JP4841490B2 - 位置決めデバイスを備えるリソグラフィ装置及びその制御方法 - Google Patents
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Description
ステータおよび前記ステータに対して移動可能なムーバと、
前記ステータに対する前記ムーバの位置を示す位置信号を生成するための位置センサと、
前記位置信号を受信し、前記位置信号を設定点信号と比較して誤差信号を取得し、前記位置信号の少なくとも1つの信号成分に基づいて、少なくとも1つのムーバ制御信号を生成するコントローラであって、可変ゲインを有するコントローラと
を有し、
前記位置センサと前記コントローラとを含む前記位置決めデバイスは、制御ループを定義し、
前記方法は、
予め定義された範囲内の大きさを有する誤差信号に対して、前記範囲外の大きさを有する誤差信号に対する値よりも高い値にゲインが選択的に設定される工程
を備える、方法が提供される。ここで、大きさ(magnitude)とは、誤差信号の絶対値(absolute value)として定義される。
ステータおよび前記ステータに対して移動可能なムーバと、
前記ステータに対する前記ムーバの位置を示す位置信号を生成するための位置センサと、
前記位置信号を受信し、前記位置信号を設定点信号と比較して誤差信号を取得し、前記位置信号の少なくとも1つの信号成分に基づいて、少なくとも1つのムーバ制御信号を生成するコントローラであって、可変ゲインを有するコントローラと、
を有し、
前記位置センサと前記コントローラとを含む前記位置決めデバイスは、制御ループを定義し、
前記コントローラは、
予め定義された範囲内の大きさを有する誤差信号に対して、前記範囲外の大きさを有する誤差信号に対する値よりも高い値にゲインが選択的に設定されるように構成されている、位置決めデバイスが提供される。
[0014] ここで、本発明の実施形態を、添付の略図を参照しながら、単なる一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
1. ステップモードにおいては、マスクテーブルMTまたは「マスク支持体」および基板テーブルWTまたは「基板支持体」を基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に(すなわち、単一静止露光)ターゲット部分C上に投影する。基板テーブルWTまたは「基板支持体」は、その後、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2. スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTまたは「マスク支持体」および基板テーブルWTまたは「基板支持体」を同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTまたは「マスク支持体」に対する基板テーブルWTまたは「基板支持体」の速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決定される。
3. 別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しながらマスクテーブルMTまたは「マスク支持体」を基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTまたは「基板支持体」を動かすまたはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTまたは「基板支持体」の移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[1]
|error|≦δの場合、φ(error)=α2
|error|>δの場合、φ(error)=α1+(α2-α1)*δ/|error|
ここで、|error|は誤差の絶対値、
δは閾値、
φ(error)は可変ゲイン、
α1は低ゲイン値、
α2は高ゲイン値である。
[2]
|error|≦δの場合、φ(error)=α3
|error|>δの場合、φ(error)=α4-(α 4 -α 3 )*δ/|error|
ここで、|error|は誤差の絶対値、
δは閾値、
φ(error)は可変ゲイン、
α3は低ゲイン値、
α4は高ゲイン値である。
C3(s)=(s + ωi)/(s+ωi/n)
ωiはインテグレータ遮断周波数を表し、nは遅延遮断周波数ωi/nを決定する。典型的には、nはn=1000として設定される。
C3(s)=LP(s)*N(s)
ここで、
LP(s)=ωlp 2/(s2*2*blp*ωlp*s+ωlp 2)、
N(s) =ω2 2/ω1 2*(s2+2*b1*ω1*s+ω1 2)/(s2+2*b2*ω2*s+ω2 2)、
ωlpは低域周波数、
blpは減衰低域周波数、
ω1はゼロ周波数、
b1は減衰ゼロ周波数、
ω2は極周波数、
b2は減衰極周波数である。
Claims (7)
- パターニングデバイスから、基板テーブルに支持された基板上へパターンを転写するようになされたリソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置は、前記基板テーブルを位置決めするための位置決めデバイスを備え、前記位置決めデバイスは、
ステータ、および、前記ステータに対して移動可能なムーバと、
前記ステータに対する前記ムーバの位置を示す位置信号を生成するための位置センサと、
前記位置信号を受信し、前記位置信号を設定点信号と比較して誤差信号を取得し、前記位置信号の少なくとも1つの信号成分に基づいて、少なくとも1つのムーバ制御信号を生成するコントローラであって、可変ゲインを有するコントローラと、を有し、
前記位置センサと前記コントローラとを含む前記位置決めデバイスは、制御ループを定義し、
前記コントローラは、
前記基板テーブルの基板面に沿った移動に用いるムーバの制御においては、前記ゲインを、
|error|<δの場合、φ(error)=α 2
|error|>δの場合、φ(error)=α 1 +(α 2 -α 1 )*δ/|error|
(ここで、
|error|は誤差信号の絶対値、
δは閾値、
φ(error)は可変ゲイン、
α 1 は低ゲイン値、
α 2 は高ゲイン値である)
として設定し、
前記基板テーブルの基板面に垂直な方向への移動に用いるムーバの制御においては、前記ゲインを、
|error|<δの場合、φ(error) =α 3
|error|>δの場合、φ(error)=α 4 -(α 4 -α 3 )*δ/|error|
(ここで、
|error|は誤差信号の絶対値、
δは閾値、
φ(error)は可変ゲイン、
α 3 は低ゲイン値、
α 4 は高ゲイン値である)
として設定する、
リソグラフィ装置。 - 前記コントローラがさらに動的フィルタを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記動的フィルタが、伝達関数
(s+ωi)/(s+ωi/n)
(ωiはフィルター遮断周波数を表し、nは遅延遮断周波数ωi/nを決定する)
を有する、請求項2に記載の装置。 - 前記動的フィルタが、ローパスフィルタと、少なくとも1つのノッチフィルタとを備える、請求項2又は請求項3のいずれかに記載の装置。
- 前記ローパスフィルタが伝達関数
ωlp 2/(s2*2*blp* ωlp*s + ωlp 2)
(ここで、
ωlpは低域周波数、
blpは減衰低域周波数である)
を有する、請求項4に記載の装置。 - 前記ノッチフィルタが伝達関数
ω2 2/ω1 2*(s2+2*b1*ω1*s+ω1 2)/(s2+2*b2*ω2*s+ω2 2)
(ここで、
ω1はゼロ周波数、
b1は減衰ゼロ周波数、
ω2は極周波数、
b2は減衰極周波数である)
を有する、請求項4又は請求項5のいずれかに記載の装置。 - パターニングデバイスから、基板テーブルに支持された基板上へパターンを転写するようになされたリソグラフィ装置において基板テーブルを位置決めするための位置決めデバイスを制御する方法であって、前記位置決めデバイスは、
ステータ、および、前記ステータに対して移動可能なムーバと、
前記ステータに対する前記ムーバの位置を示す位置信号を生成するための位置センサと、
前記位置信号を受信し、前記位置信号を設定点信号と比較して誤差信号を取得し、前記位置信号の少なくとも1つの信号成分に基づいて、少なくとも1つのムーバ制御信号を生成するコントローラであって、可変ゲインを有するコントローラと、を有し、
前記位置センサと前記コントローラとを含む前記位置決めデバイスは、制御ループを定義し、
前記方法は、 前記基板テーブルの基板面に沿った移動に用いるムーバの制御においては、前記ゲインを、
|error|<δの場合、φ(error)=α 2
|error|>δの場合、φ(error)=α 1 +(α 2 -α 1 )*δ/|error|
(ここで、
|error|は誤差信号の絶対値、
δは閾値、
φ(error)は可変ゲイン、
α 1 は低ゲイン値、
α 2 は高ゲイン値である)
として設定し、
前記基板テーブルの基板面に垂直な方向への移動に用いるムーバの制御においては、前記ゲインを、
|error|<δの場合、φ(error) =α 3
|error|>δの場合、φ(error)=α 4 -(α 4 -α 3 )*δ/|error|
(ここで、
|error|は誤差信号の絶対値、
δは閾値、
φ(error)は可変ゲイン、
α 3 は低ゲイン値、
α 4 は高ゲイン値である)
として設定する、工程を備える方法。
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