JP4875382B2 - 渦流探傷信号の評価方法及び装置 - Google Patents
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導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知し、該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する渦流探傷信号の評価方法であって、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2とを用い、
C1からC2を減算した値が、一定値Vよりも大きい値である場合は評価深さとしてC1を、それ以外の場合は評価深さとしてC2を採用することを特徴とする。
導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせる手段と、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知する手段と、該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する推定検証手段を有する渦流探傷信号の評価装置であって、
前記推定検証手段は、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2とを用い、
C1からC2を減算した値が、一定値Vよりも大きい値である場合は評価深さとしてC1を、それ以外の場合は評価深さとしてC2を採用する推定検証手段であることを特徴とする。
導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知し該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する渦流探傷信号の評価方法であって、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2と、
位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC3とを用い、
C2が一定値V1よりも小さくかつ、
C1とC2の差の絶対値とC2とC3の差の絶対値とにおける大きい方の値が、一定値V2を越えておりかつ、
C1からC2を引いた差が一定値V3よりも大きい場合に、
評価値としてC2を採用し、それ以外の場合に評価値としてC1を採用するようにしてもよい。
導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせる手段と、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知する手段と、該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する推定検証手段を有する渦流探傷信号の評価装置であって、
前記推定検証手段は、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2と、
位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC3とを用い、
C2が一定値V1よりも小さくかつ、
C1とC2の差の絶対値とC2とC3の差の絶対値とにおける大きい方の値が、一定値V2を越えておりかつ、
C1からC2を引いた差が一定値V3よりも大きい場合に、
評価値としてC2を採用し、それ以外の場合に評価値としてC1を採用する推定検証手段であることを特徴とする。
導体からなる被検体に、センサから2種類以上の周波数の励磁電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によってわれ性状の欠陥を検知し該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する渦流探傷信号の評価方法であって、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2と、位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC3と、
前記2種類以上の周波数のうちの異なる周波数の渦流探傷信号の組み合わせにおける振幅の比を用いて推定した前記欠陥の評価深さC4とを用い、
C2が一定値V4より大きく、C4とC1との差の絶対値と、C4とC2との差の絶対値と、C4とC3の差のうちいずれか1つ以上が一定値V5を越えている場合深さ評価結果としてC4を採用し、
この2つの条件のいずれかに合致していない場合、C2が一定値V1よりも小さく、C1とC2の差の絶対値と、C2とC3の差の絶対値とにおける大きい方の値が前記一定値V2を越えている場合、C1からC2を引いた差が一定値V3よりも大きい場合は深さ評価結果としてC2を採用し、これらのうちのどれかの条件が合致していない場合は深さ評価結果としてC1を採用するようにしてもよい。
導体からなる被検体に、センサから2種類以上の周波数の誘導電流を与えて渦電流を生じさせる手段と、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知する手段と、該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する推定検証手段を有する渦流探傷信号の評価装置であって、
前記推定検証手段は、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2と、位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC3と、
前記2種類以上の周波数のうちの異なる周波数の渦流探傷信号の組み合わせにおける振幅の比を用いて推定した前記欠陥の評価深さC4とを用い、
C2が一定値V4より大きく、C4とC1との差の絶対値と、C4とC2との差の絶対値と、C4とC3の差のうちいずれか1つ以上が一定値V5を越えている場合深さ評価結果としてC4を採用し、
この2つの条件のいずれかに合致していない場合、C2が一定値V1よりも小さく、C1とC2の差の絶対値と、C2とC3の差の絶対値とにおける大きい方の値が前記一定値V2を越えている場合、C1からC2を引いた差が一定値V3よりも大きい場合は深さ評価結果としてC2を採用し、これらのうちのどれかの条件が合致していない場合は深さ評価結果としてC1を採用する推定検証手段である。
前記欠陥の評価深さC2は、予め、相対した破面が非接触で、前記センサ径に対して充分長い学習用欠陥によって前記渦流探傷信号の振幅を波形特徴として用いて得られた評価パラメータと、評価対象信号の振幅特徴とから推定する。
導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によってわれ性状若しくは減肉状欠陥を検知する請求項1乃至4いずれか1記載の渦流探傷信号の評価方法であって、
予め欠陥性状を分類し、各分類毎に深さ評価用パラメータを作成しておき、検査時には、前記欠陥により生じる渦電流探傷信号波形によって当該欠陥がいずれの性状分類に属するかを判定し、該当する前記欠陥性状分類に対応した深さ評価用パラメータを用いて前記請求項1から請求項4のいずれかの方法により深さ評価値を決定することで、例えば複数の種類の欠陥の深さ評価にも有効となる。
導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によって減肉状欠陥を検知し該減肉状欠陥深さを推定且つ検証する渦流探傷信号の評価方法であって、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW2と、位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW3とを用い、
W1またはW2が一定値V1よりも小さい値の場合、W1とW2の差の絶対値と、W2とW3の差の絶対値と、W3とW1の差の絶対値とにおける最も大きな値が、一定値V2より大きくかつ、W1−W2が一定値V3より大きい場合、W2を、これらのうちのどれかの条件が合致していない場合はW1を欠陥深さ評価結果として採用することを特徴とする。
そして、この渦流探傷信号の評価方法を実施する本発明になる渦流探傷信号の評価装置は、
導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせる手段と、該渦電流の変化によって減肉状欠陥を検知する手段と、該減肉状欠陥深さを推定且つ検証する推定検証手段を有する渦流探傷信号の評価装置であって、
前記推定検証手段は、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW2と、位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW3とを用い、
W1またはW2が一定値V1よりも小さい値の場合、W1とW2の差の絶対値と、W2とW3の差の絶対値と、W3とW1の差の絶対値とにおける最も大きな値が、一定値V2より大きくかつ、W1−W2が一定値V3より大きい場合、W2を、これらのうちのどれかの条件が合致していない場合はW1を欠陥深さ評価結果として採用する推定検証手段であることを特徴とする。
尚、前記W1、W2、W3は、それぞれ前記発明(実施例図5)におけるわれ性状からなる渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2と、位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC3に相当する値である。
しかし、物性値の異なる部位を有する被検体の渦流探傷信号の評価方法において、
予め、前記物性値の異なる学習用被検体毎に設けた深さが既知の学習用欠陥を探傷した渦流探傷信号を教師として、それぞれに対して2種類以上の評価用パラメータを作成し、
評価用被検体から得られた渦電流探傷信号に対し、前記それぞれの物性値部位用の前記2種類以上の評価用パラメータを用いて欠陥深さ評価を行い、各物性値毎の2種類以上の評価結果の矛盾が少ない方の物性値の部位であると判断し、判断した結果の物性値の前記評価用パラメータを用いて評価した結果を採用することで、こういった問題も解決できる。
導体からなる被検体に誘導電流を与えるセンサと、該センサが与えた誘導電流によって生じた渦電流の変化を検出して物性値の異なる部位を有する被検体に存在する欠陥を検知する手段とを有する渦流探傷信号の評価装置であって、
予め、前記物性値の異なる学習用被検体毎に設けた深さが既知の学習用欠陥による渦電流の変化を前記欠陥検知手段で検出し、該検出結果から得られた渦流探傷信号を教師として、それぞれに対して2種類以上の評価用パラメータを作成する評価パラメータ生成手段と、該評価パラメータ生成手段が生成した前記それぞれの物性値部位用の2種類以上の評価パラメータを用い、前記評価用被検体の欠陥深さ評価を行う評価結果生成手段と、該評価結果生成手段が評価した評価結果のうち、各物性値毎の2種類以上の評価パラメータによる評価結果の矛盾が少ない方が前記被検体に欠陥が存在する物性値の部位であると判断し、判断した結果の物性値の前記評価用パラメータを用いて評価した結果を採用する検証手段とからなることにより、溶接部の欠陥の評価も高精度に行うことができる。
信号評価時には評価対象信号に対し、前記渦流探傷信号からフィルタリング信号を生成し、該生成したフィルタリング信号の特徴量に対し、前記評価用パラメータを用いて欠陥深さ評価を行うことで、信号に加算型のノイズが複合している可能性がある場合であっても、定量評価精度の低下を回避することができる。
信号評価時には、評価対象信号に対し、前記パラメータ作成に適用したのと同じ係数の複数の多重周波数演算を適用することにより複数のフィルタリング信号を生成し、この複数のフィルタリング信号の特徴量に対し、前記評価用パラメータを用いて多重周波数演算処理した被検体の欠陥深さ評価を行うことで、多重周波数演算を用いると、磁性体付着物や磁性体構造物などにより生じるノイズが複合していても、形状フィルタでは低減できないノイズや、ノイズ信号を引いただけでは欠陥信号に変化が生じるノイズ要因の影響を低減し、深さ評価精度の低下を回避することができる。
S2 評価対象信号
1 入力端子
2 フィルタ
3 特徴量生成手段
4 正解データ供給手段
5 学習手段
6 入力端子
7 フィルタ
8 分類手段
9 特徴量生成手段
10 評価結果生成手段
11 検証手段
Claims (17)
- 導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知し、該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する渦流探傷信号の評価方法であって、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2とを用い、
C1からC2を減算した値が、一定値Vよりも大きい値である場合は評価深さとしてC1を、それ以外の場合は評価深さとしてC2を採用することを特徴とする渦流探傷信号の評価方法。 - 導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知し該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する渦流探傷信号の評価方法であって、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2と、
位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC3とを用い、
C2が一定値V1よりも小さくかつ、
C1とC2の差の絶対値とC2とC3の差の絶対値とにおける大きい方の値が、一定値V2を越えておりかつ、
C1からC2を引いた差が一定値V3よりも大きい場合に、
評価値としてC2を採用し、それ以外の場合に評価値としてC1を採用することを特徴とする渦流探傷信号の評価方法。 - 導体からなる被検体に、センサから2種類以上の周波数の励磁電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によってわれ性状の欠陥を検知し該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する渦流探傷信号の評価方法であって、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2と、位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC3と、
前記2種類以上の周波数のうちの異なる周波数の渦流探傷信号の組み合わせにおける振幅の比を用いて推定した前記欠陥の評価深さC4とを用い、
C2が一定値V4より大きく、C4とC1との差の絶対値と、C4とC2との差の絶対値と、C4とC3の差のうちいずれか1つ以上が一定値V5を越えている場合深さ評価結果としてC4を採用し、
この2つの条件のいずれかに合致していない場合、C2が一定値V1よりも小さく、C1とC2の差の絶対値と、C2とC3の差の絶対値とにおける大きい方の値が前記一定値V2を越えている場合、C1からC2を引いた差が一定値V3よりも大きい場合は深さ評価結果としてC2を採用し、これらのうちのどれかの条件が合致していない場合は深さ評価結果としてC1を採用することを特徴とする渦流探傷信号の評価方法。 - 導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によって減肉状欠陥を検知し該減肉状欠陥深さを推定且つ検証する渦流探傷信号の評価方法であって、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW2と、位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW3とを用い、
W1またはW2が一定値V1よりも小さい値の場合、W1とW2の差の絶対値と、W2とW3の差の絶対値と、W3とW1の差の絶対値とにおける最も大きな値が、一定値V2より大きくかつ、W1−W2が一定値V3より大きい場合、W2を、これらのうちのどれかの条件が合致していない場合はW1を欠陥深さ評価結果として採用することを特徴とする渦流探傷信号の評価方法。 - 導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせ、該渦電流の変化によってわれ性状若しくは減肉状欠陥を検知する請求項1乃至4いずれか1記載の渦流探傷信号の評価方法であって、
予め欠陥性状を分類し、各分類毎に深さ評価用パラメータを作成しておき、検査時には、前記欠陥により生じる渦電流探傷信号波形によって当該欠陥がいずれの性状分類に属するかを判定し、該当する前記欠陥性状分類に対応した深さ評価用パラメータを用いて前記請求項1から請求項4のいずれかの方法により深さ評価値を決定することを特徴とする渦流探傷信号の評価方法。 - 物性値の異なる部位を有する被検体の渦流探傷信号の評価方法において、
予め、前記物性値の異なる学習用被検体毎に設けた深さが既知の学習用欠陥を探傷した渦流探傷信号を教師として、それぞれに対して2種類以上の評価用パラメータを作成し、
評価用被検体から得られた渦電流探傷信号に対し、前記それぞれの物性値部位用の前記2種類以上の評価用パラメータを用いて欠陥深さ評価を行い、各物性値毎の2種類以上の評価結果の矛盾が少ない方の物性値の部位であると判断し、判断した結果の物性値の前記評価用パラメータを用いて評価した結果を採用することを特徴とする渦流探傷信号の評価方法。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載した渦流探傷信号の評価方法において、
評価パラメータ作成時には、前記渦電流探傷信号にフィルタを適用せずに処理を行って深さ評価用パラメータを作成しておき、
信号評価時には評価対象信号に対し、前記渦流探傷信号からフィルタリング信号を生成し、該生成したフィルタリング信号の特徴量に対し、前記評価用パラメータを用いて欠陥深さ評価を行うことを特徴とする渦流探傷信号の評価方法。 - 前記請求項1乃至7のいずれかに記載した渦流探傷信号の評価方法において、
評価パラメータ作成時には、前記渦流探傷信号に複数種類の多重周波数演算処理を適用することにより複数種類のフィルタリング信号を生成し、この複数種類のフィルタリング信号の特徴量を用いて深さ評価用パラメータを生成しておき、
信号評価時には、評価対象信号に対し、前記パラメータ作成に適用したのと同じ係数の複数の多重周波数演算を適用することにより複数のフィルタリング信号を生成し、この複数のフィルタリング信号の特徴量に対し、前記評価用パラメータを用いて多重周波数演算処理した被検体の欠陥深さ評価を行うことを特徴とする渦流探傷信号の評価方法。 - 前記請求項1乃至8のいずれかに記載した渦流探傷信号の評価方法を用いることを特徴とする渦流探傷検査。
- 導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせる手段と、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知する手段と、該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する推定検証手段を有する渦流探傷信号の評価装置であって、
前記推定検証手段は、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2とを用い、
C1からC2を減算した値が、一定値Vよりも大きい値である場合は評価深さとしてC1を、それ以外の場合は評価深さとしてC2を採用する推定検証手段であることを特徴とする渦流探傷信号の評価装置。 - 導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせる手段と、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知する手段と、該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する推定検証手段を有する渦流探傷信号の評価装置であって、
前記推定検証手段は、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2と、
位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC3とを用い、
C2が一定値V1よりも小さくかつ、
C1とC2の差の絶対値とC2とC3の差の絶対値とにおける大きい方の値が、一定値V2を越えておりかつ、
C1からC2を引いた差が一定値V3よりも大きい場合に、
評価値としてC2を採用し、それ以外の場合に評価値としてC1を採用する推定検証手段であることを特徴とする渦流探傷信号の評価装置。 - 導体からなる被検体に、センサから2種類以上の周波数の誘導電流を与えて渦電流を生じさせる手段と、該渦電流の変化によってわれ性状からなる欠陥を検知する手段と、該われ性状の欠陥深さを推定且つ検証する推定検証手段を有する渦流探傷信号の評価装置であって、
前記推定検証手段は、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC2と、位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さC3と、
前記2種類以上の周波数のうちの異なる周波数の渦流探傷信号の組み合わせにおける振幅の比を用いて推定した前記欠陥の評価深さC4とを用い、
C2が一定値V4より大きく、C4とC1との差の絶対値と、C4とC2との差の絶対値と、C4とC3の差のうちいずれか1つ以上が一定値V5を越えている場合深さ評価結果としてC4を採用し、
この2つの条件のいずれかに合致していない場合、C2が一定値V1よりも小さく、C1とC2の差の絶対値と、C2とC3の差の絶対値とにおける大きい方の値が前記一定値V2を越えている場合、C1からC2を引いた差が一定値V3よりも大きい場合は深さ評価結果としてC2を採用し、これらのうちのどれかの条件が合致していない場合は深さ評価結果としてC1を採用する推定検証手段であることを特徴とする渦流探傷信号の評価装置。 - 導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせる手段と、該渦電流の変化によって減肉状欠陥を検知する手段と、該減肉状欠陥深さを推定且つ検証する推定検証手段を有する渦流探傷信号の評価装置であって、
前記推定検証手段は、
前記渦流探傷信号における波形特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW1と、振幅特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW2と、位相角特徴を用いて推定した前記欠陥の評価深さW3とを用い、
W1またはW2が一定値V1よりも小さい値の場合、W1とW2の差の絶対値と、W2とW3の差の絶対値と、W3とW1の差の絶対値とにおける最も大きな値が、一定値V2より大きくかつ、W1−W2が一定値V3より大きい場合、W2を、これらのうちのどれかの条件が合致していない場合はW1を欠陥深さ評価結果として採用する推定検証手段であることを特徴とする渦流探傷信号の評価装置。 - 導体からなる被検体に、センサから誘導電流を与えて渦電流を生じさせる手段と、該渦電流の変化によって減肉状欠陥を検知する手段と、該減肉状欠陥深さを推定且つ検証する推定検証手段を有する渦流探傷信号の評価装置であって、
前記推定検証手段は、
予め欠陥性状を分類し、各分類毎に深さ評価用パラメータを作成しておき、検査時には、前記欠陥により生じる渦電流探傷信号波形によって当該欠陥がいずれの性状分類に属するかを判定し、該当する前記欠陥性状分類に対応した深さ評価用パラメータを用いて前記請求項1から請求項4のいずれかの評価方法により深さ評価値を決定する推定検証手段であることを特徴とする渦流探傷信号の評価装置。 - 導体からなる被検体に誘導電流を与えるセンサと、該センサが与えた誘導電流によって生じた渦電流の変化を検出して物性値の異なる部位を有する被検体に存在する欠陥を検知する手段とを有する渦流探傷信号の評価装置であって、
予め、前記物性値の異なる学習用被検体毎に設けた深さが既知の学習用欠陥による渦電流の変化を前記欠陥検知手段で検出し、該検出結果から得られた渦流探傷信号を教師として、それぞれに対して2種類以上の評価用パラメータを作成する評価パラメータ生成手段と、該評価パラメータ生成手段が生成した前記それぞれの物性値部位用の2種類以上の評価パラメータを用い、前記評価用被検体の欠陥深さ評価を行う評価結果生成手段と、該評価結果生成手段が評価した評価結果のうち、各物性値毎の2種類以上の評価パラメータによる評価結果の矛盾が少ない方が前記被検体に欠陥が存在する物性値の部位であると判断し、判断した結果の物性値の前記評価用パラメータを用いて評価した結果を採用する検証手段とからなることを特徴とする渦流探傷信号の評価装置。 - 請求項10乃至15のいずれかに記載した渦流探傷信号の評価装置において、
前記評価結果生成手段は、前記欠陥検知手段が検出した渦電流の変化分におけるフィルタを適用したフィルタリング信号生成手段を有し、前記フィルタリング信号生成手段が生成した前記渦流探傷信号の特徴量に対して前記評価用パラメータを用いて欠陥深さ評価を行うことを特徴とする渦流探傷信号の評価装置。 - 請求項10乃至16のいずれかに記載した渦流探傷信号の評価装置において、
前記評価パラメータ生成手段は、前記被検体の欠陥深さ評価用パラメータ生成において前記渦流探傷信号に複数種類の多重周波数演算処理を適用する第1のフィルタリング信号生成手段を有し、
前記評価結果生成手段は、前記第1のフィルタリング信号生成手段における多重周波数演算処理と同じ係数の複数種類の多重周波数演算処理を適用する第2のフィルタリング信号生成手段を有し、該第2のフィルタリング信号生成手段が生成した前記渦流探傷信号の特徴量に対して前記第1のフィルタリング信号生成手段が生成した評価用パラメータを用いて欠陥深さ評価を行うことを特徴とする渦流探傷信号の評価装置。
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