JP4874141B2 - 描画方法およびそのコンピュータプログラム - Google Patents

Description

本発明は、描画対象物の相対移動方向に沿って複数並んで設置された各空間光変調素子が、安定的に光を照射することができる当該描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射することで、所望の描画パターンを当該描画対象物上に形成する直接描画装置における描画方法およびそのコンピュータプログラムに関する。

ディジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）などの空間光変調素子を用いて露光する直接描画装置すなわちマスクレス露光装置においては、描画対象面積が大きい描画対象基板（描画対象物）を連続的に露光するために、描画対象基板を一定の搬送速度で描画装置に対して一方向に相対移動させるとともに、この相対移動に合わせて空間変調素子から出力される描画パターンを変化させることで露光処理を行い、描画対象基板の面上に描画パターンを形成する（例えば、特許文献１参照）。この場合の直接描画装置は、描画対象基板の相対移動方向（搬送方向）と直交する方向については１つの空間光変調素子が一度に描画可能な領域は限られているので、当該方向についても満遍なく描画できるよう、複数の空間光変調素子が描画対象基板の搬送方向と直交する方向に配列される。

ディジタルマイクロミラーデバイスを用いたマスクレス露光装置においては、描画対象基板の面上に形成したレジストを直接露光するにあたり、露光すべきパターンに対応したパターンデータを作成し、このパターンデータをディジタルマイクロミラーデバイスに入力し、ディジタルマイクロミラーデバイス中の複数の各マイクロミラーをパターンデータに応じて傾動させることにより、ディジタルマイクロミラーデバイスに光を投射して得られる各マイクロミラーからの反射光の向きを適宜変えて、描画対象基板上のレジストに照射してパターンデータに対応した露光パターンを形成する（例えば、特許文献２参照）。

ディジタルマイクロミラーデバイス中のマイクロミラーは、各行の並びの方向と各列の並びの方向とが直交するように２次元配列されている（例えば、特許文献３参照）。描画ヘッドに搭載されたディジタルマイクロミラーデバイスのマイクロミラーの列（もしくは行）を、描画対象基板の相対移動方向（すなわち描画対象基板が載るステージの走査方向）に対して所定の角度で傾斜させることにより、ディジタルマイクロミラーデバイス中のマイクロミラー間のピッチより細かい分解能で露光を行うことができる。この場合、ディジタルマイクロミラーデバイスのマイクロミラーの上記傾斜の角を適切に選択し、描画対象基板の面上におけるある１点を、同一走査線上において略一定間隔離れて位置する複数のマイクロミラーによって多重露光するようにする。このような複数のマイクロミラーによる多重露光により、ディジタルマイクロミラーデバイス中の照度のバラツキ、および、異なるディジタルマイクロミラーデバイス間の照度のバラツキが抑制される。

特開２００５−３００８０５号公報 特開平１０−１１２５７９号公報 特開２００４−９５９５号公報

直接描画装置においては、ディジタルマイクロミラーデバイスと共に描画ヘッドに装着される光学系のレンズ収差やレンズ組付け誤差などの影響から、ディジタルマイクロミラーデバイスによって形成される像に歪が発生し、多重露光の際にスポットの位置ずれが生じる。

図２６は、ディジタルマイクロミラーデバイスを用いた直接描画装置において生じ得る、マイクロミラーによる多重露光の際のスポットの位置ずれを例示する模式図である。図中、白丸印は、各マイクロミラーによる描画対象基板上における照射スポットをそれぞれ表す。直接描画装置中の描画ヘッドに装着された光学系のレンズ収差やレンズ組付け誤差などがない理想的な場合では、図２６（ａ）に例示するように、描画対象基板面上に結像する像に歪みは生じず、同一の走査線Ｌ上には、マイクロミラーによる照射スポットが一定間隔で現れる。しかしながら実際には、上述のように光学系にはレンズ収差やレンズ組付け誤差などがあるので、図２６（ｂ）〜（ｄ）に例示するように、描画対象基板面上に結像する像に歪みが生じ、マイクロミラーによる照射スポットに位置ずれが生じる。このようなマイクロミラーによる照射スポットの位置ずれにより、同一の走査線Ｌ上に現れるマイクロミラーによる照射スポットの間隔は、不均一になる。光学系は描画ヘッドごとに個別に装着されるので、マイクロミラーによる照射スポットの位置ずれ具合は、描画ヘッドごとすなわちディジタルマイクロミラーデバイスごとに異なったものとなる。したがって、複数のマイクロミラーによる多重露光で得られるある照射スポットにおける露光量（すなわち光の照射積算量）は、図２６（ｂ）〜（ｄ）に例示するように、ディジタルマイクロミラーデバイスごとに異なったものになる。

図２７は、直接描画装置中のディジタルマイクロミラーデバイスによる光の照度分布を例示する図である。図示の例では、３個のディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３が、描画対象基板の相対移動方向（図中、太い矢印で示す。）とほぼ直交する方向に配列される。図中、白丸印および黒丸印は、ディジタルマイクロミラーデバイス中に２次元配列されたマイクロミラーをそれぞれ表す。各ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３は、２次元配列されているマイクロミラーの列（もしくは行）が、描画対象基板の相対移動方向に対して所定の角度で傾斜するように、直接描画装置中の各描画ヘッドにそれぞれ装着されている。

図２７の黒丸印は、各ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３のマイクロミラーの配列面のつなぎ目部分（以下、「スティッチ部」と称する。）付近に位置するマイクロミラーを表す。図２６を参照して説明した光学系のレンズ収差やレンズ組付け誤差などの影響により、ディジタルマイクロミラーデバイスのスティッチ部における光の照度は、ディジタルマイクロミラーデバイスの中央付近に比べて減少する。このような光の照度分布の不均一性により、描画対象基板上に露光ムラが生じてしまう。

図２８は、ディジタルマイクロミラーデバイスを用いた直接描画装置の露光ムラと解像不良との関係を説明する図である。図示の例では、３個のディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３が、描画対象基板Ｐの相対移動方向（図中、太い矢印で示す。）とほぼ直交する方向に配列される。図中、白丸印および黒丸印は、ディジタルマイクロミラーデバイス中に２次元配列されたマイクロミラーをそれぞれ表し、特に黒丸印は、各ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３のスティッチ部付近に存在するマイクロミラーを表す。

ここでは一例として、描画対象基板Ｐには半導体パッケージとなる個片Ｑ１〜Ｑ８が面付けされ、各個片ごとに配線パターンが形成される場合を考える。また、各個片Ｑ１〜Ｑ８には、特に高密度な配線パターンが形成される領域（図中、一点鎖線で表す。）が存在するものとする。以下、特に高密度な配線パターンが形成される領域を、「微細パターン領域」と称する。

図示の位置関係でディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３が、これらディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３に対して相対移動する描画対象基板Ｐを露光していくと、ディジタルマイクロミラーデバイスの中央付近に位置する各マイクロミラーは、描画対象基板Ｐ上の領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３を露光し、一方、ディジタルマイクロミラーデバイスのスティッチ部付近に位置する各マイクロミラーは、領域Ｔ１およびＴ２を露光する。露光ムラが生じるディジタルマイクロミラーデバイスのスティッチ部付近に位置する各マイクロミラーにより、微細パターン領域（図中、網掛けで囲まれた領域で表す。）（領域Ｔ１およびＴ２）を露光すると、当該領域に解像不良が発生してしまう。

このような解像不良の原因となる露光ムラを解消するには、高精度の光学系を用いたり、描画ヘッド間の取り付け位置を高精度に微調整することが考えられるが、直接描画装置の組立て作業や調整作業に時間と手間がかかり、またコストもかかる。

従って本発明の目的は、上記問題に鑑み、描画対象物の相対移動方向に直交する方向に設置された複数の空間光変調素子によって描画対象物の面上に光を照射することで、描画対象物の面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置において、描画対象物の面上に解像不良が生じない描画方法およびそのコンピュータプログラムを提供することにある。

上記目的を実現するために、本発明によれば、描画対象物の相対移動方向に沿って複数並んで設置された各空間光変調素子が、安定的に光を照射することができる当該描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射することで、所望の描画パターンを当該描画対象物上に形成する直接描画装置における描画方法であって、安定照射領域内に未だ位置していない描画対象物上の領域については、上記相対移動方向に直交する方向に描画対象物をずらすことによって安定照射領域内に位置させた後、各空間光変調素子が当該領域に光を照射する描画方法において、この方法は、各空間光変調素子が光を照射して所望の描画パターンを当該描画対象物上に形成するための当該描画パターンに対応するパターンデータをコンピュータが生成する生成ステップと、描画対象物上において周囲の領域に比べて高密度の描画パターンを形成すべき領域に各空間光変調素子が光を照射する場合に、安定照射領域の、上記相対移動方向に直交する方向の両端に付加された描画対象物上のマージン領域に対し、各空間光変調素子がパターンデータに基づいて光を照射する第１の照射ステップと、当該周囲の領域に各空間光変調素子が光を照射する場合に、安定照射領域内において当該マージン領域とオーバーラップすることになるオーバーラップ領域に対し、各空間光変調素子がパターンデータに基づいて光を照射する第２の照射ステップと、を備え、生成ステップにおいては、描画パターンを形成するのに必要な光の照射量が得られるよう、マージン領域およびオーバーラップ領域に対して各空間光変調素子に光を照射させるパターンデータが生成される。

すなわち、本発明は、描画対象物を、必要に応じて当該描画対象物の相対移動方向（すなわち走査方向）に直交する方向にずらして描画処理を行うものであるが、高密度の描画パターンを形成すべき領域について露光する場合と、高密度の描画パターンを形成する必要のない領域について露光する場合とで光の照射の仕方が異なる。

上記第１の照射ステップおよび第２の照射ステップの各制御処理は、例えばコンピュータ等の演算処理装置が実行することができるコンピュータプログラムとして実現できる。以上の処理を実施する装置や、以上の処理をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムを作成することは、以下の説明を理解した当業者には容易に実施できる事項である。また、以上の処理をコンピュータにより実行させるコンピュータプログラムを記録媒体に格納するという事項も当業者には自明である。

本発明によれば、描画対象物の相対移動方向に直交する方向に設置された複数の空間光変調素子によって描画対象物の面上に光を照射することで、描画対象物の面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置において、描画対象物の面上に解像不良が生じることのない描画処理を低コストで実現することができる。

本発明によれば、描画ヘッドに装着される光学系を高精度に設計する必要はなく、直接露光装置の組立作業や調整作業の手間、時間およびコストを低減することができる。また、既存の直接描画装置においても本発明を適用することができ、例えば、直接描画装置を制御するコンピュータプログラムに本発明による描画方法を実現するコンピュータプログラムを組み込むだけで、描画対象物の面上における解像不良の発生を容易に防ぐことができる。

特に、本発明は、描画対象物を、必要に応じて当該描画対象物の相対移動方向（すなわち走査方向）に直交する方向にずらして描画処理を行うものであるが、別々の描画処理により生じ得えた位置ずれの発生を抑制することができる。

描画対象物の相対移動方向に沿って複数並んで設置された各空間光変調素子を用いて所望の描画パターンを当該描画対象物上に形成する直接描画装置における描画方法として、各空間光変調素子が安定的に光を照射することができる当該描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する本願出願時点で未公開の方法（特願２００６−１７０５０７）がある。この方法では、安定照射領域内に未だ位置していないことから描画処理が実行されていない描画対象物上の領域については、上記相対移動方向に直交する方向に描画対象物をずらすことによって安定照射領域内に位置させた後、各空間光変調素子が当該領域に光を照射する描画処理を実行する。

本発明は、このような描画方法において、高密度の描画パターンを形成すべき領域について露光する場合と、高密度の描画パターンを形成する必要のない領域について露光する場合とで光の照射の仕方が異なるようにしたものである。

図１および２は、描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法の動作原理を説明する図である。図示の例では、３個のディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３が、描画対象基板Ｐの相対移動方向（図中、太い矢印で示す。）とほぼ直交する方向に配列される。図中、白丸印および黒丸印は、ディジタルマイクロミラーデバイス中に２次元配列されたマイクロミラーをそれぞれ表し、特に黒丸印は、各ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３のスティッチ部付近に存在するマイクロミラーを表す。ここでは、一例として描画対象基板Ｐには半導体パッケージとなる個片Ｑ１〜Ｑ８が面付けされ、各個片ごとに配線パターンが形成される場合を考える。また、各個片Ｑ１〜Ｑ８には、特に高密度な配線パターンであって露光ムラが解像に影響するほどの配線パターンが形成される微細パターン領域（図中、一点鎖線で表す。）が存在するものとする。なお、図示されたディジタルマイクロミラーデバイスの個数および描画対象基板に面付けされる個片の個数はあくまでも一例であり、図示された個数以外のその他の個数であってもよい。

ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３による照射領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３の中心付近にある安定照射領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３と、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３のスティッチ部に存在するマイクロミラーによる露光ムラが生じ得る領域Ｔ１およびＴ２とに分けられる。

描画対象基板Ｐの面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する各個片Ｑ１、Ｑ３、Ｑ５およびＱ７について、各Ｑ１、Ｑ３、Ｑ５およびＱ７内にそれぞれ存在する微細パターン領域が、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３による安定照射領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３内に最も多く位置する状態が、図１に例示されている。図示のように、個片Ｑ１内の微細パターン領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１による安定照射領域Ｒ１内に位置し、個片Ｑ７内の微細パターン領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ３による安定照射領域Ｒ３内に位置する。このときの相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの位置を、安定照射領域Ｒ１およびＲ３内に位置する個片Ｑ１およびＱ７内の微細パターン領域に光を照射する際における、相対移動方向に直交する方向についての描画対象物の設置位置として画定する。図示の例では、個片Ｑ１およびＱ７については、図１に示されるような位置関係の下でディジタルマイクロミラーデバイスＤ１およびＤ３を用いて光を照射し、露光する。図中、斜線部分は露光された領域を示す。同様に、個片Ｑ１およびＱ７に対して描画対象基板の相対移動方向に位置する個片Ｑ２およびＱ８についても、図１に示される位置関係の下で、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１およびＤ３を用いて光を照射し、露光する。

一方、個片Ｑ３内の微細パターン領域は、図１に示される位置関係の下では、いずれの安定照射領域内にも位置しておらず、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１およびＤ２間のスティッチ部にあるマイクロミラーにより照射される領域Ｔ１に位置している。また、個片Ｑ５内の微細パターン領域は、図１に示される位置関係の下では、いずれの安定照射領域内にも位置しておらず、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ２およびＤ３間のスティッチ部の領域Ｔ２に位置している。微細パターン領域を露光ムラが発生するスティッチ部に存在するマイクロミラーで露光すると解像不良が生じ得ることから、図示の例では、個片Ｑ３およびＱ５内の微細パターン領域については、図１に示されるような位置関係の下では光を照射せず、露光は行わない。

図１に示される位置関係の下ではディジタルマイクロミラーデバイス間のスティッチ部付近に位置することになる個片Ｑ３およびＱ５内の微細パターン領域については、図２に示すように、これら微細パターン領域がディジタルマイクロミラーデバイスの安定照射領域に位置するよう、描画対象基板Ｐを相対移動方向に直交する方向にずらす。すなわち、個片Ｑ３内の微細パターン領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ２による安定照射領域Ｒ２内に位置し、個片Ｑ５内の微細パターン領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ３による安定照射領域Ｒ３内に位置するようにずらす。このときの相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの位置を、安定照射領域Ｒ２およびＲ３内に位置する個片Ｑ３およびＱ５内の微細パターン領域に光を照射する際における、相対移動方向に直交する方向についての描画対象物の設置位置として画定する。すなわち、個片Ｑ３およびＱ５内の微細パターン領域については、図２に示されるような位置関係の下でディジタルマイクロミラーデバイスＤ２およびＤ３を用いて光を照射し、露光する。図中、斜線部分は露光された領域を示す。同様に、個片Ｑ３およびＱ５に対して描画対象基板の相対移動方向に位置する個片Ｑ４およびＱ６についても、図２に示されるような位置関係の下でディジタルマイクロミラーデバイスＤ２およびＤ３を用いて光を照射し、露光する。

図３は、描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置についての画定処理の動作フローを示す図である。また、図４〜１６は、描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図である。

この具体例では、図４に示す３個のディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３を用いて、図５に示す描画対象基板Ｐを露光する場合を考える。

図４において、太い矢印はディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３の相対移動方向を表し、白丸印はディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３中に２次元配列されたマイクロミラーをそれぞれ表す。さらに、本明細書では、本具体例の説明を簡明にするために、相対移動方向に直交する方向に、図示するような座標軸を設定する。本具体例では、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３の中心付近にある安定照射領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３の、相対移動方向に直交する方向の幅を「６０」とし、各安定照射領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３の間には「３０」の間隔が空いているものとする。すなわち、相対移動方向に直交する方向に沿って、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１の中心付近にある安定照射領域Ｒ１は「０〜６０」の範囲に、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ２の中心付近にある安定照射領域Ｒ２は「９０〜１５０」の範囲に、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ３の中心付近にある安定照射領域Ｒ３は「１８０〜２４０」の範囲に、それぞれ位置する。

また、図５に示すように、本具体例では、描画対象基板Ｐ上には、ディジタルマイクロミラーデバイス間のスティッチ部に位置するマイクロミラーによっては光が照射されるべきでない領域Ｆ１〜Ｆ８（以下、「割付対象領域」と称する。）が、相対移動方向に直交する方向に沿って、一定の間隔で並んでいるものとする。本具体例における割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８は、上述の微細パターン領域である。また、本具体例では割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８以外の描画対象基板Ｐの面上にも配線パターンが形成されるが、当該配線パターンは、ディジタルマイクロミラーデバイス間のスティッチ部に位置するマイクロミラーによる光の照射でも、解像不良を発生することがなく、露光され得るものであると仮定する。

本具体例では、描画対象基板Ｐの相対移動方向に直交する方向の幅を「２１０」とする。便宜上、描画対象基板Ｐの最左端をＰＬ、最右端をＰＲで表すものとし、特に限定がない限り、描画対象基板Ｐの位置は、「描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標」でもって表すものとする。また、割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８の、相対移動方向に直交する方向の幅をそれぞれ「１５」とし、各割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８の間には長さ「１０」の一定の間隔が空いているものとする。また、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬと割付対象領域Ｆ１の最左辺との間にも「１０」の間隔が存在し、描画対象基板Ｐの最左端ＰＲと割付対象領域Ｆ８の最右辺との間にも「１０」の間隔が存在するものとする。

まず、図３のステップＳ１００において、未割付けの割付対象領域があるか否かを判定する。このステップについては後述する。

図３のステップＳ１０１において、描画対象基板Ｐの面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する各割付対象領域のうち、最左端に位置する割付対象領域を、最左端の安定照射領域に割り付ける。すなわち、図６に示すように、描画対象基板Ｐの面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する各割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８のうち描画対象基板Ｐの最左端にある割付対象領域Ｆ１を、最左端にある安定照射領域Ｒ１に割り付ける。その後、割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８が安定照射領域内に位置することができる描画対象領域Ｐの暫定設置範囲の算出処理（すなわち図３のステップＳ１０２における処理）を、描画対象基板Ｐの相対移動方向に直交する方向の一方から順に、すなわち、図示の例では割付対象領域Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、およびＦ８の順に、以下に説明するように実行していく。なお、当該算出処理の実行の順は一例であり、この例とは逆の順、すなわち割付対象領域Ｆ８、Ｆ７、Ｆ６、Ｆ５、Ｆ４、Ｆ３、Ｆ２、およびＦ１の順に実行してもよく、この場合は、図３のステップＳ１０１において、描画対象基板Ｐの面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する各割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８のうち描画対象基板Ｐの最右端にある割付対象領域Ｆ８を、最右端にある安定照射領域Ｒ３に割り付けた上で、実行すればよい。

すなわち、まず、図６を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ１が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。描画対象基板Ｐが、図６（ａ）に示すようにその最左端ＰＬが安定照射領域Ｒ１の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「０」）から、図６（ｂ）に示すようにその最右端ＰＲが安定照射領域Ｒ３の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「３０」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ１は安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ付近および最右端ＰＲ付近の領域についても安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ１が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「０〜３０」となる。

続いて、図７を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ１の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ２が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ２が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６を参照して説明した割付対象領域Ｆ１が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「０〜３０」の範囲内で、算出するべきである。すなわち、描画対象基板Ｐが、図７（ａ）に示すように描画対象基板Ｐの最左端ＰＬが安定照射領域Ｒ１の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「０」）から、図７（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ２の最右端が安定照射領域Ｒ１の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「１０」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ２は安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ１は安定照射領域Ｒ１内に位置することができる。なお、図６を参照して既に説明したように、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ付近および最右端ＰＲ付近の領域については、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「０〜３０」であれば安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができるので、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「０〜１０」である場合も、当然に安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「０〜１０」となる。

次いで、図８を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ２の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ３が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ３が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６および７を参照して説明した割付対象領域Ｆ１およびＦ２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「０〜１０」の範囲内で、算出するべきである。この場合、描画対象基板Ｐを暫定設置範囲「０〜１０」の範囲内に仮に設置したとしても、割付対象領域Ｆ３は、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、その最左端の座標が「６０〜７０」の範囲内にとどまるのみで、いずれの安定照射領域内にも位置することができない。したがって、割付対象領域Ｆ３が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲はこの段階では算出せず、割付対象領域Ｆ３はいずれの安定照射領域内にも割り付けない。

次いで、図９を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ３の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ４が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ４が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６および７を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１およびＦ２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「０〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ４が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３を考慮せず、除外する。すなわち、描画対象基板Ｐが、図９（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ４の最左端が安定照射領域Ｒ２の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「５」）から、図９（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ２が安定照射領域Ｒ１の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「１０」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ４は安定照射領域Ｒ２内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ１およびＦ２は安定照射領域Ｒ１内に位置することができる。なお、図６を参照して既に説明したように、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ付近および最右端ＰＲ付近の領域については、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「０〜３０」であれば安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができるので、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「５〜１０」である場合も、当然に安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ４が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「５〜１０」となる。

次いで、図１０を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ４の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ５が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ５が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６、７および９を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１およびＦ２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ割付対象領域Ｆ４が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ５が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３を考慮せず、除外する。すなわち、描画対象基板Ｐが、図１０（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ４の最左端が安定照射領域Ｒ２の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「５」）から、図１０（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ２が安定照射領域Ｒ１の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「１０」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ５は安定照射領域Ｒ２内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ４は安定照射領域Ｒ２内に、割付対象領域Ｆ１およびＦ２は安定照射領域Ｒ１内に、それぞれ位置することができる。なお、図６を参照して既に説明したように、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ付近および最右端ＰＲ付近の領域については、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「０〜３０」であれば安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができるので、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「５〜１０」である場合も、当然に安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ５が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「５〜１０」となる。

次いで、図１１を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ５の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６、７および９を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１およびＦ２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ割付対象領域Ｆ４およびＦ５が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３を考慮せず、除外する。この場合、描画対象基板Ｐを暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内に仮に設置したとしても、割付対象領域Ｆ６は、図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、その最左端の座標が「１４０〜１４５」の範囲内にとどまるのみで、いずれの安定照射領域内にも位置することができない。したがって、割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲はこの段階では算出せず、割付対象領域Ｆ６はいずれの安定照射領域内にも割り付けない。

次いで、図１２を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ６の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６、７、９および１０を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１およびＦ２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ割付対象領域Ｆ４およびＦ５が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８および１１を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３およびＦ６はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３およびＦ６を考慮せず、除外する。この場合、描画対象基板Ｐを暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内に仮に設置したとしても、割付対象領域Ｆ７は、図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、その最左端の座標が「１６５〜１７０」の範囲内にとどまるのみで、いずれの安定照射領域内にも位置することができない。したがって、割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲はこの段階では算出せず、割付対象領域Ｆ７はいずれの安定照射領域内にも割り付けない。

次いで、図１３を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ７の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ８が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ８が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６、７、９および１０を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１およびＦ２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ割付対象領域Ｆ４およびＦ５が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８、１１および１２を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ８が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７を考慮せず、除外する。この場合、図１３（ａ）および（ｂ）に示すように、描画対象基板Ｐが、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内に存在すれば、割付対象領域Ｆ８は安定照射領域Ｒ３内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ４およびＦ５は安定照射領域Ｒ２内に、割付対象領域Ｆ１およびＦ２は安定照射領域Ｒ１内に、それぞれ位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ８が安定照射領域Ｒ３内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「５〜１０」となる。

以上より、割付対象領域Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、およびＦ８の全てについて、図３のステップＳ１０２における算出処理が完了し、この結果、描画対象基板Ｐの最終的な暫定設定範囲として「５〜１０」という範囲が求まるので、図３のステップＳ１０３において、この「５〜１０」という範囲を、描画対象基板Ｐの相対移動方向に直交する方向についての設置可能範囲として決定する。描画対象基板Ｐを設置可能範囲「５〜１０」の範囲内に設置すれば、割付対象領域Ｆ１およびＦ２は安定照射領域Ｒ１内に位置し、割付対象領域Ｆ４およびＦ５は安定照射領域Ｒ２内に位置し、割付対象領域Ｆ８は安定照射領域Ｒ３内に位置する。そこで、描画対象基板Ｐを設置可能範囲「５〜１０」の範囲内に設置したときに、いずれかの安定照射領域内に位置する割付対象領域Ｆ１、Ｆ２、Ｆ４、Ｆ５およびＦ８について露光を行う。このとき、未割付けの割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７は、いずれの安定照射領域内にも位置していないのでこの段階では露光を行わない。

未割付けの割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７については、相対移動方向に直交する方向に露光対象基板Ｐをずらした上で、図３のステップＳ１０２における算出処理を再度実行する。すなわち、図３のＳ１００において、未割付けの割付対象領域があると判定された上で、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３の各処理が再度実行される。なお、この演算処理では、図６〜１３における描画対象基板Ｐを、図１４に示すように割付対象基板Ｆ３の最左端が描画対象基板の最左端ＰＬ’かつ割付対象基板Ｆ７の最右端が描画対象基板の最右端ＰＲ’であるような描画対象基板Ｐ’に定義し直した上で実行する。

図３のステップＳ１０１において、描画対象基板Ｐ’の面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する未割付の割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７のうち、最左端に位置する割付対象領域Ｆ３を、最左端の安定照射領域Ｒ１に割り付ける。以下、割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象領域Ｐ’の暫定設置範囲の算出処理（すなわち図３のステップＳ１０２における処理）を、描画対象基板Ｐ’の相対移動方向に直交する方向の一方から順に、すなわち割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７の順に、実行していく。

まず、図１４を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ３が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲を算出する。描画対象基板Ｐ’が、図１４（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ３の最左端が安定照射領域Ｒ１の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「０」）から、図１４（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ３の最右端が安定照射領域Ｒ３の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ’の座標が「４５」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ３は安定照射領域Ｒ１内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ３が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲は、「０〜４５」となる。

続いて、図１５を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ３の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲は、図１４を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ３が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲「０〜４５」の範囲内で、算出するべきである。すなわち、描画対象基板Ｐ’が、図１５（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ６の最左端が安定照射領域Ｒ２の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「１５」）から、図１５（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ３の最右端が安定照射領域Ｒ１の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「４５」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ６は安定照射領域Ｒ２内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ３は安定照射領域Ｒ１内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ６が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲は、「１５〜４５」となる。

次いで、図１６を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ６の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図１４および１５を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ３が安定照射領域Ｒ１内に、割付対象領域Ｆ６が安定照射領域Ｒ２内に、それぞれ位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲「１５〜４５」の範囲内で、算出するべきである。すなわち、描画対象基板Ｐ’が、図１６（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ６の最左端が安定照射領域Ｒ２の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「１５」）から、図１６（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ７の最右端が安定照射領域Ｒ２の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「３５」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ７は安定照射領域Ｒ２内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ３は安定照射領域Ｒ１内に、割付対象領域Ｆ６は安定照射領域Ｒ２内に、それぞれ位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ７が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲は、「１５〜３５」の範囲内に位置するものとなる。

以上より、割付対象領域Ｆ３、Ｆ６、およびＦ７の全てについて、図３のステップＳ１０２における算出処理が完了して描画対象基板Ｐ’の最終的な暫定設定範囲として「１５〜３５」という範囲が求まるので、図３のステップＳ１０３において、この「１５〜３５」という範囲を、描画対象基板Ｐ’の相対移動方向に直交する方向についての設置可能範囲として決定する。描画対象基板Ｐ’を設置可能範囲「１５〜３５」の範囲内に設置すれば、割付対象領域Ｆ３は安定照射領域Ｒ１内に位置し、割付対象領域Ｆ６およびＦ７は安定照射領域Ｒ２内に位置する。そこで、描画対象基板Ｐ’を設置可能範囲「１５〜３５」の範囲内に設置したときに、いずれかの安定照射領域内に位置する割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７について露光を行う。

なお、本具体例には当てはまらないが、この段階においても、未割付けの割付対象領域が未だ存在しているのであれば、当該未割付けの割付対象領域については、いずれの安定照射領域内にも位置していないのでこの段階では露光を行なわず、相対移動方向に直交する方向に露光対象基板Ｐ’を再度ずらした上で、図３のステップＳ１０２における算出処理を再度実行することになる。すなわち、図３のＳ１００において、未割付けの割付対象領域があると判定された上で、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３の各処理が再度実行されることになる。

以上説明した、ステップＳ１００〜Ｓ１０３を未割付の割付対象領域が存在しなくなるまで実行することにより、割付対象領域全てについて安定照射領域内に位置させることができる描画対象基板の設置位置が画定する。そして、このように画定した設置位置で描画対象基板上の当該設置位置に対応する割付対象領域について露光すれば、描画対象基板の面上に解像不良が生じることはない。なお、描画処理に必要なパターンデータは描画対象基板の設置位置に応じて予め補正しておく必要があり、この補正後のパターンデータを、直接描画装置の制御部を介して各ディジタルマイクロミラーデバイスに供給し、描画処理を行うべきである。また、この描画処理は、上記算出処理により描画対象基板の設置位置が全ての割付対象領域について算出された後に一括して実行してもよく、あるいは、上記算出処理により描画対象基板の設置位置が割付対象領域ごとに算出される度に分割して実行してもよい。

図１７は、描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法により生じた描画パターンの位置ずれを例示する図である。上述した描画方法によれば、描画対象基板上に解像不良が生じることのない描画処理を低コストで実現することができる。この描画方法では、描画対象物を、必要に応じて当該描画対象物の相対移動方向（すなわち走査方向）に直交する方向にずらし、あらためて描画処理を行っているので、異なる描画処理が実行される領域の境界付近において、描画パターンに位置ずれが生じる可能性がある。図示の例では、高密度の描画パターンを形成すべき領域である微細パターン領域Ａ内に形成された描画パターンと、微細パターン領域Ａの周囲にある高密度の描画パターンを形成する必要のない領域Ｂ（以下、単に「周囲の領域」と称する。）内に形成された描画パターンと、では別の描画処理が実行されるので、これら領域の境界付近に位置ずれが生じている。

本発明はこのような位置ずれを抑制するためになされたものであり、すなわち、上述した描画方法において、高密度の描画パターンを形成すべき領域について露光する場合と、高密度の描画パターンを形成する必要のない領域について露光する場合とで光の照射の仕方が異なるようにしたものである。

図１８は、本発明による描画方法を示すフローチャートである。本発明による描画方法は、生成ステップＳ１０１と、第１の照射ステップＳ１０２と、第２の照射ステップＳ１０３とを備える。

生成ステップＳ１０１においては、各空間光変調素子が光を照射して所望の描画パターンを当該描画対象物上に形成するための当該描画パターンに対応するパターンデータをコンピュータが生成する。

第１の照射ステップＳ１０２においては、描画対象物上において周囲の領域に比べて高密度の描画パターンを形成すべき領域に各空間光変調素子が光を照射する場合に、安定照射領域の、上記相対移動方向に直交する方向の両端に付加された描画対象物上のマージン領域に対し、各空間光変調素子がパターンデータに基づいて光を照射する。

第２の照射ステップＳ１０３においては、当該周囲の領域に各空間光変調素子が光を照射する場合に、安定照射領域内において当該マージン領域とオーバーラップすることになるオーバーラップ領域に対し、各空間光変調素子が光を照射する。

ここで、生成ステップＳ１０１においては、描画パターンを形成するのに必要な光の照射量が得られるよう、マージン領域およびオーバーラップ領域に対して各空間光変調素子に光を照射させるパターンデータが生成される。なお、第１の照射ステップＳ１０２と第２の照射ステップＳ１０３との処理の順番を入れ換えて、第２の照射ステップＳ１０３を第１の照射ステップの先に実行してもよい。

本発明による描画方法をさらに具体的に説明すると次のとおりである。

直接描画装置においては、描画すべきパターンに対応したパターンデータを予め作成しておく必要がある。各空間光変調素子が微細パターン領域に光を照射するときには各空間光変調素子が光を照射する安定照射領域内には微細パターン領域が位置する。本発明では、このときの安定照射領域の、描画対象基板の相対移動方向に直交する方向の両端にマージン領域を付加し、そしてこの安定照射領域およびマージン領域を各空間光変調素子が光を照射する領域として確定するパターンデータを、コンピュータ等の演算処理装置で生成する。

図１９は、本発明による描画処理におけるマージン領域について説明する図である。ここでは、図１９（ａ）に示すような、描画対象基板上において周囲の領域に比べて高密度の描画パターンｎを形成すべき微細パターン領域Ａが、安定照射領域に位置する場合を例として取り上げる。図中、描画対象基板の相対移動方向を太字の矢印で示す。図１９（ａ）に示すような微細パターン領域Ａは、安定照射領域内に位置して光が照射される場合においては、図１９（ｂ）に示すようなマージン領域Ｍが、描画対象基板の相対移動方向に直交する方向の両端に付加される。この微細パターン領域およびマージン領域を各空間光変調素子が光を照射する領域として画定するパターンデータは、コンピュータ等の演算処理装置で生成する。直接露光装置では、当該パターンデータに基づいて、微細パターン領域およびマージン領域に各空間光変調素子からの光を照射し、描画パターンを形成する。このように、微細パターン領域Ａが安定照射領域内に位置して光が照射される場合には、微細パターン領域のみならずマージン領域に対しても光が照射されることになる。

一方、高密度の描画パターンを形成する必要のない領域、すなわち微細パターン領域の周囲の領域に光を照射するときには、各空間光変調素子が光を照射する安定照射領域内には当該周囲の領域が位置する。しかしながら、マージン領域は、微細パターン領域の周囲の領域の一部にオーバーラップする領域（以下、単に「オーバーラップ領域」と称する。）である。すなわち、当該周囲の領域内の「オーバーラップ領域」は、当該周囲の領域に光を照射する描画処理の際だけでなく、微細パターン領域に光を照射する描画処理の際にも「マージン領域」として光が照射されるものであり、その意味で「マージン領域」と「オーバーラップ領域」とは一致した領域であるといえる。パターンデータにおいては、マージン領域内の描画パターンは、微細パターン領域内の高密度で配線された描画パターンを延長したものとなり、これにより、位置ずれの発生が抑制される。

描画対象基板への過剰な光の照射は結果として描画パターンの短絡等のエラーをもたらすので、描画対象基板上に描画パターンを形成するには、光の照射量は、短絡等のエラーが発生しない適度なものとする必要がある。このようなことから、本発明では、オーバーラップ領域内に位置する描画パターンを形成するのに必要な光の照射量が得られるよう、微細パターン領域に光を照射する描画処理において各空間光変調素子がマージン領域に照射する光と、当該微細パターン領域の周囲の領域に光を照射する描画処理において各空間光変調素子がオーバーラップ領域に照射する光とをそれぞれ調整する。このように、本発明では、高密度の描画パターンを形成すべき領域について露光する場合と、高密度の描画パターンを形成する必要のない領域について露光する場合とで光の照射の仕方が異なる。各描画処理における光の照射量の調整について、第１の実施例および第２の実施例として以下に説明する。

本発明の第１の実施例では、マージン領域に位置する描画パターンおよびオーバーラップ領域に位置する描画パターンについて、そのパターン幅が、設計上のパターン幅よりも細いものとなるようなパターンデータとし、当該パターンデータに基づいて描画処理を実行するものである。図２０は、本発明の第１の実施例による各空間光変調素子の光の照射量の調整方法について説明する図である。

図２０（ａ）に示すように、高密度の描画パターンを形成する必要のない領域Ｂ内、すなわち微細パターン領域の周囲の領域Ｂに含まれるオーバーラップ領域Ｏ（上述のようにマージン領域Ｍに一致する）内の描画パターンｎ”については、そのパターン幅が、設計上のパターン幅よりも細いものとなるようなパターンデータをコンピュータ等の演算処理装置により生成する。すなわち、周囲の領域Ｂに含まれるオーバーラップ領域Ｏ内の描画パターンｎ”のパターン幅は、当該周囲の領域Ｂの通常の描画パターンｎのパターン幅よりも細い。例えば、描画パターンｎ”のパターン幅は、当該周囲の領域Ｂの通常の描画パターンｎのパターン幅よりも片側で０．１μｍすなわち両側で０．２μｍほど細くする。図２０（ｃ）は、図２０（ａ）に示された描画パターンの１つを示す拡大図である。

また、図２０（ｂ）に示すように、高密度の描画パターンを形成すべき微細パターン領域Ａに付加されたマージン領域Ｍ（上述のようにオーバーラップ領域Ｏに一致する）内の描画パターンｎ’については、そのパターン幅が、設計上のパターン幅よりも細いものとなるようなパターンデータをコンピュータ等の演算処理装置により生成する。すなわち、微細パターン領域Ａに付加されたマージン領域Ｍ内の描画パターンｎ’のパターン幅は、微細パターン領域Ａの通常の描画パターンｎのパターン幅よりも細い。例えば、描画パターンｎ’のパターン幅は、微細パターン領域Ａの通常の描画パターンｎのパターン幅よりも片側で０．１μｍすなわち両側で０．２μｍほど細くする。図２０（ｄ）は、図２０（ｂ）に示された描画パターンの１つを示す拡大図である。

そして、本発明の第１の実施例においては、上述のようにして生成されたパターンデータに基づいて、直接描画装置の各空間変調素子は光を照射する。図２１は、本発明の第１の実施例による各空間光変調素子の光の照射量について例示する図である。図２１（ａ）に示すように通常の描画パターンｎのパターン幅よりも細くした描画パターンｎ’およびｎ”に対応するパターンデータに基づいて、各空間変調素子が単位面積当たりの照射量が一定の光を照射すると、図２１（ｂ）に示すように、パターン幅を細くした描画パターンｎ’およびｎ”は互いにオーバーラップしたオーバーラップ領域（すなわちマージン領域）内における単位面積当たりの光の照射量は増大し、現象としてはオーバー露光になるが、予めパターン幅を細く設定したパターンデータを用いたので、結果として設計上のパターン幅の太さに近い描画パターンを得ることができる。

本発明の第２の実施例は、上述の第１の実施例のようにパターン幅を細くはせず、通常の描画データのパターン幅のままとし、オーバーラップ領域への光の照射量とマージン領域への光の照射量との加算値が、オーバーラップ領域（すなわちマージン領域）内に位置する描画パターンを形成するのに必要な光の照射量に少なくとも達するよう、オーバーラップ領域への光の照射量およびマージン領域への光の照射量をそれぞれ調整するものであり、このようなパターンデータに基づいて描画処理を実行するものである。図２２および２３は、本発明の第２の実施例による各空間光変調素子の光の照射量の調整方法について説明する図である。なお、図２３では、四角形の１マスで１つの露光スポットを表しており、黒い四角形は光を照射する露光スポットを表し、白い四角形は光を照射しない露光スポットを表す。

図２２（ａ）に示すように、高密度の描画パターンを形成する必要のない領域Ｂ内すなわち微細パターン領域の周囲の領域Ｂ内に含まれるオーバーラップ領域Ｏ（上述のようにマージン領域Ｍに一致する）内の描画パターンｎ”については、そのパターン幅は、当該周囲の領域Ｂの通常の描画パターンｎのパターン幅と同じである。

また、図２２（ｂ）に示すように、高密度の描画パターンを形成すべき微細パターン領域Ａに付加されたマージン領域Ｍ（上述のようにオーバーラップ領域Ｏに一致する）内の描画パターンｎ’については、そのパターン幅は、微細パターン領域Ａの通常の描画パターンｎのパターン幅と同じである。

図２３（ａ）は、周囲の領域Ｂ内に含まれるオーバーラップ領域Ｏに各空間光変調素子が光を照射するときの各空間光変調素子の発光の有無を例示しており、オーバーラップ領域Ｏにおいては、単位面積当たりの光の照射量が、相対移動方向に直交する方向に沿って安定照射領域の外方に向かって徐々に減少していくような、パターンデータが生成される。

図２３（ｂ）は、微細パターン領域Ａに付加されたマージン領域Ｍに各空間光変調素子が光を照射するときの各空間光変調素子の発光の有無を例示しており、マージン領域Ｍにおいては、単位面積当たりの光の照射量が、相対移動方向に直交する方向に沿ってマージン領域Ｍの外方に向かって徐々に減少していくような、パターンデータが生成される。

なお、図２３に示した空間光変調素子の発光の有無の分布はあくまでも一例であり、単位面積当たりの光の照射量が、オーバーラップ領域においては相対移動方向に直交する方向に沿って安定照射領域の外方に向かって徐々に減少していき、マージン領域においては相対移動方向に直交する方向に沿ってマージン領域の外方に向かって徐々に減少していくようなものであれば、その他の分布の仕方であってもよい。

そして、本発明の第２の実施例においては、上述のようにして生成されたパターンデータに基づいて、直接描画装置の各空間変調素子は光を照射する。図２４は、本発明の第２の実施例による各空間光変調素子の光の照射量について例示する図である。図２４（ａ）に示すように、単位面積当たりの光の照射量が、オーバーラップ領域に対しては相対移動方向に直交する方向に沿って安定照射領域の外方に向かって徐々に減少していき、マージン領域に対しては相対移動方向に直交する方向に沿ってマージン領域Ｍの外方に向かって徐々に減少していくパターンデータに基づいて、各空間変調素子が光を照射すると、図２４（ｂ）に示すように、描画パターンｎ’およびｎ”は互いにオーバーラップしたオーバーラップ領域（すなわちマージン領域）内における単位面積当たりの光の照射量は、描画パターンｎを形成することができる光の照射量に達する。

なお、上述の実施例では、半導体パッケージのような、複数の個片が描画対象基板に面付けされ、かつ個片の一部に露光ムラが解像に影響するほどの微細パターンを含む場合について説明した。特に、本発明は、微細パターンではない特定の領域を含む個片に対しても適用することもできる。また、ディジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた直接描画装置以外、例えばＬＣＤアレイなどの空間光変調素子を用いて露光する描画装置に適用することもできる。また、上述の実施例では、マージン領域を、安定照射領域の、描画対象基板の相対移動方向に直交する方向の両端に付加したが、安定照射領域の、描画対象基板の相対移動方向の両端に付加してもよい。

上述した本発明の実施例による描画処理は、直接描画装置本体とこれを制御するためのコンピュータなどの演算処理装置とを用いて実現される。図２５は、記録媒体に格納されたコンピュータプログラムに基づいて動作する本発明の実施例による描画処理を説明する原理ブロック図である。

本発明の実施例による描画処理をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムは、図２５に示すように、記憶媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の外部記憶媒体）１１０に格納されており、例えば、次に説明するような構成によるコンピュータにインストールされて直接描画装置の制御部として動作する。

ＣＰＵ１１１は、直接描画装置の制御部全体を制御する。このＣＰＵ１１１に、バス１１２を介してＲＯＭ１１３、ＲＡＭ１１４、ＨＤ（ハードディスク装置）１１５、マウスやキーボード等の入力装置１１６、外部記憶媒体ドライブ装置１１７およびＬＣＤ、ＣＲＴ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ等の表示装置１１８が接続されている。ＣＰＵ１１１の制御プログラムはＲＯＭ１１３に格納されている。

本発明による描画処理を実行するプログラム（描画処理プログラム）は、記憶媒体１１０からＨＤ１１５にインストール（記憶）される。また、ＲＡＭ１１４には、描画処理をＣＰＵ１１１が実行する際の作業領域や、描画処理処理を実行するプログラムの一部が記憶される領域が確保されている。また、ＨＤ１１５には、入力データ、最終データ、さらにＯＳ（オペレーティングシステム）等が予め記憶される。

まず、コンピュータの電源を投入すると、ＣＰＵ１１１がＲＯＭ１１３から制御プログラムを読み出し、さらにＨＤ１１５からＯＳを読み込み、ＯＳを起動させる。これによりコンピュータは描画処理プログラムを記憶媒体１１０からインストール可能な状態となる。

次に、記憶媒体１１０を外部記憶媒体ドライブ装置１１７に装着し、入力装置１１６から制御コマンドをＣＰＵ１１１に入力し、記憶媒体１１０に格納された描画処理プログラムを読み取ってＨＤ１１５等に記憶する。つまり描画処理プログラムがコンピュータにインストールされる。

その後は、描画処理プログラムを起動させると、コンピュータは直接描画装置の制御部として動作する。オペレータは、表示装置１１８に表示される例えば対話形式による作業内容と手順に従って、入力装置１１６を操作することで、上述した描画処理を実行することができる。処理の結果得られた「割付対象領域ごとの、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板の設置位置に関するデータ」は、例えば、ＨＤ１１５に記憶しておいて後日利用できるようにしたり、あるいは、処理結果を表示装置１１８に視覚的に表示するのに用いてもよい。

なお、図２５のコンピュータでは、記憶媒体１１０に記憶されたプログラムをＨＤ１１５にインストールするようにしたが、これに限らず、ＬＡＮ等の情報伝送媒体を介して、コンピュータにインストールされてもよいし、コンピュータに内蔵のＨＤ１１５に予めインストールされておいてもよい。

本発明は、ディジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＬＣＤアレイなどの空間光変調素子を用いて露光する描画装置すなわち露光装置において、描画対象面積が大きい描画対象基板（描画対象物）上に描画パターンを直接描画する場合に適用することができる。例えば、本発明は、金属板、金属フープ材、配線基板、フレキシブル基板などのシート状の描画対象基板が順次搬送されていく間に描画処理を実行する直接描画装置に適用することができる。

本発明によれば、描画対象物が連続的に相対移動する間に該描画対象物を全面に亘って直接描画できるように並んだ複数の空間光変調素子を用いて、描画対象基板上に解像不良が生じることのない高い描画精度を有する直接描画処理を低コストで実行することができ、描画完成品において、回路パターンのショートや接触不良などの重大な欠陥は生じない。

特に、本発明によれば、描画ヘッドに装着される光学系を高精度に設計する必要はなく、直接露光装置の組立作業や調整作業の手間、時間およびコストを低減することができる。また、既存の直接描画装置においても本発明を適用することができ、例えば、直接描画装置を制御するコンピュータプログラムに本発明による描画方法を実現するコンピュータプログラムを組み込むだけで、描画対象物の面上における解像不良の発生を容易に防ぐことができる。

描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法の動作原理を説明する図（その１）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法の動作原理を説明する図（その２）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置についての画定処理の動作フローを示す図である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その２）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その３）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その４）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その５）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その６）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その７）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その８）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その９）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１０）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１１）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１２）である。 描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１３）である。 、描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射して描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法により生じた描画パターンの位置ずれを例示する図である。 本発明による描画方法を示すフローチャートである。 本発明による描画処理におけるマージン領域について説明する図である。 本発明の第１の実施例による各空間光変調素子の光の照射量の調整方法について説明する図である。 本発明の第１の実施例による各空間光変調素子の光の照射量について例示する図である。 本発明の第２の実施例による各空間光変調素子の光の照射量の調整方法について説明する図（その１）である。 本発明の第２の実施例による各空間光変調素子の光の照射量の調整方法について説明する図（その２）である。 本発明の第２の実施例による各空間光変調素子の光の照射量について例示する図である。 記録媒体に格納されたコンピュータプログラムに基づいて動作する本発明の実施例による描画処理を説明する原理ブロック図である。 ディジタルマイクロミラーデバイスを用いた直接描画装置において生じ得る、マイクロミラーによる多重露光の際のスポットの位置ずれを例示する模式図である。 直接描画装置中のディジタルマイクロミラーデバイスによる光の照度分布を例示する図である。 ディジタルマイクロミラーデバイスを用いた直接描画装置の露光ムラと解像不良との関係を説明する図である。

符号の説明

Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ ディジタルマイクロミラーデバイス
Ｐ 描画対象基板
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６、Ｑ７、Ｑ８ 割付対象領域
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 安定照射領域
Ｔ１、Ｔ２ ディジタルマイクロミラーデバイス間のスティッチ部にあるマイクロミラーにより照射される領域

Claims (8)

1. 描画対象物の相対移動方向に沿って複数並んで設置された各空間光変調素子が、安定的に光を照射することができる当該描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射することで、所望の描画パターンを当該描画対象物上に形成する直接描画装置における描画方法であって、前記安定照射領域内に未だ位置していない当該描画対象物上の領域については、前記相対移動方向に直交する方向に前記描画対象物をずらすことによって前記安定照射領域内に位置させた後、各前記空間光変調素子が当該領域に光を照射する描画方法において、
   各前記空間光変調素子が光を照射して所望の描画パターンを当該描画対象物上に形成するための当該描画パターンに対応するパターンデータをコンピュータが生成する生成ステップと、
   描画対象物上において周囲の領域に比べて高密度の描画パターンを形成すべき領域に各前記空間光変調素子が光を照射する場合に、前記安定照射領域の、前記相対移動方向に直交する方向の両端に付加された描画対象物上のマージン領域に対し、各前記空間光変調素子が前記パターンデータに基づいて光を照射する第１の照射ステップと、
   当該周囲の領域に各前記空間光変調素子が光を照射する場合に、前記安定照射領域内において当該マージン領域とオーバーラップすることになるオーバーラップ領域に対し、各前記空間光変調素子が前記パターンデータに基づいて光を照射する第２の照射ステップと、
   を備え、
   前記生成ステップにおいて、描画パターンを形成するのに必要な光の照射量が得られるよう、前記マージン領域および前記オーバーラップ領域に対して各前記空間光変調素子に光を照射させるパターンデータが生成されることを特徴とする描画方法。
2. 前記生成ステップにおいて、前記第１の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量と前記第２の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量との加算値が、前記オーバーラップ領域内に位置する描画パターンを形成するのに必要な光の照射量に少なくとも達するよう、前記第１の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量および前記第２の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量がそれぞれ調整されるようなパターンデータが生成される請求項１に記載の描画方法。
3. 前記パターンデータは、
   前記第１の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量は、前記相対移動方向に直交する方向に沿って前記マージン領域の外方に向かって徐々に減少していくよう設定されるとともに、
   前記第２の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量は、前記オーバーラップ領域においては、前記相対移動方向に直交する方向に沿って前記安定照射領域の外方に向かって徐々に減少していくよう設定される請求項２に記載の描画方法。
4. 各前記空間光変調素子は、
   前記第２の照射ステップにおいては、各前記空間光変調素子の光の照射により形成される前記オーバーラップ領域内に位置する描画パターンのパターン幅が、設計上のパターン幅よりも細いものとなるようなパターンデータに基づいて、光を照射し、
   前記第１の照射ステップにおいては、当該第２の照射ステップにおいて形成される描画パターンに少なくとも部分的にオーバーラップしかつ前記設計上のパターン幅よりも細い描画パターンが、前記マージン領域内において形成されるようなパターンデータに基づいて、光を照射する請求項１に記載の描画方法。
5. 描画対象物の相対移動方向に沿って複数並んで設置された各空間光変調素子が、安定的に光を照射することができる当該描画対象物上の安定照射領域内に対してのみ光を照射することで、所望の描画パターンを当該描画対象物上に形成する直接描画装置における描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムであって、前記安定照射領域内に未だ位置していない当該描画対象物上の領域については、前記相対移動方向に直交する方向に前記描画対象物をずらすことによって前記安定照射領域内に位置させた後、各前記空間光変調素子が当該領域に光を照射するコンピュータプログラムにおいて、
   各前記空間光変調素子が光を照射して所望の描画パターンを当該描画対象物上に形成するための当該描画パターンに対応するパターンデータを生成する生成ステップと、
   描画対象物上において周囲の領域に比べて高密度の描画パターンを形成すべき領域に各前記空間光変調素子が光を照射する場合に、前記安定照射領域の、前記相対移動方向に直交する方向の両端に付加された描画対象物上のマージン領域に対し、各前記空間光変調素子が前記パターンデータに基づいて光を照射する第１の照射ステップと、
   当該周囲の領域に各前記空間光変調素子が光を照射する場合に、前記安定照射領域内において当該マージン領域とオーバーラップすることになるオーバーラップ領域に対し、各前記空間光変調素子が前記パターンデータに基づいて光を照射する第２の照射ステップと、
   を備え、
   前記生成ステップにおいて、描画パターンを形成するのに必要な光の照射量が得られるよう、前記マージン領域および前記オーバーラップ領域に対して各前記空間光変調素子に光を照射させるパターンデータが生成されることを特徴とする描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
6. 前記生成ステップにおいて、前記第１の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量と前記第２の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量との加算値が、前記オーバーラップ領域内に位置する描画パターンを形成するのに必要な光の照射量に少なくとも達するよう、前記第１の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量および前記第２の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量がそれぞれ調整されるようなパターンデータが生成される請求項５に記載の描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
7. 前記パターンデータは、
   前記第１の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量は、前記相対移動方向に直交する方向に沿って前記マージン領域の外方に向かって減少していくよう設定されるとともに、
   前記第２の照射ステップにおける各前記空間光変調素子の光の照射量は、前記オーバーラップ領域においては、前記相対移動方向に直交する方向に沿って前記安定照射領域の外方に向かって減少していくよう設定される請求項６に記載の描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
8. 各前記空間光変調素子は、
   前記第２の照射ステップにおいては、各前記空間光変調素子の光の照射により形成される前記オーバーラップ領域内に位置する描画パターンのパターン幅が、設計上のパターン幅よりも細いものとなるようなパターンデータに基づいて、光を照射し、
   前記第１の照射ステップにおいては、当該第２の照射ステップにおいて形成される描画パターンに少なくとも部分的にオーバーラップしかつ前記設計上のパターン幅よりも細い描画パターンが、前記マージン領域内において形成されるようなパターンデータに基づいて、光を照射する請求項５に記載の描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。