JP4884673B2 - フラットパネルスパッタリングの二次元マグネトロン走査 - Google Patents
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Description
プラズマループは、50〜125mmのピッチで分離されている平行部分を備えた2つの極により形成されており、ピッチを75mmにすると優れた結果が出ることが証明されている。走査はピッチより大きな距離、少なくとも10mm大きな距離で行われるべきである。
ターゲットの対角線又はデカルト座標に対する斜め方向の走査は、パターンの直線部が0.4〜3mm、好ましくは0.8〜1.2mmの長さを有するデカルト座標に沿ったジグザグパターンにより達成することが好ましい。
アクチュエータの全部のセットにより、より複雑なほとんど規則的でないパターンが可能になり、これは湾曲部を含む。例えば、図19に示されている8字型走査230は、アクチュエータの4セットの制御を継続的に変化させることにより達成することができる。
Claims (30)
- 四角形基板上にターゲット物質をスパッタ堆積するための四角形ターゲットと、前記基板に対向する前記ターゲットの背面上に配置されるマグネトロンに適用可能なプラズマスパッタリアクタ内の走査機構であって、前記ターゲットに配列された四角形の2つの対向する辺と、前記2つの対向する辺の2つの連結する対角線に沿って伸びる二重Zパターンで前記マグネトロンを走査する走査機構。
- 前記マグネトロンは、四角形ターゲットの2つの直交する方向のうちの1つに沿って延伸している複数の分離された磁気部を有している請求項1記載の走査機構。
- 前記マグネトロンは回旋パターンで外側極に包囲された内側極を含む請求項1記載の走査機構。
- 四角形基板上のスパッタ堆積のための四角形ターゲットに適用可能なプラズマスパッタリアクタ内のマグネトロンシステムであって、
第1方向に沿った直線部内で延伸している複数の分離された磁気部を有しているマグネトロンと、
前記ターゲットに配列された四角形の2つの対向する辺と、前記2つの対向する辺の2つの連結する対角線に沿って伸びる二重Zパターンで前記マグネトロンを走査する走査手段を備えたマグネトロンシステム。 - 前記マグネトロンは回旋型形状を有するプラズマループを形成する請求項4記載のマグネトロンシステム。
- 前記回旋型形状は蛇行形状である請求項5記載のマグネトロンシステム。
- 前記回旋型形状は四角形螺旋型形状である請求項5記載のマグネトロンシステム。
- マグネトロンは、前記回旋型形状に形成された第1磁極を有する内側極と、
前記第1磁極と反対の第2磁極を有し、間隙部により前記内側極と分離された外側極を備えた請求項5記載のマグネトロンシステム。 - 前記走査手段は、互いに非平行な2つの夫々の方向に沿って前記マグネトロンに力を与える2つの独立したアクチュエータを含む請求項4記載のマグネトロンシステム。
- 静止した四角形基板上へのスパッタリング方法であって、前記基板に対向する四角形ターゲットの背面上で走査する工程と、一般的に四角形のマグネトロンが閉鎖プラズマループを形成する工程を含み、前記走査は前記ターゲットに配列された四角形の2つの対向する辺と、前記対向する辺の2つの連結する対角線に沿って伸びる二重Zパターンで実行される方法。
- 前記プラズマループは単一回旋型に形成されている請求項10記載の方法。
- 前記走査は、0.5〜5mm/秒の速度で行われる請求項10記載の方法。
- 前記走査は互いにオフセットされている複数の前記二重Zパターンで行われる請求項10記載の方法。
- 前記マグネトロンは、第1磁極を有し、回旋型形状を有する経路に沿って伸びている内側極と、
前記第1磁極と反対の第2磁極を有し、前記内側極を包囲している外側極を備えている請求項10記載の方法。 - 前記内側極は複数の連結されていない直線部を含む請求項14記載の方法。
- 前記マグネトロンは、前記ターゲットの対応する辺の長さの少なくとも80%の長さを有する辺を有している請求項10記載の方法。
- 四角形スパッタリングターゲットの背面において、前記ターゲットに配列された四角形の2つの対向する辺と、前記2つの対向する辺の端部を連結する対角線に沿った二重Zパターンでマグネトロンを走査する工程を有する静止した四角形基板上のスパッタリング方法。
- 前記マグネトロンは実質的に四角形であり、回旋型を有する閉鎖プラズマループを形成する請求項17記載の方法。
- 前記マグネトロンは0.5〜5mm/秒の範囲の速度で走査される請求項17記載の方法。
- 前記マグネトロンは、互いにオフセットされている複数の前記二重Zパターンで走査される請求項17記載の方法。
- 四角形スパッタリングターゲットの背面で、前記ターゲットに配列された四角形の2つの対向する辺と、前記2つの対向する辺の2つの連結する対角線に沿って伸びる二重Zパターンでマグネトロンを走査する工程と、
前記第1位置から一つの方向で前記第2位置に向かう所定の距離で前記ターゲットに隣接してプラズマを形成し、その後前記プラズマを維持する工程を含む四角形基板上でのスパッタリング方法。 - 前記所定の距離は1〜5mmである請求項21記載の方法。
- 前記マグネトロンは複数の連結されていない直線部を有する回旋型形状を有する請求項21記載の方法。
- スパッタリングターゲットを封止する真空チャンバと、
真空チャンバに連結され、真空チャンバ内でガスをプラズマに励起し、スパッタリングターゲットから物質をスパッタする電源と、
ターゲットに対向して一般的に四角形のフラットパネルを支持するように構成される台座部と、
台座部と反対のスパッタリングターゲットの一面に配置され、台座に対向するターゲットの面に磁界を形成するマグネトロンと、
前記ターゲットに配列された四角形の2つの対向する辺と、前記2つの対向する辺の2つの連結する対角線に沿って伸びる二重Zパターンでマグネトロンを走査可能な走査機構を備えたフラットパネルスパッタリアクタ。 - マグネトロンは、ターゲットの対応する辺の少なくとも80%の長さを有する辺を有する請求項24記載のリアクタ。
- 走査機構は、ターゲットの2つの直交する辺に平行な直角方向にマグネトロンを走査可能である請求項24記載のリアクタ。
- 走査機構は、互いに非平行な2つの夫々の方向に沿って前記マグネトロンに力を与える少なくとも2つの独立したアクチュエータを含む請求項24記載のリアクタ。
- 前記マグネトロンは、
平面に垂直な第1磁極を有し、複数の直線部を有しており、その少なくともいくつかは回旋パターンで一つの直交座標に沿って伸びている内側極と、
前記第1磁極と反対の第2磁極を有し、前記内側極を包囲し、閉鎖ループを形成する分離部により前記内側極から分離されている外側極を備えている請求項24記載のリアクタ。 - 前記回旋型パターンは蛇行型である請求項28記載のリアクタ。
- 前記回旋型パターンは四角形螺旋型である請求項28記載のリアクタ。
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