JP4869891B2 - 多層体の非破壊検査方法 - Google Patents
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Description
先ず、本発明の多層体の非破壊検査方法を適用して検査される多層体について説明する。被検査体である多層体は、2層以上の構造を有するものであれば特に限定されない。好適な多層体としては、異材若しくは同材からなる多層管及び多層板、多重胴構造の塔槽、塗装やコーティングが施工された管及び板などが挙げられる。
次に、本発明の多層体の非破壊検査方法を実施するための非破壊検査装置について説明する。
次に、本発明の多層体の非破壊検査方法について説明する。なお、以下に述べる方法では、コイル部として基準コイル部及び検査コイル部を備える上記非破壊検査装置が使用される。
実験例1では、多層体の腐食減肉を検出し、その減肉率を見積もることを想定した多層体の非破壊検査を行った。
実験例2では、多層体の孔食を検出し、その孔食における減肉率を見積もることを想定した多層体の非破壊検査を行った。
<リングI型>周波数:30kHz、検出モード:Sin2、探傷モード:AC±、レベル:Max(1000)、スパン:Max(1000)、フェーズ:800、ゲイン:1,3,10。
<リングII型>周波数:10kHz、検出モード:Sin2、探傷モード:AC±、レベル:Max(1000)、スパン:Max(1000)、フェーズ:700、ゲイン:1,3,10。
<ペンIII型>周波数:30kHz、検出モード:Sin2、探傷モード:AC±、レベル:Max(1000)、スパン:Max(1000)、フェーズ:800、ゲイン:1,3,10。
実験例3では、実機からサンプリングされた二重ベローズを用いて、二重ベローズの内側に発生する孔食及び腐食を検出し、その孔食及び腐食における減肉率を見積もることを想定した二重ベローズの非破壊検査を行った。
材質:ニッケル基超合金インコネル625(外側層及び内側層)
肉厚:外側層1.27mm、内側層1.27mm(合計2.54mm)
上記の孔食検査用ベローズについて、非破壊検査装置100と同様の構成を有する検査装置を用いて誘導起電力の測定を行った。なお、制御部120としては、偕成エンジニアリング株式会社製のロックインアンプ(型番:KE−9000T)を用いた。また、センサ部110については、小径の孔食であっても検出が容易となるよう、山部の検査では偕成エンジニアリング株式会社製のリングI型(基準コイル部及び検出コイル部)を、谷部の検査では偕成エンジニアリング株式会社製のペンIII型(単一型であり、検出コイル部のみ)を用いた。
<リングI型>周波数:40kHz、検出モード:sin2、探傷モード:AC±、ゲイン:1〜10、レベル:Max(1000)、スパン:Max(1000)、フェーズ:980。
<ペンIII型>周波数:40kHz、検出モード:sin2、探傷モード:AC±、ゲイン:1〜10、レベル:Max(1000)、スパン:Max(1000)、フェーズ:980。
<リングI型>周波数:40kHz、検出モード:Sin2、探傷モード:DC、レベル:320、スパン:Max(1000)、フェーズ:800、ゲイン:1,3,10。
<ペンIII型>周波数:40kHz、検出モード:Sin2、探傷モード:DC、レベル:180、スパン:Max(1000)、フェーズ:800、ゲイン:1,3,10。
上記の腐食検査用ベローズについて、非破壊検査装置100と同様の構成を有する検査装置を用いて誘導起電力の測定を行った。なお、制御部120としては、偕成エンジニアリング株式会社製のロックインアンプ(型番:KE−9000T)を用いた。また、センサ部110については、山部の検査では偕成エンジニアリング株式会社製のリングI型(基準コイル部及び検出コイル部)を、谷部の検査では偕成エンジニアリング株式会社製のペンIII型(単一型であり、検出コイル部のみ)を用いた。
<リングI型>周波数:40kHz、検出モード:sin2、探傷モード:AC±、ゲイン:1、レベル:Max(1000)、スパン:Max(1000)、フェーズ:980。
<ペンIII型>周波数:40kHz、検出モード:sin2、探傷モード:AC±、ゲイン:1、レベル:Max(1000)、スパン:Max(1000)、フェーズ:980。
<リングI型>周波数:40kHz、検出モード:Sin2、探傷モード:DC、レベル:320、スパン:720、フェーズ:980、ゲイン:1。
<ペンIII型>周波数:40kHz、検出モード:Sin2、探傷モード:DC、レベル:180、スパン:Max(1000)、フェーズ:800、ゲイン:1。
実験例4では、励磁コイルに印加する交流電流の周波数を変えて、上記の孔食検査用ベローズの山部に設けられた径寸法5mmの孔(減肉率25%、50%及び75%)について、非破壊検査装置100と同様の構成を有する検査装置を用いて誘導起電力の測定を行った。なお、制御部120としては、偕成エンジニアリング株式会社製のロックインアンプ(型番:KE−9000T)を用い、センサ部110(基準コイル部及び検出コイル部)としては、偕成エンジニアリング株式会社製のリングI型を用いた。
検出モード:sin2、探傷モード:AC±、ゲイン:10、レベル:Max、スパン:Max、フェーズ:980。
実験例5では、実機に備えられている二重ベローズについて探傷を実施し、その損傷度の見積もりを行った。
Claims (4)
- 多層体の損傷を非破壊的に検査する方法であって、
励磁コイルと、前記励磁コイルと同軸で一部が接触する位置関係にある誘導コイルとが耐熱性樹脂にて一体的に被覆されて形成された検出コイル部を、当該検出コイル部と多層体の被検査面とを一定の距離を保つことができる治具に装着し、前記励磁コイルに交流電流を印加して磁界を発生させて多層体の被検査面と一定の距離を維持しつつ被検査面を複数回走査し、前記誘導コイルに発生する誘導起電力に基づいて多層体の損傷位置を確認するとともに、前記検出コイル部で走査したときの前記誘導コイルに発生する誘導起電力の変化に基づいて損傷部の径又は面積を見積もる探傷ステップと、
前記探傷ステップで得られた損傷部の径又は面積の大きさに応じて、前記検出コイル部の種類を選択し、当該検出コイル部によって前記多層体の損傷位置における誘導起電力を測定する誘導起電力測定ステップと、
を備える、多層体の非破壊検査方法。 - 前記多層体の損傷が孔食又は腐食であって、
予め得られている多層体の孔食又は腐食の深さと誘導コイルに発生する誘導起電力との相関に基づいて、前記誘導起電力測定ステップで得られる誘導起電力の測定値から孔食又は腐食の深さを求めるステップを更に備える、請求項1に記載の多層体の非破壊検査方法。 - 前記多層体の損傷が孔食であって、
予め得られている多層体の孔食の深さと誘導コイルに発生する誘導起電力との相関に基づいて、前記誘導起電力測定ステップで得られる誘導起電力の測定値から孔食の深さを求めるステップを更に備え、
誘導起電力測定ステップで、前記探傷ステップで得られた損傷部の径又は面積の大きさに応じて、前記検出コイル部の種類を選択するともに、当該検出コイル部の誘導コイルが接続されたロックインアンプのゲインの値を設定する、請求項1に記載の多層体の非破壊検査方法。 - 前記多層体が、ニッケル基超合金からなる2重ベローズであり、
前記磁界は、前記励磁コイルに35〜45kHzの範囲にある特定の周波数の交流電流を印加することにより発生させたものである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の多層体の非破壊検査方法。
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