JP4860481B2 - 大環状ケトン類の製造方法およびその中間体 - Google Patents
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Description
印藤元一著、合成香料 化学と商品知識、化学工業日報社、1996年3月6日発行、492〜497頁 「合成香料の最新技術」、株式会社シーエムシー、昭和57年発行、第72〜第90頁
1. 一般式(III):
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行い、一般式(II):
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I):
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行い、一般式(II−a):
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I−a):
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式(II):
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式(II−a):
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I):
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I−a):
で表わされる光学活性配位子であることを特徴とする上記2又は4記載の製造方法。
を表わされる光学活性配位子であることを特徴とする上記2又は4記載の製造方法。
R4−X (VI)
(式中、R4は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする上記1、2、3、4、7又は8記載の製造方法。
R5−X (VII)
(式中、R5は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示し、;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする上記1、2、3、4、7又は8記載の製造方法。
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体。
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体。
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行い、一般式(II):
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得るものである。
R4−X (VI)
(式中、R4は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
で表されるエノールアニオン捕捉剤を挙げることができる。
上記アルキル基は、反応に関与しない置換基を有していてよく、ここで置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等の炭素1乃至4の低級アルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等の炭素数1乃至4の低級アルコキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子及びニトロ基等が挙げられる。
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得ることができる。
で表わされる光学活性配位子、あるいは、一般式(V):
などで表わされる光学活性配位子を例示することができる。
Houben−Weyl Methoden der Organischen Chemie Band XII/2. Organische phosphorverbindungen. G.Thieme Verlag、Stuttgart、1964年、第2部(第4版)、第99〜105頁
Tetrahedron,56,2865(2000) Tetrahedron Asymmetry,9,1179(1998)
J.Org.Chem.,58,7313(1993) Tetrahedron Asymmetry,13,801(2002)
3−メチル−1−シクロペンタデセニル フォーメート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ブチレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル イソブチレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル sec−ブチレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル tert−ブチレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル バレレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル イソバレレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ヘキサノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ヘプタノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル オクタノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ノナネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル デカノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ウンデカノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ドデカノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ベンゾエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル クロロアセテート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル フェノキシアセテート。
3−メチル−1−シクロペンタデセニル メチルカーボネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル エチルカーボネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル tert−ブチルカーボネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ベンジルカーボネート。
3−メチル−1−シクロペンタデセニル メチルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル エチルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル イソプロピルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ブチルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル イソブチルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ベンジルエーテル。
3−メチル−1−シクロペンタデセニル トリメチルシリルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル トリエチルシリルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル tert−ブチルジエチルシリルエーテル。
例えば、光学活性配位子として、式:
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解させることにより、式(I):
さらに、必要に応じ助溶媒が使用されてもよい。助溶媒としては、反応に関与しない溶媒であれば何れのものを用いてもよく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等芳香族系溶媒等の有機溶媒が挙げられる。
なお、下記に記載する処方の単位は特に言及しない限り、%は質量%を意味するものとする。
旋光度;
機器:P−1020(日本分光工業株式会社製)
プロトン核磁気共鳴スペクトル( 1 H−NMR);
機器:DRX−500型装置(ブルカー社製)
内部標準物質:テトラメチルシラン
赤外吸収スペクトル(IR);
機器:Nicolet AVATAR 360FT−IR(ニコレジャパン株式会社製)
質量スペクトル(MS);
機器:GCMS−QP2010(株式会社島津製作所製)
ガスクロマトグラフィー;
機器:GC−14A(株式会社島津製作所製)
カラム:Rtx−1(0.25mm×60m)(RESTEK社製)
高速液体クロマトグラフィー(HPLC):
機器:Waters2695(日本ウォーターズ株式会社製)
カラム:CHIRALPAKTM AS−H(0.25cmψ×25cm)(ダイセル化学工業株式会社)、
窒素雰囲気下、1000ml反応フラスコに、光学活性配位子4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン1.32g(2.9mmol)、Cu(OTf)2 0.47g(1.3mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)115ml(230mmol)、キシレン524gを入れ、−20℃に冷却した。その後、無水プロピオン酸20.6g(158mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン32g(144mmol)を3時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗後、溶媒を減圧除去し、粗生成物43.2gを得た。この濃縮液を蒸留(沸点112℃/39.9Pa)することにより、表題化合物を39.4g(134mmol)、収率93%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.0/99.0であった。
MS m/z: 293(M+5),265(3),238(90),220(30),209(27),195(13),180(11),158(7),142(7),125(38),117(28),97(60),84(55),69(62),57(100),41(37)
IR νmax(cm−1): 2926,2856,1152
[α]D=79.2°(c=1.0(CHCl3中))
200mlナスフラスコに、実施例1で得た(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネート27.3g(93mmol)、トルエン54.6gを入れ、攪拌した。20℃にてナトリウムメトキシド−メタノール28%溶液17.9g(93mmol)を滴下後、1時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し粗(R)−ムスコン29.4gを得た。この濃縮液を蒸留(沸点110℃/50.5Pa)し、表題化合物を21.4g(90mmol)、収率97%で得た。高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、83%eeであった。
窒素雰囲気下、2000ml反応フラスコに、光学活性配位子4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン3.30g(7.25mmol)、Cu(OTf)2 1.31g(3.62mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)217ml(0.43mol)、トルエン1420gを入れ攪拌した。−20℃下無水酢酸37.0g(0.36mol)を加えた後、(2E)−シクロペンタデセノン79.8g(0.36mol)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、6時間攪拌を続け、ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物152gを得た。この濃縮液を蒸留(沸点103℃/0.3mmHg)することにより、表題化合物を94.8g(0.34mol)、収率94%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=0.3/99.7であった。
MS m/z: 280(M+3),265(3),238(100),220(30),209(25),195(18),180(10),156(9),142(9),125(48),112(30),97(85),84(72),69(98),55(60),43(82)
IR νmax(cm−1): 2927,2856,1755,1458,1214
[α]D=82.2°(c=1.0(CHCl3中))
実施例2の(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネートを、実施例3で得た(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテートに替えることを除き実施例2と同条件下に加溶媒分解して、(R)−ムスコンを得た。収率は97%であった。また、高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、82%eeであった。
窒素雰囲気下、30ml反応フラスコに、光学活性配位子4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン55mg(0.121mmol)、Cu(OTf)2 14.5mg(0.04mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(1.88mol/l)2.55ml(4.8mmol)、トルエン5mlを入れ、−20℃に冷却した。その後、無水酢酸410mg(4mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン 889mg(4mmol)及びトルエン5mlの混合液を5分間で滴下し、さらに4時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテートの粗生成物1.2gを得た。
得られた混合物をナトリウムメトキシド−メタノール28%溶液で加溶媒分解することにより、0.88g(3.7mmol)、収率92%で(R)−ムスコンを得た。
実施例5での無水酢酸を使用せずに、他は同様の条件で反応させることにより、直接(R)−ムスコンを合成した。収率は53%であった。
100ml反応フラスコに、光学活性配位子4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン45.8mg(0.10mmol)、Cu(OTf)2 16.4mg(0.045mmmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)8.0ml(16mmol)、キシレン36gを入れ攪拌した。−20℃下無水n−ブタン酸1.7g(11mmol)を加え、(2E)−シクロペンタデセノン2.2g(10mmol)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続けた。ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物3.0gを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル ブチレートを2.8g(9.1mmol)、収率91%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=3.8/96.2であった。
MS m/z: 307(M+5),265(3),238(95),220(27),209(23),195(10),180(8),156(5),142(5),125(45),117(30),97(53),84(50),71(100),55(45),43(96)
IR νmax(cm−1): 2928,2857,1240,1153,1103
実施例6の無水n−ブタン酸を無水イソブタン酸に替え、キシレンを14gにして同条件下合成した粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離精製し、表題化合物2.5g(8.14mmol)、収率81%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.4/98.6であった。
MS m/z: 307(M+5),265(5),238(35),220(22),209(12),195(12),180(3),156(5),142(5),125(15),117(8),97(20),84(20),71(95),55(23),43(100)
IR νmax(cm−1): 2927,2857,1236,1181,1139,1058
実施例7の無水イソブタン酸をジメチルジカーボネートに替えて同条件下合成した粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離し、表題化合物2.36g(0.80mmol)、収率80%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.2/98.8であった。
MS m/z: 296(M+3),281(3),264(2),237(5),220(70),205(8),191(8),178(10),163(7),149(20),135(25),121(32),111(73),94(100),80(82),69(90),55(90),41(78),
IR νmax(cm−1): 2928,2857,1760,1457,1440,1241
窒素雰囲気下、100ml反応フラスコに、トリフェニルホスファイト47.8mg(0.154mmol)、Cu(OTf)2 25.3mg(0.07mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)9.5ml(19mmol)、キシレン20gを入れ攪拌した。−20℃下塩化トリメチルシラン0.84g(7.7mmol)を加え、トリエチルアミン0.78g(7.7mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン1.56g(7.0mmol)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続けた。ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物2.5gを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物を1.74g(5.59mmol)、収率80%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=25/75であった。
MS m/z: 310(M+28),295(40),281(5),267(13),253(5),239(3),225(5),221(10),197(20),183(5),169(68),157(38),143(25),130(57),109(2),95(5),73(100),69(10),55(13),41(12),
IR νmax(cm−1): 2926,2857,1670,1457,1251,843
窒素雰囲気下、100ml反応フラスコに、トリフェニルホスファイト41.0mg(0.13mmol)、Cu(OTf)2 21.7mg(0.06mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)4.84ml(9.6mmol)、キシレン9gを入れ攪拌した。−20℃下無水プロピオン酸0.86g(6.6mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン1.33g(6.0mmol)を3時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続け、ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物63gを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物を1.59g(5.4mmol)、収率90%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.0/99.0であった。
窒素雰囲気下、100ml反応フラスコに、光学活性配位子4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン(非特許文献10参照)0.14g(0.25mmol)、(CuOTf)2・トルエン43.2mg(0.12mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)4.84ml(9.6mmol)、トルエン15gを入れ攪拌した。−40℃下無水プロピオン酸0.86g(6.6mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン1.33g(6.0mmol)を3時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物63gを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネートを1.63g(5.5mmol)、収率92%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.0/99.0であった。
これを加溶媒分解し(R)−ムスコンに変換した後光学純度を測定したところ、95.0%eeであった。
実施例11の光学活性配位子を当モルの4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン(特許文献1参照)に替え、無水プロピオン酸を当モルの無水酢酸に替えて−30℃下合成した粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離し、(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテートを収率91%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=0.3/99.7であった。
これを加溶媒分解し(R)−ムスコンに変換した後高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定したところ、89.0%eeであった。
Claims (13)
- 一般式(III):
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により1,4−共役付加反応を行い、一般式(II):
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I):
- 一般式(III):
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行い、一般式(II−a):
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I−a):
- 一般式(III):
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式(II):
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。 - 一般式(III):
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式(II−a):
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。 - 一般式(II−a):
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I−a):
- 光学活性配位子が4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン、4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン、4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン、4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピンであることを特徴とする請求項2又は4記載の製造方法。
- エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式(VI):
R4−X (VI)
(式中、R4は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする請求項1、2、3、4、7又は8記載の製造方法。 - エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式(VII):
R5−X (VII)
(式中、R5は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示し、;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする請求項1、2、3、4、7又は8記載の製造方法。 - 一般式(II):
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体。 - 一般式(II−a):
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体。
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