JP4829883B2 - 管を非破壊検査するための方法及び装置 - Google Patents
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Description
2,2’ 垂直磁場用の走査プローブ
3 水平磁場用の走査プローブ
4,4’ 外部欠陥/内部欠陥
Hx 磁気漏洩磁束の水平磁場成分
Hy 磁気漏洩磁束の垂直磁場成分
Claims (12)
- 強磁性鋼からなる管(1)を漏洩磁束によって非破壊検査するための方法であって、長手方向に移動し且つ回転する前記管(1)が直流磁場によって磁化され、生成された磁束が非接触式に前記管に伝達され、前記管の外表面又は内表面の表面領域にある傷(4、4’)が磁性漏洩磁束を引き起こし、前記漏洩磁束が、前記管の表面から進出して、センサ(2、2’、3)によって検出される工程を含む方法において、
水平磁場成分(Hx)と垂直磁場成分(Hy)とに分解可能な前記磁性漏洩磁束が、一方で前記管の外表面の近傍距離にあるセンサで検出され、他方で該近傍位置から更に離間した距離にあるセンサで検出され、
前記近傍距離にあるセンサによって検出された磁気漏洩磁束の成分と、前記離間した距離にあるセンサによって検出された磁気漏洩磁束の成分との比に基づいて、前記管の欠陥が内部欠陥であるか又は外部欠陥であるかを分類することを特徴とする方法。 - 前記近傍距離が、0.5〜1.5mmであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記離間した距離が、2〜5mmであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記離間した距離で検出された信号の振幅が、1より大きい係数(係数>1)で増幅され、且つ前記近傍距離で検出された信号の振幅から減算されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記磁気漏洩磁束の前記垂直磁場成分(Hy)の振幅及び前記水平磁場成分(H x )の振幅が検出され、前記垂直磁場成分(H y )の振幅が、前記水平磁場成分(Hx)の振幅と比例関係にあることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の方法。
- 長手方向に移動し且つ回転する強磁性鋼からなる管(1)を漏洩磁束によって非破壊検査するための装置であって、
磁束を非接触式に前記管(1)に伝達する磁化ヨークと、磁場感受性の走査プローブ(2、2’、3)と、評価ユニットとを備え、請求項1に記載の方法を実施するものであり、
水平磁場成分(Hx)と垂直磁場成分(Hy)とに分解可能な磁気漏洩磁束を検出するために、前記磁場感受性の走査プローブ(2、2’)が、前記管の外表面の近傍位置と、該近傍位置から更に離間した位置とにそれぞれ配置されており、前記近傍位置にある走査プローブによって検出された磁気漏洩磁束の成分と、前記離間した位置にある走査プローブによって検出された磁気漏洩磁束の成分との比に基づいて、前記管の欠陥が内部欠陥であるか又は外部欠陥であるかを分類することを特徴とする装置。 - 前記近傍位置において、前記走査プローブ(2)が、ホールプローブとして構成されており、前記離間した位置において、前記走査プローブ(2’)が、GMRセンサとして構成されていることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
- 前記近傍位置において、前記走査プローブ(2)が誘導コイルとして構成されており、前記離間した位置において、前記走査プローブ(2’)がGMRセンサとして構成されていることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
- 前記近傍位置に配置されている前記走査プローブ(2)と、前記離間した位置に配置されている前記走査プローブ(2’)とが、GMRセンサとして構成されていることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
- 前記磁性漏洩磁束の前記垂直磁場成分(Hy)を検出するために、前記走査プローブ(3)がGMRセンサとして構成されていることを特徴とする、請求項6ないし8のいずれか一項に記載の装置。
- 前記磁性漏洩磁束の前記垂直磁場成分(Hy)を検出するために、前記走査プローブ(3)がホールプローブとして構成されていることを特徴とする、請求項6ないし8のいずれか一項に記載の装置。
- 前記磁性漏洩磁束の前記垂直磁場成分(Hy)を検出するために、前記走査プローブ(3)が誘導コイルとして構成されていることを特徴とする、請求項6ないし8のいずれか一項に記載の装置。
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