JP2009516776A - 部分回転支持体及びセンタリングピンを含む可撓性マグネトロン - Google Patents
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Abstract
マグネトロン(326)が頭上の走査機構内の支持プレート(268)からマグネトロン上の異なる水平位置に連結された複数のバネ(330)を介して部分的に支持され、下からはターゲット上の複数の位置で摺動子又はローラ(282)上で部分的に支持されているマグネトロン走査・支持機構を開示する。一実施形態において、ヨークプレートは連続的かつ均一である。別の実施形態において、マグネトロンの磁気ヨークは2つの可撓性ヨーク(220、224)に分割され、例えば補完型の蛇行形状であり、それぞれが各極性の磁石を支持している。別の実施形態において、ターゲットとマグネトロンはその他の構造によって隔てられた各条片(262、264)へと分割される。各マグネトロン条片は共通の走査プレートから上から部分的に支持され、各ターゲット条片によって部分的に支持される。センタリング機構(350、358、362、368)は異なるマグネトロン条片を整列する。
Description
本願は、2006年8月4日に出願された米国特許仮出願第60/835680号の利益を主張する。本願は2006年2月3日に出願された米国特許出願第11/347667号及び2005年12月12日に出願された米国特許出願第11/301849号の一部継続出願であり、後者は2005年11月17日に出願された米国特許出願第11/282798号の一部継続出願である。
本発明は、概して、半導体集積回路の製造におけるスパッタ堆積に関連する。特に、本発明はスパッタリングターゲットの背面を走査するマグネトロンに関連する。
プラズママグネトロンスパッタリングは、シリコン集積回路の製造において長年に亘って実践されてきた。更に最近では、スパッタリングは、ガラス又はその他の材料の通常は矩形の大型パネルに材料層を堆積して、例えばコンピュータスクリーン又はテレビ等に使用する大型フラットパネルディスプレイを形成する際に応用されている。
ディマレイ(Demaray)その他はこういったフラットパネルスパッタ用反応装置について米国特許第5565071号で記載しており、参照により本願に全て組み込まれる。彼らの反応装置は、図1の概略断面図に図示されるように、典型的には電気的に接地された矩形スパッタ台座電極12を含み、真空チャンバ18内において矩形のスパッタリングターゲットアセンブリ16に対向して矩形のガラスパネル14又はその他の基板を保持している。少なくともその表面がスパッタされる金属から構成されているターゲットアセンブリ16は、アイソレータ20を隔てて真空チャンバ18に対して真空シールされている。典型的には、スパッタするターゲット材料層はバッキングプレートに接着され、バッキングプレートの内部にはターゲットアセンブリ16を冷却するための冷却水路が形成されている。典型的にはアルゴンであるスパッタリングガスは、ミリトール範囲の圧力で真空チャンバ18内に供給される。
バックチャンバ22をターゲットアセンブリ16の背面に真空シールして低圧に真空排気することで、ターゲットアセンブリ16を隔てての圧力差を実質的に解消する。これにより、ターゲットアセンブリ16をもっと薄くすることが可能となる。台座電極12又は壁遮断部等のチャンバの別の接地部位に対して負のDCバイアスを導電性ターゲットアセンブリ16に印加した場合、アルゴンがイオン化されてプラズマとなる。正のアルゴンイオンはターゲットアセンブリ16に引き寄せられ、ターゲット層から金属原子をスパッタする。金属原子の一部はパネル14方向に指向され、少なくとも一部がターゲット金属から構成される層がパネル上に堆積される。金属のスパッタリング中にチャンバ18内に酸素又は窒素を補足的に供給することで、反応性スパッタリングと称される処理で金属酸化物又は窒化物を堆積する場合もある。
スパッタリング速度を上げるために、通常、ターゲットアセンブリ16の背面にマグネトロン24を載置する。マグネトロンがある垂直磁極性の中央磁極26とそれを取り巻く、磁性が反対の外側磁極28を有しており、チャンバ18内にターゲットアセンブリ16の正面側に平行に磁場が投射される場合、適当なチャンバ条件下においては、高密度のプラズマループがターゲット層に隣接する処理空間内に形成される。2つの反対の磁極26、28は、プラズマループの軌道を規定する実質的に一定の間隙により隔てられている。マグネトロン24からの磁場が電子を捕捉することでプラズマの密度は上昇し、この結果、ターゲット16のスパッタリング速度が上昇する。線形マグネトロン24と間隙の幅は比較的狭いため、磁束密度が高くなる。単一の閉鎖軌道に沿って磁場の分布が閉鎖形状となっているため、端部からのプラズマの漏れが防止される。
スパッタ堆積される矩形パネルのサイズは大型化する一方である。ある世代ではサイズ1.87mx2.2mのパネルを処理し、総面積が40000cm2を越えることから40Kと称される。50Kと呼ばれるその次の世代のパネルのサイズは、各辺が2mを超える。
これらの超大型サイズではマグネトロンの設計に問題が生じるが、これはターゲットは大面積でありマグネトロンは非常に重いにも関わらず、マグネトロンをターゲット全領域に亘って近接させて走査させなくてはならないからである。
プラズマスパッタチャンバで使用するマグネトロンは、その上をマグネトロンが回転又は摺動可能であるところのターゲット又はターゲットアセンブリの背面によって下から部分的に支持され、上からも走査機構のバネ仕掛けの支持体によって部分的に支持されている。これにより、マグネトロンはターゲットの背面全体を走査する際に、平坦でないターゲットの形状を追跡することができる。
一連の実施形態において、スパッタチャンバはガントリ又は台車を含み、ガントリ又は台車は例えば第1のローラ対を介してチャンバ本体部に対して第1方向に移動可能であり、かつ例えば第2のローラ対を介してマグネトロンを第2方向への運動にむけて支持する。ガントリはマグネトロンを複数のバネ式支持体を通して上から部分的に支持しており、その一方でローラ又はその他の手段がマグネトロンをターゲット上にて下から部分的に支えている。バネは第2のローラ対内に含めても、或いは第2のローラ対とマグネトロンとを係合しているトロリーを連結している部材に含めてもよい。例えば、第2のローラ対はマグネトロンを支持している支持プレートを固定手段又はバネ式の手段のどちらを介して懸装してもよい。
一実施形態においては、マグネトロンそれ自体が可撓性なため、ターゲットの形状に沿う。マグネトロンは間隙によって隔てられた2枚の交互に配置されたヨークプレートから構成され、この間隙はヨークプレートが構造的には分断されたものであっても磁気的には結合されるに十分な狭さである。各ヨークプレートが、それぞれの磁性の磁石を支持している。各ヨークプレートは上からは別々にバネで支えられ、ローラ又は摺動子によってターゲット上で部分的に支えられている。ヨークプレートはその軸に沿って可撓性を示すに十分なだけの薄さを有していてもよい。
別の実施形態においては、1枚のヨークプレートに細いスロットを形成することで、磁気的な結合を維持したままで、そのヨークプレートを複数の異なる部位へと構造的に分割している。
更に別の実施形態において、ターゲットは複数のターゲット条片を含み、各条片は帯状のターゲット層と帯状のヨークを含んでいる。アノード又はその他の特徴部がターゲット条片を隔てている。複数の帯状マグネトロンは共通の走査支持プレート上で別々に弾性的に支持され、それぞれのターゲット条片上を個々に回転するため、各ターゲット条片が別々に変形ターゲットを追跡する。
ヨークプレートに溝を刻む又はその他の方法で部分的に機械加工をその縦軸方向を横断して施すことで、ヨークプレートの異なる部位が柔軟に連結される。
本発明の別の態様において、好ましくは弾性的に支持プレートから懸装されているヨークプレート又はその他の支持部材は、ヨークプレート及び関連するマグネトロンの分割軸に沿ってずらして位置されている2つのセンタリング機構によってその縦軸に沿ってセンタリングされる。ある実施形態においては、第1センタリング機構は第1センタリングピンを回転自在かつ緊密に捕捉する円形ガイド穴を備えた位置決めブラケットを含み、第2センタリング機構は第2センタリングピンを分離軸を横断する方向には緊密に捉えるが、第2センタリングピンを分離軸に沿っては弛やかに捕捉する細長いガイド穴を備えたクロッキングブラケットを含み、これにより角度方向を定めている。
参照により本願に組み込まれる、2005年8月24日に出願され、かつ米国特許出願公開第2006/0049040号で公開されている米国特許出願第11/211141号において、テップマン(Tepman)は大型パネル又は可撓性シートへのスパッタリングに使用される大型マグネトロンについての問題を述べている。完成したパネルは薄膜トランジスタ、プラズマディスプレイ、フィールドエミッタ、液晶ディスプレイ(LCD)素子、又は有機発光ダイオード(OLED)を内臓していてもよく、典型的にはフラットパネルディスプレイを対象としている。太陽光電池も同様に製造することができる。関連技術はガラス窓の光学層でのコーティングにも使用できる。スパッタ堆積層の材料はアルミニウム又はモリブデン等の金属、インジウム錫酸化物(ITO)等の透明導電体、及びケイ素、金属窒化物及び酸化物を含む更に別の材料であってもよい。
テップマンは、ターゲットより若干小さいにすぎないサイズの矩形に近いマグネトロンを開示しており、このマグネトロンにおいて磁石は螺旋又は褶曲構造のいずれかの形態で回旋形状の閉鎖プラズマループを形成するように配列されている。走査機構はターゲットの残りの領域全体に亘ってマグネトロンを次元走査パターンで走査し、より均一なスパッタリングプロファイルを形成する。リー(Le)その他は、2006年7月11日に出願された米国特許出願第11/484333号で、このスパッタチャンバとその操作に加える改良点について述べており、文献は参照により本願に組み込まれる。
テップマンはマグネトロン用の2種類の支持構造体について述べている。第1のタイプにおいて、ターゲットは頭上のマグネトロンをテフロン(登録商標)製のパッドを介して支持しており、パッドはマグネトロンの底部に取り付けられており、ターゲット上に支持されたマグネトロンに加えられた水平方向の押圧力と牽引力の推進下でターゲットの背面上を容易に摺動可能である。第2のタイプにおいては、マグネトロンはチャンバフレーム上に搭載されたガントリの形態の頭上の台車から懸装されており、懸装されたターゲットをその背面上方で走査可能である。
ターゲットによって支持されたマグネトロンはターゲットの形状を忠実に追跡し、これによりプラズマ領域における磁場の不均一性が軽減される。マグネトロンとターゲットとの間の間隙はパッドの厚みによって綿密に制御されることから、間隙は有利となるように最小限に抑えられる。しかしながら、ターゲットによって支持されたマグネトロンには、その磁石を含むマグネトロンが例えば1トンを越え、非常に重くなる可能性があるという欠点がある。この高重量により、その上からその底部の処理領域へとマグネトロンからの磁場を透過させるためには比較的薄くなくてはならないターゲットに大きな力が加わる。この結果、ターゲットはそれが支えるところのマグネトロンの重量によって撓って大きく湾曲する。過剰に湾曲することでターゲットとスパッタコーティングされるパネルとの間の間隙に大きなバラツキがでてしまい、それ自体の不均一性につながってしまう。
マグネトロンを台車で支持することで、マグネトロンの重量はターゲットからその上方に搭載された走査機構へと取り除かれるが、マグネトロンがターゲットから機械的に分断されるという欠点を有している。ターゲットが薄いと、例え荷重を加えることがなくとも、撓み易い。ターゲットの形状における湾曲はターゲット自身の重量の力により下方向であることが多い。しかしながら、状況によっては、上方向に撓る。上方向へのターゲットの湾曲の原因は完全には理解されていないものの、上方向への撓みは真空排気されたチャンバによって固締されたターゲットに内部の力が加わることから生じるとの解釈がある。更に、ターゲットの寿命を通じてスパッタリングを継続し、ターゲットが徐々に侵食され、その厚みが低下するにつれ、湾曲度が変化する場合がある。マグネトロンとターゲットとの間の間隔における空間的なムラはターゲット正面の磁場の不均一性と、これに伴うプラズマ密度、パネル上にスパッタ堆積される膜の厚みにおける不均一さを招く。商業的な生産のためには、膜厚は可能な限り均一でなくてはならない。慣用の台車支持型のマグネトロンでは間隔、特にはターゲット全体に亘る間隔のムラを容易に調節できない。
本発明は図2の分解正投影図に図示のマグネトロン走査機構アセンブリ30に応用することができる。更なる詳細は、本発明の設計の由来となるテップマンの特許から得られる。2列のローラ32が、図1のバックチャンバ22の側壁を構成しているフレーム34の対向する側部に支持されている。ローラ32はその間でガントリ40を支えている逆向きのフレームレール36、38を回転自在に支持している。ガントリ40は内側ストラット42、44と外側ストラット46、48上に図示されていないローラ列を含み、逆さのガントリ内側レール50、52と外側レール54、56とを回転自在に支持している。レールはその下面に磁石を含むマグネトロンプレート58を部分的に支持している。外側ストラット46、48及び外側レール54、56が重いマグネトロンプレート58を側部で更に支え、縁部付近での下垂の程度を軽減する。テップマンの構成において、マグネトロンプレート58は内側レール50、52に堅く固定されているため、ガントリ40がマグネトロンプレート58を完全に支持している。ベースプレート60が、ガントリ40を形成しているフレーム構造に固定されている。
支持されているマグネトロンの荷重によりレールが変形し易いことが観察されている。変形の影響はストラットを密接に離間された対として折り曲げ、対の個々のレール上に支持されたクロスバーの各端部に円筒形ローラアセンブリを有するT形状支持体にレールを差し替えることで実質的に解消可能である。
本発明の一態様において、ガントリ40とマグネトロンプレート58との間の連結は、ガントリ40がマグネトロンプレート58を部分的にのみ支持し、マグネトロンとガントリとの間の間隔が変動可能となるような、剛性の機械的な連結よりも柔軟性のあるものである。ガントリ40とレール36、38、50、52、54、56の回転運動により、マグネトロンプレート58はフレーム34内で垂直方向に移動可能である。
図1のバックチャンバ22の最上部壁部を形成している磁石チャンバ屋根部70は屋根部とフレームとの間にガントリ構造体を配置した状態でフレーム34上に支持、封止されており、屋根部はマグネトロンを格納しているチャンバの最上部を覆う真空壁部となる。磁石チャンバ屋根部70は矩形開口部72とブラケット凹部の底部74を含む。ブラケットチャンバ76はブラケット凹部74に嵌合し、矩形開口部72の周囲でチャンバ屋根部70に封止される。ブラケットチャンバ76の最上部にはトッププレート78が封止され、真空シールを完成させている。
ブラケットチャンバ76内で可動であるように配置されたガントリブラケット80はガントリ40のベースプレート60に固定されている。磁石チャンバ屋根部70の外側に固定された支持ブラケット82及び中間山形鋼84が、真空シールの外側の屋根部70のアクチュエータ凹部88にアクチュエータアセンブリ86を保持している。支持ブラケット82は更に磁石チャンバ屋根部70のトラスシステムの一部としても作用する。アクチュエータアセンブリ86は2つの封止された真空ポートを通してブラケットチャンバ76の内部と連結されている。テップマンによって説明されるように、アクチュエータアセンブリ86はガントリのベースプレート60に固定されたガントリブラケット80を通して加えられた力によってガントリ40をある方向へと独立して移動し、その端部がマグネトロンプレート58に固定されたベルトを備えたベルト駆動装置によりマグネトロンプレート58を垂直方向に移動する。
本発明の一態様において、マグネトロン及びそのマグネトロンプレート58はターゲットアセンブリ16とガントリ40(台車とも称される)によって部分的に支持されており、ガントリがマグネトロンをターゲット16の背面で走査している。ターゲット上で部分的に支持されることでマグネトロンはターゲットの撓み又はその他の形状に沿うこととなり、マグネトロンとターゲットとの間の間隙の変動が軽減され、その結果、間隙の寸法が最小限にもなる。その一方で、台車によってマグネトロンを部分的及び通常は大半を支えることで、マグネトロンの重量の一部及び通常は大半がターゲットから取り除かれ、ターゲットの下方向に向かっての撓みが軽減される。リーその他は2005年12月12日出願の米国親特許出願第11/301849号で、ターゲットとマグネトロンとの間の垂直方向の分離を能動的に制御する走査機構について述べており、ガントリはターゲットの上に懸装されている。対照的に、ターゲットとガントリとの間で支持を分割することで、ターゲットの形状を受動的に追跡する方法が可能となる。
当然のことなら、その他のタイプの機構によってマグネトロンプレートをターゲットの背面に沿って滑動させることも可能である。枢動ローラ・ホィールをローラーボールの代替としてもよい。ターゲットを磨耗させることのない軟質パッドをローラーボールの代替として使用し、マグネトロンをターゲットの背面で摺動させてもよい。軟質パッドの例としては、テフロン(登録商標)シートから切り出し、保持具154の底面に接着したものが挙げられる。
図3の断面図及び図4の部分正投影図に図示の弾性的に支持されたマグネトロンの第1の実施形態において、マグネトロンプレート58は、縦方向に固定されたレール52、56によって上から部分的に支えられ(同様の構造体が、もう一方の側でレール50、54に適用されている)、円筒形ローラアセンブリ98上を回転する。部分的な支持は、複数のバネ式ボルトアセンブリ100を介してもたらされている。各ボルトアセンブリ100は、マグネトロンプレート58のネジ穴にネジ止めされるネジ山をつけられたボルト102を含む。ボルト102は対応するレール、例えばレール56のトップアーム部104の対応する穴部103内に延びている。レール穴部103はブッシング106を支持するネック部を含み、ボルト102はブッシング106を貫通し、穴部103の底部から出て、マグネトロンプレート58のネジ山を付けられた穴部へとネジ止めされる。ブッシング106の最上部はアーム部104を越えて延び、ワッシャ形状としたバネシート112を支持する。バネシートはバネ114の底端部を支持する。管状保持具116はバネ114内に嵌合し、上部フランジ117はバネ114の最上部をその最上部全体で押圧する。ボルト102は保持具116を貫通し、保持具116によってバネ114からは横方向に隔離されている。上部ワッシャ118はバネ116の最上端と接触し、止めワッシャ120が上部ワッシャ118の上に位置している。ナット122が、マグネトロンプレート58に螺入されたボルト102に螺合され、これによりフランジ117をバネ114に押し付け、バネを圧迫している。バネの圧縮の量により、バネ式ボルトアセンブリ100を支持しているレール56の最上部フランジ104から生じる力(重量)とそのボルトアセンブリ100によって支持されたマグネトロンプレート58の部分重量が決定される。ナット122は、マグネトロンプレート58をトップアーム部104とガントリ40に押し付けるに十分なほどにはきつく締められていない。その代わりに、これらの間にはその高さが変動する間隙が残ることから、マグネトロン58はターゲットの形状に沿うことが可能となる。
図3に図示されるように、マグネトロンプレート58はその底部に取り付けられた複数のローラーボールアセンブリ130を通してターゲット12で更に部分的に支えられている。ローラーボールアセンブリ130の例は、ペンシルバニア州ペリョポリスのボールトランスファーシステム社(Ball Transfer System)ら入手可能なボールトランスファー・モデルNSMS1/4であり、図5の断面図に図示されている。好ましくはナイロン等のプラスチックから構成され、比較的直径の大きい、例えば1インチ(2.54cm)のローラーボール132が筐体134から突出しているが、筐体に対してはシール136によって封止されている。多数の小さなベアリングボール138がローラーボール132を筐体134の半球形の表面に対して回転自在に支持している。筐体134に固定されたボルト140は筐体134を格納するに十分な直径及び深さを有した、マグネトロンプレート58又はその磁石保持具154の底部に形成された凹部の底部(稼動方向では上方となる)のネジ穴にネジ止めされる。凹部の深さにより、ローラーボール132がマグネトロンの下から突出する程度、例えば0.167インチ(4.2mm)が決定される。
ローラーボール130の底部はターゲットの背面、具体的には図3のバッキングプレート144と接触する。バッキングプレート144には液体冷却水路が形成されており、又、スパッタ堆積する材料のターゲット層146が接合されている。バッキングプレート144はチャンバ壁部18の最上部にあるアイソレータ20によって支持され、かつ封止されている。マグネトロンプレート58からのローラーボール130の突出により、マグネトロン58とターゲット144、146の背面との間の間隙が決定される。
図6の正投影図で図示されるように、磁気ヨークとして作用するように磁性材料から構成されたバッキングプレート58の概して平坦な底部又はその保持具154にはその底部に凹部が機械加工されている。図7の平面図に図示されるように、各凹部150は保持具154の貫通穴又はマグネトロンプレート58の非貫通穴として形成され、マグネトロンプレート58には中央ネジ穴152が機械加工されている。ボールトランスファボルト40はネジ穴152に螺入される。例えばアルミニウム製の多数の複雑な形状の非磁性保持具154がバッキングプレート144にはネジ止めされており、保持具154の鋸歯状縁部の間に保持される円筒形磁石の長さに概して対応する高さを有している。ローラーボールアセンブリ130用の凹部150は磁石から離れた保持具154の辺上に位置している。マグネトロンとターゲットとの間の間隙は、ローラーボール132が保持具154に保持された磁石の端部を超えて突出する量によって決定される。
バネ式支持体の第2の実施形態では、図8、9の正投影図及び図10の断面図に図示されるように、円筒形ローラとレールとの間にバネ荷重がかかる。この実施形態において、レール46、50、52、56はレール50、52、54、56の切り欠き部162の底部に形成された通過穴を貫通し、マグネトロンプレート58の最上部に形成されたネジ穴164へと螺入されるネジによってマグネトロンプレート48に固定されている。但し、バネ式ローラアセンブリ166、168はストラット42、44、46、48の最上部にバネ仕掛けで設けられている。外側ストラット46、48上のローラアセンブリ166は内側ストラット42、44上のローラアセンブリ168と同じ機能ではあっても構成は異なるのだが、違いは既存のガントリ40に本発明を取り入れたいという要求から生じるものである。或いは、全ローラアセンブリ166、168が同じ形状と構造を有していてもよい。ローラアセンブリ166、168はレール50、52、54、56とその懸装されたマグネトロンプレート58とを回転自在に支持し、マグネトロンプレート58によるレール方向に沿った回転を可能としている。
図9及び10でよりわかり易く図示されているように、各ローラアセンブリ168は2つの円筒形ローラ170を含み、ローラは対向するベアリング筐体174、176に取り付けられたベアリング173内を自由に回転する軸172をそれぞれ有している。テップマンの構成のみならず従来の実施形態において、ベアリング筐体174、176はネジでストラットに固定されている。但し、この実施形態において、ベアリング筐体174、176及びそれに伴う円筒形ローラ170はT型バネ筐体178内に対として取り付けられており、筐体は中央バネチャンバ180をベース186の2つの底部領域間に有している。バネチャンバ180は2つのバネ188を格納している。ローラアセンブリ168内の対応するバネチャンバは6個のバネ188を格納している。肩付ネジ182はベアリング筐体174、176のタブ184上方で係合する頭部と、タブ184とバネ筐体のベース部186内の穴部を、ベース部186の貫通穴190内のブッシング189内側で貫通する軸を有している。肩付ネジ182はネジ山を付けられた端部を有しており、ストラットに螺入され保持された、内外部にネジ山をつけられたインサート192へと螺入される。
肩付ネジ182を締めることでストラットとバネチャンバ180の最上部との間でバネ188が圧縮される。但し、この締め付けは、ベース部186がストラットに押し付けられるほどには完全に行わない。その代わり、ベース部186とバネアセンブリ168全体をストラット上に、肩付ネジ182に加えられたトルクと部分的に支持されたマグネトロンの重量によって決定される間隙を挟んで浮かせる。これによりバネトルクが、ガントリによって支えられるマグネトロン重量の割合を一部決定することになる。間隙はマグネトロンがターゲットの形状に沿うに従って、変化する。この結果、ターゲットとガントリとの間でのマグネトロン重量の分散はターゲットの局所高さに依存する。
図8、9、10の実施形態において、マグネトロンプレートを図5、6、7を参照して説明したローラーボール機構、又はその他の回転、摺動、又は滑動機構によってターゲット上で部分的に支えることで、マグネトロン重量をガントリとターゲットとの間で分散させてもよい。
その他のバネ式懸装機構を用いて、マグネトロンを水平方向に移動可能な台車から部分的に支えてもよい。例えば、円筒形ローラを部分的に圧縮されたバネによりレールの底部に連結し、ストラット上を回転させてもよい。
ガントリとターゲットとの間でマグネトロンの支持を分割することで、ターゲット背面を走査中に薄いターゲットを過度に湾曲させることなく、重いマグネトロンがターゲット形状を辿ることが可能となる。ガントリはマグネトロンの重量の少なくとも50%を支えるべきである。好ましくは、ターゲットは重量の25%未満、より好ましくは15%未満を支える。複数の独立したバネ式支持体により、マグネトロンは垂直方向に移動可能となるだけでなく、追跡しているターゲットの部位が傾斜している場合に傾きを変えることが可能となる。ターゲット上でマグネトロンを部分的に支持することで、マグネトロンは湾曲した又は別の形で変形したターゲットの形状を辿ることが可能となる。これにより、マグネトロンと非平面のターゲットとの間の間隙の変動は著しく抑えられる。更に、間隙の設計規模を下げることで、ターゲットのスパッタリング面に隣接する有効磁場は増強される。
図11の断面図にかなり概略的に図示されている別の実施形態では、ターゲット16の傾斜形状に沿って合致可能な可撓性マグネトロン190を提供している。支持プレート192はバネ194を介してパターン形成された第1の磁気ヨークプレート196と、第1ヨークプレート196の間に挟まれた、パターン形成された第2の磁気ヨークプレート198を部分的に支えている。2つのヨークプレート196、198はそれぞれ軟磁性鋼又はステンレススチール等の磁化可能な材料から成り、2つのヨークプレート196、198が単一の磁気ヨークを形成するに十分な狭さの間隙200によって隔てられている。例えば、間隙200の幅は1/8インチ(3.2mm)であり、好ましくは6.4mm以下である。2つのヨークプレート196、198は保持具202、204を支持し、非平行である磁石206、208を整列している。磁石は各ヨークプレート196、198に対してこれらの磁場によって保持されている。第1ヨークプレート196及びその保持具202及び磁石206がマグネトロン190の第1磁極を形成し、第2ヨークプレート198とその保持具204及び磁石208が、磁性が反対の第2の磁極を形成する。ローラーボール210は保持具202、204の底部上で回転し、ターゲット16の局所的な傾斜に応じて、ローラーボール210の一部又は全てがターゲット16と係合し、その上で回転する。この結果、マグネトロンの各局所部位はバネ194の1つによって上から、下からは1つ又は2つのローラーボール210によって個々かつ部分的に支えられる。通常、図に直交する方向に、ヨークプレート196、198は延びているが、依然としてかなりの柔軟性を有するため、ヨークプレート196、198に沿って位置された複数のバネ194とローラーボール210により、屈曲してターゲットの局所形状に沿うことが可能となる。
マグネトロンシステムは図12の正投影図と図13の分解正投影図でより具体的に図示されている。パターン形成された外側ヨークプレート220は途切れのない外周と蛇行形状のスロット222を有している。パターン形成された内側ヨークプレート224は、その間に既定の間隙200を介してスロット222内に嵌合する長い蛇行形状を有している。図示の蛇行形状は折り畳まれている。その他の蛇行形状には矩形状の螺旋又は平行な直線レーストラック形状が含まれる。保持具226、228は2つのヨークプレート220、224にネジ止めされ、図示されていない磁石を整列している。トランスファボールアセンブリ230(つまり、ローラーボールアセンブリ)はヨークプレート220、224のネジ穴231への螺入により2つのヨークプレート220、224の底部に固定されており、ローラーボールは保持具226、228を超えて突出し、ターゲットの背面上を転がる。ヨークプレート220、224は部分的に支持プレート232から懸装されている。バネアセンブリ234は支持プレート232とヨークプレート220、224とをバネ連結している。各バネアセンブリ234は各ヨークプレート220、224の下に位置されたバネ236と、バネ236の底部のバネ保持キャップ238と、バネ保持キャップ238の底部と係合するネジ頭部を有し、その本体部がバネ238とヨークプレート220、224の通過穴239を貫通しているネジ240と、支持プレート232内に螺入される、ネジ山が付けられたネジ端部とを含むため、マグネトロンは支持プレート232からバネ236を介して部分的に懸装される。バネ強度の例は7.4lb/インチ(1.7Nt/cm)である。次に支持プレート232は、図2を参照して説明したように、二次元方向に走査するように構成されたガントリによって支持され、かつ固定されていてもよい。支持プレート232は一枚のものとして描かれているが、それぞれをガントリで支持する細長い板に分割してもよい。
パターン形成したヨークプレート220、224は比較的柔軟な中央部を有していることから、変形することでその上で部分的に支持されているところのターゲットの形状に合致することが可能である。つまり、全体としてマグネトロンは二次元方向に変形可能であり、ターゲットの局所形状に合致可能である。更に、望ましい可撓性により、全体としてのマグネトロン構造を比較的軽量とすることができるが、これは剛性はもはや所望の設計目標ではないからである。支持プレート232は少々柔軟なものであってもよいことから、厚さ1/2インチ(12.7mm)のアルミニウムから構成してもよい。ヨークプレート220、224が構造的な強度に大きく貢献する必要はなく、間隙200が、間隙によって構造的に隔てられてはいるが、間隙を隔てて磁気的に結合されているヨークプレート226、228の厚さの70%未満となるように厚さ3/8インチ(9.5mm)の軟磁性鋼プレートから形成してもよい。全体として、ガントリから懸装された図12、13のマグネトロンアセンブリの重量は、支持プレートとしても機能している剛性かつ一枚仕立てのヨークプレートをベースとしたマグネトロンアセンブリの重量からかなり、例えば10%低下している。
同様の可撓性は図14の平面図に図示の単体型パターン形成ヨークプレート250でも達成可能であり、このヨークプレートはプレート全体に亘ってではないがほぼ全体に亘って延びる平行スロット252を有している。スロット252の間の通路254及び途切れのない周縁領域256が保持具と2つの反対の磁極を構成する磁石とを支持している。より幅の広い周縁領域258は両方の磁極を支持しており、この間にプラズマ軌跡が形成される。スロット252は隣接する通路を磁気的に結合するに十分な狭さであるが、それでも周縁領域256の2つの部位の間に片持ちされている通路254をより容易に撓らせることは可能である。図13のバネアセンブリ234及びトランスファボールアセンブリ230を単体型ヨークプレート250に同様に取り付けてもよい。
変形したターゲット上を追跡可能な可撓性マグネトロンを達成するための別の実施形態は、ターゲットを平行なターゲット条片へと分割する際に特に有用であり、条片は隆起したアノード又はその他の特徴部によって分離してもよい。個々のマグネトロンは各ターゲット条片に対応する。イナガワその他は2006年8月4日に出願の米国特許仮出願第60/835671号で複数のマグネトロンの連動走査について記載している。リーは、同じく2006年8月4日出願の米国特許仮出願第60/835681号で各マグネトロンにおける磁石の分布に加えた改良について述べている。両文献は参照により本願に組み込まれる。
図15の断面図に図示されるこういったスパッタリングチャンバ260は、複数の帯状ターゲット262と、関連づけられた帯状マグネトロン264を含む。個々のバネ機構266が異なるマグネトロン262を、共通する二次元走査運動をもたらす共通支持プレート268から部分的に支えている。各帯状ターゲット262は軸方向に延びている側部切欠境界部272を有するターゲット層270を含む。各帯のターゲット層270は、帯状ターゲット層270とほぼ同じ水平方向範囲の接着層276を介して個々の帯状バッキングプレート274に接着されている。帯状バッキングプレート274は、そこを貫通して冷却路278が穿穴されている突条部で形成されている。軽量充填材料層280は誘電体であってもよく、突条部の間の谷部を充填し突条部上方で平坦化され、その上を帯状マグネトロン264のローラーボール282が回転する平坦面を構成する。帯状ターゲット262は、帯状バッキングプレート274の周縁部を支持する開口部を備えたラック284を含む、図示していない機械構造によりチャンバ18上に固定して支持されている。帯状ターゲット262全てに電力を供給し、スパッタ作用ガスのプラズマを励起する。
帯状ターゲット262により、軸方向に延びる接地アノード290を、2つの隣接する帯状ターゲット262の間の切欠境界部272により形成された間隙内に保持しながら、ターゲットのスパッタ面に向かって突出させることが可能となり有利である。接地アノード290は絶縁体302により帯状バッキングプレート166から電気的に隔離されており、絶縁体は充填材料層280の延長部から構成してもよく、高真空スパッタリングチャンバ18と低真空バックチャンバ22との間の真空シールとしてもよい。反対に、帯状ターゲット262に電力供給し、絶縁体292及びプラズマ暗部より狭いその他の間隙によりアノード290から隔離し、スパッタ用プラズマの発生におけるカソードとしてもよい。チャンバ260は電気接地シールド294を更に備えることで、アノードとしても機能させながら、チャンバ側壁を堆積から保護する。アイソレータ20は、ラック284からチャンバ18とラックが支持する帯状バッキングプレート274を電気的に隔離する。但し、代わりとして、電気的な隔離をラック284とそれが支持するところの異なる帯状ターゲット262のそれぞれとの間に設けてもよい。
支持プレート268は、全マグネトロン264が同じパターンに実質的に同期して走査されるようにパターンで走査される。マグネトロンの経路間におけるズレは、主に、支持プレート上のその支持体の弾力性から生じる。走査パターンは直交するx及びy軸の1つに沿って延びたものでよく、或いは、例えばx及びy軸に沿って延びる部分を有するO型パターン、2つの対角線に沿って延びる部分を有するX型パターン、対向する平行辺とその間の対角線に沿って延びるZ型パターン、又はその他の複雑なパターンといった二次元のx/y走査パターンであってもよい。複数のマグネトロンに対して単一の走査機構しか必要としないが、当然ながら、複数セットの複数のマグネトロン及び関連する走査機構が可能である
図16の正投影図に図示されるように、図2及び3の先行の実施形態における磁気ヨークプレート58の代わりに、通常は上から、前記のガントリレール50、52、54、56がその上側で支持プレート268を固定して支持する。好ましくは、支持プレート268は非磁性であり、アルミニウムから形成してもよい。図17の正投影図でも図示されるように、支持プレート268はバネ機構266を介してその底部側で、磁性材料から構成される平行ヨーク条片300を介して複数のマグネトロン条片264を弾性的に支持している。各ヨーク条片300は複数の保持部位302を条片300の軸に沿って支持しており、保持部位302はヨーク条片300にネジ止めされている。図17の平面図及び図18の断面図に図示されるように、各ヨーク条片300の上部側又は底部側は機械加工又はその他の手段によって横方向に溝が刻まれており、その正面側でヨーク条片300を部分的に貫通して延びる平行溝部304を形成し、ヨーク部位306を形成しており、側縁ヨーク部位306a、306bを含み、薄いねじれ片308によってのみ接合されていることから、個々のヨーク部位306は比較的剛性でありながら、柔軟に連結されている。又、溝部304をヨーク条片300の背面又は上面に位置させることも可能である。磁石を整列させるための前述の保持具は保持部位302のヨーク条片300の底部に螺入され、かつ支持されているが、保持間隙310によって隔てられているため、2つの隣接するヨーク部位306に固定された保持具はない。これにより、保持具はヨーク条片300の可撓性を大きく損ねることがない。
ヨーク条片300には曲線状のコーナー部312が形成されており、概して、コーナー保持具の外形に合致し、プラズマ軌道の最外部は若干更に内側で形成される。コーナー部を整形することで、ターゲット上に再堆積されるスパッタされたターゲット材料の量が低減される。
マグネトロンが比較的縦方向に可撓性であるならば、支持プレート268からのその弾性的な支持は若干の角度的な柔軟性を有しているべきである。従って、図20の断面図で図示されるように、バネ式支持体は支持プレート268の底部にネジ止めされた機械ネジ320を含んでいてもよい。ネジ320の本体部はヨーク条片300内の広い貫通穴322を保持具326のアクセス穴324へと貫通する。アクセス穴324により、ネジ320を回転させるためのツールのアクセスが可能となる。ネジ320の頭部327がフランジ付のワッシャカップ328を支持している。圧縮バネ330はワッシャカップ328と貫通穴322の周囲でヨークプレート264の底部に形成された凹部332との間に捕捉される。圧縮バネ330は支持プレート268、関連する保持具及び磁石からヨーク条片300を弾性的及び部分的に支持している。但し、複数の帯状マグネトロンのバネ支持体は図20のものに限定されず、前述したようなその他のタイプのものを使用してもよい。
他方で、ローラーボール282がヨーク条片300を帯状ターゲット262の背面上で部分的に支持している。ローラーボール282は図5に図示のもののように、ローラーボールアセンブリ336に組み込まれている。ローラーボールアセンブリ336は保持具326の開口部338内に位置され、ネジ切りされたボルト340がヨーク条片300に、ローラーボール282の一部が保持具326の底部を越えて延びるような深さまで螺入されている。或いは、ローラーボールアセンブリ336を保持具326の凹部内に嵌合させ、保持具326の上面近くのネジ穴にネジ止めしてもよい。バネ330と関連するネジ320を支持プレート268内に更にねじ込むと、バネ330が圧縮され支持プレート268によるマグネトロンの重量の支持割合が上昇し、ローラーボール282とそれを支持している帯状ターゲット262から重量が除去される。これにより、ヨーク条片300及び取り付けられた保持具326と、保持具326によって整列された磁石とがバネ330を介して支持プレート268によって弾性的に支持され、マグネトロンの重量の制御された一部だけがローラーボールを介してターゲットアセンブリ上に回転自在に支持される。帯状ターゲット262がマグネトロン重量のごく一部しか支持しない場合でも、マグネトロンは依然として様々な理由で変形するターゲットアセンブリ上で一定の高さ又は間隔を維持する。
ヨーク条片300の各ヨーク部位306は、好ましくは少なくとも2つのこういったバネ式支持体によって支えられている。これにより、ヨーク条片300はそれ自身の間で可撓性を示し、これは条片の間に剛性の連結が成されていないからであるが、可撓性のねじれ片308のおかげでヨーク条片264によって十分な整列がもたらされ、各部位に使用するバネ式支持体の数を減らしてもよい。又、ヨーク部位306はそれ自身の間で比較的柔軟であり、これはねじれ片308とその独立した弾性支持体の剛性が低く、その末端のみが支持プレート268に固定された支持ネジ320の角剛性が低いからである。この結果、マグネトロン部位は、主にガントリから支持される一方で、湾曲した又は別の形で変形したターゲット条片の形状を別々に辿る。
図17では特に図示していないが、帯状マグネトロン264の磁石分布は図7に図示のそれよりもずっと狭く、例えば横幅の少なくとも4倍の軸長を有する。磁石は磁極間に閉鎖された間隙を有する単一の直線状のレーストラックを形成してもよく、これによって2つの180度に湾曲した端部によって連結された2本の長い平行部を備えた対応するプラズマ軌道が形成される。但し、より好ましくは、各帯状マグネトロン264は、図21の底部平面図で図示されるように、2段式の蛇行型マグネトロンとして形成してもよく、ここでレーストラック形状の2つの端部は同方向に折り畳まれ、端部は中央で接している。特に、帯状マグネトロン264は、ヨーク条片300にネジ止めされた一連の図示されていない保持具を含む。各保持具は典型的には帯状マグネトロン264の長さの一部にしか過ぎず、好ましくはヨーク部位306間の連結部付近に端部を有しているため、帯状マグネトロン264の可撓性を損なうことがない。保持具は円筒形の穴部つまりその間に内側磁石位置342と外側磁石位置344とを規定する対向する鋸歯状縁部を有し、極性が反対の円筒形磁石がそれぞれその中に挿入される。各セットはほぼ連続的に分布されるため、内側磁石位置342によりある極性の内側磁極が規定され、外側磁石位置344により、内側磁極を取り巻く、極性が反対の外側磁極が規定される。この実施形態において、大部分について、磁石はマグネトロンの内側では最密二列型に、マグネトロンの周縁部では一列に配置されている。内側及び外側磁極の間の間隙346の幅はほぼ一定であり、閉鎖形状つまりループに形成され、これはマグネトロンがターゲットのスパッタ面に形成するプラズマ軌道にほぼ対応している。但し、保持具に追加の磁石位置を列の内側又は外側、特には間隙部346のコーナー部周辺に設け、磁場の分布と強度を調整してもよい。ローラーボールアセンブリ及びバネ支持体は図21に図示していないが、概して、磁石位置342、364とは離れて保持具内又はその間に嵌合し、間隙346の領域内であってもよい。リーはより完全な説明を上記の仮特許出願内でしている。
別々に支持された帯状マグネトロンは、複数の帯状ターゲットを備えた分離したターゲットで特に有用である。しかしながら、別々に支持された帯状マグネトロンは帯状マグネトロンの間に構造体を導入していない実質的に均一で単一のターゲットでも使用することができる。これにより、帯状マグネトロンをターゲットのより広い範囲に亘って走査可能である。
しかしながら、帯状マグネトロン264の可撓性には、縦方向の運動をヨーク条片264の間でその縦軸に沿って可能としながら、異なるヨーク条片300と関連する個々のマグネトロンとを水平方向に互いに整列し続けなくてはならないという問題が生じる。この問題はセンタリングピンによって緩和可能である。図22に図示されるように、あるヨーク条片300の底部は支持プレート260の一端で弾性的に支持されている。この図は保持具を図示していない。3つのローラーボールアセンブリ336が各側縁ヨーク部位306a、306bにとりつけられ、これらのヨーク部位306a、306bについて帯状ターゲット262の背面上で3点での回転による支持が構成されている。内側のヨーク部位306のローラーボールアセンブリ336の数はこれより少なくても或いは全くなくてもよく、これはこれらのヨーク部位が隣接するヨーク部位270によって両側で横方向に支持されているからである。一実施形態において、内側ヨーク部位270は0から4個のローラーボールアセンブリ336と交互となっている。
同じく図23の正投影図で図示されている位置決めブラケット350は、位置決めブラケット350の通過穴352を通るネジによってヨーク条片300の第1側縁ヨーク部位306aの底部の凹部に取り付けられ、第1側縁ヨーク部位306aのネジ穴にネジ止めされている。位置決めブラケット350は、図24の断面図で更に図示されるように、円形の側壁356を備えた垂直方向に延びる円形のガイド穴354を含み、ネジ360によって支持プレート268に固定された円形センタリングピン358を密接に収容している。センタリングピン358はガイド穴354内を縦方向に動くことでマグネトロンの柔軟な動きに対応する。位置決めブラケット354とセンタリングピン358との組み合わせによりヨーク条片300の一点が支持プレート268のある点に二次元的に固定されるが、ヨーク条片300によるその点を中心とた回転が可能となる。
他方で、図22の底部平面図と図24の正投影図の双方で図示されるクロッキングブラケット362がヨーク条片300の第2側縁ヨーク部位306bの底部の凹部に、通過穴364を貫通して第2側縁ヨーク部306bのネジ穴へとネジ止めされているネジによって同様に取り付けられている。好ましくは、誤って入れ替わったり、1つのヨーク条片300上で同じタイプのもの2つが使用できないようにと、2つのブラケット350、362の通過穴352、364の間の幅を異なるものにする。クロッキングブラケット362は、図25の断面図で更に図示されるように、ネジ370によって支持プレート268に固定された円形の第2センタリングピン368を受けるための垂直方向に延びる細長いガイド穴366を含む。ここでも、センタリングピン368はガイド穴366内で垂直方向に動くことでマグネトロンの柔軟な動きに対応している。細長いガイド穴366は、その半径が第2センタリングピン336の半径より若干大きい2つの半円形の側壁372と、半円形の側壁372を連結している2つの対向する、ここでもまた第2センタリングピン368の半径より若干大きい距離によって隔てられた平坦な側壁374を含んでいる。ヨーク条片300上に取り付けた際、平坦な側壁374と細長いガイド穴366の縦軸は位置決め及びクロッキングブラケット350、362のガイド穴350、366の中心をつなぐ図22の条片中心軸376と平行に延びているため、ガイド穴366は第2センタリングピン368をその方向に弛く捕捉するにすぎない。この結果、第2センタリングピン368は条片中心軸376に沿って運動可能となる。他方で、細長いガイド穴366は第2センタリングピン368を条片中心軸376に直交する方向には緊密に捕捉するため、条片中心軸376に直交する方向への動きは制限される。この結果、ヨーク条片300のそれぞれが2つのセンタリングピン358、368の中心の間で支持プレート268へのその取り付け部で各軸と揃えられるが、ヨーク条片300はそれぞれ、そのヨーク部位270が互いに撓るにつれ、それぞれの軸に沿って若干動くことが可能である。つまり、クロッキングブラケット350はヨーク条片300の角度方向を位置決めブラケット350を中心に制御している。当然ながら、2つのセンタリングピンをつなぐ軸が条片の中心縦軸である必要はない。又、当然ながら、センタリングピンとブラケットの片方又は双方の対の位置が支持プレートとヨークプレートとで逆であってもよい。又、センタリング構造はヨークに取り付けられた非磁性プレートに組み込んでもよい。
上述の実施形態で説明のバネは全て螺旋圧縮バネであるが、その他の形態のバネを使用してもよく、引張バネ及び板バネを含む。
従って、本発明は細い非平面のターゲットでのマグネトロンによる忠実な追跡と、走査するマグネトロンアセンブリの重量の減量を可能とするものであり、この双方の特徴の、今後のより大型のフラットパネル用のスパッタチャンバでの重要性は増してきている。
Claims (78)
- 磁化可能な材料を含み、スパッタリングターゲットに隣接して第1方向に走査可能なマグネトロンを形成している複数の磁石を支持して磁気的に結合している少なくとも1つのヨークプレートと、
少なくとも1つのヨークプレートの第1主要面に取り付けられ、スパッタリングターゲットの裏面と移動自在に接触可能であり、少なくとも1つのヨークプレートがスパッタリングターゲット上に部分的に支持されている間に、少なくとも1つのヨークプレートの第1方向に沿っての運動を可能とする複数の接触部と、
少なくとも1つのヨークプレートの第2主要面から延びる複数のバネ支持体とを備えるマグネトロンアセンブリ。 - 接触部が回転ボールを備えている請求項1記載のマグネトロンアセンブリ。
- 接触部がスパッタリングターゲットの裏面に沿って摺動可能なパッドを備えている請求項1記載のマグネトロンアセンブリ。
- 第1方向に移動可能であり、かつバネ支持体を介して少なくとも1つのヨークプレートを部分的に支持しているガントリを更に備えている請求項1記載のアセンブリ。
- バネ支持体がガントリ上に支持されたローラ上を回転するレールに第1端部上で係合し、第2端部上で少なくとも1つのヨークプレートに固定された部材に係合されている請求項1〜4のいずれか1項記載のアセンブリ。
- バネ支持体が、ガントリと係合している第1端部と、少なくとも1つのヨークプレートに固定されたレールを支持しているローラを支持している第2端部を有しているバネを含む請求項4記載のアセンブリ。
- 少なくとも1つのヨークプレートが第1のパターン形成されたヨークプレートと、第1ヨークプレートを取り巻き、かつ第1ヨークプレートからは既定の間隙により離間されているパターン形成された第2のヨークプレートを含み、各ヨークプレートが複数のバネ式支持体を備えている請求項1〜4のいずれか1項記載のアセンブリ。
- 間隙が第1及び第2ヨークプレートの厚みの70%未満である請求項7記載のアセンブリ。
- 少なくとも1つのヨークプレートが、実質的にヨークプレート全体に亘って延びるスロットを含むスロット形成されたヨークプレートを含む請求項1〜4のいずれか1項記載のアセンブリ。
- スロット間に形成された通路が磁石を支持し、各通路が少なくともバネ支持体の1つと接触部の1つを含む請求項9記載のアセンブリ。
- スロットの幅が、スロット形成されたヨークプレートの厚みの70%未満である請求項9記載のアセンブリ。
- 少なくとも1つのヨークプレートが、反対の磁極を支持するプレート部位を隔てている、その部位の間の間隙を含み、間隙の幅が磁場全体を結合するに十分な狭さである請求項1〜4のいずれか1項記載のアセンブリ。
- 間隙の幅が少なくとも1つのヨークプレートの厚みの70%未満である請求項12記載のアセンブリ。
- バネ式支持体を介して少なくとも1つのヨークプレートを部分的に支持し、かつ二次元パターンに少なくとも1つのヨークプレートを走査可能な走査機構を更に備えている請求項1〜4のいずれか1項記載のアセンブリ。
- 二次元パターンが、その各辺が少なくとも2mの概して矩形の領域全体に亘る請求項14記載のアセンブリ。
- 走査機構が少なくとも1つのマグネトロンプレート及び磁石を含むそこに固定された構成部品の重量の少なくも50%を支持する請求項14記載のアセンブリ。
- 走査機構が重量の少なくとも75%を支持する請求項16記載のアセンブリ。
- 走査機構が重量の少なくとも85%を支持する請求項17記載のアセンブリ。
- 基板用の支持体を含み、その第1面に上に基板へのスパッタコーティング材料を含むターゲットに封止されて構成された真空チャンバと、
二次元パターンに走査を行うための、基板に対向する第2ターゲット上に配置された、真空チャンバ上で支持された走査機構と、
複数の磁石を備えたマグネトロンと、
マグネトロンを走査機構へと連結し、マグネトロンを部分的に支持するための複数のバネと、
マグネトロンをターゲットの第2面上で部分的に支持可能な、マグネトロンの底部上での移動が可能な複数の接触部とを備えるプラズマスパッタチャンバ。 - 移動可能な接触部がマグネトロンに回転自在に支持され、ターゲットの第2面上を回転可能な回転ボールを備えている請求項19記載のスパッタチャンバ。
- 走査機構がバネによって支持されたローラを含む請求項19記載のスパッタチャンバ。
- マグネトロンが、そこにバネの第1端部が固定して接続される少なくとも1つの磁気ヨークプレートを含む請求項19〜21のいずれか1項記載のスパッタチャンバ。
- 複数の磁石を支持するための少なくとも1つの支持プレートを含むマグネトロンと、
少なくとも1つの支持プレートに固定され、かつターゲットの片面上で回転するように構成された複数のローラを備えるマグネトロンアセンブリ。 - 支持プレートが磁性であり、磁気ヨークとして作用する請求項23記載のアセンブリ。
- 支持プレート上に支持された磁石が第1磁性の複数の第1磁石と、第1磁性とは反対の第2磁性の複数の第2磁石を含む請求項23記載のアセンブリ。
- ローラが、支持プレートと反対側に第1及び第2磁石を越えて延びる回転面を有している請求項23〜25のいずれか1項記載のアセンブリ。
- 支持プレートに機械的に連結され、支持プレートを二次元パターンに移動可能な走査機構を更に備えている請求項23〜25のいずれか1項記載のアセンブリ。
- 走査機構及びローラが全て共に支持プレートとその上に支持された磁石を支持している請求項27記載のアセンブリ。
- 第1磁極性の複数の第1磁石と、
第1磁極性と反対の第2磁極性の複数の第2磁石と、
第1及び第2磁石を支持し、かつこれらを磁気的に結合している少なくとも1つの可撓性マグネトロンプレートであり、そのターゲットアセンブリに沿っての運動の間、スパッタリングターゲットを含む非平面のターゲットアセンブリに受動的に合致可能である可撓性マグネトロンプレートとを備えるマグネトロンアセンブリ。 - 少なくとも1つのマグネトロンプレートが、
第1磁石を支持している第1マグネトロンプレートと、
第2磁石を支持している第2マグネトロンプレートとを含み、第1及び第2マグネトロンプレートとの間には間隙が形成されている請求項29記載のアセンブリ。 - 間隙が6.4mmを越えない請求項30記載のアセンブリ。
- 第1及び第2マグネトロンプレートが各自それぞれ、ターゲットアセンブリの背面上で少なくとも部分的に移動自在に支持可能である請求項30又は31記載のアセンブリ。
- 少なくとも1つのマグネトロンプレートが第1及び第2磁石をそれぞれ支持している部位の間に形成されたスロットを有している第1マグネトロンプレートを含む請求項29又は30記載のアセンブリ。
- スロットの幅が6.4mmを越えない請求項33記載のアセンブリ。
- 部位が各自それぞれ水平方向に移動可能であり、ターゲットアセンブリの背面上で少なくとも部分的に縦方向に支持可能である請求項33記載のアセンブリ。
- スパッタリングターゲットを含むターゲットアセンブリと、スパッタリングターゲットに対向して基板を支持しているプラットフォームを備えたプラズマ反応チャンバ内でプラズマを発生させる工程と、
マグネトロンをプラットフォームに対向するターゲットアセンブリの背面に沿って走査する工程と、
マグネトロンをターゲットアセンブリ上で部分的に支持する第1下位工程と、マグネトロンをマグネトロン上方から部分的に支持する第2下位工程とを含むマグネトロンの支持工程とを含み、マグネトロンにより裏面と反対のターゲットの正面に隣接してプラズマ反応チャンバ内で磁場が形成される基板のスパッタ処理方法。 - マグネトロンをターゲットの背面に沿って二次元パターンで走査する請求項36記載の方法。
- 走査がマグネトロンを部分的に支持する2つの下位工程と繋がっている請求項36記載の方法。
- 走査に少なくとも部分的にマグネトロンを覆っている走査機構を水平方向に移動させることが含まれ、第1の部分的に支持する下位工程がマグネトロンを走査機構にバネ連結させることを含む請求項38記載の方法。
- 第2の部分的に支持する下位工程が、ターゲットアセンブリの背面上でマグネトロンを摺動させることを含む請求項36〜39のいずれか1項記載の方法。
- 第2の部分的に支持する下位工程が、マグネトロンをターゲットアセンブリの背面上で回転させることを含む請求項36〜39のいずれか1項記載の方法。
- ターゲットアセンブリの背面に隣接し、その内部にマグネトロンが配置されているバックチャンバ内の圧力を低下させることを更に含む請求項36〜39のいずれか1項記載の方法。
- スパッタリングターゲットを含むターゲットアセンブリと、ターゲットに対向して基板を支持しているプラットフォームを含むプラズマ反応チャンバ内でプラズマを発生させる工程と、
可撓性マグネトロンをプラットフォームに対向するターゲットアセンブリの背面に沿って走査し、その一方で走査中に背面の形状に可撓性マグネトロンの形状を受動的かつ動的に合致させる工程とを含む基板のスパッタ処理方法。 - マグネトロンをターゲットアセンブリ上で部分的に支持し、マグネトロンを上から部分的に懸装させることを更に含む請求項43記載の方法。
- 複数の磁石を含み、かつスパッタリングターゲットに隣接して第1方向に沿って走査可能なマグネトロンと、
スパッタリングターゲットに対向する、マグネトロンの上面から延び、スパッタリングターゲットの垂直方向上方の機械的支持体に連結されている複数のバネ支持体を備えるマグネトロンアセンブリ。 - 機械的支持体が第1方向に移動可能な走査機構内に含まれている請求項45記載のマグネトロンアセンブリ。
- 走査機構が第1方向に直交する第2方向に移動可能である請求項46記載のマグネトロンアセンブリ。
- スパッタリングターゲットを含むターゲットアセンブリと、スパッタリングターゲットに対向して基板を支持しているプラットフォームを備えたプラズマ反応チャンバ内でプラズマを発生させる工程と、
マグネトロンをマグネトロン上方からターゲットアセンブリに対向するマグネトロンの背面とマグネトロン上方の機械的支持体との間に連結された複数のバネを介して支持する工程を含む基板のスパッタ処理方法であり、ここでマグネトロンがプラットフォームに面するスパッタリングターゲットの正面側に隣接してプラズマ反応チャンバ内で磁場を発生し、これによりスパッタリングターゲットの材料が基板上に堆積され、
ターゲットアセンブリの背面に沿って、支持されたマグネトロンを走査することを含む方法。 - 走査工程により機械的支持体を水平方向に移動させる請求項48記載の方法。
- 走査工程により機械的支持体を二次元パターンに水平方向に移動させる請求項49記載の方法。
- 複数の磁石を含み、スパッタリングターゲットアセンブリに隣接して第1方向に沿って走査可能なマグネトロンと、
マグネトロンの第1主要面に回転自在に取り付けられ、かつスパッタリングターゲットアセンブリの背面上で回転するように構成されることで、第1方向に沿ってのマグネトロンの運動を可能とし、これによりスパッタリングターゲットアセンブリが少なくとも部分的にマグネトロンを支持する複数のローラを備えるマグネトロンアセンブリ。 - ローラがマグネトロンによるスパッタリングターゲットの背面上での二次元運動を可能とするローラーボールを備えている請求項51記載のマグネトロンアセンブリ。
- ローラーボールがマグネトロンをスパッタリングターゲットアセンブリ上で完全に支持している請求項52記載のマグネトロンアセンブリ。
- ローラがスパッタリングターゲットアセンブリの背面上を回転する際に、マグネトロンが可撓性であり、ターゲットアセンブリの形状に合致する請求項51〜53のいずれか1項記載のマグネトロンアセンブリ。
- ローラが、マグネトロンによるスパッタリングターゲットアセンブリの背面での二次元回転運動を可能とするローラーボールを備えている請求項54記載のマグネトロンアセンブリ。
- スパッタリングターゲットを含むターゲットアセンブリと、スパッタリングターゲットに対向して基板を支持しているプラットフォームを備えたプラズマ反応チャンバ内でプラズマを発生させる工程と、
ローラを介してマグネトロンをプラットフォームに対向するターゲットアセンブリの背面上で支持する工程と、
ターゲットアセンブリの背面に沿って、支持されたマグネトロンを走査する工程を含み、
マグネトロンにより背面とは反対のスパッタリングターゲットの正面に隣接してプラズマ反応チャンバ内で磁場が発生し、これによりスパッタリングターゲットの材料が基板上にスパッタ堆積される基板のスパッタ処理方法。 - マグネトロンの垂直位置が走査中、ターゲットアセンブリの形状に沿う請求項56記載の方法。
- マグネトロンが可撓性であり、マグネトロンの形状が走査中、ターゲットアセンブリの形状に沿う請求項57記載の方法。
- 走査が二次元パターンで実行される請求項58記載の方法。
- 走査が二次元パターンで実行される請求項56記載の方法。
- 少なくとも一方向に移動可能な支持部材と、
支持部材上に弾性的に支持された可撓性マグネトロンであり、可撓性マグネトロンに固定され、その間に閉鎖間隙を形成している、第1磁極性の複数の第1磁石と反対の第2磁極性の複数の第2磁石を含む可撓性マグネトロンと、
スパッタリングターゲットアセンブリの背面と摺動的に係合する、支持部材と反対のマグネトロン側に配置された少なくとも1つのローラとを備える可撓性マグネトロンアセンブリ。 - 可撓性マグネトロンが第1及び第2磁石を磁気的に結合する可撓性ヨークを含む請求項61記載のアセンブリ。
- 可撓性ヨークが第1軸に沿って延び、かつその少なくとも片側に第1軸に直交する第2軸に沿って溝が刻まれている磁気プレートを備えている請求項62記載のマグネトロン。
- 請求項61〜63のいずれか1項記載の、支持部材から共通してはいるが別々に弾性的に支持された複数のマグネトロンを備えているマグネトロンシステム。
- 少なくとも1つのローラが複数のマグネトロンのそれぞれの上に配置された少なくとも1つのそれぞれのローラを備える請求項64記載のマグネトロンシステム。
- マグネトロンの第1点を支持プレートに固定し、かつ軸に沿って第1点からずれたマグネトロンの第2点を軸に沿って移動させることはできるが、軸に直交しては移動できない手段を更に備えている請求項61〜63のいずれか1項記載のマグネトロン。
- 可撓性ヨークと可撓性ヨークを支持している支持プレートとの間に手段が連結されている請求項66記載のマグネトロン。
- 少なくとも一方向に移動可能な支持部材と、
支持部材上にそれぞれ個別に弾性的に支持された複数の可撓性マグネトロンであり、可撓性マグネトロンに固定され、その間に閉鎖間隙を形成している、第1磁極性の複数の第1磁石と反対の第2磁極性の複数の第2磁石を含む可撓性マグネトロンと、
スパッタリングターゲットアセンブリの背面と摺動的に係合する、支持部材と反対の各マグネトロン側に配置された少なくともローラを備える可撓性マグネトロンアセンブリ。 - 各マグネトロンが第1軸に沿って延びヨーク条片であり、かつ第1軸と直交する第2軸に沿って部分的に通って延びる溝を含むヨーク条片を備えている請求項68記載のアセンブリ。
- 支持部材をスパッタリングターゲットアセンブリのスパッタ面に平行な二次元方向に走査する走査機構を更に備えている請求項68又は69記載のアセンブリ。
- 可撓性マグネトロンが第1方向に沿って配置され、更に各可撓性マグネトロンと関連し、可撓性マグネトロンを第1方向を横断する第2方向に沿ってセンタリングするための、支持部材に連結されたセンタリング機構を更に備えている請求項68又は69記載のアセンブリ。
- 支持プレートと、
第1軸に沿って延び、かつ支持プレートから弾性的に支持されているマグネトロンと、
第1センタリングピンと、第1センタリングピンを密接かつ回転自在に捕捉する円形ガイド穴を備えている、支持プレートの間に連結された位置決め装置と、
支持プレートの間に連結され、第1軸に沿って位置決め装置からずれた位置に形成され、第2センタリングピンと、第1軸に直交する第2軸に沿って第2センタリングピンを密接に捕捉し、かつ第2センタリングピンの第1軸に沿った動きを可能とする長いガイド穴とを備えているクロッキング装置とを備えているセンタリングされたマグネトロン。 - センタリングピンが支持プレートに固定されている請求項72記載のマグネトロン。
- 請求項72及び73のいずれか1項記載の複数のマグネトロンを備え、支持体から各自弾性的に支持され、かつ各自が位置決め及びクロッキング装置を有しているマグネトロンシステム。
- 可撓性ヨークを含むマグネトロンをスパッタリングターゲットの背面に沿って動かすことを含むPVDシステムの動作方法。
- マグネトロンが、ターゲットの形状に合致するようにターゲット上に少なくとも部分的に支持されている請求項75記載の方法。
- 少なくとも部分的にターゲット上で支持された複数の前記マグネトロンをスパッタリングターゲットの背面に沿って移動させることで、各マグネトロンをその動きに従ってターゲットの形状に合致させることを含む請求項75又は76記載の方法。
- 支持プレートから少なくとも部分的に支持された複数のマグネトロンを含むPVDシステムの動作方法であり、支持プレートを二次元パターンに走査することを含み、更に、走査の最中に各マグネトロンについて
マグネトロンの各第1位置を支持プレートの対応する第2位置に定め、その一方でマグネトロンを第2位置を中心として回転させる第1工程と、
マグネトロンの各第3位置を第1及び第3位置とを分離している各軸に対して動的かつ角度的に定める第2工程を更に含む方法。
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