JP4860481B2 - 大環状ケトン類の製造方法およびその中間体 - Google Patents

大環状ケトン類の製造方法およびその中間体 Download PDF

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Description

本発明は、大環状ケトン類であるムスコンの製造方法、特に2−シクロペンタデセノンの1,4−共役メチル付加反応によるムスコンの製造方法、及びこの製造に用いられる新規中間体化合物に関する。
近年人々の自然志向が高まり、香料に関しても、自然環境を特徴的にイメージするような、嗜好性のより高いムスク様香料に関心が集まっている。また、安全性の面からも、天然化合物由来、若しくは天然化合物と同一若しくは類似した新しい香料材料の開発が強く望まれている。
ムスコンは、天然じゃ香の主香成分で、天然じゃ香には0.5〜2.0%含有されている。ムスコンは、1906年にWalbaumによって発見され、1926年にRuzickaによって化学構造が決定された。天然ムスコンは(−)−(R)−3−メチルシクロペンタデカノンであるが、市販品は合成品で、dl−体である。(−)−(R)−体と(+)−(S)−体の香気を比較すると、(R)−体は拡散性のある強いムスク香(閾値:3ppm)であるのに対して、(S)−体はケミカルで広がりのない貧弱な弱いムスク香(閾値:10ppm)であり、この結果、匂いの強度についても(R)−体のほうが(S)−体より3倍強いことが知られている(例えば、下記非特許文献1及び非特許文献2参照)。
印藤元一著、合成香料 化学と商品知識、化学工業日報社、1996年3月6日発行、492〜497頁 「合成香料の最新技術」、株式会社シーエムシー、昭和57年発行、第72〜第90頁
このようなことから、これまでにムスコン、特に(−)−(R)−ムスコンの製造方法の検討が数多く報告されてきた。その中でも2−シクロペンタデセノンの1,4−共役メチル付加反応による光学活性ムスコンの製造方法は有望なルートとされ、特に近年、光学活性配位子を用いた不斉メチル化反応による(−)−(R)−ムスコンの製造方法が幾つか報告されている。例えばその例を挙げると、ボルナン骨格を有するアミノアルコールキラル補助基を有する化合物を合成時に使用することにより、良好な結果が得られることが報告されている(下記非特許文献3参照)。しかし、報告されたこのキラル補助基による(−)−(R)−ムスコンの合成は、反応温度が−78℃と極めて低く、反応時間が長くかかり、キラル補助基を1当量以上の過量で使用しなければならないという短所を持ち、商用化し難いものである。また、他の例としては、種々のキラルホスファイト配位子を触媒量で用いて実験を行ったところ、特定の化合物が中でも良かったことが報告されている(下記非特許文献4参照)。しかし、この報告では、溶媒/基質比が約50倍の非効率な低濃度下でさえ、収率は53%に留まるもので、満足できるものとはいえない。更に、他の例としては、4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピンあるいは4−(R,R−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピンの銅複合体をキラル配位子として用いることにより、高収率でムスコンを製造できることが記載されている(下記特許文献1参照)が、この文献では高濃度で反応を行うことについての開示がない。従来の方法においては、高濃度で反応を行うと、高分子量の副生成物が生成し満足できる収率が得られないという問題がある。極低温や低濃度、あるいは長時間反応などの反応条件によっては、ムスコンの製造コストは高くなる。また、反応収率が低い場合にも製造コストは高くなる。したがって、極低温や低濃度、あるいは長時間反応などの反応条件を必要としないで、高収率でムスコンを製造するムスコンの経済的製造方法が強く求められている。
J.Chem.Soc.Perkin Trans. I,1193(1992) Synlett 1999,No.11,pp.1181−1183 韓国公開特許2001−49811号公報
本発明は、上記状況に鑑みなされたもので、2−シクロペンタデセノンの1,4−共役メチル付加反応によるムスコンの製造方法において、極低温や低濃度の反応条件によることなく、実用的な条件下において高収率でムスコンを製造する方法を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、2−シクロペンタデセノンの1,4−共役メチル付加反応により生成するエノールアニオンを、適当な捕捉剤によりトラップすることで新規なエノール誘導体が形成され、これにより副生成物の生成を抑制でき、その後定法によりそのエノール誘導体を分解することで、高濃度下、高収率で目的のムスコンが製造できることを見出し、更に研究を重ねて本発明を完成した。
すなわち、本発明は下記1〜13に記載のとおりのものである。
1. 一般式(III):
Figure 0004860481
(式中、波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行い、一般式(II):
Figure 0004860481
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;波線は前記と同義である。)
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I):
Figure 0004860481
で表わされるムスコンの製造方法。
2. 一般式(III):
Figure 0004860481
(式中、波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行い、一般式(II−a):
Figure 0004860481
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;*は、不斉炭素原子を示し;波線は前記と同義である。)
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I−a):
Figure 0004860481
で表わされる光学活性ムスコンの製造方法。
3. 一般式(III):
Figure 0004860481
(式中、波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式(II):
Figure 0004860481
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;波線は前記と同義である。)
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。
4. 一般式(III):
Figure 0004860481
(式中、波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式(II−a):
Figure 0004860481
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;*は、不斉炭素原子を示し;波線は前記と同義である。)
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。
5. 一般式(II):
Figure 0004860481
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I):
Figure 0004860481
で表わされるムスコンの製造方法。
6. 一般式(II−a):
Figure 0004860481
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;*は、不斉炭素原子を示し;波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I−a):
Figure 0004860481
で表わされる光学活性ムスコンの製造方法。
7. 光学活性配位子が一般式(IV):
Figure 0004860481
(式中、Cは2個の酸素原子及び燐原子と一緒になって2〜4個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を示し、R及びRは夫々独立して、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示すか、又はそれらが結合される窒素原子と一緒になって複素環を形成することができる基を示す。)
で表わされる光学活性配位子であることを特徴とする上記2又は4記載の製造方法。
8. 光学活性配位子が一般式(V):
Figure 0004860481
(式中、Cは、2個の酸素原子及び燐原子と一緒になって2〜4個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を表し、Rは、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示す。)
を表わされる光学活性配位子であることを特徴とする上記2又は4記載の製造方法。
9. 光学活性配位子が4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン、4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン、4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン、4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピンであることを特徴とする上記2又は4記載の製造方法。
エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式(VI):
−X (VI)
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする上記1、2、3、4、7又は8記載の製造方法。
11. エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式(VII):

−X (VII)

(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示し、;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする上記1、2、3、4、7又は8記載の製造方法。
12. 一般式(II):
Figure 0004860481
(式中、Rは、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基及びフェニル基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体。
13. 一般式(II−a):
Figure 0004860481
(式中、Rは、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基及びフェニル基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;*は、不斉炭素原子を示し;波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体。
本発明は、2−シクロペンタデセノンの1,4−共役メチル付加反応により生成するエノールアニオンを捕捉することで新規なエノール誘導体を得ると共に、その後エノール部を加溶媒分解することで、高濃度下、高収率で目的とするムスコンを製造することができる。
発明の実施するための最良の形態
以下に本発明について詳細に説明する。
本発明では、上記の通り、まず一般式(III):
Figure 0004860481
(式中、波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行い、一般式(II):
Figure 0004860481
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;波線は前記と同義である。)
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得るものである。
本反応において用いられる上記一般式(III)の2−シクロペンタデセノン類としては、(E)−2−シクロペンタデセノンを挙げることができるが、本反応で用いられる2−シクロペンタデセノン類はこれに限定されるものではなく、(Z)−2−シクロペンタデセノンでも、幾何異性体の混合物でもよい。(E)−2−シクロペンタデセノンは、公知の方法(例えば、下記特許文献2、特許文献3、非特許文献5参照)及びこれに準ずる方法により製造することができる。本発明においては、2−シクロペンタデセノン類としては、これら公知方法あるいはこれに準ずる方法によって製造したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
特開平1−321556号公報 特開2001−369422号公報 J.Korean Chem.Soc.,40,243(1996)
また、本反応において用いられる銅触媒としては、従来1,4−共役メチル付加反応において用いられている銅触媒の何れをも用いることができる。これら銅触媒を例示すると、例えば、銅(II)トリフレート(Cu(OTf))、銅(I)トリフレート(CuOTf)、銅(II)アセチルアセトナート(Cu(acac))、銅(II)トリフルオロ酢酸(Cu(OCOCF)、酢酸銅(II)(Cu(OAc))、硫酸銅(II)(CuSO)、塩化銅(CuCl)、塩化第二銅(CuCl)、臭化銅(CuBr)、臭化第二銅(CuBr)、ヨウ化銅(CuI)、ヨウ化第二銅(CuI)、シアン化銅(CuCN)、過塩素酸銅(CuClO)、ナフテン酸銅(Cu(OCOC10)、テトラフルオロホウ酸銅(II)(Cu(BF)、テトラクロロ銅(II)ジリチウム(LiCuCl)などが挙げられ、好ましくは、銅(II)トリフレート(Cu(OTf))、銅(I)トリフレート(CuOTf)などである。
また、本反応において用いられるニッケル触媒としては、同じく従来1,4−共役メチル付加反応において用いられているニッケル触媒の何れをも用いることができる。これらニッケル触媒を例示すると、例えば、ニッケルアセチルアセトナート(Ni(acac))、塩化ニッケル(NiCl)、臭化ニッケル(NiBr)、ヨウ化ニッケル(NiI)、酢酸ニッケルNi(OCOCHなどが挙げられ、好ましくはニッケルアセチルアセトナート(Ni(acac))、塩化ニッケル(NiCl2)などである。
また、本反応において用いられるエノールアニオン捕捉剤としては、次の一般式(VI):

−X (VI)

(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
で表されるエノールアニオン捕捉剤を挙げることができる。
上記一般式(VI)において、Rのヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、クロロアセチル基、ジクロロアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、バレリル基、イソバレリル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、ベンゾイル基、4−トリオイル基、4−tert−ブチルベンゾイル基、4−アニソイル基、4−クロロベンゾイル基、4−ニトロベンゾイル基等の炭素数1乃至4の低級アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)及びニトロ基等でその水素原子の1乃至3個が置換されていてもよいアシル基などが挙げられる。
また、Rのヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、p−クロロベンジルオキシカルボニル基、p−ブロモベンジルオキシカルボニル基、p−メトキシベンジルオキシカルボニル基、p−ニトロベンジルオキシカルボニル基等の炭素数1乃至の低級アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)及びニトロ基等でその水素原子の1乃至3個が置換されていてもよいアルキルオキシカルボニル基などが挙げられる。
また、Rのヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などの炭素数1乃至8のアルキル基等が挙げられる。
上記アルキル基は、反応に関与しない置換基を有していてよく、ここで置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等の炭素1乃至4の低級アルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等の炭素数1乃至4の低級アルコキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子及びニトロ基等が挙げられる。
また、Rのヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル(2,3−ジメチル−2−ブチル)シリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、ジメチルヘキシルシリル基などのトリ−炭素数1乃至6アルキルシリル基;例えば、ジメチルクミルシリル基などのジ−炭素数1乃至5アルキル−炭素数6乃至18アリールシリル基;例えば、tert−ブチルジフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基などのジ−炭素数6乃至18アリール−炭素数1〜6アルキルシリル基;例えば、トリフェニルシリル基などのトリ−炭素数6乃至18アリールシリル基;例えば、トリベンジルシリル基、トリ−p−キシリルシリル基などのトリ−炭素数7乃至19アラルキルシリル基等のトリ置換シリル基等のシリル基などが挙げられる。
本発明においては、上記Rのヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基の中では、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、及び、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基が好ましい。
本発明において用いられるエノールアニオン捕捉剤として好ましい化合物を例示すると、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水ブタン酸、無水ペンタン酸、無水安息香酸などの酸無水物、塩化アセチル、臭化アセチル、塩化プロピオニル、臭化プロピオニル、塩化ブチリル、臭化ブチリル、塩化ペンタノイル、臭化ペンタノイル、塩化ベンゾイル等の酸ハロゲン化物、ジメチルジカーボネート、ジエチルジカーボネート、ジプロピルジカーボネート、ジベンジルジカーボネート等のジカーボネート類、トリメチルシリルクロリド、トリメチルシリルトリフラートなどを挙げることができ、特に好ましくは、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水ブタン酸、無水ペンタン酸、無水安息香酸などの酸無水物、ジメチルジカーボネート、ジエチルジカーボネート、ジプロピルジカーボネート、ジベンジルジカーボネート等のジカーボネート類などを挙げることができる。
本反応において用いられるメチル化有機金属試薬の例としては、例えばジメチル亜鉛(ZnMe)、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムヨージド、メチルリチウム、トリメチルアルミニウムなどが挙げられ、好ましくは、ジメチル亜鉛(ZnMe)などを挙げることができる。
また、本反応において用いられる溶媒は、反応に関与しない不活性な溶媒であればいずれのものでもよく、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルtertブチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキソラン等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、塩化メチレン、ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系溶媒などの有機溶媒或いはそれら溶媒の2種以上の混合溶媒が好適なものとして挙げられる。これらの中でも、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルtertブチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキソラン等のエーテル系溶媒が好ましい。溶媒の使用量は、一般式(III)で示される2−シクロペンタデセノン類1重量部に対し、通常1〜200倍容量、好ましくは5〜100倍容量、特に好ましくは、10〜50倍容量である。
本反応においては、銅触媒及びニッケル触媒は、2−シクロペンタデセノン類(III)1モルに対し、通常0.1〜20モル%程度、好ましくは1.0〜10モル%程度の量で用いられる。また、エノールアニオン捕捉剤は、2−シクロペンタデセノン類(III)1モルに対し、通常1.0〜5.0モル程度、好ましくは1.2〜3.0モル程度の量で用いられる。更に、メチル化有機金属試薬は、2−シクロペンタデセノン類(III)1モルに対し、通常1.0〜5.0モル、好ましくは1.2〜3.0モルの量で用いられる。
更に、本反応は、通常窒素ガスあるいはアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で行われる。また、本反応は、通常−80〜50℃程度の温度、好ましくは、−30〜30℃程度の温度で、通常10分から20時間程度、好ましくは、30分から10時間程度の時間行われ、反応を終了するが、これらの条件は使用される反応物質や銅化合物などの量により適宜変更され得る。
また、本反応においてラセミ体の3−メチル−シクロペンタデセン誘導体を得る場合には、反応をより円滑に進行させるために、必要に応じてトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−tertブチルホスフィン、トリフェニルホスファイト、トリエチルホスファイト等のリン系配位子を添加することができる。これらは銅触媒及びニッケル触媒1モルに対し、通常1〜10モル当量程度、好ましくは1.5〜5モル当量程度の量で用いられる。
反応終了後は通常の後処理を行なうことにより、また必要に応じ蒸留、再結晶あるいはカラムクロマトグラフィー等の方法を用いて、目的物を単離することができる。
本発明では、前記一般式(III)で表される2−シクロペンタデセノン類から一般式(II)で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を製造する方法において、光学活性配位子の存在下で反応を行うことにより、一般式(II−a):
Figure 0004860481
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;*は、不斉炭素原子を示し;波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得ることができる。
ここで、光学活性配位子としては、目的とする光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン(II)を得られるものであれば特に制限されるものではない。本発明において用いられる光学活性配位子としては、例えば、一般式(IV):
Figure 0004860481
(式中、Cは2個の酸素原子及び燐原子と一緒になって2〜4個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を示し、R及びRは夫々独立して、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示すか、又はそれらが結合される窒素原子と一緒になって複素環を形成することができる基を示す。)
で表わされる光学活性配位子、あるいは、一般式(V):
Figure 0004860481
(ここで、Cは前記と同義であり、Rは、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示す。)
などで表わされる光学活性配位子を例示することができる。
一般式(IV)及び一般式(V)の光学活性配位子において、C及び/又はR及び/又はR及び/又はRは、光学活性であるか、又は光学活性構成要素の一部である。Cは好ましくは、例えば、95%より大きい、とりわけ99%より大きい、よりとりわけ99.5%より大きい鏡像体過剰率を持つ、支配的に一つの立体配置のキラル置換されたC鎖(4個の任意的に置換されていてもよいC原子を持つ鎖)を示す。好ましくはCは二つのO原子及びP原子と一緒になって4個のC原子を持つ7員環を形成し、かつ該4個のC原子は2個ずつでアリール基又はナフチル基の一部を形成するものである。本発明で好適に用いられる光学活性配位子である上記一般式(IV)で表される光学活性配位子の例としては、例えば次のものが挙げられる。しかし、一般式(IV)で表される光学活性配位子がこれら具体的に例示されたものに限られるものではないことは勿論である。また、それぞれの鏡像体関係の構造も含まれ、目的物の光学活性により適時選択されるものである。
Figure 0004860481
Figure 0004860481
Figure 0004860481
Figure 0004860481
Figure 0004860481
また、本発明で好適に用いられる光学活性配位子である一般式(V)の具体例としては、上記にて一般式(IV)で示される化合物の例として挙げられた配位子化合物中のNR部位を、OR部位に置換した化合物が挙げられる。一般式(V)で示される光学活性配位子を例示すると、例えば下記のものが挙げられる。しかし、一般式(V)で示される光学活性配位子がこれら具体的に例示されたものに限られるものではないことは勿論である。また、それぞれの鏡像体関係の構造も含まれ、目的物の光学活性により適時選択されるものである。
Figure 0004860481
一般式(IV)及び一般式(V)を有する光学活性配位子は、公知製造法(例えば、下記非特許文献6参照)により簡単に製造することができる。
Houben−Weyl Methoden der Organischen Chemie Band XII/2. Organische phosphorverbindungen. G.Thieme Verlag、Stuttgart、1964年、第2部(第4版)、第99〜105頁
上記非特許文献6に記載された第一の好ましい製造方法は、HO−C−OH化合物を、P(NMe又はP(NEt(Me=メチルであり、Et=エチルである)と反応させ、次いで、好ましくは、80℃より高い沸点を有する溶媒、例えばトルエン中で、RNH又はROHと反応させる方法である。後者の反応のために適切な触媒の例としては、塩化アンモニウム、テトラゾール又はベンゾイミダゾリウムトリフレートが挙げられる。HO−C−OHの例としては、キラルビスナフトール、例えば、(R)−または(S)−1,1’−ビ−(2−ナフトール);キラルビスフェノール、例えば、(R)−または(S)−6,6’−ジメトキシ−2,2’−ビスフェノール;ジオール、例えば、(R,R)−または(S,S)−2,2’−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4,5−ビス−(1,1−ジフェニル)メタノール(TADDOL)または(S,R)−または(R,S)−インダン−1,2−ジオール;糖に基づいた1,2−ジオール及び1,3−ジオール、例えば、下記式
Figure 0004860481
を有するジオールが挙げられる。
NHの例としては、例えば、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロへキシルアミン、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、(R)−又は(S)−1−メチル−ベンジルアミン、ピペリジン、シス−2,6−ジメチルピペリジン、(R,R)−または(S,S)−2,5−ジフェニルピロリジン、(R,R)−または(S,S)−3,4−ジフェニルピロリジン、モルホリン、(R,R)−又は(S,S)−ビス−(1−メチルベンジル)アミン等が挙げられる。
OHの例としては、(1S,2R)−または(1S,2S)−または(1R,2R)−または(1R,2R)−2−フェニルシクロへキサノール、(1S,2R)−または(1S,2S)−または(1R,2R)−または(1R,2R)−2−(1−ナフチル)シクロへキサノール、(1S,2R)−または(1S,2S)−または(1R,2R)−または(1R,2R)−2−(2−ナフチル)シクロへキサノール、l−またはd−メントール、l−またはd−イソプレゴール、(R)−または(S)−1−フェニルエタノール、tert−ブタノール、フェンコール、ボルネオール、(S)または(R)−2−ヒドロキシジメチル−4−tertブチル−1,3−オキサゾリン、(S)または(R)−2−ヒドロキシジメチル−4−イソプロピル−1,3−オキサゾリン等が挙げられる。
また、光学活性配位子は、他の公知製造方法(例えば、下記非特許文献7及び8参照)によっても簡単に製造することができる。この第二の好ましい製造法は、HO−C−OH化合物をPClと塩基、例えば、EtNの存在下に反応させ、続いて、溶媒、例えば、トルエンの存在下にRNLiまたは、塩基、例えば、EtNの存在下にRNHまたはROHと反応させるものである。HO−C−OH、RNHおよびROHの例は、上記第一の好ましい製造法において示されたものと原則同じである。
Tetrahedron,56,2865(2000) Tetrahedron Asymmetry,9,1179(1998)
光学活性配位子は、更に他の公知製造方法(例えば、下記非特許文献9及び10参照)によっても簡単に製造することができる。この第三の好ましい製造法は、RNLi、RNHまたはROHをPClと反応させ、続いて、好ましくは、塩基、例えば、EtNの存在下に、かつ溶媒、例えば、トルエンの存在下にHO−C−OH化合物と反応させるものである。HO−C−OH、RNHおよびROHの例は、上記第一の好ましい製造において示されたものと原則同じである。
J.Org.Chem.,58,7313(1993) Tetrahedron Asymmetry,13,801(2002)
前記反応において、一般式(IV)または一般式(V)で表される光学活性配位子は、2−シクロペンタデセノン類(III)1モルに対し、通常0.1〜20モル%程度、好ましくは1.0〜10モル%程度の量で用いられる。
前記したエノールアニオン捕捉反応で得られる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体(II)は、従来知られていない新規な化合物であり、安定で通常油状または粉末状を呈し、保存可能である。そのため前記エノールアニオン捕捉反応で得られる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体(II)は、例えば、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー処理によって精製するか、または精製処理を行わずに保存しておき、次工程の製造時に保存容器から取り出して用いてもよい。
なお、一般式(II)で表される化合物の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。しかし、これらは単に例示として挙げられているにすぎないもので、上記一般式(II)で表される化合物が下記のものに限られるものではない。
(エノールエステル類)
3−メチル−1−シクロペンタデセニル フォーメート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ブチレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル イソブチレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル sec−ブチレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル tert−ブチレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル バレレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル イソバレレート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ヘキサノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ヘプタノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル オクタノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ノナネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル デカノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ウンデカノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ドデカノエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ベンゾエート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル クロロアセテート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル フェノキシアセテート。
(エノールカーボネート類)
3−メチル−1−シクロペンタデセニル メチルカーボネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル エチルカーボネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル tert−ブチルカーボネート、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ベンジルカーボネート。
(エノールエーテル類)
3−メチル−1−シクロペンタデセニル メチルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル エチルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル イソプロピルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ブチルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル イソブチルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル ベンジルエーテル。
(シリルエノールエーテル類)
3−メチル−1−シクロペンタデセニル トリメチルシリルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル トリエチルシリルエーテル、3−メチル−1−シクロペンタデセニル tert−ブチルジエチルシリルエーテル。
上記化合物の例示においては幾何異性体および光学異性体について示されていないが、(E)−体、(Z)−体および(E)−体と(Z)−体の混合物ならびに(R)−体、(S)−体および(R)−体と(S)−体の混合物についても上記と同様のものが挙げられる。
本反応において、一般式(II)で表される3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体における幾何異性の立体配置は、一般式(III)で表される2−シクロペンタデセン類の幾何異性の立体配置により制御され、例えば、一般式(III)で表される2−シクロペンタデセンとして(E)−体を使用した場合は、一般式(II)で表される3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体としては(Z)−3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体が主生成物として得られる。
本反応において、光学活性配位子の存在下に得られる、一般式(II−a)で表される光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体における3−位の不斉炭素原子上の立体配置は、反応中で使用する光学活性配位子の立体により制御される。
例えば、光学活性配位子として、式:
Figure 0004860481
で表される4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピンが好ましいものとして挙げられるが、これを使用した場合、一般式(II−a)で表される光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体として、(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体が得られる。また、他の好ましい光学活性配位子の例として、4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン、4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン、4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン等も挙げられるが、これらを使用した際にも同様の結果が得られる。
本発明では、次に一般式(II):
Figure 0004860481
(式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;波線は前記と同義である。)
で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解させることにより、式(I):
Figure 0004860481
で表わされるムスコンが得られる。
上記加溶媒分解の方法としては、通常の公知あるいは周知のエノール類の加溶媒分解法を使用することができる。このような方法としては、例えば、エノールエステル類やエノールカーボネート類では、塩基性触媒を用いて溶媒中で反応させる方法が挙げられる。本加溶媒分解において用いられる塩基性触媒としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リチウムアルコキシド(リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムtert−ブトキシド、など)、ナトリウムアルコキシド(ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムtert−ブトキシド、など)、カリウムアルコキシド(カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムtert−ブトキシド、など)などが挙げられる。塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなどが安価でしかも汎用性があり、反応の選択性および収率も高いことから好ましい。これらの塩基性触媒は、1種または2種以上を混合して使用することができるが、1種で使用する方法が好ましい。
また、例えば、エノールエーテル類では、酸性触媒を用いて溶媒中で反応させる方法が挙げられる。本加溶媒分解において用いられる酸性触媒としては、例えば、フッ化水素酸、塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、酢酸、クロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、酸性イオン交換樹脂などが挙げられる。好ましい酸性触媒としては、塩酸、硫酸、p−トルエンスルホン酸などが安価でしかも汎用性があり、反応の選択性および収率も高いことから好ましい。これらの酸性触媒は1種または2種以上を混合して使用することができるが、1種で使用する方法が好ましい。
さらに、例えば、シリルエノールエーテル類では、上記酸性触媒を用いて溶媒中で反応させる方法などが挙げられる他、三フッ化ホウ素、フッ化四級アンモニウム塩などのフッ素系化合物が挙げられる。
また、加溶媒分解の際に使用される溶媒は、加溶媒分解が進行する溶媒であれば何れのものでもよく、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類等およびこれらの混合溶媒が挙げられる。なかでもメタノールおよびエタノールが安価でしかも汎用性があり、反応の選択性および収率も高いことから好ましい。
さらに、必要に応じ助溶媒が使用されてもよい。助溶媒としては、反応に関与しない溶媒であれば何れのものを用いてもよく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等芳香族系溶媒等の有機溶媒が挙げられる。
溶媒の使用量は、3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体(II)1質量部に対し、通常0.5〜100倍容量、好ましくは1〜30倍容量である。また、反応は通常、0〜250℃程度の温度、好ましくは、20〜100℃程度の温度で行われ、通常10分〜20時間程度、好ましくは30分から10時間程度の時間反応させることにより終了するが、これらの条件は使用する溶媒や触媒などの量により適宜変更され得る。
反応終了後は通常の後処理を行うことにより、必要に応じて蒸留やカラムクロマトグラフィー等の方法を用いて、目的物を単離することができる。また、本発明における反応形式は、バッチ式においても連続的においても実施することができる。
これまで、一般式(II)で表される3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部の加溶媒分解について詳しく述べたが、触媒、溶媒、反応の条件などは、一般式(II−a)で表される光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体に関しても同様である。すなわち、上記と同様にして、一般式(II−a)で表される光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を加溶媒分解することにより、式(I−a)で表される光学活性ムスコンを製造することができる。
本反応において、式(I−a)で表される光学活性ムスコンにおける3−位の不斉炭素原子上の立体配置は、一般式(II−a)で表される光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の立体配置が維持され、例えば、一般式(II−a)で表される光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体として(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を使用した場合、式(I−a)で表されるムスコンとしては(R)−ムスコンが、光学純度を保持して得られる。すなわち、光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の立体配置は反応中使用される光学活性配位子の立体により制御されるのである。
以下、本発明を実施例及び比較例を用いて具体的に説明するが、本発明は、これらにより何ら限定されるものではなく、また、本発明の範囲を逸脱しない範囲で変化させてもよい。
なお、下記に記載する処方の単位は特に言及しない限り、%は質量%を意味するものとする。
本実施例および比較例中での分析においては、次の分析機器を用いて分析が行われた。
旋光度
機器:P−1020(日本分光工業株式会社製)
プロトン核磁気共鳴スペクトル( H−NMR)
機器:DRX−500型装置(ブルカー社製)
内部標準物質:テトラメチルシラン
赤外吸収スペクトル(IR)
機器:Nicolet AVATAR 360FT−IR(ニコレジャパン株式会社製)
質量スペクトル(MS)
機器:GCMS−QP2010(株式会社島津製作所製)
ガスクロマトグラフィー
機器:GC−14A(株式会社島津製作所製)
カラム:Rtx−1(0.25mm×60m)(RESTEK社製)
高速液体クロマトグラフィー(HPLC)
機器:Waters2695(日本ウォーターズ株式会社製)
カラム:CHIRALPAKTM AS−H(0.25cmψ×25cm)(ダイセル化学工業株式会社)、
[実施例1](R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネートの合成
窒素雰囲気下、1000ml反応フラスコに、光学活性配位子4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン1.32g(2.9mmol)、Cu(OTf) 0.47g(1.3mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)115ml(230mmol)、キシレン524gを入れ、−20℃に冷却した。その後、無水プロピオン酸20.6g(158mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン32g(144mmol)を3時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗後、溶媒を減圧除去し、粗生成物43.2gを得た。この濃縮液を蒸留(沸点112℃/39.9Pa)することにより、表題化合物を39.4g(134mmol)、収率93%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.0/99.0であった。
H−NMR(500MHz,CDCl,δ): 0.90(3H,d,J=12.5Hz),1.07〜1.15(2H,m),1.20(3H,t,J=7.6Hz),1.26〜1.40(15H,m),2.14〜2.16(1H,m),2.30〜2.39(2H,m),2.40(2H,q,J=7.6Hz),4.77(1H,d,J=9.6Hz)

MS m/z: 293(M5),265(3),238(90),220(30),209(27),195(13),180(11),158(7),142(7),125(38),117(28),97(60),84(55),69(62),57(100),41(37)

IR νmax(cm−1): 2926,2856,1152

[α]=79.2°(c=1.0(CHCl中))
[実施例2](R)−ムスコンの合成
200mlナスフラスコに、実施例1で得た(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネート27.3g(93mmol)、トルエン54.6gを入れ、攪拌した。20℃にてナトリウムメトキシド−メタノール28%溶液17.9g(93mmol)を滴下後、1時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し粗(R)−ムスコン29.4gを得た。この濃縮液を蒸留(沸点110℃/50.5Pa)し、表題化合物を21.4g(90mmol)、収率97%で得た。高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、83%eeであった。
[実施例3](R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテートの合成
窒素雰囲気下、2000ml反応フラスコに、光学活性配位子4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン3.30g(7.25mmol)、Cu(OTf) 1.31g(3.62mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)217ml(0.43mol)、トルエン1420gを入れ攪拌した。−20℃下無水酢酸37.0g(0.36mol)を加えた後、(2E)−シクロペンタデセノン79.8g(0.36mol)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、6時間攪拌を続け、ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物152gを得た。この濃縮液を蒸留(沸点103℃/0.3mmHg)することにより、表題化合物を94.8g(0.34mol)、収率94%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=0.3/99.7であった。
H−NMR(500MHz,CDCl,δ): 0.93(3H,d,J=6.8Hz),1.07〜1.15(2H,m),1.20〜1.60(20H,m),2.15〜2.18(1H,m),2.16(3H,s),2.28〜2.40(2H,m),4.79(1H,d,J=9.6Hz)

MS m/z: 280(M3),265(3),238(100),220(30),209(25),195(18),180(10),156(9),142(9),125(48),112(30),97(85),84(72),69(98),55(60),43(82)

IR νmax(cm−1): 2927,2856,1755,1458,1214

[α]=82.2°(c=1.0(CHCl中))
[実施例4](R)−ムスコンの合成
実施例2の(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネートを、実施例3で得た(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテートに替えることを除き実施例2と同条件下に加溶媒分解して、(R)−ムスコンを得た。収率は97%であった。また、高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、82%eeであった。
[実施例5](R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテートおよび(R)−ムスコンの合成
窒素雰囲気下、30ml反応フラスコに、光学活性配位子4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン55mg(0.121mmol)、Cu(OTf) 14.5mg(0.04mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(1.88mol/l)2.55ml(4.8mmol)、トルエン5mlを入れ、−20℃に冷却した。その後、無水酢酸410mg(4mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン 889mg(4mmol)及びトルエン5mlの混合液を5分間で滴下し、さらに4時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテートの粗生成物1.2gを得た。
得られた混合物をナトリウムメトキシド−メタノール28%溶液で加溶媒分解することにより、0.88g(3.7mmol)、収率92%で(R)−ムスコンを得た。
[比較例1](R)−ムスコンの合成
実施例5での無水酢酸を使用せずに、他は同様の条件で反応させることにより、直接(R)−ムスコンを合成した。収率は53%であった。
実施例5及び比較例1より、エノールアニオン捕捉剤である無水酢酸を添加物として加えて反応させ、エノール体である3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体(II)を経由してムスコンを合成することにより、収率が明らかに向上した。
[実施例6](R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル ブチレートおよび(R)−ムスコンの合成
100ml反応フラスコに、光学活性配位子4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン45.8mg(0.10mmol)、Cu(OTf) 16.4mg(0.045mmmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)8.0ml(16mmol)、キシレン36gを入れ攪拌した。−20℃下無水n−ブタン酸1.7g(11mmol)を加え、(2E)−シクロペンタデセノン2.2g(10mmol)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続けた。ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物3.0gを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル ブチレートを2.8g(9.1mmol)、収率91%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=3.8/96.2であった。
H−NMR(500MHz,CDCl,δ): 0.92(3H,d,J=6.8Hz),1.00(3H,t,J=7.4Hz),1.09〜1.43(23H,m),1.71(2H,q,J=7.4Hz),2.13〜2.17(1H,m),2.29〜2.38(2H,m),2.40(2H,t,J=7.4Hz),4.77(1H,d,J=9.6Hz)

MS m/z: 307(M5),265(3),238(95),220(27),209(23),195(10),180(8),156(5),142(5),125(45),117(30),97(53),84(50),71(100),55(45),43(96)

IR νmax(cm−1): 2928,2857,1240,1153,1103
得られた(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル ブチレートを加溶媒分解し、(R)−ムスコンに変換した後、高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定したところ、85.5%eeであった。
[実施例7](R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル イソブチレートおよび(R)−ムスコンの合成
実施例6の無水n−ブタン酸を無水イソブタン酸に替え、キシレンを14gにして同条件下合成した粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離精製し、表題化合物2.5g(8.14mmol)、収率81%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.4/98.6であった。
NMR(500MHz,CDCl,δ): 0.91(3H,d,J=6.8Hz),1.06〜1.40(30H,m),2.13〜2.16(1H,m),2.30〜2.40(2H,m),2.63〜2.69(2H,m),4.77(1H,d,J=9.6Hz)

MS m/z: 307(M5),265(5),238(35),220(22),209(12),195(12),180(3),156(5),142(5),125(15),117(8),97(20),84(20),71(95),55(23),43(100)

IR νmax(cm−1): 2927,2857,1236,1181,1139,1058
その後同様に加溶媒分解し、(R)−ムスコンに変換した後、高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、85.7%eeであった。
[実施例8](R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル メチルカーボネートおよび(R)−ムスコンの合成
実施例7の無水イソブタン酸をジメチルジカーボネートに替えて同条件下合成した粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離し、表題化合物2.36g(0.80mmol)、収率80%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.2/98.8であった。
H−NMR(500MHz,CDCl,δ): 0.94(3H,d,J=6.8Hz),1.05〜1.53(22H,m),2.12〜2.19(1H,m),2.38〜2.39(2H,m),3.82(3H,s),4.78(1H,d,J=9.7Hz)

MS m/z: 296(M3),281(3),264(2),237(5),220(70),205(8),191(8),178(10),163(7),149(20),135(25),121(32),111(73),94(100),80(82),69(90),55(90),41(78),

IR νmax(cm−1): 2928,2857,1760,1457,1440,1241
その後同様に加溶媒分解し、(R)−ムスコンに変換した後、高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、85.5%eeであった。
[実施例9]3−メチル−1−シクロペンタデセニル トリメチルシリルエーテルの合成
窒素雰囲気下、100ml反応フラスコに、トリフェニルホスファイト47.8mg(0.154mmol)、Cu(OTf) 25.3mg(0.07mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)9.5ml(19mmol)、キシレン20gを入れ攪拌した。−20℃下塩化トリメチルシラン0.84g(7.7mmol)を加え、トリエチルアミン0.78g(7.7mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン1.56g(7.0mmol)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続けた。ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物2.5gを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物を1.74g(5.59mmol)、収率80%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=25/75であった。
H−NMR(500MHz,CDCl,δ): 0.18(9H,s),0.91(3H,d,J=6.8Hz),1.03〜1.09(2H,m),1.13〜1.68(20H,m),1.98〜2.06(2H,m),2.43〜2.46(1H,m),4.20(1H,d,J=9.3Hz)

MS m/z: 310(M28),295(40),281(5),267(13),253(5),239(3),225(5),221(10),197(20),183(5),169(68),157(38),143(25),130(57),109(2),95(5),73(100),69(10),55(13),41(12),

IR νmax(cm−1): 2926,2857,1670,1457,1251,843
[実施例10]3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネートの合成
窒素雰囲気下、100ml反応フラスコに、トリフェニルホスファイト41.0mg(0.13mmol)、Cu(OTf) 21.7mg(0.06mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)4.84ml(9.6mmol)、キシレン9gを入れ攪拌した。−20℃下無水プロピオン酸0.86g(6.6mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン1.33g(6.0mmol)を3時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続け、ガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物63gを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物を1.59g(5.4mmol)、収率90%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.0/99.0であった。
[実施例11](R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネート及び(R)−ムスコンの合成
窒素雰囲気下、100ml反応フラスコに、光学活性配位子4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン(非特許文献10参照)0.14g(0.25mmol)、(CuOTf)・トルエン43.2mg(0.12mmol)、ジメチル亜鉛トルエン溶液(2.0mol/l)4.84ml(9.6mmol)、トルエン15gを入れ攪拌した。−40℃下無水プロピオン酸0.86g(6.6mmol)と(2E)−シクロペンタデセノン1.33g(6.0mmol)を3時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間攪拌を続けガスクロマトグラフィーにて反応の終了を確認した。反応終了後5%硫酸水溶液で反応を停止し、分液後反応溶液を水洗した後、溶媒を減圧除去し、粗生成物63gを得た。この濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル プロピオネートを1.63g(5.5mmol)、収率92%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=1.0/99.0であった。
これを加溶媒分解し(R)−ムスコンに変換した後光学純度を測定したところ、95.0%eeであった。
[実施例12]3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテート及び(R)−ムスコンの合成
実施例11の光学活性配位子を当モルの4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン(特許文献1参照)に替え、無水プロピオン酸を当モルの無水酢酸に替えて−30℃下合成した粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離し、(R)−3−メチル−1−シクロペンタデセニル アセテートを収率91%で得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、E/Z=0.3/99.7であった。
これを加溶媒分解し(R)−ムスコンに変換した後高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定したところ、89.0%eeであった。
産業上の利用分野
本発明の製造法で得られるムスコンは、香料、医薬材料などとして有用な化合物である。

Claims (13)

  1. 一般式(III):
    Figure 0004860481
    (式中、波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
    で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により1,4−共役付加反応を行い、一般式(II):
    Figure 0004860481
    (式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;波線は前記と同義である。)
    で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I):
    Figure 0004860481
    で表わされるムスコンの製造方法。
  2. 一般式(III):
    Figure 0004860481
    (式中、波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
    で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行い、一般式(II−a):
    Figure 0004860481
    (式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;*は、不斉炭素原子を示し;波線は前記と同義である。)
    で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体を得、次いで、この光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I−a):
    Figure 0004860481
    で表わされる光学活性ムスコンの製造方法。
  3. 一般式(III):
    Figure 0004860481
    (式中、波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
    で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒及びエノールアニオン捕捉剤の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式(II):
    Figure 0004860481
    (式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;波線は前記と同義である。)
    で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。
  4. 一般式(III):
    Figure 0004860481
    (式中、波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
    で表わされる2−シクロペンタデセノン類に、銅触媒又はニッケル触媒、エノールアニオン捕捉剤及び光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属試薬により、1,4−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式(II−a):
    Figure 0004860481
    (式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;*は、不斉炭素原子を示し;波線は前記と同義である。)
    で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。
  5. 一般式(II):
    Figure 0004860481
    (式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
    で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I):
    Figure 0004860481
    で表わされるムスコンの製造方法。
  6. 一般式(II−a):
    Figure 0004860481
    (式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のシリル基を示し;*は、不斉炭素原子を示し;波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
    で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体のエノール部を加溶媒分解することを特徴とする式(I−a):
    Figure 0004860481
    で表わされる光学活性ムスコンの製造方法。
  7. 光学活性配位子が一般式(IV):
    Figure 0004860481
    (式中、Cは2個の酸素原子及び燐原子と一緒になって2〜4個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を示し、R及びRは夫々独立して、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示すか、又はそれらが結合される窒素原子と一緒になって複素環を形成することができる基を示す。)
    で表わされる光学活性配位子であることを特徴とする請求項2又は4記載の製造方法。
  8. 光学活性配位子が一般式(V):
    Figure 0004860481
    (式中、Cは2個の酸素原子及び燐原子と一緒になって2〜4個の炭素原子を持つ置換された又は置換されていない環を形成する基を表し、Rは、水素原子、置換されていてもよい鎖状または環状のアルキル、アリール、アルカノイル又はアラルキル基を示す。)
    を表わされる光学活性配位子であることを特徴とする請求項2又は4記載の製造方法。
  9. 光学活性配位子が4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピン、4−(シス−2,6−ジメチルピペリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン、4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジナフトジオキサホスフェピン、4−((R,R)−2,5−ジフェニルピロリジン)−(R)−ジテトラヒドロナフトジオキサホスフェピンであることを特徴とする請求項2又は4記載の製造方法。
  10. エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式(VI):
    −X (VI)
    (式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
    で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする請求項1、2、3、4、7又は8記載の製造方法。
  11. エノールアニオン捕捉剤が、次の一般式(VII):
    −X (VII)
    (式中、Rは、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示し、;Xは、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、OR’(R’は、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、ヘテロ原子あるいは芳香環を含む置換基を有してもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基を示す。)を示す。)
    で表わされるエノールアニオン捕捉剤であることを特徴とする請求項1、2、3、4、7又は8記載の製造方法。
  12. 一般式(II):
    Figure 0004860481
    (式中、Rは、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基及びフェニル基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
    で表わされる3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体。
  13. 一般式(II−a):
    Figure 0004860481
    (式中、Rは、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアシル基、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基及びフェニル基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキルオキシカルボニル基、炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子及びニトロ基から選択される基で置換されてもよい直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基を示し;*は、不斉炭素原子を示し;波線は二重結合のシス体及び/又はトランス体であることを示す。)
    で表わされる光学活性3−メチル−1−シクロペンタデセン誘導体。
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