JP4839622B2 - 接着フィルム及びこれを備える積層体 - Google Patents
接着フィルム及びこれを備える積層体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4839622B2 JP4839622B2 JP2005024434A JP2005024434A JP4839622B2 JP 4839622 B2 JP4839622 B2 JP 4839622B2 JP 2005024434 A JP2005024434 A JP 2005024434A JP 2005024434 A JP2005024434 A JP 2005024434A JP 4839622 B2 JP4839622 B2 JP 4839622B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive film
- resin
- conductive particles
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N Oc1cccc2ccccc12 Chemical compound Oc1cccc2ccccc12 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N Oc(cc1)cc2c1c(O)ccc2 Chemical compound Oc(cc1)cc2c1c(O)ccc2 FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N c1ccccc1 Chemical compound c1ccccc1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N Cc(cc1)ccc1O Chemical compound Cc(cc1)ccc1O IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
「マイクロエレクトロニックマニュファクチャリングアンドテスティング(Microelectronic Manufacturing And Testing)」、1985年10月
T<R<1.5T …(1)
[接着フィルムの製造]
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mlの四つ口フラスコに、ジアミンとして0.05モルの2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン及び0.05モルの3、3´−(ブタン−1、4−ジイルビス(オキシ)ビスプロパンジアミン、溶剤として150gのN−メチル−2−ピロリドンを入れ、60℃で攪拌することにより、溶剤中にジアミンを溶解させた。ジアミンの溶解後、得られた溶液中にテトラカルボン酸無水物として0.1モルの4,4´−[デカン−1,10ジイルビス(オキシカルボニル)]ジフタル酸無水物を少量ずつ添加した。添加後、60℃で3時間反応させたのち、N2ガスを吹き込みながら170℃、3時間の加熱を行い、水を溶剤の一部とともに共沸除去した。得られた反応液を、ポリイミド樹脂の溶液とした。
実施例1と同様にして得たポリイミド樹脂100部(N−メチル−2−ピロリドン溶液の固形分)に対し、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成製)6部、4,4´−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール(本州化学製)3部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート(東京化成製)0.5部、窒化硼素フィラー(水島合金鉄製)10部、導電性粒子(30μm)1部(ミクロパールAU、積水化学製)を加えて十分に混錬し、樹脂ワニスを得た。
接着フィルムの厚さを20μmとしたこと以外は、実施例2と同様にして接着フィルムを得た。
接着フィルムの厚さを20μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして接着フィルムを得た。
接着フィルムの厚さを25μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして接着フィルムを得た。
導電性粒子を添加しなかったこと、及び、接着フィルムの厚さを25μmとしたこと以外は、実施例2と同様にして接着フィルムを得た。
[接着フィルムの抵抗値及びピール強度の測定]
接着フィルムを7mm×7mmの大きさに切断した後、これを42アロイ(8mm×10mm)とアルミニウム箔(5mm×5mm、厚み:12μm;三菱アルミニウム社製)との間に挟み、温度180℃、時間5秒、荷重400gの条件で加熱及び加圧して、これらを接着させた。その後、180℃で1時間加熱して接着フィルムを硬化させ、42アロイとアルミニウム箔が接着フィルムからなる接着部材を介して接合された積層体を得た。得られた積層体における42アロイとアルミニウム箔間の抵抗値を、デジタルマイクロメータ(アドバンテスト製 TR6846)を用いて測定した。
接着フィルムを5mm×5mmの大きさに切断し、これを5mm×5mm×0.4mmのシリコンチップと42アロイリードフレームの間に挟み、400gの荷重をかけて180℃で5秒間圧着させた。その後、180℃で60分間加熱することにより接着フィルムを硬化させて積層体(42アロイリードフレーム、接着フィルムからなる接着部材及びシリコンチップをこの順に備える積層体)を得た。この積層体に対し、240℃、20秒加熱の加熱を行った際のシリコンチップの引剥し強さ(ピール強度)を測定した。
Claims (9)
- 接着性を有するシート状の基材と、
前記基材中に配され、前記基材の厚さよりも大きい直径を有する導電性粒子と、
を備え、
前記導電性粒子は、有機物の表面に金属層が形成された構成を有し、前記有機物の室温における弾性率は、2000MPa以下である、接着フィルム。 - 前記導電性粒子は、前記基材の厚さの1.5倍未満の直径を有している、請求項1記載の接着フィルム。
- 前記導電性粒子の含有量は、総質量に対して0.001質量%以上である、請求項1又は2記載の接着フィルム。
- 前記基材は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物から構成される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の接着フィルム。
- 前記樹脂組成物は、硬化促進剤を更に含む、請求項4記載の接着フィルム。
- 前記熱可塑性樹脂として、ポリイミド樹脂を含む、請求項4又は5記載の接着フィルム。
- フィラーを更に含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の接着フィルム。
- ダイボンドに用いる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の接着フィルム。
- 支持部材と、
前記支持部材に対向して配置された電気素子と、
前記支持部材と前記電気素子との間にこれらと接するように配置された、請求項1〜8のいずれか一項に記載の接着フィルムからなる接着部材と、
を備える電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005024434A JP4839622B2 (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 接着フィルム及びこれを備える積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005024434A JP4839622B2 (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 接着フィルム及びこれを備える積層体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006206843A JP2006206843A (ja) | 2006-08-10 |
JP4839622B2 true JP4839622B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=36964032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005024434A Expired - Fee Related JP4839622B2 (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 接着フィルム及びこれを備える積層体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4839622B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007214533A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-08-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電性接着フィルム及び太陽電池モジュール |
EP2058868A4 (en) * | 2006-08-29 | 2010-01-27 | Hitachi Chemical Co Ltd | CONDUCTIVE ADHESIVE FILM AND SOLAR CELL MODULE |
CN101529603B (zh) * | 2006-10-10 | 2010-12-29 | 日立化成工业株式会社 | 连接结构及其制造方法 |
JP2008135654A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP5569121B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-08-13 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物、回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 |
JP5569126B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-08-13 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物、接着剤シート及び半導体装置の製造方法 |
MY162086A (en) * | 2010-02-17 | 2017-05-31 | Basf Se | Process for producing electrically conductive bonds between solar cells |
JP2012007093A (ja) | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Nitto Denko Corp | 導電性粘着テープ |
KR101110826B1 (ko) | 2010-08-17 | 2012-02-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 패널 |
JP2012119418A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 導電性フィルム貼り付け装置、結晶系太陽電池モジュール組立装置及び結晶系太陽電池セルの接続方法 |
JP6208011B2 (ja) * | 2011-07-07 | 2017-10-04 | 日立化成株式会社 | 回路接続材料及び回路基板の接続構造体 |
KR102608245B1 (ko) * | 2019-01-21 | 2023-11-29 | 삼성전자주식회사 | 전기 전도성 복합막, 그 제조 방법, 이를 포함하는 이차전지와 전자기기 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2544051B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1996-10-16 | 信越ポリマー株式会社 | 摺動性表面を有する電気回路接続用異方導電性接着膜 |
JP2001031915A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-06 | Bridgestone Corp | 異方性導電フィルム |
JP2002212518A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-07-31 | Cosmo Tec:Kk | 異方性導電粘着シート及びそれを用いた電気及び/又は電子素子 |
JP5143329B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2013-02-13 | 日立化成工業株式会社 | 回路接続体の作製方法 |
-
2005
- 2005-01-31 JP JP2005024434A patent/JP4839622B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006206843A (ja) | 2006-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4839622B2 (ja) | 接着フィルム及びこれを備える積層体 | |
JP5315690B2 (ja) | エリア実装型半導体装置及びその製造方法 | |
JP4421972B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
JP4137827B2 (ja) | 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP5191627B2 (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4537555B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ | |
JPWO2007018120A1 (ja) | 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
JP4684439B2 (ja) | 伝導性粒子、伝導性組成物および、電子機器の製造方法 | |
JP4994743B2 (ja) | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 | |
JP4507488B2 (ja) | 接合材料 | |
JP2013254921A (ja) | 回路基板及び電子部品搭載基板 | |
JP2005264109A (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2005044524A (ja) | 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP2010024431A (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
JP2015042754A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI830861B (zh) | 膜狀接著劑、接著片以及半導體裝置及其製造方法 | |
WO2020065783A1 (ja) | フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
JP4839670B2 (ja) | 接着フィルム、接着シート及び半導体装置 | |
JP2011214006A (ja) | 接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法 | |
JP2009135506A (ja) | 接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法 | |
JP5047632B2 (ja) | フリップチップ接続用熱圧接着剤を用いた実装方法 | |
JP2014237843A (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
WO2022137714A1 (ja) | フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
WO2023136057A1 (ja) | ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
WO2022054718A1 (ja) | フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110906 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110919 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |