JP4826373B2 - 単結晶ウェハの製造方法 - Google Patents
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Description
図1〜図6は、この発明の実施の形態1にかかる単結晶ウェハの製造方法を説明するための断面図である。このうち、図3は、エッチピットの形状を説明するための要部断面図である。まず、例えば気相CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、n型SiC基板1の上にp型エピタキシャル層2を成膜する。このときの成膜条件は、一般的な条件である。特に限定しないが、例えば、温度1600℃、圧力80Torr、H2流量20slm、SiH4流量67ccm、C3H8流量11ccm、TMA(Tri−Methyl−Aluminum)流量0.1ccmである。
図9〜図11は、この発明の実施の形態2にかかる単結晶ウェハの製造方法を説明するための断面図である。まず、実施の形態1と同様にして、n型SiC基板1上にp型エピタキシャル層2および第1のn型エピタキシャル層3を順次、エピタキシャル成長させ(図1)、例えば溶融KOHを用いてエッチングを行ってエッチピット5を形成する(図2)。エピタキシャル成長条件やエッチング条件は、実施の形態1と同様である。
2 p型エピタキシャル層
3 第1のn型エピタキシャル層
4 貫通刃状転位
5 エッチピット
7 第2のn型エピタキシャル層
8 空隙
12 n型層
Claims (7)
- 半導体基板の第1の主面に接してその上にp型エピタキシャル層を生成する第1のエピタキシャル成長工程と、
前記p型エピタキシャル層に接してその上に第1のn型エピタキシャル層を生成する第2のエピタキシャル成長工程と、
前記第1のn型エピタキシャル層にエッチング液を接触させ、前記第1のn型エピタキシャル層の結晶欠陥によって生じるエッチピットが前記p型エピタキシャル層に達するまで、前記第1のn型エピタキシャル層および前記p型エピタキシャル層をエッチングするエッチング工程と、
を含むことを特徴とする単結晶ウェハの製造方法。 - 前記第1のn型エピタキシャル層の、前記エッチング処理により露出した面に接してその上に第2のn型エピタキシャル層を生成する第3のエピタキシャル成長工程、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の単結晶ウェハの製造方法。 - 前記第3のエピタキシャル成長工程では、前記エッチピットの底部が前記p型エピタキシャル層中に空隙として残るように、前記第2のn型エピタキシャル層で前記エッチピットを埋めることを特徴とする請求項2に記載の単結晶ウェハの製造方法。
- 前記エッチング工程後、前記第3のエピタキシャル成長工程前に、前記第1のn型エピタキシャル層の、前記エッチング処理により露出した面から前記p型エピタキシャル層にn型不純物をイオン注入し、注入された前記n型不純物を活性化させて前記p型エピタキシャル層の導電型をn型に転換する転換工程、
をさらに含むことを特徴とする請求項2または3に記載の単結晶ウェハの製造方法。 - 前記第2のn型エピタキシャル層の表面を加工して平坦にすることを特徴とする請求項2〜4のいずれか一つに記載の単結晶ウェハの製造方法。
- 前記半導体基板および前記p型エピタキシャル層を研磨してなくすことを特徴とする請求項2〜5のいずれか一つに記載の単結晶ウェハの製造方法。
- 前記半導体基板は炭化珪素でできており、前記エッチング液は溶融KOHであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の単結晶ウェハの製造方法。
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