JP4839894B2 - 磁気メモリの読み出し回路 - Google Patents
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- スピン注入磁化反転が可能な感磁層を有する磁気抵抗効果素子を複数配列してなる磁気メモリの読み出し回路において、
前記磁気抵抗効果素子に第1データを書き込むデータ書き込み手段と、
前記データ書き込み手段による第1データの書き込み時における前記磁気抵抗効果素子の出力波形が、前記磁気抵抗効果素子に第1データが既に書き込まれていた場合に出力される第1波形であるか、前記磁気抵抗効果素子に第1データと異なる第2データが既に書き込まれていた場合に出力される第2波形であるかどうかを判定する判定手段と、
を備え、
前記データ書き込み手段は、前記判定手段が、前記第2波形であると判定した場合には、前記感磁層においてスピン注入磁化反転を生じさせることで、第2データを前記磁気抵抗効果素子に書き込むことを特徴とする磁気メモリの読み出し回路。 - 前記判定手段は、前記磁気抵抗効果素子及び基準電位に2つの入力端子がそれぞれ接続された比較器を備えていることを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリの読み出し回路。
- 前記データ書き込み手段は、
第1データを書き込む場合には、前記磁気抵抗効果素子に第1の方向に流れる書き込み電流を流し、第2データを書き込む場合には、第1の方向とは逆方向に流れる書き込み電流を流すことを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリの読み出し回路。 - 前記判定手段の判定結果を、読み出し情報として論理レベルで外部に出力する入出力手段を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリの読み出し回路。
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