JP4848137B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
2 素子分離溝
3 酸化シリコン膜
4 p型ウエル
5 n型ウエル
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 サイドウォールスペーサ
9 Coシリサイド膜
11 n型半導体領域(ソース、ドレイン)
12 p型半導体領域(ソース、ドレイン)
13 窒化シリコン膜
14 酸化シリコン膜
15 コンタクトホール
16 プラグ
17 SiOC膜
18 キャップ絶縁膜
19 第1層配線
20 配線溝
21 バリア絶縁膜
22 層間絶縁膜
23 キャップ絶縁膜
24 ビアホール
25 配線溝
26 第2層配線
27 バリア絶縁膜
28 層間絶縁膜
29 電極溝
30、31 ビアホール
33 下部電極
34 プラグ
35 誘電膜
36 上部電極
37 第3層配線
38 絶縁膜
39 層間絶縁膜
40 配線溝
41 第3層配線
50 下部電極
51 誘電膜
52 上部電極
53 プラグ
C キャパシタ
Qn:nチャネル型MISFET
Qp:pチャネル型MISFET
Claims (38)
- 半導体基板の主面上に第1絶縁膜が形成され、
前記主面の第1領域の前記第1絶縁膜に第1配線溝が形成され、
前記主面の第2領域の前記第1絶縁膜に第2配線溝が形成され、
前記第1配線溝の内部に第1導電膜からなる第1下層配線が形成され、
前記第2配線溝の内部に前記第1導電膜からなる第2下層配線が形成され、
前記第1絶縁膜の上部に第2絶縁膜が形成され、
前記第1領域の前記第2絶縁膜に、第1ビアホールおよび前記第1ビアホールの上部に配置され、前記第1ビアホールよりも平面形状の面積が大きい電極溝が形成され、
前記第2領域の前記第2絶縁膜に第2ビアホールが形成され、
前記第1ビアホールおよび前記電極溝の内部に、前記第1下層配線と電気的に接続された第2導電膜からなるキャパシタの第1電極が形成され、
前記第2ビアホールの内部に、前記第2下層配線と電気的に接続された前記第2導電膜からなるプラグが形成され、
前記第1領域の前記第2絶縁膜上に、前記第1電極を覆う前記キャパシタの誘電膜が形成され、
前記誘電膜の上部に第3導電膜からなり、前記誘電膜と平面形状の面積が同一となる前記キャパシタの第2電極が積層され、
前記第1領域の前記第2絶縁膜上に、前記第2電極の上部および側壁と前記誘電膜の側壁とを覆う第4導電膜からなる第1上層配線が形成され、
前記第2領域の前記第2絶縁膜上に、前記プラグと電気的に接続された前記第4導電膜からなる第2上層配線が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1電極の面積は、1μm2〜25μm2であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1電極の面積は、4μm2〜16μm2であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1導電膜は、銅を主成分とする金属膜であり、前記第2導電膜は、タングステンを主成分とする金属膜であり、前記第4導電膜は、アルミニウムを主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1および第4導電膜は、銅を主成分とする金属膜であり、前記第2導電膜は、タングステンを主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第3導電膜は、窒化チタン膜、窒化タンタル膜またはタングステン膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記誘電膜は、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記誘電膜は、窒化シリコン膜よりも誘電率の高い高融点金属酸化膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1および第2上層配線は、最上層の配線であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 以下の工程を有する半導体装置の製造方法:
(a)半導体基板の主面上に第1絶縁膜を形成する工程、
(b)前記主面の第1領域の前記第1絶縁膜に第1配線溝を形成し、前記主面の第2領域の前記第1絶縁膜に第2配線溝を形成する工程、
(c)前記第1および第2配線溝の内部を含む前記第1絶縁膜上に第1導電膜を形成する工程、
(d)前記第1導電膜を化学的機械研磨法で加工することにより、前記第1配線溝の内部に前記第1導電膜からなる第1下層配線を形成し、前記第2配線溝の内部に前記第1導電膜からなる第2下層配線を形成する工程、
(e)前記(d)工程の後、前記第1絶縁膜の上部に第2絶縁膜を形成する工程、
(f)前記第1領域の前記第2絶縁膜に第1ビアホールを形成し、前記第2領域の前記第2絶縁膜に第2ビアホールを形成する工程、
(g)前記第1ビアホールの上部の前記第2絶縁膜に前記第1ビアホールよりも平面形状の面積が大きい電極溝を形成する工程、
(h)前記第1ビアホール、前記第2ビアホールおよび前記電極溝の内部を含む前記第2絶縁膜上に第2導電膜を形成する工程、
(i)前記第2導電膜を化学的機械研磨法で加工することにより、前記第1ビアホールおよび前記電極溝の内部に、前記第1下層配線と電気的に接続された前記第2導電膜からなるキャパシタの第1電極を形成し、前記第2ビアホールの内部に、前記第2下層配線と電気的に接続された前記第2導電膜からなるプラグを形成する工程、
(j)前記(i)工程の後、前記第2絶縁膜上に前記キャパシタの誘電膜を形成し、前記誘電膜上に第3導電膜を形成する工程、
(k)前記第3導電膜上に形成したレジスト膜をマスクにして前記第3導電膜および前記誘電膜をパターニングすることにより、前記第1領域の前記第2絶縁膜上に、前記第1電極を覆うように前記誘電膜を残し、前記誘電膜の上部に前記第3導電膜からなる前記キャパシタの第2電極を形成する工程、
(l)前記第2電極上の前記レジスト膜を除去した後、前記第2絶縁膜上に第4導電膜を形成する工程、
(m)前記第4導電膜をパターニングすることにより、前記第1領域の前記第2絶縁膜上に、前記第2電極の上部および側壁と前記誘電膜の側壁とを覆う前記第4導電膜からなる第1上層配線を形成し、前記第2領域の前記第2絶縁膜上に、前記プラグと電気的に接続された前記第4導電膜からなる第2上層配線を形成する工程。 - 前記第1電極の面積は、1μm2〜25μm2であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1電極の面積は、4μm2〜16μm2であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1および第2導電膜は、銅を主成分とする金属膜で構成し、前記第4導電膜は、アルミニウムを主成分とする金属膜で構成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1、第2および第4導電膜は、銅を主成分とする金属膜で構成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2導電膜は、タングステンを主成分とする金属膜で構成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3導電膜は、窒化チタン膜、窒化タンタル膜またはタングステン膜で構成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記誘電膜は、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜で構成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記誘電膜は、窒化シリコン膜よりも誘電率の高い高融点金属酸化膜で構成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高融点金属酸化膜は、酸化タンタル膜であることを特徴とする請求項18記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1および第2上層配線は、最上層の配線であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の主面上に第1絶縁膜が形成され、
前記第1絶縁膜に配線溝が形成され、
前記配線溝の内部に第1導電膜からなる下層配線が形成され、
前記第1絶縁膜の上部に第2絶縁膜が形成され、
前記第2絶縁膜に、ビアホールおよび前記ビアホールの上部に配置された前記ビアホールよりも平面形状の面積の大きい電極溝が形成され、
前記ビアホールおよび前記電極溝の内部に、前記下層配線と電気的に接続された第2導電膜からなるキャパシタの第1電極が形成され、
前記第2絶縁膜上に、前記第1電極を覆う前記キャパシタの誘電膜が形成され、
前記誘電膜の上部に第3導電膜からなる前記キャパシタの第2電極が積層され、
前記第2電極上に第4導電膜からなる上層配線が形成された半導体装置であって、
前記上層配線は、前記誘電膜および前記第2電極のそれぞれの側壁を覆い、
前記誘電膜の上面の面積は、前記第2電極の上面の面積と同一であり、かつ前記第1電極の上面の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1導電膜は、銅を主成分とする金属膜であり、前記第4導電膜は、アルミニウムを主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。
- 前記第1導電膜および前記第4導電膜は、銅を主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。
- 前記第2導電膜は、タングステンを主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。
- 前記第3導電膜は、窒化チタン膜、窒化タンタル膜またはタングステン膜であることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。
- 前記誘電膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または前記窒化シリコン膜よりも誘電率の高い高融点金属酸化膜であることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。
- 前記上層配線は、最上層の配線であることを特徴とする請求項21記載の半導体装置。
- 半導体基板の主面上に絶縁膜が形成され、
前記絶縁膜に溝が形成され、
前記溝の内部に第1導電膜からなるキャパシタの第1電極が埋め込まれ、
前記絶縁膜上に、前記第1電極を覆う前記キャパシタの誘電膜が形成され、
前記誘電膜の上部に第2導電膜からなる前記キャパシタの第2電極が積層され、
前記第2電極上に第3導電膜からなる配線が形成された半導体装置であって、
前記誘電膜の上面の面積は、前記第2電極の上面の面積と同一であり、
前記配線は、前記誘電膜および前記第2電極のそれぞれの側壁を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第3導電膜は、アルミニウムを主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項28記載の半導体装置。
- 前記第1導電膜は、タングステンを主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項28記載の半導体装置。
- 前記第2導電膜は、窒化チタン膜、窒化タンタル膜またはタングステン膜であることを特徴とする請求項28記載の半導体装置。
- 前記誘電膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または前記窒化シリコン膜よりも誘電率の高い高融点金属酸化膜であることを特徴とする請求項28記載の半導体装置。
- 前記配線は、最上層の配線であることを特徴とする請求項28記載の半導体装置。
- 半導体基板の主面上に絶縁膜が形成され、
前記主面の第1領域の前記絶縁膜に溝が形成され、
前記溝の内部に第1導電膜からなるキャパシタの第1電極が埋め込まれ、
前記第1領域の前記絶縁膜上に、前記第1電極を覆う前記キャパシタの誘電膜が形成され、
前記誘電膜の上部に第2導電膜からなる前記キャパシタの第2電極が積層され、
前記第2電極上に第3導電膜からなる配線が形成された半導体装置であって、
前記第2電極の端部と前記誘電膜の端部は、平面的に一致するように形成されており、
前記配線は、前記誘電膜および前記第2電極のそれぞれの側壁を覆うように形成されて
おり、
前記主面の第2領域の前記絶縁膜上に、前記第3導電膜からなるボンディングパッドが形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第3導電膜は、アルミニウムを主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項34記載の半導体装置。
- 前記第1導電膜は、タングステンを主成分とする金属膜であることを特徴とする請求項34記載の半導体装置。
- 前記第2導電膜は、窒化チタン膜、窒化タンタル膜またはタングステン膜であることを特徴とする請求項34記載の半導体装置。
- 前記誘電膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または前記窒化シリコン膜よりも誘電率の高い高融点金属酸化膜であることを特徴とする請求項34記載の半導体装置。
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