JP4877481B2 - 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 - Google Patents

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Description

本発明は、液体を噴射する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に関し、特に、液体としてインクを吐出するインクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置に関する。
液体噴射ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室とこの圧力発生室に連通する連通部とが形成される流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側の面に接着剤を介して接合され連通部と共にリザーバの一部を構成するリザーバ部を有するリザーバ形成基板とを具備するものがある(例えば、特許文献1参照)。
このようなインクジェット式記録ヘッドでは、リザーバ形成基板のリザーバ部の周囲の接着剤は、インクにさらされるため、リザーバ形成基板と接着剤との接着界面で剥離が発生してしまうという問題がある。また、このような接着剤の剥離によってインクが圧電素子側に侵入してしまい、圧電素子が破壊されてしまうという問題や、剥離した接着剤が脱落して、接着剤片によってノズル開口の目詰まり等の吐出不良が発生してしまう虞があるという問題が有り、信頼性が低下してしまう。
なお、このような問題は、インクを吐出するインクジェット式記録ヘッドだけでなく、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにおいても同様に存在する。
特開2005−219243号公報(第3〜5図、第6〜8頁)
本発明はこのような事情に鑑み、接着剤の剥離を防止して信頼性を向上した液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決する本発明の第1の態様は、ノズル開口に連通する複数の圧力発生室と前記複数の圧力発生室に連通する連通部とが形成された流路形成基板と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧力発生手段と、前記流路形成基板の一方面側に接着を介して接合され、前記連通部と連通して前記圧力発生室の共通の液体室の一部を構成するリザーバ部が設けられたリザーバ形成基板と、を具備し、前記リザーバ形成基板と前記接着剤との間にはニッケルクロム、チタン、チタンタングステン及び酸化タンタルから選択される少なくとも一種からなる接着層が設けられており、該接着層が、前記流路形成基板と前記リザーバ形成基板との接合領域のうち、前記リザーバ部の周囲に設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第1の態様では、接着層を設けることにより、リザーバ部内のインクによって接着剤がリザーバ形成基板から剥離するのを防止することができ、圧力発生手段の液体による破壊や、剥離した接着剤によるノズル開口の目詰まりを防止して信頼性を向上することができる。
また、接着層として所定の材料を用いることによって、リザーバ形成基板と接着層との密着性を向上すると共に、接着層と接着剤との密着性を向上して、リザーバ形成基板と接着剤との密着性を向上することができる。
本発明の第2の態様は、前記リザーバ形成基板の表面に酸化シリコンが設けられ前記接着層は、前記酸化シリコン上に設けられていることを特徴とする第1の態様の液体噴射ヘッドにある。
かかる第2の態様では、酸化シリコンと接着剤との密着性を向上することができ、接着剤の剥離を防止できる。
本発明の第3の態様は、前記接着層が、1μm以下の厚さで形成されていることを特徴とする第1又は2の態様の液体噴射ヘッドにある。
かかる第3の態様では、接着層が設けられた領域と、その他の領域との高さ合わせを行って、接合領域の接着剤の量を均一化して、余分な接着剤の流出や接合不良等を防止することができる。
本発明の第4の態様は、前記接着剤が、エポキシ系接着剤からなることを特徴とする第1〜3の何れかの態様の液体噴射ヘッドにある。
かかる第4の態様では、接着層によって、エポキシ系接着剤とシリコン単結晶基板からなるリザーバ形成基板との密着性を向上して接着剤の剥離を防止できる。
本発明の第5の態様は、前記流路形成基板前記リザーバ形成基板と接合領域のうち、前記リザーバ部の周囲の前記流路形成基板と前記接着剤との間には、金属層が設けられていると共に、前記金属層と前記接着剤との間には前記接着層が設けられていることを特徴とする第1〜4の何れかの態様の液体噴射ヘッドにある。
かかる第5の態様では、金属層上に接着層を設けることで、金属層上の接着剤の剥離を確実に防止してさらに信頼性を向上することができる。
本発明の第の態様は、第1〜の何れかの態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる第の態様では、信頼性を向上した液体噴射装置を実現できる。
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及びそのA−A’断面図である。図示するように、流路形成基板10は、本実施形態では面方位(110)のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ0.5〜2μmの弾性膜50が形成されている。
流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14を介して連通されている。連通部13は、後述するリザーバ形成基板30のリザーバ部31と連通して各圧力発生室12の共通の液体室となるリザーバ100の一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、厚さが例えば、0.01〜1mmで、線膨張係数が300℃以下で、例えば2.5〜4.5[×10-6/℃]であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約1.0μmの弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、厚さが例えば、約0.4μmの絶縁体膜55が形成されている。さらに、この絶縁体膜55上には、厚さが例えば、約0.2μmの下電極膜60と、厚さが例えば、約1.0μmの圧電体層70と、厚さが例えば、約0.05μmの上電極膜80とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、下電極膜60、圧電体層70及び上電極膜80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜60は圧電素子300の共通電極とし、上電極膜80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室12毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。なお、上述した例では、弾性膜50、絶縁体膜55及び下電極膜60が振動板として作用するが、弾性膜50、絶縁体膜55を設けずに、下電極膜60のみを残して下電極膜60を振動板としても良い。
また、このような各圧電素子300の上電極膜80には、密着層91及び導電層92からなる引き出し配線であるリード電極90がそれぞれ接続され、このリード電極90を介して各圧電素子300に選択的に電圧が印加されるようになっている。また、詳しくは後述するが、連通部13の開口周縁部に対応する領域の振動板、すなわち、弾性膜50及び絶縁体膜55上にも、密着層91及び導電層92からなるがリード電極90とは不連続の金属層190が存在している。
ここで、導電層92の主材料としては、比較的導電性の高い材料であれば特に限定されず、例えば、金(Au)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)が挙げられ、本実施形態では金(Au)を用いている。また、密着層91の材料としては、導電層92の密着性を確保できる材料であればよく、具体的には、チタン(Ti)、チタンタングステン化合物(TiW)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)又はニッケルクロム化合物(NiCr)等が挙げられ、本実施形態ではニッケルクロム(NiCr)を用いている。
このような流路形成基板10の圧電素子300側の面には、リザーバ100の少なくとも一部を構成するリザーバ部31を有して接合基板となるリザーバ形成基板30が接着剤35によって接着されている。リザーバ形成基板30のリザーバ部31は、振動板、本実施形態では、弾性膜50及び絶縁体膜55のそれぞれに設けられた貫通部52を介して連通部13と連通され、これらリザーバ部31及び連通部13によってリザーバ100が形成されている。なお、本実施形態では、図2(b)に示すように、リザーバ部31の流路形成基板10側の面の開口が、連通部13のリザーバ形成基板30側の面の開口よりも小さい面積となるように形成した。これにより、リザーバ部31の周縁部は、連通部13側に露出された状態となっている。
また、リザーバ形成基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子300は、この圧電素子保持部32内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部32は、密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。このようなリザーバ形成基板30の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
さらに、リザーバ形成基板30の流路形成基板10に接合される接合領域には、リザーバ部31の周囲に亘って接着剤35との密着性を向上する接着層200が設けられている。このような接着層200の材料としては、シリコン単結晶基板への密着性がよく、且つ接着剤35のシリコン単結晶基板への密着性よりも良好な密着性を有する金属又は金属酸化物、例えば、ニッケルクロム(NiCr)、チタン(Ti)、チタンタングステン(TiW)及び酸化タンタル(TaO)から選択される少なくとも一種が挙げられる。また、接着層200の厚さは1μm以下とするのが好ましい。これにより、リザーバ形成基板30と流路形成基板10との接合領域の内、接着層200が設けられた領域と、その他の領域、例えば、リード電極90上との高さ合わせを行って、接合領域の接着剤35の量を均一化して、余分な接着剤35の流出や接合不良等を防止することができる。すなわち、接合領域の高さが異なる場合、リザーバ形成基板30等に接着剤35を不均一に塗布しなければならず煩雑である。また、接合領域の高さが異なる場合、均一に接着剤35を塗布して接合すると、高い領域で接着剤35が流出してしまう。
なお、リザーバ形成基板30と流路形成基板10とを接着する接着剤35としては、例えば、エポキシ系接着剤が挙げられる。
このように、リザーバ形成基板30の流路形成基板10との接合領域に、リザーバ部31の周囲に亘って接着層200を設けるようにしたため、リザーバ部31の連通部13に露出した周縁部に付着した接着剤35が剥がれるのを防止することができる。すなわち、リザーバ形成基板30に接着層200を設けずに、リザーバ形成基板30を流路形成基板10に直接接着剤35で接合すると、リザーバ形成基板30と接着剤35との密着性が比較的低いため、リザーバ部31の連通部13に露出する周縁部の接着剤35がリザーバ部31及び連通部13を通過するインクに接触して剥がれてしまう虞がある。このようにリザーバ部31の周縁部の接着剤35が剥がれると、圧電素子300側にインクが侵入したり、剥がれた接着剤35によってノズル開口21が目詰まりしてしまう。本実施形態では、リザーバ形成基板30の流路形成基板10との接合領域に、リザーバ部31の周囲に亘って接着層200を設けるようにしたため、リザーバ部31の連通部13に露出した周縁部に付着した接着剤35が剥がれるのを防止して、圧電素子300のインクによる破壊及びノズル開口21の目詰まりを防止して、信頼性を向上することができる。
なお、本実施形態では、シリコン単結晶基板からなるリザーバ形成基板30に接着層200を設けるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、リザーバ形成基板30の表面に二酸化シリコン(SiO)が設けられていても、二酸化シリコン上に接着層200を設けることで、二酸化シリコンと接着剤35との密着性を接着層200によって向上して接着剤35の剥がれを防止することができる。このような二酸化シリコンは、例えば、リザーバ形成基板30をウェットエッチングしてリザーバ部31及び圧電素子保持部32を形成する際のマスクとして用いられるものである。
また、リザーバ形成基板30上には、圧電素子300を駆動するための駆動回路120が実装されている。駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路(IC)等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。
さらに、リザーバ形成基板30のリザーバ部31に対応する領域上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料(例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム)からなり、この封止膜41によってリザーバ部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料(例えば、厚さが30μmのステンレス鋼(SUS)等)で形成される。この固定板42のリザーバ100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバ100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120の記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの下電極膜60と上電極膜80との間に電圧を印加し、圧電素子300及び振動板をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインクが吐出する。
(実施例)
リザーバ形成基板30の表面に二酸化シリコンを設けた以外、上述した実施形態1と同様の構成のものを実施例のインクジェット式記録ヘッドとした。詳細には、リザーバ形成基板30のリザーバ部31の周囲に亘ってニッケルクロム(NiCr)からなる接着層200を約1μmの厚さで設け、リザーバ形成基板30と流路形成基板10とをエポキシ系接着剤35を介して接合した。
(比較例)
接着層200を設けずに、表面に二酸化シリコンが設けられたリザーバ形成基板30と流路形成基板10とを直接エポキシ系接着剤で接合した以外、実施例1と同様の構成のものを比較例のインクジェット式記録ヘッドとした。
(試験例)
実施例及び比較例のインクジェット式記録ヘッドを、60℃の雰囲気化でインクに浸漬した状態で6日間放置する評価実験を行った。
この結果、比較例のインクジェット式記録ヘッドでは、連通部に露出したリザーバ部の周縁部で接着剤に剥離が発生しているのが確認できた。これに対して、実施例のインクジェット式記録ヘッドでは、接着剤の剥離が確認できなかった。
このようにリザーバ形成基板30の流路形成基板10との接合領域のリザーバ部31の周囲に亘って接着層200を設けることによって、接着剤35の剥離を防止して、圧電素子300のインクによる破壊及び剥離した接着剤35によるノズル開口21の目詰まりを防止して、信頼性を向上することができる。
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図3〜図5を参照して説明する。なお、図3〜図5は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図3(a)に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ110を約1100℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコン膜51を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ110として、膜厚が約625μmと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
次に、図3(b)に示すように、弾性膜50(二酸化シリコン膜51)上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成する。具体的には、弾性膜50(二酸化シリコン膜51)上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム(Zr)層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、500〜1200℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム(ZrO)からなる絶縁体膜55を形成する。
次いで、図3(c)に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜55上に積層することにより下電極膜60を形成した後、この下電極膜60を所定形状にパターニングする。次に、図3(d)に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等からなる圧電体層70と、例えば、イリジウムからなる上電極膜80とを流路形成基板用ウェハ110の全面に形成し、これら圧電体層70及び上電極膜80を、各圧力発生室12に対向する領域にパターニングして圧電素子300を形成する。また、圧電素子300を形成後に、絶縁体膜55及び弾性膜50をパターニングして、流路形成基板用ウェハ110の連通部(図示なし)が形成される領域に、これら絶縁体膜55及び弾性膜50を貫通して流路形成基板用ウェハ110の表面を露出させた貫通部52を形成する。
なお、圧電素子300を構成する圧電体層70の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。
また、圧電体層70の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層70を形成した。
次に、図4(a)に示すように、リード電極90を形成する。具体的には、流路形成基板用ウェハ110の全面に亘って密着層91を介して導電層92を形成し、密着層91と導電層92とからなる金属層190を形成する。
このように、金属層190を流路形成基板用ウェハ110の全面に亘って形成することにより、貫通部52はこの金属層190により封止される。そして、この金属層190上に、例えば、レジスト等からなるマスクパターン(図示なし)を形成し、このマスクパターンを介して金属層190を圧電素子300毎にパターニングすることによりリード電極90を形成する。また、同時に金属層190を貫通部52を覆う領域にパターニングすることによりリード電極90とは不連続な金属層190からなる隔離層191を形成する。すなわち、本実施形態の隔離層191は、リード電極90と同一層である密着層91及び導電層92で構成した。
このように隔離層191を形成することで、詳しくは後述するが、流路形成基板用ウェハ110を異方性エッチングして圧力発生室12及び連通部13を形成する工程において、エッチング液が、隔離層191を通過してリザーバ形成基板用ウェハ130側に不用意に漏れ出るのを防止して、歩留まりを向上することができる。
また、本実施形態では、隔離層191をリード電極90と同じ金属層190で同時に形成するようにしたため、製造工程を簡略化してコストを低減することができる。
なお、密着層91は、スパッタリング法により形成することができる。また、導電層92は、密着層91上にスパッタリング法やメッキ法等により形成することができる。さらに、導電層92をスパッタリング法を繰り返し行って複数層で構成するようにしてもよい。これにより、各層にピンホールが形成されたとしても、面方向で各層のピンホールが一致することはなく、圧力発生室12等を形成する工程で使用するエッチング液が隔離層191を通過することを有効に防止することができる。
次に、図4(b)に示すように、リザーバ形成基板用ウェハ130を、流路形成基板用ウェハ110上に接着剤35によって接着する。ここで、このリザーバ形成基板用ウェハ130には、リザーバ部31、圧電素子保持部32等が予め形成されている。また、リザーバ形成基板用ウェハ130の流路形成基板用ウェハ110との接合領域には、リザーバ部31の周囲に亘って接着層200が予め形成されている。このような接着層200の材料としては、ニッケルクロム(NiCr)、チタン(Ti)、チタンタングステン(TiW)等金属や、これらの合金、酸化タンタル(TaO)等の金属酸化物などが挙げられる。また、接着層200は、例えば、スパッタリング法、蒸着法又はCVD法等により容易に形成することができる。
なお、リザーバ形成基板用ウェハ130は、例えば、400μm程度の厚さを有するシリコンウェハであり、リザーバ形成基板用ウェハ130を接合することで流路形成基板用ウェハ110の剛性は著しく向上することになる。
次いで、図4(c)に示すように、流路形成基板用ウェハ110をある程度の厚さとなるまで研磨した後、更にフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ110を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、研磨及びウェットエッチングによって、流路形成基板用ウェハ110を、約70μmの厚さとなるように加工した。
次いで、図5(a)に示すように、流路形成基板用ウェハ110上に、例えば、窒化シリコン(SiN)からなるマスク53を新たに形成し、マスク53を所定形状にパターニングする。そして、図5(b)に示すように、流路形成基板用ウェハ110をマスク53を介して異方性エッチングすることにより、圧力発生室12、連通部13及びインク供給路14等を形成する。具体的には、流路形成基板用ウェハ110を、例えば、水酸化カリウム(KOH)水溶液等のアルカリ溶液によって、弾性膜50及び隔離層191が露出するまでエッチングすることにより、圧力発生室12、連通部13及びインク供給路14等を同時に形成する。
このとき、貫通部52は隔離層191によって封止されているため、貫通部52を介してリザーバ形成基板用ウェハ130側にエッチング液が漏れ出ることがなく、エッチング液によってリザーバ形成基板用ウェハ130自体や、リザーバ形成基板用ウェハ130上の駆動回路120が実装される配線(図示なし)などがエッチングされるのを防止することができる。
なお、このような圧力発生室12等を形成する際、リザーバ形成基板用ウェハ130の流路形成基板用ウェハ110側とは反対側の表面を、耐アルカリ性を有する材料、例えば、PPS(ポリフェニレンスルフィド)、PPTA(ポリパラフェニレンテレフタルアミド)等からなる封止フィルムでさらに封止するようにしてもよい。これにより、リザーバ形成基板用ウェハ130の表面に設けられた配線等の断線などの不良をより確実に防止することができる。
次いで、図5(c)に示すように、貫通部52に対向する領域の隔離層191をエッチングにより除去し、貫通部52を介して連通部13とリザーバ部31とを連通させてリザーバ100を形成する。例えば、本実施形態では、所定のエッチング液によるウェットエッチングによって隔離層191を除去するようにした。このとき、リザーバ形成基板用ウェハ130と流路形成基板用ウェハ110との間の隔離層191は完全にエッチングされることはないため、貫通部52の周縁部には金属層190が残存することになる。
その後は、流路形成基板用ウェハ110及びリザーバ形成基板用ウェハ130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ110のリザーバ形成基板用ウェハ130とは反対側の面にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、リザーバ形成基板用ウェハ130にコンプライアンス基板40を接合し、これら流路形成基板用ウェハ110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。
(他の実施形態)
以上、本発明の実施形態1を説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態1では、接着層200をリザーバ形成基板30の流路形成基板10との接合領域のリザーバ部31の周囲に亘って形成するようにしたが、接合領域に亘って接着層200を形成するようにしてもよい。また、流路形成基板10の金属層190上にも接着層200を設けることによって、さらに信頼性を向上することができる。
また、例えば、上述した実施形態1では、成膜及びリソグラフィ法を応用して製造される薄膜型のインクジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型のインクジェット式記録ヘッドや、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型のインクジェット式記録ヘッドにも本発明を採用することができる。
なお、ノズル開口からインク滴を吐出する圧力発生手段として圧電素子を用いて説明したが、圧力発生手段としては圧電素子に限定されず、例えば、圧力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズル開口から液滴を吐出するものや、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振動板を変形させてノズル開口から液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエータなどを使用することができる。
さらに、これら各実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図6は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
図6に示すように、インクジェット式記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
そして、駆動モータ6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。
なお、上述した実施形態1においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、FED(面発光ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
実施形態1に係る記録ヘッドの分解斜視図である。 実施形態1に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。 実施形態1に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態1に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態1に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 一実施形態に係るインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
符号の説明
10 流路形成基板、 12 圧力発生室、 20 ノズルプレート、 21 ノズル開口、 30 リザーバ形成基板、 31 リザーバ部、32 圧電素子保持部、 35 接着剤、 40 コンプライアンス基板、 50 弾性膜、 52 貫通孔、 55 絶縁体膜、 60 下電極膜、 70 圧電体層、 80 上電極膜、 90 リード電極、 91 密着層、 92 導電層、 100 リザーバ、 110 流路形成基板用ウェハ、 120 駆動回路、 130 リザーバ形成基板用ウェハ、 190 金属層、 191 隔離層、 200 接着層、 300 圧電素子

Claims (6)

  1. ノズル開口に連通する複数の圧力発生室と前記複数の圧力発生室に連通する連通部とが形成された流路形成基板と、
    前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧力発生手段と、
    前記流路形成基板の一方面側に接着を介して接合され、前記連通部と連通して前記圧力発生室の共通の液体室の一部を構成するリザーバ部が設けられたリザーバ形成基板と、を具備し、
    前記リザーバ形成基板と前記接着剤との間にはニッケルクロム、チタン、チタンタングステン及び酸化タンタルから選択される少なくとも一種からなる接着層が設けられており、該接着層が、前記流路形成基板と前記リザーバ形成基板との接合領域のうち、前記リザーバ部の周囲に設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
  2. 前記リザーバ形成基板の表面に酸化シリコンが設けられ、
    前記接着層は、前記酸化シリコン上に設けられていることを特徴とする請求項1記載の液体噴射ヘッド。
  3. 前記接着層が、1μm以下の厚さで形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の液体噴射ヘッド。
  4. 前記接着剤が、エポキシ系接着剤からなることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の液体噴射ヘッド。
  5. 前記流路形成基板前記リザーバ形成基板と接合領域のうち、前記リザーバ部の周囲の前記流路形成基板と前記接着剤との間には、金属層が設けられていると共に、前記金属層と前記接着剤との間には前記接着層が設けられていることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の液体噴射ヘッド。
  6. 請求項1〜の何れかに記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
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