JP4880873B2 - プラズマ処理装置コイル及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
Claims (33)
- プラズマ処理装置用の1つ以上の多重巻回巻線と、該多重巻回巻線に結合された短絡巻回とを備えたコイルであって、RF励振回路の両側の第1および第2の端子に接続するための第1および第2の励振端子と、一端が前記第1励振端子或いは前記第2励振端子に接続されるとともに他端が前記RF励振回路の第1の端子或いは第2の端子に接続され且つ前記短絡巻回の平面と垂直になる方向に延ばして配置された2つ以上の支柱とを備え、少なくとも1つの前記多重巻回巻線が前記第1および第2の励振端子に接続され、前記多重巻回巻線が前記コイルの最内端点と最外端点の間でコイルの中心に対して外へ周回して延びると共に、少なくとも1つの多重巻回巻線の中心部に位置する一端が前記第1の励振端子に接続され、前記短絡巻回が前記少なくとも1つの多重巻回巻線と略同軸の所定位置にオーム接続またはリアクタンス結合のみによって結合されているコイル。
- コイルが、前記第1および第2の励振端子に並列に接続された、複数の多重巻回巻線を含み、前記多重巻回巻線のそれぞれは前記第1および第2の励振端子に接続された最内端点と最外端点を有する、請求項1に記載のコイル。
- 前記複数の多重巻回巻線の巻線がコイルの中心から外へ向かって交互に配置されている、請求項2に記載のコイル。
- 前記RF励振回路によって導出されるRF用の短絡巻回のRFインピーダンスを、前記それぞれの多重巻回巻線の対応する角度においてRF電圧の振幅が同じになるようにした、請求項1乃至3のいずれかに記載のコイル。
- 前記短絡巻回が、前記多重巻回巻線と略同軸の所定位置にオーム接続されている、請求項1乃至4のいずれかに記載のコイル。
- 前記短絡巻回が、少なくとも1つの前記多重巻回巻線と略同軸の所定位置とリアクタンス結合のみによって接続されている、請求項1に記載のコイル。
- 前記短絡巻回が、前記多重巻回巻線の最内端点の内側の領域に配置されている、請求項1に記載のコイル。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載のコイルを備えると共に、加工物をプラズマで処理するために配設されたRF励振回路と真空チャンバとを含むプラズマ処理装置であって、前記真空チャンバは窓を有し、前記コイルは、前記窓を介して磁場を前記チャンバ内部に結合するために、前記窓に近接して前記チャンバの外側に装着されており、前記RF励振回路は、前記第1および第2の励振端子に接続された第1および第2の端子を有するプラズマ処理装置。
- 前記RF励振回路が、整合回路およびキャパシタを含み、前記整合回路は、前記RF励振回路の第1の端子を形成し、前記第1の励振端子に接続された非接地端子を有し、前記キャパシタは、前記第2の励振端子に接続された第1の電極と、前記RF励振回路の前記第2の端子に接続された第2の電極とを有する、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記RF励振回路が、整合回路の入力端子と、前記RF励振回路の第2の端子を形成する接地出力端子のそれぞれに接続された、第1および第2の出力端子を有するRF発生源を含み、前記RF発生源の周波数、および前記多重巻回巻線のそれぞれの長さが、前記第1および第2の励振端子の間でそれぞれの多重巻回巻線の長さに沿って、RF電圧および電流が直線的に変化するようにした、請求項8又は9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1および第2の励振端子間における前記多重巻回巻線のそれぞれの長さが、前記RF発生源周波数の波長の約1/8以下である、請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記キャパシタの値を、前記第1および第2の励振端子のRF電圧の振幅が同一になるようにした、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- センサ装置と、前記キャパシタの値のコントローラとをさらに含む、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コントローラが、前記第1および第2の励振端子のRF電圧値を同一に維持するために、前記センサ装置に応答するように配設されている、請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- コイルが、前記励振端子に並列に接続された複数の多重巻回巻線を含み、前記多重巻回巻線のそれぞれはコイルの最内端点と最外端点の間でコイルの中心に対して外へ周回して延ばして配置されており、前記多重巻回巻線どうしは同一平面をなし、前記多重巻回巻線のそれぞれは、コイル中心から第1距離だけ間隔を空けた最内端点と、コイル中心から前記第1距離より大きい第2距離だけ間隔を空けた最外端点とを有する、請求項8乃至14のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記短絡巻回が、前記コイルの中心を包囲するように配置されている、請求項8乃至15のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記短絡巻回が、前記コイルの中心と一致する中心を有するリングとして形成されている、請求項8乃至16のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- コイルが、前記励振端子に並列に接続された複数の多重巻回巻線を含み、前記複数の多重巻回巻線が、前記コイルの中心に対して対称であるように配置されている、請求項8乃至17の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記短絡巻回と少なくとも1つの前記多重巻回巻線が、同一平面に設けられている、請求項8乃至18のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルが、処理装置チャンバ外部の窓に近い位置に装着されて、前記コイルから前記チャンバへ磁場を結合するように適合されており、前記コイルが前記窓の近くに装着されるときに、前記短絡巻回が前記多重巻回巻線と前記窓の間に挿入される、請求項8乃至19のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルが、前記第1および第2の励振端子に並列に接続された、複数の多重巻回巻線を含み、前記多重巻回巻線のそれぞれの、隣接巻回間の間隔が異なる、請求項8乃至20のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の多重巻回巻線の巻線がコイルの中心から外へ向かって交互に配置されている、請求項21に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルの周辺部分にある各多重巻回巻線の部分の隣接巻回間の間隔が、前記コイルの内側部分にある各多重巻回巻線の部分の隣接巻回間の間隔と異なる、請求項21又は請求項22に記載のプラズマ処理装置。
- 前記多重巻回巻線の隣接巻回間の間隔が、前記コイルの内側部分よりも周辺部分において小さい、請求項21乃至23のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記多重巻回巻線の隣接巻回間の間隔が、前記コイルの内側部分よりも周辺部分において大きい、請求項21乃至23のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルが、前記第1および第2の励振端子に並列に接続された、複数の多重巻回巻線を含み、前記多重巻回巻線上の異なる点に結合された両側端を有する別個の回路要素をさらに含み、前記別個の回路要素が、同一多重巻回巻線の異なる位置に異なる電流を流すための、(a)形状と(b)インピーダンス値と(c)前記多重巻回巻線との結合構造とを有する、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記RF励振回路によって導出されるRF用の短絡巻回のRFインピーダンスを、前記それぞれの多重巻回巻線の対応する角度においてRF電圧の振幅が同じになるようにした、請求項26に記載のプラズマ処理装置。
- 前記短絡巻回が、前記少なくとも1つの多重巻回巻線にオーム接続されている、請求項26又は請求項27に記載のプラズマ処理装置。
- 前記回路要素のそれぞれが、同一のRF電圧を有するように適合された多重巻回巻線上の対応する等電位点間にオーム接続されたキャパシタを含み、且つ励振端子がRF励振源に接続されている、請求項26乃至28のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記短絡巻回が、前記少なくとも1つの多重巻回巻線と異なる平面に設けられている、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- RF励振回路の両側の第1および第2の端子に接続するための第1および第2の励振端子と、前記第1および第2の励振端子に並列に接続された複数の多重巻回巻線を備えたコイルであって、前記多重巻回巻線のそれぞれが最内端点と最外端点の間にコイルの中心に対して外へ周回して延ばして配置され、前記複数の多重巻回巻線のうちの1つ以上の多重巻回巻線に結合されて、コイルの所定のセグメントから発生する磁場と、コイルの所定のセグメント以外または他のセグメントの領域に発生する磁場との結合を低減する回路要素と、一端が前記第1励振端子或いは前記第2励振端子に接続されるとともに他端が前記RF励振回路の第1の端子或いは第2の端子に接続され且つ前記短絡巻回の平面と垂直になる方向に延ばして配置された2つ以上の支柱とを備え、前記回路要素は前記多重巻回巻線と略同軸の所定位置に対してオーム接続或いはリアクタンス結合のみによって結合されている、プラズマ処理装置用のコイル。
- 前記回路要素が前記最内端点の内側の領域に配置されている、請求項31に記載のプラズマ処理装置用のコイル。
- 前記回路要素が、短絡巻回を備える、請求項31又は請求項32に記載のプラズマ処理装置用のコイル。
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