JP4855189B2 - InAsホール素子 - Google Patents
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Vhv=μ・B・V・W/L (1)
である。定電圧感度Vhvのばらつきが小さいということは、移動度μのばらつきが小さいということである。また、数式(2)で表される素子抵抗Rinのばらつきが大きいということは、シート抵抗Rsのばらつきが大きいことを意味する。
Rin=Rs・L/W (2)
定電流感度Vhiは、
Vhi=(I・B)/(e・Ns) (3)
と表すことができる。シートキャリア濃度Nsが数式(4)の関係を満たすことに注意すると、移動度μのばらつきが小さくシート抵抗Rsのばらつきが大きいということはシートキャリア濃度Nsがばらついていることを意味するため、定電流感度Vhiのばらつきが大きいことが分かる。
Ns=1/(μ・e・Rs) (4)
したがって、特許文献1記載のホール素子により、定電圧感度の面で素子の電気的特性の改善がなされているが、定電流感度という点ではさらなる改善がなされなければならない。
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記InAs層にN型ドーパントがドープされ、室温での電子濃度が5×10 16 〜5×10 17 /cm 3 の範囲であることを特徴とする。
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載のInAsホール素子を備えた回転角センサである。
図1は、本発明に係るInAsホール素子の構造を示している。GaAs基板101と、GaAs基板101の上に形成されたInAs層102と、InAs層102の上に形成された表面層103と、表面層103の上に形成されたパッシべーション層104と、InAs層102とオーミック接触する電極105とを備える。
直径4インチのGaAs基板上に分子線エピタキシー(MBE)法により、520nmのInAs層、続いてその上に、20nmのGaAs層を順次形成した。InAs層にはSiを9.5×1016/cm3ドープし、GaAs層には何もドープしていない。
直径4インチのGaAs基板上に分子線エピタキシー(MBE)法により、520nmのInAs層、続いてその上に、50nmのGaAs膜を順次形成した。InAs層にはSiを9.6×1016/cm3ドープし、GaAs層には何もドープしていない。
102 InAs層
103 表面層
104 パッシべーション層
105 電極
Claims (3)
- GaAs基板と、
前記GaAs基板の上に形成され、膜厚が0.45μm以上0.6μm以下の範囲に限定されたInAs層と、
前記InAs層の上に形成され、膜厚が4nm以上50nm未満の範囲に限定された電気的に不活性なGaAsからなる表面層と、
前記表面層の上に形成されたパッシベーション層と、
前記InAs層とオーミック接触する電極とを備え、
前記InAs層に対する前記表面層の膜厚比は、0.005以上0.2未満の範囲に限定されていることを特徴とするInAsホール素子。 - 前記InAs層にN型ドーパントがドープされ、室温での電子濃度が5×1016〜5×1017/cm3の範囲であることを特徴とする請求項1に記載のInAsホール素子。
- 請求項1又は2に記載のInAsホール素子を備えた回転角センサ。
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