JP4830547B2 - パターン形成体の製造方法およびパターン形成体製造用装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明のパターン形成体の製造方法について説明する。本発明のパターン形成体の製造方法は、基材、および上記基材上に形成され、少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層を有する光触媒含有層側基板の上記光触媒含有層と、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板とを対向させて配置し、上記光触媒含有層にエネルギーを照射することにより、上記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンを形成してパターン形成体を形成するパターン形成工程を複数回行って、パターン形成体を複数製造するパターン形成体の製造方法であって、上記複数回行うパターン形成工程の間に、上記光触媒含有層に付着した付着物に正および/または負に帯電したイオンを照射するイオン照射工程と、上記イオンが照射された上記付着物を上記光触媒含有層から除去する付着物除去工程とを行うことを特徴とするものである。
以下、本発明のパターン形成体の製造方法の各工程について説明する。
まず、本発明のイオン照射工程について説明する。本発明のイオン照射工程は、複数回行われるパターン形成工程の間に、後述する付着物除去工程の前、または付着物除去工程と同時に行われる工程であり、上記光触媒含有層に付着した付着物に正および/または負に帯電したイオンを照射する工程である。ここで、複数回行われるパターン形成工程の間とは、パターン形成工程とパターン形成工程との間であれば特に限定されるものではなく、例えばパターン形成工程を1回行うごとに本工程が行われてもよく、またパターン形成工程を複数回行うごとに本工程が行われてもよい。
以下、本工程において光触媒含有層に付着した付着物にイオンを照射する方法、および本工程においてイオンが照射される付着物が付着した光触媒含有層を有する光触媒含有層側基板について詳しく説明する。
まず、本工程において上記光触媒含有層に付着した付着物に上記イオンを照射する方法について説明する。本工程において、上記付着物に照射するイオンとしては、付着物を電気的に中和することが可能なイオンとされ、付着物の種類等によって適宜選択される。例えば付着物が正に帯電している場合には、本工程を負のイオンを照射する工程等とすることができ、また付着物が負に帯電している場合には、本工程を正のイオンを照射する工程等とすることができる。なお、本工程において照射するイオンは、正に帯電したイオンまたは負に帯電したイオンの内のいずれか一方のみであってもよいが、正に帯電したイオンおよび負に帯電したイオンの両方であってもよい。また複数種類のイオンを組合わせて照射してもよい。
次に、本工程に用いられる光触媒含有層側基板について説明する。本工程に用いられる光触媒含有層側基板は、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有するものであり、通常、基材と、その基材上に光触媒含有層が形成されているものである。以下、本工程に用いられる光触媒含有層側基板の各構成について説明する。
まず、光触媒含有層側基板に用いられる光触媒含有層について説明する。本工程に用いられる光触媒含有層は、光触媒含有層中の光触媒が、対向して配置されるパターン形成用基板の特性を変化させることが可能なものであれば特に限定されるものではなく、光触媒とバインダとから構成されているものであってもよく、光触媒単体で製膜されたものであってもよい。また、その表面の特性は特に親液性であっても撥液性であってもよい。
次に、光触媒含有層側基板に用いられる基材について説明する。本発明においては、図1(a)に示すように、光触媒含有層側基板3は、少なくとも基材1とこの基材1上に形成された光触媒含有層2とを有するものである。
次に、本発明の付着物除去工程について説明する。本発明の付着物除去工程は、複数回行われるパターン形成工程の間に、上記イオン照射工程の後、または上記イオン照射工程と同時に行われる工程であり、イオンが照射された付着物を光触媒含有層から除去する工程である。
以下、本工程において光触媒含有層からイオンが照射された付着物を除去する方法について詳しく説明する。
本発明において、上記光触媒含有層から上記付着物を除去する方法としては、上記付着物を除去することが可能な方法であれば、特に限定されるものではない。このような方法としては、例えば気体を利用して上記光触媒含有層から上記付着物を除去する方法、液体を利用して上記光触媒含有層から上記付着物を除去する方法、または固体状物質を利用して上記光触媒含有層から上記付着物を除去する方法等が挙げられる。本工程は、上記いずれか1種類の方法を行うものであってもよく、また2種類以上の方法を組み合わせて行うものであってもよい。また、上記方法は、光触媒含有層に付着した付着物の種類等に合わせて適宜選択されることとなる。
以下、上記の各方法についてそれぞれ詳しく説明する。
まず、気体を利用して上記光触媒含有層からイオンが照射された付着物を除去する方法について説明する。気体を利用して上記光触媒含有層から上記付着物を除去する方法としては、例えば上記光触媒含有層に不活性のガスを吹き付けて、風圧により上記付着物を除去する方法や、上記光触媒含有層表面から、上記付着物を吸引して上記付着物を除去する方法、上記付着物を風圧により上記光触媒含有層から離脱させ、その付着物を吸引する方法等とすることができる。これらの方法によれば、特別な装置を必要とすることなく、効率よく付着物を除去することができる。
次に、液体を利用して上記光触媒含有層からイオンが照射された付着物を除去する方法について説明する。本発明において液体を利用して上記付着物を除去する方法としては、例えば上記光触媒含有層を液体により洗浄する方法等とすることができる。具体的には、上記光触媒含有層側基板を液体中に浸漬させ、上記付着物の液体に対する溶解性等を利用して除去する方法や、上記光触媒含有層側基板にノズル等により、液体を吹き付けて、上記付着物の液体に対する溶解性、および液体の圧力を利用して付着物を除去する方法等が挙げられる。本発明においては、上記の中でも、ノズル等から液体を吹き付けて付着物を除去する方法であることが好ましい。これにより、効率よく付着物を除去することができるからである。
次に、本工程において固体状物質を接触させることにより、上記光触媒含有層からイオンが照射された付着物を除去する方法について説明する。上記光触媒含有層に固体を接触させることにより、上記光触媒含有層から上記付着物を除去する方法としては、例えば上記光触媒含有層に、吸着性を有する吸着板を接触させて光触媒含有層側基板から付着物を吸着除去する方法や、ブラシを用いて光触媒含有層側基板から付着物を掃きとる方法等が挙げられる。
次に、本発明におけるパターン形成工程について説明する。本発明におけるパターン形成工程は、基材、および上記基材上に形成され、少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層を有する光触媒含有層側基板の上記光触媒含有層と、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板とを対向させて配置し、上記光触媒含有層にパターン状にエネルギーを照射することにより、上記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンを形成し、パターン形成体を形成する工程である。なお、本発明において上記パターン形成工程は、少なくとも2回以上行われればよく、その回数は特に限定されるものではない。
まず本発明に用いられるパターン形成用基板について説明する。本発明に用いられるパターン形成用基板は、上述した光触媒含有層側基板と対向させてエネルギーを照射した際に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により表面の特性が変化するものであればよく、その構成については特に限定されるものではない。
次に、本工程におけるエネルギー照射について説明する。本工程においては、パターン形成用基板と、上記光触媒含有層側基板の光触媒含有層とを、所定の間隙をおいて配置し、所定の方向から光触媒含有層にパターン状にエネルギーが照射される。
本発明のパターン形成体の製造方法は、上記イオン照射工程、上記付着物除去工程および上記パターン形成工程を有するものであれば特に限定されるものではなく、上記工程以外に、例えばパターン形成用基板を製造する工程等を有していてもよい。
次に、本発明のパターン形成体製造用装置について説明する。本発明のパターン形成体製造用装置は、基材、および上記基材上に形成され、少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層を有する光触媒含有層側基板の上記光触媒含有層と、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板とを対向させて配置し、上記光触媒含有層にエネルギーを照射することにより、上記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンを形成してパターン形成体を形成するパターン形成工程を複数回行って、パターン形成体を複数製造する際に用いられるパターン形成体製造用装置であって、上記パターン形成用基板を支持するパターン形成用基板支持部と、上記光触媒含有層を上記パターン形成用基板と対向するように支持する光触媒含有層側基板支持部と、上記光触媒含有層側基板にエネルギーを照射するエネルギー照射部と、上記光触媒含有層に付着した付着物に正および/または負に帯電したイオンを照射するイオン照射手段と、上記イオンが照射された上記付着物を上記光触媒含有層から除去するための付着物除去手段とを有することを特徴とするものである。
以下、本発明のパターン形成体製造用装置について各構成ごとに詳しく説明する。
まず、本発明に用いられるイオン照射手段について説明する。本発明に用いられるイオン照射手段としては、パターン形成体の製造に用いられる光触媒含有層側基板の光触媒含有層に付着した付着物に正および/または負に帯電したイオンを照射することが可能な手段であれば、特に限定されるものではない。上記イオン照射手段は、パターン形成体製造用装置内で、2次元または3次元方向に移動するものとされていてもよく、また固定されているものであってもよい。また、イオン照射手段は、例えば光触媒含有層側基板を光触媒含有層支持部により支持した状態で、上記付着物に上記イオンを照射する手段であってもよいが、本発明においては、例えば光触媒含有層側基板支持部から光触媒含有層側基板を取り外した状態で、上記光触媒含有層に付着した付着物に上記イオンを照射する手段であってもよい。
次に、本発明に用いられる付着物除去手段について説明する。本発明に用いられる付着物除去手段としては、上記イオン照射手段によりイオン照射された付着物を上記光触媒含有層から除去することが可能な手段であれば、特に限定されるものではない。上記付着物除去手段は、パターン形成体製造用装置内で、2次元または3次元方向に移動するものとされていてもよく、また固定されているものであってもよい。また、付着物除去手段は、例えば光触媒含有層側基板を光触媒含有層支持部により支持した状態で、上記付着物を除去する手段であってもよいが、本発明においては、例えば光触媒含有層側基板支持部から光触媒含有層側基板を取り外した状態で、上記光触媒含有層に付着した付着物を除去する手段であってもよい。
以下、上記の各手段についてそれぞれ詳しく説明する。
気体を利用して上記光触媒含有層から付着物を除去する手段について説明する。気体を利用して上記光触媒含有層から付着物を除去する手段としては、例えば上記光触媒含有層に不活性のガスを吹き付けて、風圧により付着物を除去するガス吹き付け手段や、上記光触媒含有層表面から、付着物を吸引して付着物を除去する吸引手段、または上記ガス吹きつけ手段と吸引手段とを組み合わせた手段等とすることができる。
次に、液体を利用して上記光触媒含有層から付着物を除去する手段について説明する。本発明において液体を利用して上記付着物を除去する手段としては、例えば上記光触媒含有層側基板を液体中に浸漬させて、上記付着物の液体に対する溶解性等を利用して除去する浸漬手段や、上記光触媒含有層側基板にノズル等により、液体を吹き付けて光触媒含有層を洗浄する洗浄手段等とすることができる。
次に、本工程において固体状物質を接触させることにより、上記光触媒含有層から付着物を除去する手段について説明する。上記光触媒含有層に固体状物質を接触させることにより、上記光触媒含有層から付着物を除去する手段としては、例えば光触媒含有層に吸着性を有する吸着板を接触させて光触媒含有層側基板から付着物を除去する吸着手段や、ブラシを用いて光触媒含有層側基板から付着物を掃きとる手段等が挙げられる。
次に、本発明のパターン形成体製造用装置におけるパターン形成用基板支持部について説明する。本発明のパターン形成体製造用装置におけるパターン形成用基板支持部は、上記パターン形成用基板を、パターン形成体製造用装置内で安定して支持することが可能なものであれば特に限定されるものではない。その基板支持部の形状等は、本発明のパターン形成体製造用装置により露光されるパターン形成用基板の形状や用途等に合わせて適宜選択されることとなり、例えばパターン形成用基板の全面を支えるような構造であってもよく、またパターン形成用基板の一部を支持するような構造であってもよい。
次に、本発明のパターン形成体製造用装置における光触媒含有層側基板支持部について説明する。本発明のパターン形成体製造用装置における光触媒含有層側基板支持部は、上記光触媒含有層側基板を、上記パターン形成用基板支持部により支持されたパターン形成用基板と対向するように、パターン形成体製造用装置内で安定して光触媒含有層側基板を支持することが可能なものであれば特に限定されるものではない。その光触媒含有層側基板支持部の形状等は、光触媒含有層側基板の形状や用途等に合わせて適宜選択されることとなり、例えば光触媒含有層側基板の全面を支えるような構造であってもよく、また光触媒含有層側基板の一部を支持するような構造であってもよい。
次に、本発明に用いられるエネルギー照射部について説明する。本発明に用いられるエネルギー照射部は、上記光触媒含有層側基板の光触媒含有層にエネルギーを照射可能なものであれば特に限定されるものではない。上記エネルギー照射部は、パターン形成体製造用装置において、例えば図2(a)に示すように、上記光触媒含有層側基板支持部12側に設けられているものであってもよく、また上記パターン形成用基板支持部側に設けられているものであってもよい。
本発明のパターン形成体製造用装置は、上記イオン照射手段、付着物除去手段、パターン形成用基板支持部、光触媒含有層側基板支持部、およびエネルギー照射部を有するものであれば特に限定されるものではなく、必要に応じて例えばフォトマスクを支持するフォトマスク支持手段や、パターン形成体製造用装置内の温度を制御する温度制御手段、パターン形成体製造用装置内の湿度を制御するための湿度制御手段等を有していてもよい。
<パターン形成用基板の作製>
フルオロアルキルシラン(TSL8233 GE東芝シリコーン製)1.5g、テトラメトキシシラン(TSL8114 GE東芝シリコーン製)5.0g、および0.1N塩酸3gを24時間常温にて攪拌してフッ素を有する撥液剤を作製した。この撥液剤1gにイソプロパノール99gを添加し、10分間常温にて攪拌した。この希釈液をガラス基板上にスピンコーター(700rpmで5秒)で塗布し、撥液性を有する濡れ性変化層が形成されたパターン形成用基板を得た。
チタニアゾル(STS−01 石原産業株式会社製)に水とイソプロパノールとを混合し、酸化チタン固形分が0.5wt%の希釈液を作製した。この希釈液を、線幅50μmのライン&スペースが交互に並んだパターンとなるように遮光部が形成されたフォトマスクの遮光部形成面上に、スピンコーター(700rpmで5秒)で塗布し、光触媒含有層を有する光触媒含有層側基板を得た。
上記パターン形成用基板と上記光触媒含有層側基板とを間隙を10μm空けて対向させ、上記光触媒含有層側基板を介して上記パターン形成用基板に超高圧水銀ランプ(365nm 30mW/cm2)を用いて紫外光を200秒間照射したところ、線幅50μmの親液性領域のラインパターンが形成できた。
続いてイオン照射工程および付着物除去工程として、上記露光後の光触媒含有層側基板の光触媒含有層に、照射距離5cmの位置からイオンバランス±5V、イオン発生量10〜50万個/mlのマイナスイオンとプラスイオンを風速1.5m/sec.で3分間同時照射した。その後パターン形成工程として、上述したパターン形成用基板に対して、上記光触媒含有層側基板を用いて、上記と同様に200秒間紫外光による露光を行った。
さらに、上記イオン照射工程、付着物除去工程およびパターン形成工程を交互に繰り返し行い、100枚のパターン形成体を作製した。結果、100枚全てのパターン形成体における親液性領域のラインパターンを、50μmの線幅に形成できた。なお、上記親液性領域のラインパターンの線幅は、パターン形成体の表面を光学顕微鏡により観察することにより行った。
<パターン形成用基板の作製>
実施例1と同様の手法で撥液性を有する濡れ性変化層が形成されたパターン形成用基板を作製した。
<光触媒含有層側基板の作製>
実施例1と同様の手法で、線幅10μmのライン&スペースが交互に並んだパターンとなるような遮光部を有するフォトマスクの遮光部側の面に光触媒含有層を形成し、光触媒含有層側基板を得た。
上記パターン形成用基板と上記光触媒含有層側基板とを間隙を1μm空けて対向させ、上記光触媒含有層側基板を介して上記パターン形成用基板に超高圧水銀ランプ(365nm 30mW/cm2)を用いて紫外光を200秒間照射したところ、線幅が10μmの親液性領域のラインパターンを形成できた。
続いてイオン照射工程として、上記露光後の光触媒含有層側基板の光触媒含有層に、照射距離5cmの位置からイオンバランス±10V、イオン発生量5〜20万個/mlのマイナスイオンとプラスイオンを風速0.5m/sec.で1分間同時照射した。続いて、付着物除去工程として、光触媒含有層を100mmHgで1分間吸引した。その後パターン形成工程として、上述したパターン形成用基板に対して、上記付着物除去工程後の光触媒含有層側基板を用いて、上記と同様に200秒間紫外光による露光を行った。
さらに、上記イオン照射工程、付着物除去工程およびパターン形成工程を交互に繰り返し行い、100枚のパターン形成体を作製した。結果、100枚全てのパターン形成体における親液性領域のラインパターンを、10μmの線幅に形成できた。なお、上記親液性領域のラインパターンの線幅は、パターン形成体の表面を光学顕微鏡により観察することにより行った。
<パターン形成用基板の作製>
実施例1と同様の手法で撥液性を有する濡れ性変化層が形成されたパターン形成用基板を作製した。
<光触媒含有層側基板の作製>
実施例1と同様の手法で、線幅15μmのライン&スペースが交互に並んだパターンとなるような遮光部を有するフォトマスクの遮光部側の面に光触媒含有層を形成し、光触媒含有層側基板を得た。
<パターン形成工程>
上記パターン形成用基板と上記光触媒含有層側基板とを間隙を2μm空けて対向させ、上記光触媒含有層側基板を介して上記パターン形成用基板に超高圧水銀ランプ(365nm 30mW/cm2)を用いて紫外光を200秒間照射したところ、線幅が15μmの親液性領域のラインパターンが形成できた。
続いてイオン照射工程として、上記露光後の光触媒含有層側基板の光触媒含有層に、照射距離5cmの位置からイオンバランス±10V、イオン発生量5〜20万個/mlのマイナスイオンとプラスイオンを風速0.5m/sec.で1分間同時照射した。続いて付着物除去工程として、光触媒含有層側基板を蒸留水に30秒間浸漬させ、ワイプにより水分を除去した。その後パターン形成工程として、上述したパターン形成用基板に対して、上記付着物除去工程後の光触媒含有層側基板を用いて、上記と同様に200秒間紫外光による露光を行った。
上記イオン照射工程、付着物除去工程、およびパターン形成工程を交互に繰り返し行い、100枚のパターン形成体を作製した。結果、100枚全てのパターン形成体における親液性領域のラインパターンを、15μmの線幅に形成できた。なお、上記親液性領域のラインパターンの線幅は、パターン形成体の表面を光学顕微鏡により観察することにより行った。
<パターン形成用基板の作製>
実施例1と同様の手法で撥液性を有する濡れ性変化層が形成されたパターン形成用基板を作製した。
<光触媒含有層側基板の作製>
実施例1と同様の手法で、線幅40μmのライン&スペースが交互に並んだパターンとなるような遮光部を有するフォトマスクの遮光部側の面に光触媒含有層を形成し、光触媒含有層側基板を得た。
<パターン形成工程>
上記パターン形成用基板と上記光触媒含有層側基板とを間隙を5μm空けて対向させ、上記光触媒含有層側基板を介して上記パターン形成用基板に超高圧水銀ランプ(365nm 30mW/cm2)を用いて紫外光を200秒間照射したところ、線幅が40μmの親液性領域のラインパターンが形成できた。
続いてイオン照射工程として、上記露光後の光触媒含有層側基板の光触媒含有層に、照射距離5cmの位置からイオンバランス±10V、イオン発生量5〜20万個/mlのマイナスイオンとプラスイオンを風速0.5m/sec.で2分間同時照射した。続いて、付着物除去工程として、光触媒含有層にシリコンゴム製の吸着板を密着圧1.2kg/cm2で10秒間接触させた。その後パターン形成工程として、上述したパターン形成用基板に対して、上記付着物除去工程後の光触媒含有層側基板を用いて、上記と同様に200秒間紫外光による露光を行った。
上記イオン照射工程、付着物除去工程、およびパターン形成工程を交互に繰り返し行い、100枚のパターン形成体を作製した。結果、100枚全てのパターン形成体における親液性領域のラインパターンを、40μmの線幅に形成できた。なお、上記親液性領域のラインパターンの線幅は、パターン形成体の表面を光学顕微鏡により観察することにより行った。
<パターン形成用基板の形成>
実施例1と同様の手法で撥液性を有する濡れ性変化層が形成されたパターン形成用基板を作製した。
<光触媒含有層側基板の作製>
実施例1と同様の手法で、線幅50μmのライン&スペースが交互に並んだパターンとなるような遮光部を有するフォトマスクの遮光部側の面に光触媒含有層を形成し、光触媒含有層側基板を得た。
<パターン形成工程>
上記パターン形成用基板と上記光触媒含有層側基板とを間隙を10μm空けて対向させ、上記光触媒含有層側基板を介して上記パターン形成用基板に超高圧水銀ランプ(365nm 30mW/cm2)を用いて紫外光を200秒間照射したところ、線幅が50μmの親液性領域のラインパターンが形成できた。
続いてパターン形成工程として、上記露光直後に、上記光触媒含有層側基板を所定の位置に設置したまま、露光後のパターン形成用基板と未露光のパターン形成用基板とを入れ替え、上記と同様に200秒間紫外光による露光を行った。
上記パターン形成工程のみを連続して行い、100枚のパターン形成体を作製した。結果、100枚中最初の1枚は線幅が50μmの親液性領域のラインパターンが形成できたが、2枚目は53μmの親液性領域のラインパターンが形成でき、3枚目以降線幅が太くなる傾向が確認され、7枚目以降は全て全面親液性領域となってしまった。このパターン形成体にインクを塗布したところ、基板全面にインクが濡れ広がりパターンが塗り潰れてしまった。なお、上記親液性領域のラインパターンの線幅は、パターン形成体の表面を光学顕微鏡により観察することにより行った。
<パターン形成用基板の作製>
実施例1と同様の手法で撥液性を有する濡れ性変化層が形成されたパターン形成用基板を作製した。
<光触媒含有層側基板の作製>
実施例1と同様の手法で、線幅40μmのライン&スペースが交互に並んだパターンとなるような遮光部を有するフォトマスクの遮光部側の面に光触媒含有層を形成し、光触媒含有層側基板を得た。
<パターン形成工程>
上記パターン形成用基板と上記光触媒含有層側基板とを間隙を5μm空けて対向させ、上記光触媒含有層側基板を介して上記パターン形成用基板に超高圧水銀ランプ(365nm 30mW/cm2)を用いて紫外光を200秒間照射したところ、線幅が40μmの親液性領域のラインパターンが形成できた。
続いてイオン照射工程として、上記露光後の光触媒含有層側基板の光触媒含有層に、照射距離5cmの位置からイオンバランス±10V、イオン発生量5〜20万個/mlのマイナスイオンとプラスイオンを風速0.5m/sec.で1分間同時照射した。その後パターン形成工程として、上述したパターン形成用基板に対して、上記付着物除去工程後の光触媒含有層側基板を用いて、上記と同様に200秒間紫外光による露光を行った。
上記イオン照射工程およびパターン形成工程を交互に繰り返し行い、100枚のパターン形成体を作製した。結果、100枚中最初の1枚は線幅が40μmの親液性領域のラインパターンが形成できたが、2枚目は41μm、3枚目は42μm、4枚目は45μm、5枚目は48μmの親液性領域のラインパターンが形成でき、6枚目以降も線幅が太くなる傾向が確認され、12枚目以降は全て全面親液性領域となってしまった。このパターン形成体にインクを塗布したところ、基板全面にインクが濡れ広がりパターンが塗り潰れてしまった。なお、上記親液性領域のラインパターンの線幅は、パターン形成体の表面を光学顕微鏡により観察することにより行った。
2 …光触媒含有層
3 …光触媒含有層側基板
4 …パターン形成用基板
7 …特性変化パターン
11…パターン形成用基板支持部
12…光触媒含有層側基板支持部
13…エネルギー照射部
Claims (6)
- 基材、および前記基材上に形成され、少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層を有する光触媒含有層側基板の前記光触媒含有層と、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板とを対向させて配置し、前記光触媒含有層にエネルギーを照射することにより、前記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンを形成してパターン形成体を形成するパターン形成工程を複数回行って、パターン形成体を複数製造するパターン形成体の製造方法であって、
前記複数回行うパターン形成工程の間に、前記光触媒含有層に付着した付着物に正および/または負に帯電したイオンを照射するイオン照射工程と、前記イオンが照射された前記付着物を前記光触媒含有層から除去する付着物除去工程とを行い、
前記パターン形成工程と同様の条件で未使用の光触媒含有層を用いて1回目に形成されたパターン形成体の特性変化パターンを測定した値を基準値とし、2回目以降に形成されたパターン形成体の特性変化パターンを測定した値が前記基準値と同様となるイオンの照射量を割り出し、前記イオン照射工程において前記光触媒含有層に照射するイオンの量を決定する、イオン照射量決定工程を前記イオン照射工程の前に予め行うことを特徴とするパターン形成体の製造方法。 - 前記イオン照射工程と、前記付着物除去工程とが同時に行われることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記付着物除去工程が、前記イオンが照射された前記付着物を、風圧により除去する工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記付着物除去工程が、前記イオンが照射された前記付着物を、吸引除去する工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記付着物除去工程が、前記イオンが照射された前記付着物を、液体により洗浄する工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記付着物除去工程が、前記イオンが照射された前記付着物を、吸着板により吸着除去する工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成体の製造方法。
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