JP4871823B2 - 窒化アルミニウム単結晶およびその製造方法 - Google Patents
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Description
AlCl3+NH3→AlN+3HCl (2)
このHVPE法では一般に、内部反応管内で900℃程度の高温に保持された金属AlとHClガスを反応させて上記式(1)のように主にAlCl3を生成し、このAlCl3を、加熱炉本体内の1000℃程度に保たれた基板付近で、上記式(2)のようにNH3と反応させてAlNを成長させる。この方法では、AlCl3生成部及び基板の少なくとも2箇所の温度制御及びガス流量の制御を必要とする。
以下、上記加熱炉100を用いて窒化アルミニウム単結晶を製造する実施例1と比較例1〜4について説明する。
101 加熱炉本体
103 反応ガス導入管
104 キャリアガス導入管
105 原料ボート
106 排気口
107 種子結晶
108 サセプタ
109 原料
110 内部反応管
Claims (4)
- アルミニウム原料としてAlF3を用いて、HVPE法により種子結晶上に結晶成長させたことを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
- 結晶中の酸素含有率が、900ppm以下であることを特徴とする請求項1記載の窒化アルミニウム単結晶。
- HVPE法により種子結晶上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、
アルミニウム原料としてAlF3を用いることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 - 加熱炉内に配置したAlF3を加熱して昇華させ、
AlF3ガスに窒素化合物を反応させて窒化アルミニウムガスを生成し、
窒化アルミニウムガスを種子結晶上に結晶成長させて窒化アルミニウム単結晶を形成することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。
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