JP2007294902A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 被ラミネート基板に絶縁樹脂層となる樹脂製フィルムをラミネートする際に、破れなどの不具合が発生することなく、その表面を平坦に形成することができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
層間絶縁層Ｖ１となる樹脂製フィルム６０をキャリアフィルム４１で支持しながら配線基板１となる被ラミネート基板２Ａに加熱しながらラミネートさせる工程を備える配線基板１の製造方法であって、キャリアフィルム４１には、樹脂製フィルム６０が最低溶融粘度となる温度で樹脂製フィルム６０の硬さよりも硬いフィルムが用いられることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関する。詳しくは、配線積層部における層間絶縁層の積層方法に関する。

近年、電子機器における高機能化並びに軽薄短小化の要求により、ＩＣ（Integrated Circuit）やＬＳＩ（Large Scale Integration）等の電子部品では高密度集積化が急速に進んでおり、それら電子部品の動作がますます高速化してきている。これに伴い、電子部品を搭載する配線基板には、従来にも増して高密度配線化及び多端子化が求められている。

高密度の配線機能を有する配線基板の内部構造として、配線基板の厚さ方向の中央に板状コアが備えられ、その板状コアの表面上及び裏面下には、絶縁樹脂層と配線層とが交互に積層された配線積層部が形成される。例えば配線積層部は、次のようにして、板状コアの表面上及び裏面下に形成することができる。即ち、絶縁樹脂層となる樹脂製フィルムを作製し、この樹脂製フィルムをキャリアフィルム等で搬送して積層プレス等の方法で板状コア上に加熱しながらラミネートする。次いで、ラミネートした絶縁樹脂層にレーザ等で貫通孔（ビア）を穿設して、その貫通孔及び樹脂製フィルム表面に無電解メッキをする。その後、メッキレジストで所定パターンを形成し、パターンメッキを行う。レジスト剥離、エッチング、エッチング金属剥離などの工程を行い、絶縁樹脂層上に配線層を完成させる。同様にして、その上に絶縁樹脂層となる樹脂製フィルムを作製し、ラミネートする。この技術によれば、配線層を板状コア上に積み上げていくことができるため、配線の高集積化および高密度化を図ることができる。以下、樹脂製フィルムのラミネート対象となる基板を、被ラミネート基板という。
特開２００２−２５２４５８号公報 特開２００５−２２５０９２号公報

しかしながら、このような樹脂製フィルムを作製し、この樹脂製フィルムを積層プレスにより加熱しながら被ラミネート基板にラミネートする場合に、図８に示すように、被ラミネート基板１００の表面には、配線層１０１が所定パターンで形成されており、絶縁樹脂層１０２となる樹脂製フィルムは、その配線層１０１による凹凸に倣ってしまって、平滑性が悪くなり、絶縁樹脂層１０２の表面に凹凸を生じてしまう場合がある。さらには、積層プレスにより力が加わるとＸ部が破れてしまう惧れがあり、そこから配線層１０１が露出するといった信頼性評価にて電気的な不具合が発生する惧れがある。

本発明の課題は、被ラミネート基板に絶縁樹脂層となる樹脂製フィルムをラミネートする際に、破れなどの不具合が発生することなく、その表面を平坦に形成することができる配線基板の製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段及び発明の効果

上記課題を解決するために、本発明の配線基板の製造方法は、
配線基板となることが予定された被ラミネート基板に層間絶縁層となる樹脂製フィルムをキャリアフィルムに重ねて保持しながら所定の加熱温度に加熱することにより前記樹脂製フィルムを溶融して前記被ラミネート基板にラミネートさせるラミネート工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記ラミネート工程では、
前記加熱温度は、前記樹脂製フィルムの溶融粘度ηが最小溶融粘度をηｍｉｎとしたとき、η≦１．３×ηｍｉｎとなり、前記キャリアフィルムが非溶融状態となる温度範囲に設定され、
さらに、これら前記樹脂製フィルムと前記キャリアフィルムとは、加熱前（の常温）において、前記キャリアフィルムの変形抵抗（硬さ）が前記樹脂製フィルムの変形抵抗（硬さ）よりも大である材料が選定されることを特徴とする。

上記本発明によれば、積層プレス等の方法で被ラミネート基板に加熱しながらラミネートさせる樹脂製フィルムを支持するキャリアフィルムが、加熱前においてキャリアフィルムの変形抵抗が樹脂製フィルムの変形抵抗よりも大である材料が選定されている。通常、樹脂製フィルムを被ラミネート基板にラミネートする場合には、加熱して樹脂製フィルムを溶融させた状態で加圧することにより、被ラミネート基板の配線パターンによる凹部に樹脂を流れ込ますことができる（換言すれば、配線層による凹凸を吸収している）。このときの加熱温度は、キャリアフィルムが非溶融状態となる温度範囲で、樹脂製フィルムの溶融粘度ηが最小溶融粘度をηｍｉｎとしたとき、η≦１．３×ηｍｉｎであることが好ましく、より好ましくは最低溶融粘度となる温度が好ましい。樹脂製フィルムの溶融粘度をより低下させることにより、すなわち、樹脂の流動性をよくすることで、被ラミネート基板との隙間の発生を防止または抑制することができる。

また、この樹脂製フィルムは、キャリアフィルムに支持された状態で被ラミネート基板に加圧される。樹脂製フィルムは、積層プレス装置にキャリアフィルムを介して相対的に被ラミネート基板に加圧されており、キャリアフィルムが樹脂製フィルムよりも硬く形成されていることで、樹脂製フィルムが配線パターンにより流動した場合にも、キャリアフィルムは平滑さを保持した状態で樹脂製フィルムをラミネートすることができる。すなわち、キャリアフィルムが平滑さを保持しているので、その平滑面に押圧される樹脂製フィルムの上面（キャリアフィルムと接する側の面）が配線層の凹凸形態に拘らず、平坦に形成される。なお、キャリアフィルムが樹脂製フィルムよりも軟らかいと、樹脂製フィルムの流動にともなって、キャリアフィルムの支持面も配線層の凹凸（樹脂製フィルムの流動）に倣ってしまう惧れがあり、樹脂製フィルムの上面を平坦に形成することが難しくなる。

また、本発明の配線基板の製造方法は、
配線基板となることが予定された被ラミネート基板に層間絶縁層となる樹脂製フィルムをキャリアフィルムに重ねて保持しながら所定の加熱温度に加熱することにより前記樹脂製フィルムを溶融して前記被ラミネート基板にラミネートさせるラミネート工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記ラミネート工程では、
前記加熱温度は、前記樹脂製フィルムの溶融粘度ηが最小溶融粘度をηｍｉｎとしたとき、η≦１．３×ηｍｉｎとなり、
さらに、これら前記樹脂製フィルムと前記キャリアフィルムとは、加熱前（の常温）において、前記キャリアフィルムの変形抵抗が前記樹脂製フィルムの変形抵抗よりも大であり、かつ、前記キャリアフィルムが前記樹脂製フィルムよりも薄い材料が選定されることを特徴とする。

上記本発明によれば、積層プレス等の方法で被ラミネート基板に加熱しながらラミネートさせる樹脂製フィルムを支持するキャリアフィルムが、その樹脂製フィルムの厚みよりも薄いフィルムが用いられている。上述したように、樹脂製フィルムは、積層プレス装置にキャリアフィルムを介して相対的に被ラミネート基板に加圧されており、キャリアフィルムが樹脂製フィルムよりも薄く形成されているので、より確実に積層プレス装置の加圧面の形状を樹脂製フィルム上面に伝達することができる。すなわち、積層プレス装置の加圧面を平滑に形成することで、樹脂製フィルムの上面を平坦に形成することができる。なお、キャリアフィルムを厚く形成した場合には、キャリアフィルムが変形し易くなり、樹脂製フィルムの上面を平坦に形成することが難しくなる。

したがって、キャリアフィルムを樹脂製フィルムよりも硬く、そして薄く形成することがより好ましい。

また、本発明の配線基板の製造方法は、
前記キャリアフィルムは、加熱前（の常温）において、その引張弾性率が前記樹脂製フィルムよりも大であり、
前記ラミネート工程において、前記樹脂製フィルムが溶融して前記被ラミネート基板にラミネートさせる際に、前記キャリアフィルムはその引張弾性率に応じた硬さを維持して前記樹脂製フィルムを被ラミネート基板にラミネートさせることができる。これにより、キャリアフィルムの引張弾性率が樹脂製フィルムよりも大きいので、樹脂製フィルムを被ラミネート基板にラミネートさせる際に常にキャリアフィルムが樹脂製フィルムよりも硬い状態となり、その硬いキャリアフィルムを介して加圧されるので、形成される層間絶縁層の表面は平滑性が担保される。

また、本発明の配線基板の製造方法は、
加熱後剥離された前記キャリアフィルムは、前記樹脂製フィルムが加熱溶融後常温まで冷却されて形成した前記層間樹脂層よりも薄い材料を選定することができる。これにより、キャリアフィルムの厚みが樹脂製フィルムよりも薄いので、樹脂製フィルムを被ラミネート基板にラミネートさせる際に常にキャリアフィルムが樹脂製フィルムよりも薄い状態となり、すなわち、変形し難いキャリアフィルムを介して加圧されるので、形成される層間絶縁層の表面は平滑性が担保される。

また、本発明の配線基板の製造方法において、前記キャリアフィルムは、前記樹脂製フィルムを保持する面におけるＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する算術平均粗さが０．２５μｍ以上０．３５μｍ以下を満たす構成とすることができる。これにより、樹脂製フィルム保持面を算術平均粗さが０．２５μｍ以上０．３５μｍ以下の範囲とすることで、キャリアフィルムが樹脂性フィルムに接触したときに粗化面による間隙から空気が排気され、より密着した状態で樹脂製フィルムを保持することができる。したがって、両フィルムの間に入り込んだ空気により発生する樹脂製フィルム表面の凹み等を効果的に抑制又は防止することができる。なお、算術平均粗さが０．２５μｍよりも小さい場合には、十分に空気が排気されず両フィルムの間に空気が入り込む恐れがある一方、算術平均粗さが０．３５μｍよりも大きい場合には、粗化面による間隙が大きすぎて空気が残留する恐れがあり、層間絶縁層の平滑性を損なう要因となる。

以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図１は本発明によって得られる配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。なお、本実施形態において、板状部材の第１主表面は、図中にて上側に表れている面とし、第２主表面は、図中で見て下側に表れている面とする。

配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面ＭＰ１，ＭＰ２に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール導体３０の内側には貫通孔１３が形成され、その貫通孔１３にはエポキシ樹脂等の樹脂穴埋め材（樹脂ペースト）３１が充填されている。

また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、後述するエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム６１にて構成された第１絶縁樹脂層（ビルドアップ層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ金属配線７を有する第１導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、後述する熱硬化性樹脂組成物等からなる絶縁樹脂フィルム６１を用いた第２絶縁樹脂層（ビルドアップ層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。その表面には、金属端子パッド１０，１７を有する第２導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第１導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。

板状コア２の第１主表面ＭＰ１においては、コア導体層Ｍ１、第１絶縁樹脂層Ｖ１、第１導体層Ｍ２および第２絶縁樹脂層Ｖ２が第１の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第２主表面ＭＰ２においては、コア導体層Ｍ１１、第１絶縁樹脂層Ｖ１１、第１導体層Ｍ１２および第２絶縁樹脂層Ｖ１２が第２の配線積層部Ｌ２を形成している。いずれも、第１主表面ＣＰが第２絶縁樹脂層Ｖ２，Ｖ１２にて形成されるように、絶縁樹脂層と導体層とが交互に積層されたものであり、該第１主表面ＣＰ上には、複数の金属端子パッド１０，１７がそれぞれ形成されている。第１配線積層部Ｌ１側の金属端子パッド１０は、集積回路チップなどをフリップチップ接続するための半田ランドである金属端子パッド１０を構成する。また、第２配線積層部Ｌ２側の金属端子パッド１７は、配線基板自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面ランド（ＰＧＡパッド、ＢＧＡパッド）として利用されるものである。

半田ランドである金属端子パッド１０は配線基板１の第１主表面の中央部分に格子状に配列し、各々その上に形成された半田バンプ１１とともにチップ搭載部を形成している。また、第２導体層Ｍ１３内の裏面ランド１７も、格子状に配列形成されている。そして、各第２導体層Ｍ３，Ｍ１３上には、それぞれ、感光性または熱硬化性樹脂組成物よりなるソルダーレジスト層８，１８（ＳＲ１，ＳＲ１１）が形成されている。いずれも半田ランドである金属端子パッド１０あるいは裏面ランドである金属端子パッド１７を露出させるために、各ランドに一対一に対応する形で露出孔８ａ，１８ａが形成されている。第１配線積層部Ｌ１側に形成されたソルダーレジスト層８の半田バンプ１１は、たとえばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田にて構成することができる。他方、第２配線積層部Ｌ２側の金属端子パッド１７はソルダーレジスト層１８の露出孔１８ａ内に露出するように構成されている。なお、配線基板１において信号伝送経路は、板状コア２の一主表面側（第１配線積層部Ｌ１側）に形成された半田ランドである金属端子パッド１０から、他方の主表面側（第２配線積層部Ｌ２側）に形成された裏面ランドである金属端子パッド１７に至る形で形成される。

以上のように説明した配線基板１は、公知のビルドアップ法等により、板状コア２の両主表面ＭＰ１，ＭＰ２に、第１及び第２配線積層部Ｌ１，Ｌ２をそれぞれ形成することにより製造することができる。第１及び第２配線積層部Ｌ１，Ｌ２を形成するビルドアップ工程を行う前に、板状コア２に予めスルーホール１２を設け、そのスルーホール１２内にスルーホール導体３０をＣｕメッキにより形成し、さらに貫通孔１３内に樹脂穴埋め材３１を充填する。以下、具体的に説明する。

図２は、配線基板の製造工程説明図、図３は、絶縁樹脂層となる樹脂製フィルム６０の断面構造を模式的に示すものであり、図４は、本発明に係る配線基板の製造方法を実施するためのラインを模式的に示すものである。

まず、図２（２−１）に示すように、耐熱性樹脂板（例えば、ビスマレイミド−トリアジン樹脂板）または、繊維強化樹脂板（例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で形成される厚さ６００μｍ（１００μｍ以上２０００μｍ以下の範囲で可能）の板状コア２の所定位置に、ドリル等の方法で厚さ方向に貫通する直径２５０μｍ（５０μｍ以上５５０μｍ以下の範囲で可能）のスルーホール１２を穿設する。次に、そのスルーホール１２の内周面と板状コア２の両表面ＭＰ１，ＭＰ２上に無電解メッキを施し、その上にメッキレジストで所定パターンを形成し、パターン電解メッキを行う。レジスト剥離、エッチング、エッチング金属剥離などの工程を行いスルホール導体３０及びコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を形成する。スルーホール導体３０の内側には貫通孔１３が形成されており、その貫通孔１３内に樹脂穴埋め材３１を充填する。なお、この状態における板状コア２が本実施例における被ラミネート基板２Ａの１形態に相当する。

次に、図２（２−２）に示すように、第１絶縁樹脂層Ｖ１，Ｖ１１（図１参照）となる樹脂製フィルム６０をキャリアフィルム４１で支持（重ねて保持）しながら被ラミネート基板２Ａ上の所定位置に配置する。具体的には、用いられるキャリアフィルム４１は、その厚さが１５μｍ以上３０μｍ以下に調整された帯状の樹脂フィルムであり、樹脂の種類は特に限定されるものではないが、本実施形態では溶融温度が２４０℃以上２６０℃以下であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を使用している。キャリアフィルム４１は、後述するが樹脂製フィルム６０を被ラミネート基板２Ａに積層する際に、樹脂製フィルム６０とともに圧力及び加熱作用が付与されるので、厚さを１５μｍ以上とすることで耐熱性が保たれる。

また、図３に示すように、樹脂製フィルム６０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる絶縁樹脂フィルム６１の両面に、保護層としてポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の熱可塑性樹脂からなる第１及び第２保護フィルム６２，６３を備える３層構造で形成されている。第１及び第２保護フィルムは、ゴミ等の付着物が絶縁樹脂フィルム６１に付着するのを防止するために用いられ、必ずしも両面の保護フィルムは必須というわけではない。本実施例においては、絶縁樹脂フィルム６１の上面にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、下面に２軸延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）で挟んだ３層構造の樹脂シート６０を使用している。また、樹脂製シート６０の厚さは、例えば、絶縁樹脂フィルム６１が３５μｍ以上６５μｍ以下、第１保護フィルム６２が１５μｍ以上２５μｍ以下、第２保護フィルム６３が１０μｍ以上２０μｍ以下とされている。このように、後述するが、キャリアフィルム４１の厚みが絶縁樹脂フィルム６１の厚みよりも薄く形成されており、絶縁樹脂フィルム６１を第１絶縁樹脂層Ｖ１，Ｖ１１として良好に形成することができる。なお、絶縁樹脂フィルム６１は、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の厚みにより種々変更が可能である。

ここで、図４を用いて、樹脂製フィルム６０をキャリアフィルム４１に支持させる工程を説明する。樹脂製フィルム６０とキャリアフィルム４１とは、それぞれが予めロール状（樹脂製フィルム６０用供給リール６５，キャリアフィルム用供給リール４２）に巻き取られて形成されており、両者を加熱しながら圧着させる工程を行う。この工程により、樹脂製フィルム６０とキャリアフィルム４１とが一体化（樹脂製フィルム６０がキャリアフィルム４１に支持）される。すなわち、樹脂製フィルム６０とキャリアフィルム４１とが重なるように、これら両者のフィルム部材を圧着ローラ対４７（熱圧着器具）に向けて同期して繰り出していく。圧着ローラ対４７は、公知のカレンダロール装置の一部であり、所定温度に加熱されている。樹脂製フィルム６０及びキャリアフィルム４１は、この圧着ローラ対４７の加圧作用及び加熱作用とを受けて熱圧着され一体化（樹脂製フィルム６０がキャリアフィルム４１に支持）される（図２（２−２）参照）。圧着ローラ対４７で樹脂製フィルム６０を予熱しておけば、後述するラミネート工程時で加熱する際に、所定温度範囲に迅速に達することができる。なお、図４においては、便宜上キャリアフィルム４１が樹脂製フィルム６０を上側から支持させたもので例示しているが、キャリアフィルム４１が樹脂製フィルム６０を下側から支持することもでき、図２（２−２）に示すごとく、被ラミネート基板２Ａに対して両面側に同時に樹脂製フィルム６０を供給することができる。

また、樹脂製フィルム６０は、圧着ローラ対４７により３層構造の状態でキャリアフィルム４１に支持される。そのため、圧着ローラ対４７が絶縁樹脂フィルム６１に直接接触しない。第２保護フィルム６３は、絶縁樹脂フィルム６１を保護する役目も兼ね、キャリアフィルム４１と接着（支持）の終了後は、絶縁樹脂フィルム６１のラミネート工程で不要になるので、図４に示すごとく、キャリアィルム４１で樹脂製フィルム６０（６１，６２）の支持を継続しつつ、保護フィルム回収リール６５で樹脂製フィルム６０の第２保護フィルム６３を絶縁樹脂フィルム６１から剥離除去する。つまり、図２（２−２）に示す図面は、キャリアフィルム４１に、第１保護フィルム６２と絶縁樹脂フィルム６１とからなる樹脂製フィルム６０（６１，６２）が支持された状態である。

なお、樹脂製フィルム６０のキャリアフィルム４１の支持方法としては、上記製造方法に限定されるものではなく、例えば、キャリアフィルム４１が、一端が上記したキャリアフィルム用供給リール４２、他端が回収リール４３に予め固定されており、キャリアフィルム用供給リール４２および回収リール４３の回転駆動により、キャリアフィルム用供給リール４２から順次送り出される。樹脂製フィルム６０は、送給ローラ（図示せず）等により搬力が付与され、キャリアフィルム４１よりも図面において鉛直下方に配置された樹脂製フィルム用供給リール６５から、キャリアフィルム４１に接近するように供給される。もちろん、両者の送給速さは一致させる。

キャリアフィルム４１と樹脂製フィルム６０とを十分に接近させたのち、図示しないプレス装置により、両者の対向面の上下方向から圧力を付与することで、樹脂製フィルム６０をキャリアフィルム４１で支持することができる。なお、このときの圧力は、樹脂製フィルム６０がキャリアフィルム４１に確実に担持される強さに調整するとよい。また、樹脂製フィルム６０とキャリアフィルム４１とを静電引力で接着（支持）させてもよい。

また、キャリアフィルム４１には、少なくとも一方の主面が表面粗化処理されたものを使用するのがよい。その表面粗化処理された主面側（図面において下側）に樹脂製フィルム６０を圧着させると、アンカー効果により、より確実な圧着を実現することができる。また、キャリアフィルム４１が樹脂性フィルム６０に接触したときに粗化面による間隙から空気が排気されやすくなってなり、より密着した状態で樹脂製フィルム６０を保持することができる。表面粗化処理は、公知のブラスト処理にて行うことができる。なお、キャリアフィルム４１の表面粗さについては、樹脂製フィルム６０が確実に圧着されつつも、剥離しにくくなりすぎないように調整するとよい。

次に、図２（２−３）及び（２−４）に示すように、樹脂製フィルム６０を被ラミネート基板２Ａにラミネートさせる。具体的には、樹脂製フィルム６０（６１，６２）をその絶縁樹脂フィルム６１の厚みよりも薄く形成されたキャリアフィルム４１で支持させたのち、所定のプレス位置に配置したプレス装置５０ａ，５０ｂにより、前述した被ラミネート基板２Ａを配置するとともに、その被ラミネート基板２Ａを挟み込むように樹脂製フィルム６０（６１，６２）をキャリアフィルム４１ごと上下方向から相対的に圧力を付与する。このとき、プレス装置５０ａ，５０ｂには、発熱抵抗体等のヒータを内蔵しており、圧力を付与するとともに加熱作用も付与している。このとき、キャリアフィルム４１が薄く形成されているので、絶縁樹脂フィルム６１に熱を伝えやすくなり効率よく絶縁樹脂フィルム６１を溶融させることができ、プレス装置５０ａ，５０ｂによる圧力によって所定パターンのコア導体層Ｍ１，Ｍ１１による凹部へと樹脂が流動し、被ラミネート基板２Ａの表面（板状コア２の主表面ＭＰ１，ＭＰ２）に密着した状態で絶縁樹脂フィルム６０（６１，６２）を積層することができる。

プレス装置５０ａ，５０ｂの温度は、図示しないコントローラによって制御され、一定温度に保持される。図５は、絶縁樹脂フィルム６１の動的粘弾性率の温度依存の関係を示す図である。図５に示すように、絶縁樹脂フィルム６１が溶融粘度の異なる絶縁樹脂フィルムＡ，Ｂ，Ｃ等のような溶解粘度特性を備え、プレス装置５０ａ，５０ｂを用いた熱圧着は、絶縁樹脂フィルム６１の溶融粘度ηが最小溶融粘度ηｍｉｎとしたとき、η≦１．３ηｍｉｎとなる温度に保持されるのが好ましく（より好ましくは最小溶融粘度ηｍｉｎとなる温度）、使用される材料によって変更される。具体的には、用いられる絶縁樹脂フィルム６１の溶融粘度が低下する温度、すなわち１００℃以上１４５℃以下（より好ましくは１２５℃以上１４５℃以下）の範囲に収まるように行うことが望ましい。絶縁樹脂フィルム６１の温度が１００℃未満の場合には、樹脂製フィルム６０と被ラミネート基板２Ａとの密着性が不足する惧れがある。他方、絶縁樹脂フィルム６１の温度が１４５℃を超えると、絶縁樹脂フィルム６１は熱硬化性樹脂材料が用いられるため硬化が始まり間隙などが発生し、密着性が不足する惧れがある。なお、このときのキャリアフィルム４１は非溶融状態であるため絶縁樹脂フィルム６１の変形抵抗（硬さ）よりも大であることは言うまでもない。また、絶縁樹脂フィルム６１が凹部へと流動して配線層上面からの厚さが減ずる形となるが、キャリアフィルム４１をこの厚さよりも薄くすることで、よりキャリアフィルム４１が変形し難くり、第１絶縁樹脂層Ｖ１，Ｖ１１の表面の平滑性を良好にすることができる。

その後、図２（２−５）に示すように、樹脂製フィルム６０（６１，６２）からキャリアフィルム４１を剥離し、被ラミネート基板２Ａに樹脂製フィルム６０（６１，６２）を積層する。具体的には、絶縁樹脂フィルム６１は、被ラミネート基板２Ａに強固に圧着されるので、つまり、キャリアフィルム４１との接着よりも強固に圧着されるので、絶縁樹脂フィルム６１が被ラミネート基板２Ａの表面から剥離されることなく、キャリアフィルム４１だけが剥離される。

なお、樹脂製フィルム６０を被ラミネート基板２Ａにラミネートする前に、キャリアフィルム４１を分断することなく、周知の切断方法で被ラミネート基板２Ａに対応した形状に樹脂製フィルム６０を切断しておくことができる。この場合には、切断した樹脂フィルム６０が被ラミネート基板２Ａにラミネートされ、非ラミネート部分に関しては、そのままキャリアフィルム４１に支持されたまま、回収リール４３（図４参照）に回収される。また、切断した樹脂製フィルム６０のみをキャリアフィルム上４１に残す形で、予めプレス工程の前に非ラミネート部分をキャリアフィルム上から巻き取り回収（除去）してもよい。

その後、絶縁樹脂フィルム６１の上面に形成された第１保護フィルム６２を剥離除去し、第１樹脂絶縁層Ｖ１，Ｖ１１となる絶縁樹脂フィルム６１の所定の位置をレーザまたはプラズマで穿孔してビアを形成し、無電解メッキを施し、その上にメッキレジストで所定パターンを形成し、パターン電解メッキを行う。レジスト剥離、エッチング、エッチング金属剥離などの工程を行い第１導体層Ｍ２，Ｍ１２を形成する。さらに、上記工程を繰り返すことにより第１及び第２配線積層部Ｌ１，Ｌ２を形成することができる。さらに、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１を形成し、それらソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１の開口８ａ，１８ａ内に露出した導体層Ｍ３，Ｍ１３にＮｉ／Ａｕメッキを施し、端子パッド１０，１７を得る。Ｎｉ／Ａｕメッキ工程の終了後、ソルダーレジスト層ＳＲ１の開口８ａ内にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕなどの鉛フリー半田ペーストを充填し、リフロー工程を行う。これにより、金属端子パッド１０の上に半田バンプ１１が形成される。

以下、本発明の効果を確認するために行った実験について説明する。

上述の配線基板１において、板状コア２（被ラミネート基板２Ａ）に積層された第１絶縁樹脂層Ｖ１の表面を、拡大鏡（倍率１０倍）を用いて観察した。

本発明の実施例は、絶縁樹脂層（層間絶縁層）となる絶縁樹脂フィルムとしてＧＸシリーズＡＢＦフィルム（味の素株式会社製）が用いられる。この絶縁樹脂フィルムは、厚みが３５μｍ以上６５μｍ以下の範囲で引張弾性率３．５Ｇｐａであり、図５に示す溶融粘度の異なる絶縁樹脂フィルムＡ，Ｂ，Ｃ等のような溶解粘度特性を備え、以下のキャリアフィルムを用いて絶縁樹脂層を作製した。なお、実施例１及び２、並びに比較例１においては、厚みが４５μｍ（圧着後のパターン間厚み３０μｍ）の絶縁樹脂フィルムを用いた。実施例３及び比較例２においては、厚みが３５μｍ（圧着後のパターン間厚み２０μｍ）の絶縁樹脂フィルムを用いた。

（実施例１）
・Ｅ１３０−２６（三菱ポリエステルフィルム株式会社製）
（実施例２）
・Ｘ４４ ＃２５（東レ株式会社製）
（実施例３）
・Ｅ１３０−２６（三菱ポリエステルフィルム株式会社製）
実施例１として用いられるキャリアフィルムは、厚みが２６μｍで引張弾性率が４．６Ｇｐａのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、実施例２として用いられるキャリアフィルムは、厚みが２３．５μｍで引張弾性率が４．４Ｇｐａのポリエステル、実施例３として用いられるキャリアフィルムは、厚みが１５μｍで引張弾性率が４．６Ｇｐａのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）である。

一方、比較例１及び２は、ＡＢＦ−Ｒ０１（味の素株式会社製）を用いている。このキャリアフィルムは、厚みが５０μｍ引張弾性率３．３Ｇｐａのポリエステルである。実施例１ないし３及び比較例１及び２のキャリアフィルム並びに絶縁樹脂フィルムのそれぞれの特性をまとめたものを表１及び２に示す。なお、表面粗さは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する算術平均粗さを測定したものである。

次に、観察結果を図６及び７に示す。図６に示すように、実施例１ないし３では、絶縁樹脂層Ｖ１表面の凹みの発生率が４％と良好であるのに対し、比較例１及び２では、実施例の３倍の１２％もの凹み発生率であった。また、図７に示すように、実施例１ないし３では、絶縁樹脂層Ｖ１表面の断面曲線が１μｍ以上３μｍ以下と良好であるのに対し、比較例では、実施例の２、３倍の３μｍ以上６μｍ以下と平滑とは言い難い数値となった。比較例１及び２では、表１及び２に示すように、加熱前において絶縁樹脂フィルム（樹脂製フィルム）の引張弾性率が３．５Ｇｐａに対して３．３Ｇｐａと小さく、すなわちキャリアフィルムの変形抵抗が絶縁樹脂フィルムよりも小であるため、上述した工程でラミネート（プレス装置で被ラミネート基板に加圧）させるときに、キャリアフィルムの押圧面（支持面）が変形して、配線層の形態に倣って表面が平滑に形成されなかったのに対し、実施例においては、キャリアフィルムの変形抵抗が絶縁樹脂フィルムよりも大であるため、キャリアフィルムの押圧面が変形することがなく絶縁樹脂フィルムの表面を平滑に形成することができた。

さらには、実施例１ないし３においては、その厚みが薄く形成されているので、よりキャリアフィルムの変形が起こり難くなり、絶縁樹脂フィルムの表面が平滑に形成された。具体的には、実施例１及び２については、絶縁樹脂フィルムの厚み４５μｍよりも薄く、さらには、絶縁樹脂層形成後の厚み３０μｍ（表１参照）よりも薄い２３．５μｍ以上２６μｍ以下で形成されている。実施例３については、絶縁樹脂フィルムの厚み３５μｍよりも薄く、さらには、絶縁樹脂層形成後の厚み２０μｍ（表２参照）よりも薄い１５μｍで形成されている。一方、比較例１及び２については、厚みが５０μｍと絶縁樹脂フィルムの厚みよりも厚く形成されているので、変形が起こり易く、絶縁樹脂フィルムの表面に凹みが多く発生された。

また、実施例１ないし３において、表面粗さが０．２５μｍ以上０．３５μｍ以下（具体的には、０．２９μｍ（実施例１，３），０．３μｍ（実施例２））で形成されており、絶縁樹脂フィルムを保持するときに効果的に排気されるため、絶縁樹脂フィルムの表面が平滑に形成されているのに対し、比較例１及び２では、表面粗さが１μｍと表面が粗く形成されているので、キャリアフィルムと絶縁樹脂フィルムの間に空気が残留し、絶縁樹脂フィルム表面の凹み発生の要因の１つとなっている。

なお、本発明において、上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の趣旨を逸脱しない限りにおいて、目的、用途に応じて当業者の知識に基づく種々の変更が可能である。

本発明に係る配線基板の断面構造の一例を示す図。 本発明に係る配線基板の製造工程説明図。 樹脂製フィルムの断面構造の一例を示す図。 本発明に係る配線基板の製造方法を実施するためのラインの一例を示す図 樹脂製フィルムの動的粘弾性率の温度依存の関係を示す図 凹み発生率を示す図 断面曲線を示す図 従来の不具合を示す図

符号の説明

１ 配線基板
２ 板状コア（被ラミネート基板）
１２ スルーホール
１３ 貫通孔
３０ スルーホール導体
４１ キャリアフィルム
６０ 樹脂製フィルム
６１ 絶縁樹脂フィルム
６２，６３ 保護フィルム

Claims (6)

1. 被ラミネート基板に層間絶縁層となる樹脂製フィルムをキャリアフィルムに重ねて保持しながら所定の加熱温度に加熱することにより前記樹脂製フィルムを溶融して前記被ラミネート基板にラミネートさせるラミネート工程を含む配線基板の製造方法であって、
   前記ラミネート工程では、
   前記加熱温度は、前記キャリアフィルムが非溶融状態となる温度範囲に設定され、
   さらに、これら前記樹脂製フィルムと前記キャリアフィルムとは、加熱前において、前記キャリアフィルムの変形抵抗が前記樹脂製フィルムの変形抵抗よりも大である材料が選定されることを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 被ラミネート基板に層間絶縁層となる樹脂製フィルムをキャリアフィルムに重ねて保持しながら所定の加熱温度に加熱することにより前記樹脂製フィルムを溶融して前記被ラミネート基板にラミネートさせるラミネート工程を含む配線基板の製造方法であって、
   前記ラミネート工程では、
   前記加熱温度は、前記キャリアフィルムが非溶融状態となる温度範囲に設定され、
   さらに、これら前記樹脂製フィルムと前記キャリアフィルムとは、加熱前において、前記キャリアフィルムが前記樹脂製フィルムよりも薄い材料が選定されることを特徴とする配線基板の製造方法。
3. 前記キャリアフィルムは、加熱前において、その引張弾性率が前記樹脂製フィルムよりも大であり、
   前記ラミネート工程において、前記樹脂製フィルムが溶融して前記被ラミネート基板にラミネートさせる際に、前記キャリアフィルムはその引張弾性率に応じた硬さを維持して前記樹脂製フィルムを被ラミネート基板にラミネートさせる請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記加熱温度は、前記樹脂製フィルムの溶融粘度ηが最小溶融粘度をηｍｉｎとしたとき、η≦１．３×ηｍｉｎとなる温度である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記キャリアフィルムは、前記加熱前において前記樹脂製フィルムよりも薄い材料が選定される請求項１に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記キャリアフィルムは、前記樹脂製フィルムを保持する面におけるＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する算術平均粗さが０．２５μｍ以上０．３５μｍ以下を満たす請求項１ないし５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。

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