2006104413A (ja) 蛍光体およびそれを用いた白色発光素子
KR20150098429A (ko) 산 질화물 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
JP4732888B2 (ja) 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール
JP2005054159A (ja) 赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光素子
JP5063938B2 (ja) 橙色発光蛍光体
JP7464959B1 (ja) 発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯
JP2006233052A (ja) 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール
KR102372071B1 (ko) 시안색 인광체 변환 led 모듈
WO2024142450A1 (ja) 発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯
JP4699047B2 (ja) 発光モジュール
JP2011096685A (ja) 蛍光体を用いた発光モジュール及びこれを用いた車両用灯具
KR101687622B1 (ko) 질화물 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
JP2024094337A (ja) 発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080324

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110419

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110606

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111213

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees