JP4885182B2

JP4885182B2 - 回路板のふたメッキ方法

Info

Publication number: JP4885182B2
Application number: JP2008233063A
Authority: JP
Inventors: 帝威楊; 子健胡; 偉雄楊; 漢青石
Original assignee: 健鼎科技股▲ふん▼有限公司
Priority date: 2008-09-11
Filing date: 2008-09-11
Publication date: 2012-02-29
Anticipated expiration: 2028-09-11
Also published as: JP2010067813A

Description

本発明は回路板の製造方法に係り、更に詳しくは、レーザー加工を利用した回路板のふたメッキ方法に関する。

一般に、回路板中の、いわゆるふたメッキは、回路板にさん孔、並びに銅めっき後に、圧着過程を利用しポリプロピレン樹脂を貫通孔に充満させ、続いて、インクを使用して該貫通孔を塞ぎ、続いて、孔を充填後に、さらに樹脂体表面上にＰＴＨ銅層を電気めっきし、この工程がいわゆるふたメッキ工程である。

高密度相互接続（ＨＤＩ）はマイクロビア（Ｍｉｃｒｏｖｉａ）搭載細線と細密ピッチを利用し、高密度相互接続を達成する技術である。そのビアピッチは1.524 x 10 ^-4 ｍ以下、線幅／線ピッチは7.62 x 10 ^-5 ｍ／7.62 x 10 ^-5 ｍ以下であり、現在の技術水準ではビアピッチ5.08 x 10 ^-5 ｍ以下、線幅／線ピッチは2.54 x 10 ^-5 ｍ／2.54 x 10 ^-5 ｍ以下を達成できる。ＨＤＩに関しては、このふたメッキ工程によりビア上のレーザーホールの導通不能の問題を回避できる。

ＦＢ−ＤＩＭＭ（ＦｕｌｌｙＢｕｆｆｅｒｅｄＤＩＭＭ）メモリモジュールに関しては、このふたメッキ工程は回路板内の実装可能領域を増し、並びに孔銅を後続工程の薬液による浸食から保護する。

ＨＤＩ或いはＦＢ−ＤＩＭＭメモリモジュールのいずれも、ふたメッキ工程において、樹脂体表面と樹脂体表面上に付着するＰＴＨ銅層の間の結合力を増加するため、通常採用される方式は、物理研磨或いはケミカルエッチングである。

物理研磨は物理研磨方式を利用し、樹脂体表面を粗化し、この粗化表面により、該樹脂体表面とＰＴＨ銅層の間の結合力を増して、緊密に結合させる。

ケミカルエッチングは、化学薬剤を利用して樹脂体表面をエッチングし、樹脂体表面を粗化し、該粗化表面により、該樹脂体表面とＰＴＨ銅層の間の結合力を増して、緊密に結合させる。

高いガラス遷移温度特性を有する材料については、上述の物理研磨或いはケミカルエッチング工程は、いずれも樹脂体表面に均一で且つ十分な付着力を有する粗化表面を形成することはできず、このため該樹脂体表面とＰＴＨ銅層の結合力に影響が生じ、このために再熱応力試験後に、該樹脂体表面上の該ＰＴＨ銅層に剥離（ｐｕｌｌ−ａｗａｙ）現象が発生し得る。

ゆえに、高いガラス遷移温度特性の材料に応用できて樹脂体表面とＰＴＨ銅層を緊密に結合させられると共に、再熱応力試験後に剥離現象を発生することのない回路板のふたメッキ方法を如何に提供するかが、解決すべき課題となっている。

本発明の主要な目的は、一種の回路板のふたメッキ方法を提供することにあり、それは回路板製造工程環境において応用され、該回路板のふたメッキ方法は、高いガラス遷移温度特性の材料である樹脂体表面とＰＴＨ銅層を緊密に結合させられると共に、再熱応力試験後に剥離現象を発生することがないものとする。

本発明は一種の回路板のふたメッキ方法を提供し、それは、まず、レーザー加工を利用し、第１銅層電気めっき済みの回路板中の圧着処理後の樹脂体包含の電気めっきスルーホールＰＴＨに対して処理を行ない、圧着処理後の該ＰＴＨの樹脂体表面に浅い盲孔を形成し、続いて、該ＰＴＨの周囲の該第１銅層電気めっき済みの該回路板、及び、該浅い盲孔を具えた該樹脂体表面に、更に第２銅層の銅めっき工程を実行し、銅めっき工程により、該第２銅層を該樹脂体表面上、及び、該ＰＴＨ周囲の該第１銅層上に形成し、且つ該第２銅層の下向きの突出部を該樹脂体表面の浅い盲孔と緊密に結合させ、こうして該第２銅層を緊密に該樹脂体表面、及び該第１銅層上に付着させることにより、該樹脂体表面とＰＴＨにめっきされた該第２銅層の付着力を増す。

本発明は、一種の回路板のふたメッキ方法を提供し、それは回路板製造工程環境において応用され、該回路板のふたメッキ方法は、高いガラス遷移温度特性の材料に応用できて樹脂体表面とＰＴＨ銅層を緊密に結合させられると共に、再熱応力試験後に剥離現象を発生することがない。

図１から図３は連続表示図であり、本発明の回路板のふたメッキ方法を利用する前の回路板の製造工程表示図である。図１に示されるように、回路板Ｎに上下のさん孔を行ない、これにより、電気めっきされるスルーホールＮ１とＮ２を得る。続いて、図２のように、回路板Ｎ、及びスルーホールＮ１とＮ２中に、第１銅層１１を電気めっきする。続いて、図３のように、圧着（ｌａｍｉｎａｔｉｎｇ）処理を行ない、樹脂体１２を挟んで回路板Ｎを圧着することにより、樹脂体１２が電気めっきスルーホールＮ１とＮ２中に充填される。

図４は本発明の回路板のふたメッキ方法を説明するフローチャートであり、図３中の既に圧着処理済みの樹脂体が充填された電気めっきスルーホールＮ１とＮ２に対し、ふたメッキ工程を行なう。図４に示されるように、まず、ステップ１０１で、図３の、既に圧着処理済みの電気めっきスルーホールに対して、レーザー加工を利用し、既に第１銅層１１が電気めっきされた回路板Ｎの、圧着処理後の樹脂体１２を包含する電気めっきスルーホールＮ１とＮ２に対して、処理を行ない、該電気めっきスルーホールＮ１とＮ２に充填された樹脂体１２の表面（図示せず）に、浅い盲孔（図示せず）を形成し、並びにステップ１０２に進む。

ステップ１０２では、該樹脂体が充填された電気めっきスルーホールＮ１とＮ２周囲の、既に第１銅層１１が電気めっきされた該回路板Ｎ、及び、該浅い盲孔を具えた該樹脂体の表面に対して、第２銅層（図示せず）の銅めっきを実施する。銅めっき完成後に、該第２銅層は該樹脂体表面と、該樹脂体が充填された電気めっきスルーホールＮ１とＮ２周囲の該第１銅層１１上に付着し、且つ該第１銅層の下向きの突出部（図示せず）は該樹脂体表面の該浅い盲孔と緊密に結合し、こうして該第２銅層が緊密に該樹脂体表面及び該第１銅層１１上に付着し、これにより該樹脂体表面と樹脂体が充填された電気めっきスルーホールＮ１とＮ２にめっきされた該第２銅層間の付着力が増す。

図５と図６は連続表示図であり、図４中の本発明の回路板のふたメッキ方法の工程の実際の実行状況を示す。図５に示されるように、レーザー加工を利用し、既に第１銅層１１が電気めっきされた回路板Ｎ中の、圧着処理完成した電気めっきスルーホールＮ１とＮ２に対し、処理を実行し、すなわち、樹脂体１２が充満した該電気めっきスルーホールＮ１とＮ２の樹脂体表面１２１に、浅い盲孔１２２を形成する。この浅い盲孔１２２はレーザーで形成されて孔深が1.27 x 10 ^-5 ｍから5.08 x 10 ^-5 ｍ、例えば2.54 x 10 ^-5 ｍとされ、回路板Ｎは高いガラス遷移温度特性のＨｉｇｈ−ＴＧ材料のエポキシ基積層板、及び又は、ガラス遷移温度値が高いエポキシ板材を含む積層板、及び又は、ガラス遷移温度値が高いエポキシ混合板材を含む積層板、及び又は、高いガラス遷移温度特性のＨｉｇｈ−ＴＧ材料を含む基準ＦＲ−４板材とされる。

続いて、図６に示されるように、該樹脂体が充填された電気めっきスルーホールＮ１とＮ２周囲の、既に第１銅層１１が電気めっきされた該回路板Ｎ、及び、該浅い盲孔１２２を具えた該樹脂体表面１２１に対して、第２銅層１３の銅めっきを実施する。該第２銅層１３は該樹脂体表面１２１と、該樹脂体が充填された電気めっきスルーホールＮ１とＮ２周囲の該第１銅層１１上に付着し、且つ該第１銅層１１の下向きの突出部１３１は該樹脂体表面１２１の該浅い盲孔１２２と緊密に結合し、こうして該第２銅層１３が緊密に該樹脂体表面１２１及び該第１銅層１１上に付着し、これにより該樹脂体表面１２１と樹脂体が充填された電気めっきスルーホールＮ１とＮ２にめっきされた該第２銅層間の付着力が増す。

本発明の回路板のふたメッキ方法の長所は、高いガラス遷移温度特性の材料に応用可能で、樹脂体表面と樹脂体が充填された電気めっきスルーホールの銅層を緊密に結合させられ、並びに再熱応力試験後に剥離現象を発生しないことである。

以上は本発明の好ましい実施例の説明であって、本発明の範囲を制限するものではなく、本発明が提示する精神の下で完成される同じ効果を有する変更或いは修飾はいずれも本発明の請求範囲に属する。

本発明の回路板のふたメッキ方法を利用する前の回路板の製造工程連続表示図である。本発明の回路板のふたメッキ方法を利用する前の回路板の製造工程連続表示図である。本発明の回路板のふたメッキ方法を利用する前の回路板の製造工程連続表示図である。本発明の回路板のふたメッキ方法を説明するフローチャートである。本発明の工程の連続表示図であり、図４の実際の実行状況を示す。本発明の工程の連続表示図であり、図４の実際の実行状況を示す。

１１第１銅層１２樹脂体
１３第２銅層１０１１０２ステップ
１２１樹脂体表面１２２浅い盲孔
１３１突出部Ｎ回路板
Ｎ１Ｎ２電気めっきスルーホール

Claims

回路板製造工程において応用される回路板のふたメッキ方法において、
高いガラス遷移温度特性の樹脂体を挟んで回路板を圧着処理後の該回路板の、該樹脂体が充填された電気めっきスルーホールの樹脂体表面にレーザー加工を利用して、浅い盲孔を形成する工程、
該樹脂体が充填された電気めっきスルーホールの周囲の該回路板、及び該浅い盲孔を具えた該樹脂体表面に、銅めっきを実行する工程、
を包含したことを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項１記載の回路板のふたメッキ方法において、前記銅めっきを実行する工程の前の前記回路板は既に第１銅層を有することを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項２記載の回路板のふたメッキ方法において、前記銅めっきを実行する工程により、第２銅層が該樹脂体表面上、及び該樹脂体が充填された電気めっきスルーホール周囲の該回路板の該第１銅層上に付着することを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項３記載の回路板のふたメッキ方法において、前記第２銅層の下向きの突出部が該樹脂体表面の該浅い盲孔と緊密に結合し、該第２銅層が緊密に該樹脂体表面、及び該第１銅層上に付着することを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項４記載の回路板のふたメッキ方法において、前記回路板が高いガラス遷移温度特性（Ｈｉｇｈ−ＴＧ）材料を含むエポキシ基多層板とされたことを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項４記載の回路板のふたメッキ方法において、前記回路板がガラス遷移温度の高いエポキシ板材を含む積層板とされたことを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項４記載の回路板のふたメッキ方法において、前記回路板がガラス遷移温度の高いエポキシ混合板材を含む積層板とされたことを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項４記載の回路板のふたメッキ方法において、前記回路板がガラス遷移温度の高いガラス遷移温度特性のＨｉｇｈ−ＴＧ材料を含む基準ＦＲ−４板材とされたことを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項４記載の回路板のふたメッキ方法において、前記浅い盲孔がレーザーで形成されたことを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項９記載の回路板のふたメッキ方法において、前記浅い盲孔の孔深が1.27 x 10 ^-5 ｍから5.08 x 10 ^-5 ｍとされたことを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。
請求項９記載の回路板のふたメッキ方法において、前記浅い盲孔の孔深が2.54 x 10 ^-5 ｍとされたことを特徴とする、回路板のふたメッキ方法。