JP4912980B2 - 成膜方法 - Google Patents
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Description
スパッタリング装置は、真空槽の内部に配置されたターゲットを有しており、スパッタ効率を上げるために、ターゲットの裏面側に磁石を配置する。
磁石が形成する磁力線の、水平磁場がゼロとなる部分はプラズマ密度が高くなるので、その部分でターゲットが多くスパッタリングされる。
大型化したターゲットの使用効率を上げるために、従来より、スパッタリング中の磁石を揺動(往復移動)させる成膜方法が採用されているが、従来の成膜方法では、かた掘れが発生し、ターゲットの使用効率は十分にあがらず、非エロージョン部からのパーティクルの発生や、異常放電が起こるという問題もあった。
非エロージョン部はパーティクルの発生の原因となり、その影響で、ノジュールと呼ばれる低級酸化物が発生し、異常放電回数も増加する。
本発明は請求項1記載の成膜方法であって、前記縦方向の往復移動の速度は、前記横方向の往復移動の速度の2倍以上20倍以下である成膜方法である。
このスパッタリング装置1は真空槽11を有しており、真空槽11の内部には、ターゲット15と、基板搬送機構13とが配置され、ターゲット15の基板搬送機構13が配置された側と反対側には磁石搬送機構25が配置されている。
真空槽11には真空排気系19とガス供給系18とが接続されている。真空排気系19で真空槽11内部を真空排気する。
ターゲット15は電源5に接続されている。
Claims (2)
- ターゲットが配置された真空槽内部を真空雰囲気にし、
前記ターゲットの表面をスパッタリングし、
成膜面が前記ターゲットの表面と対向するように基板を移動させ、前記基板の前記成膜面上に薄膜を形成する際に、
前記ターゲットの裏面に配置された磁石を、前記ターゲットの表面と平行な平面内で、前記基板の移動方向に沿った横方向に往復移動をさせながら前記基板の移動方向とは垂直な縦方向にも往復移動させる成膜方法であって、
前記横方向の往復移動の速度は、前記基板の移動速度の1/10以下、かつ、150mm/分以上であり、
前記縦方向の往復移動の速度は、前記基板が、その表面が前記ターゲットの表面と対向しながら100mm移動する間に、0.3往復以上する大きさにされた成膜方法。 - 前記縦方向の往復移動の速度は、前記横方向の往復移動の速度の2倍以上20倍以下である請求項1記載の成膜方法。
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