JP4823375B1

JP4823375B1 - 電子機器

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Publication number: JP4823375B1
Application number: JP2010122231A
Authority: JP
Inventors: 剛小材; 展大山本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2010-05-28
Filing date: 2010-05-28
Publication date: 2011-11-24
Anticipated expiration: 2030-05-28
Also published as: US20110291694A1; US8653848B2; JP2011250220A

Abstract

【課題】製造後に基板や電子部品等に不都合が生じるのを抑制しやすいテレビジョン装置、半導体パッケージ、および電子機器を得る。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる電子機器にあっては、電子部品が実装された基板と、前記基板の表面または内部に配置され、通電によって破断の発生を検出する破断検出機構の検出対象となる導体部と、前記導体部に設けられ、前記基板に応力が生じた際に前記導体部の他の部位よりも破断しやすい易破断部（破断予定部）と、を備えた。
【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、電子機器に関する。

従来、導通検査によって配線不良等の製造不良を検出することが可能なプリント基板が知られている。

特開２００７−３０５６７４号公報

この種のプリント基板では、製造後に作用した外力や、慣性力、熱等により、基板や電子部品等に不都合が生じる場合があった。

そこで、本発明の実施形態は、一例としては、製造後に基板や電子部品等に不都合が生じるのを抑制しやすい電子機器を得ることを目的の一つとする。

本発明の実施形態にかかる電子機器は、基板と、導体部と、易破断部と、を備える。基板には、電子部品が設けられる。導体部は、基板の表面または内部に位置され、通電による破断検出の対象となる。易破断部は、導体部の少なくとも一部に設けられ、基板に応力が生じた際に導体部の他の部位よりも破断しやすい。基板は、積層された複数の絶縁体層を含む。導体部は、基板の厚さ方向に隣接する絶縁体層のそれぞれを貫通し、かつ厚さ方向に重ねて配置された小導体部を含む。易破断部は、相互に隣接する小導体部の境界部分に形成された段差部分である。

図１は、第１実施形態にかかる電子機器としてのテレビジョン装置の正面図である。図２は、第１実施形態にかかるテレビジョン装置に含まれる基板の一部を模式的に示す断面図である。図３は、図２の基板の導体部に破断が生じた状態を示す断面図である。図４は、第１実施形態にかかるテレビジョン装置の破断検出機構の一例を示すブロック図である。図５は、第１実施形態の第１変形例にかかるテレビジョン装置に含まれる基板の一部を模式的に示す断面図である。図６は、図５の基板の導体部に破断が生じた状態を示す断面図である。図７は、第１実施形態の第２変形例にかかるテレビジョン装置に含まれる基板の一部を模式的に示す断面図である。図８は、図７の基板の導体部に破断が生じた状態を示す断面図である。図９は、第１実施形態の第３変形例にかかるテレビジョン装置に含まれる基板の一部を模式的に示す断面図である。図１０は、第１実施形態の第４変形例にかかるテレビジョン装置に含まれる基板の一部を模式的に示す断面図である。図１１は、第１実施形態の第５変形例にかかるテレビジョン装置に含まれる基板を模式的に示す斜視図である。図１２は、第１実施形態の第６変形例にかかるテレビジョン装置に含まれる基板の一部および半導体パッケージを模式的に示す側面図（一部断面図）である。図１３は、第２実施形態にかかる電子機器としてのパーソナルコンピュータの斜視図である。図１４は、第３実施形態にかかる電子機器としての磁気ディスク装置の斜視図である。

以下に示す複数の実施形態および変形例には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付すとともに、重複する説明を省略する。

＜第１実施形態＞
図１に示すように、本実施形態にかかる電子機器としてのテレビジョン装置１は、前方から見た正面視（前面に対する平面視）で、長方形状の外観を呈している。このテレビジョン装置１は、筐体２と、筐体２の前面２ａに設けられた開口部２ｂから前方に露出する表示画面３ａを有した表示装置（ディスプレイ）としてのディスプレイパネル３（例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等）と、電子部品（図示せず）等が実装された基板４と、を備えている。ディスプレイパネル３および基板４は、筐体２に、図示しないねじ等によって固定されている。

ディスプレイパネル３は、前後方向（図１の紙面に垂直な方向）に薄い扁平な直方体状に形成されている。ディスプレイパネル３は、基板４に実装された電子部品等で構成された制御回路に含まれる映像信号処理回路（いずれも図示せず）から映像信号を受け取り、その前面側の表示画面３ａに、静止画や動画等の映像を表示させる。テレビジョン装置１の制御回路は、映像信号処理回路の他、いずれも図示しないチューナ部や、ＨＤＭＩ（High-Definition Multimedia Interface）信号処理部、ＡＶ（Audio Video）入力端子、リモコン信号受信部、制御部、セレクタ、オンスクリーンディスプレイインタフェース、記憶部（例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等）、音声信号処理回路等を有している。基板４は、筐体２内のディスプレイパネル３の後方に収容されている。また、基板４には、後述する破断検出機構５を構成する回路の少なくとも一部を実装することができる。また、テレビジョン装置１は、音声出力用のアンプやスピーカ等（図示せず）も内蔵している。

図２に示すように、基板４の表面（裏面も含む）４ａおよび内部には、通電によって破断の発生を検出する破断検出機構５（図４参照）の検出対象としての導体部６が設けられている。すなわち、破断検出機構５は、例えば導体部６の一端部７ａと他端部７ｂとの間の導通状態を検出し、図３に示すような導体部６に生じた破断Ｃを、導通状態の変化として検出する。破断検出機構５は、例えば、導体部６の一端部７ａと他端部７ｂとの間を通電した際の電流値、あるいはその電流値に基づく抵抗値としての導通状態によって、破断Ｃの有無を検出する。具体的には、例えば、図４に示す制御部５ｂの異常判別部５ｃは、検出部５ａによって検出された電流値と記憶部５ｈに格納された電流値に対応する所定の閾値とを比較し、検出された電流値が所定の閾値と同じかあるいはより小さくなった場合（電流値が０の場合も含む）に、破断Ｃが生じたと判別することができる。また、異常判別部５ｃは、検出された電流値と印加された電圧値とに基づいて抵抗値算出部５ｄで算出された抵抗値と記憶部５ｈに格納された抵抗値に対応する所定の閾値とを比較し、算出された抵抗値が所定の閾値と同じかあるいはより大きくなった場合（抵抗値が無限大の場合も含む）に、破断Ｃが生じたと判別することもできる。また、異常制御処理部５ｅは、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や、ランプ、スピーカ、ブザー等の出力部を制御して、異常が生じた旨を報知することができる。あるいは、映像信号処理回路に異常が生じた旨を通知する信号を送信し、映像信号処理回路が、ディスプレイパネル３の表示画面３ａに、異常が生じた旨の映像（画像）を表示させることができる。あるいは、異常制御処理部５ｅは、電源切替回路に信号を送信し、当該電源切替回路が電源をオフすることができる。また、制御部５ｂの実施制御部５ｆは、上述した一連の破断検出、異常判別、および異常制御の処理を実施するタイミングを制御する。具体的には、例えば、上記一連の処理を、電子機器としてのテレビジョン装置１の電源が投入された後、システムの起動処理が完了する前に実行したり、所定の時間間隔（例えば１週間毎）や、所定の時刻、電源投入された所定回数毎等に実行したりすることができる。この場合、記憶部５ｈには、実施制御部５ｆの動作に関わる各種情報が記憶されており、実施制御部５ｆは、上記一連の処理の実施の可否を、記憶部５ｈに格納された情報を参照したり、時計部５ｇを参照したりして、判断することができる。なお、制御部５ｂは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等として構成することができ、記憶部５ｈは、不揮発性の記憶デバイス、例えば、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）や、ＮＶＲＡＭ（Non-Volatile RAM）等として構成することができる。

図２，３に示すように、導体部６は、基板４の表面４ａ上に形成された外層部６ａと、基板４に形成された孔としての貫通孔４ｂの内周面上に形成された導体層としての内周部６ｂと、を有し、これら外層部６ａおよび内周部６ｂが、電気的に接続されている。外層部６ａは、例えば、エッチング処理等によって形成することができる。内周部６ｂは、例えば、電解メッキ処理や無電解メッキ処理等によって形成することができる。

外力や、慣性力、熱等によって基板４に応力が生じた際、本実施形態では、図３に示すように、内周部６ｂが破断する（破断Ｃ）。内周部６ｂの破断強度は、内周部６ｂのスペック（厚みや、形状、材質等）により、適宜に設定することができる。よって、外力や、慣性力、熱等によって基板４に生じた応力が、電子部品や基板４等に不都合な影響を及ぼすレベルより低い所定の閾値レベルに到達したときに（超えたときに）、内周部６ｂを破断させ、破断検出機構５が破断Ｃを検出することで、電子部品や基板４等の保護性を高めることができる。ひいては、電子部品や基板４等の異常に起因した電子機器としてのテレビジョン装置１の異常な動作を未然に抑制することができる。また、記憶部等に記憶されたデータの保護性を高めることもできる。本実施形態では、内周部６ｂが、導体部６の他の部位（例えば外層部６ａ等）よりも破断しやすい（他の部位よりも先に破断する、導体部６中で最も先に破断する）易破断部８に相当する。この易破断部８としての内周部６ｂは、所定の閾値を超えた応力（過大応力）によって破断する破断予定部に相当する。

＜第１変形例＞
図５，６に示す第１変形例では、導体部６Ａは、外層部６ａと、基板４Ａの貫通孔４ｂの内周面上に例えば無電解メッキ処理によって形成された比較的薄い導体層としての内周部６ｂと、内周部６ｂの内側を埋める例えば導電性ペースト（導電性接着剤）からなる充填部６ｃと、を有している。本変形例では、この導体部６Ａが、破断検出機構５（図４参照）の検出対象となっている。すなわち、破断検出機構５は、例えば導体部６Ａの一端部７ａと他端部７ｂとの間の導通状態を検出し、図６に示すような導体部６Ａに生じた破断Ｃを、導通状態の変化として検出する。そして、この導体部６Ａでは、充填部６ｃのスペック（材質、大きさ等）によって、充填部６ｃの破断強度を適宜に設定することができる。すなわち、本変形例では、充填部６ｃの破断強度が、他の部位（外層部６ａおよび内周部６ｂ）に比べて低くなっており、充填部６ｃが易破断部（破断予定部）８Ａに相当する。本変形例でも、外力や、慣性力、熱等により基板４Ａに生じた応力が、電子部品や基板４Ａ等に不都合な影響を及ぼすレベルより低い所定の閾値レベルに到達したときに、易破断部８Ａを破断させ、破断検出機構５で破断Ｃを検出することで、電子部品や基板４Ａ等の保護性を高めることができる。

＜第２変形例＞
図７，８に示す第２変形例では、基板４Ｂは、積層された複数の絶縁体層４ｃを含むビルドアップ基板（多層基板）として構成されている。各絶縁体層４ｃには、孔としての貫通孔４ｄが形成されている。そして、絶縁体層４ｃの厚さ方向に重なり合った複数の貫通孔４ｄによって、一つの貫通孔４ｂが形成されている。貫通孔４ｂ内に、例えば電解メッキ処理や無電解メッキ処理等によって充填部６ｄが形成される。すなわち、本実施形態では、導体部６Ｂは、外層部６ａと充填部６ｄとを含む。そして、本変形例では、この導体部６Ｂが、破断検出機構５（図４参照）の検出対象となっている。すなわち、破断検出機構５は、例えば導体部６Ｂの一端部７ａと他端部７ｂとの間の導通状態を検出し、図８に示すような導体部６Ｂに生じた破断Ｃを、導通状態の変化として検出する。ここで、充填部６ｄは、各絶縁体層４ｃの貫通孔４ｄ内に形成された小導体部６ｅが重なり合って形成されている。このとき、相互に隣接する小導体部６ｅの直径が異なっているため、相互に隣接する二つの小導体部６ｅ，６ｅの境界部分に、段差部分（くびれ部分）が形成されている。よって、基板４Ｂに作用した外力や、慣性力、熱等によって、この境界部分（段差部分）に応力集中が生じ、当該境界部分が破断Ｃの起点となる。すなわち、本変形例では、相互に隣接する二つの小導体部６ｅ，６ｅの境界部分（段差部分）が、易破断部（破断予定部）８Ｂに相当する。本変形例でも、外力や、慣性力、熱等により基板４に生じた応力が、電子部品や基板４Ｂ等に不都合な影響が及ぶレベルより低い所定の閾値レベルに到達したときに、易破断部８Ｂを破断させ、破断検出機構５で破断Ｃを検出することで、電子部品や基板４Ｂの保護性を高めることができる。そして、段差部分（くびれ部分）を特定箇所に設けることで、基板４Ｂ内で易破断部８Ｂの位置を調整することができる。

＜第３変形例＞
図９に示す第３変形例でも、基板４Ｃは、上記第２変形例にかかる基板４Ｂと同様に、積層された複数の絶縁体層４ｃを含むビルドアップ基板として構成されている。基板４Ｃは、基板４Ｂと同様の製造方法で製造することができる。ただし、本変形例にかかる導体部６Ｃでは、相互に隣接する二つの小導体部６ｅ，６ｅが相互にずれた状態で厚さ方向に重ねて配置されており、これら二つの小導体部６ｅ，６ｅの境界部分に、上記第２変形例よりも断面積の変化が大きい段差部分（くびれ部分）が設けられている。よって、基板４Ｃに作用した外力や、慣性力、熱等によって、この境界部分（段差部分）に応力集中がより一層生じやすくなり、当該境界部分が破断Ｃの起点となりやすくなる。すなわち、本変形例では、相互に隣接する二つの小導体部６ｅ，６ｅの境界部分（段差部分）が、易破断部（破断予定部）８Ｃに相当する。本変形例でも、外力や、慣性力、熱等が、電子部品や基板４Ｃ等に不都合な影響が及ぶレベルより低い所定の閾値レベルに到達したときに、易破断部８Ｃを破断させ、破断検出機構５で破断Ｃを検出することで、電子部品や基板４Ｃの保護性を高めることができる。そして、本変形例によれば、境界部分を上記第２変形例に比べてさらに細くすることができ、易破断部８Ｃをより容易に設けることができるとともに、破断強度をより低く設定しやすくなる。なお、図９の例では、すべての小導体部６ｅをずらしたが、ずらす箇所を減らして易破断部８Ｃの数を減らしたり、特定箇所で小導体部６ｅをずらすことにより基板４Ｃ内で易破断部８Ｃの位置を調整したりすることができる。

＜第４変形例＞
図１０に示す第４変形例でも、基板４Ｄは、上記第２変形例にかかる基板４Ｂや上記第３変形例にかかる基板４Ｃ等と同様に、積層された複数の絶縁体層４ｃを含むビルドアップ基板として構成されている。ただし、本変形例では、充填部６ｄではなく、貫通孔４ｂの内周面上に、二つの内周部６ｆ，６ｇが形成されている。内周部６ｆは、貫通孔４ｂの内周面上に、例えば無電解メッキ処理によって形成され、内周部６ｇは、内周部６ｆの内周面上に、例えば電解メッキ処理によって形成されている。また、本変形例では、一部の絶縁体層４ｃの表面上に、導体部６Ｄの一部となる内層部６ｈが形成されている。そして、本変形例では、この導体部６Ｄが、破断検出機構５（図４参照）の検出対象となっている。すなわち、破断検出機構５は、例えば導体部６Ｄの一端部７ａとしての一つの内層部６ｈと他端部７ｂとしての別の内層部６ｈとの間の導通状態を検出し、図１０に示すような導体部６Ｄに生じた破断を、導通状態の変化として検出する。そして、本変形例では、内周部６ｇと内層部６ｈとの間の境界部分が、易破断部（破断予定部）８Ｄとなる。すなわち、内周部６ｇと内層部６ｈとの間の境界部分での接合強度が比較的低いため、基板４Ｄに応力が生じた際には、内周部６ｇと内層部６ｈとの間の境界部分が離間しやすくなる。本変形例でも、外力や、慣性力、熱等により基板４に生じた応力が、電子部品や基板４Ｄ等に不都合な影響が及ぶレベルより低い所定の閾値レベルに到達したときに、易破断部８Ｄを破断させ、破断検出機構５で破断を検出することで、電子部品や基板４Ｄの保護性を高めることができる。なお、本変形例では、二つの内周部６ｆ，６ｇが設けられたが、無電解メッキ処理による内周部６ｆのみを設けてもよいし、その他の構成としてもよい。

さらに、第４変形例の構成では、内周部６ｆ，６ｇに接続される内層部６ｈを形成する位置により、基板４Ｄの厚さ方向における易破断部８Ｄの位置を可変設定することができる。例えば、内層部６ｈが、基板４Ｄの表面４ａの近傍に設けられた場合には、易破断部８Ｄの位置が基板４Ｄの表面４ａの近傍、すなわち、基板４Ｄの厚さ方向の端部に位置する。また、例えば、内層部６ｈが、基板４Ｄの厚さ方向の中間部に設けられた場合には、易破断部８Ｄの位置が基板４Ｄの厚さ方向の端部に位置する。基板４Ｄの厚さ方向の中間部では、熱応力が大きくなりやすい。したがって、熱応力等による影響が大きい場合には、易破断部８Ｄを厚さ方向の中間部に配置するのが望ましい。また、基板４Ｄの厚さ方向の端部（すなわち、表面４ａの近傍）では、外力による応力が大きくなりやすい。したがって、外力等による影響が大きい場合には、易破断部８Ｄを厚さ方向の端部に配置するのが望ましい。なお、基板４Ｄの厚さ方向における易破断部の位置は、上記第２変形例や第２変形例の構成でも適宜に調整することができる。

＜第５変形例＞
図１１に示す第５変形例では、基板４Ｅの表面４ａ上には、電子部品９として、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）コネクタ９Ａや、ＢＧＡ（Ball Grid Array）９Ｂ、電源コネクタ９Ｃ等が実装されている。そして、破断検出機構５（図４参照）の検出対象としての導体部６Ｅが、これら電子部品９の端子（図示せず）がはんだ付けによって接合されるパッド部６ｉに隣接して設けられている。よって、本変形例によれば、易破断部（破断予定部）８Ｅを含む導体部６Ｅの破断を検出することにより、基板４Ｅに作用した外力や、慣性力、熱等による影響が、電子部品９の端子が基板４Ｅに接合される部分や、電子部品９等に及ぶのを、より確実に、あるいはより効率よく、抑制しやすくなる。なお、図１１には、易破断部８Ｅを含む導体部６Ｅの構成の詳細が示されていない。本変形例にかかる易破断部８Ｅならびに導体部６Ｅは、第１実施形態や他の変形例と同様に構成することができる。また、本変形例では、易破断部８Ｅが、外力が入力されやすいＵＳＢコネクタ９Ａや電源コネクタ９Ｃに対応付けて設けられている。したがって、外力によって電子部品９や基板４Ｅ等に不都合な影響が及ぶのを、より確実に、あるいはより効率よく、抑制しやすくなる。

＜第６変形例＞
図１２に示す第６変形例では、破断検出機構５（図４参照）の検出対象としての導体部６Ｆが、電子部品９としてのＢＧＡ９Ｂ（半導体パッケージの一例）の端子９ａに対向して配置されている。よって、本変形例によれば、導体部６Ｆの破断を検出することにより、基板４Ｆに作用した外力や、慣性力、熱等による影響が、電子部品９の端子が基板４Ｆに接合される部分やＢＧＡ９Ｂ等に及ぶのを、より確実に、あるいはより効率よく、抑制しやすくなる。なお、導体部６Ｆは、第２変形例にかかる導体部６Ｂと同様の構成であり、易破断部８Ｂと同様の易破断部（破断予定部）８Ｆを含む。

さらに、本変形例では、導体部６Ｂは、電子部品９の端部９ｆに対向して配置されている。基板４Ｆあるいは電子部品９が変形する場合、基板４Ｆと電子部品９との接合部分に作用する力は、撓み量が大きくなる分、電子部品９の中間部よりも端部９ｆ（周縁部）で大きくなりやすい。よって、本変形例によれば、破断検出機構５の検出対象としての導体部６Ｆを、電子部品９の端部９ｆに対向して配置することで、基板４Ｆに作用した外力や、慣性力、熱等による影響が、電子部品９の端子が基板４Ｆに接合される部分やＢＧＡ９Ｂ等に及ぶのを、より一層抑制しやすくなる。

ところで、本変形例にかかる半導体パッケージとしてのＢＧＡ９Ｂは、はんだ９ｈを介して基板４Ｆ上に実装されたサブストレート９ｂと、サブストレート９ｂ上に実装されたダイ９ｃと、ダイ９ｃ上に接合剤９ｄを介して装着された放熱部材９ｅと、を有している。そして、本変形例では、ＢＧＡ９Ｂのサブストレート９ｂに、破断検出機構５（図４参照）の検出対象として上記第１実施形態の導体部６と同様の構成の導体部６Ｇが設けられ、この導体部６Ｇに、上記第１実施形態の易破断部８と同様の構成の易破断部（破断予定部）８Ｇが設けられている。よって、本変形例によれば、外力や、慣性力、熱等により半導体パッケージとしてのＢＧＡ９Ｂのサブストレート９ｂに生じた応力が、ダイ９ｃやサブストレート９ｂ等に不都合な影響が及ぶレベルより低い所定の閾値レベルに到達したときに、易破断部８Ｇを破断させ、破断検出機構５で破断検出することで、ダイ９ｃやサブストレート９ｂの保護性を高めることができる。なお、サブストレート９ｂには、他の変形例にかかる導体部や易破断部と同様の構成を実装することも可能である。

＜第２実施形態＞
図１３に示すように、本実施形態にかかる電子機器は、所謂ノート型のパーソナルコンピュータ１０として構成されており、矩形状の扁平な第一の本体部１２と、矩形状の扁平な第二の本体部１３と、を備えている。これら第一の本体部１２および第二の本体部１３は、ヒンジ機構１４を介して、回動軸Ａｘ回りに図１３に示す展開状態と図示しない折り畳み状態との間で相対回動可能に、接続されている。

第一の本体部１２には、筐体１２ａの外面としての前面１２ｂ側に露出する状態で、入力操作部としてのキーボード１５や、ポインティングデバイス１６、クリックボタン１７等が設けられている。一方、第二の本体部１３には、筐体１３ａの外面としての前面１３ｂ側に露出する状態で、表示装置（部品）としてのディスプレイパネル１８が設けられている。ディスプレイパネル１８は、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）として構成される。そして、パーソナルコンピュータ１０の展開状態では、キーボード１５や、ポインティングデバイス１６、クリックボタン１７、ディスプレイパネル１８の表示画面１８ａ等が露出して、ユーザが使用可能な状態となる。一方、折り畳み状態では、前面１２ｂ，１３ｂ同士が相互に近接した状態で対向して、キーボード１５や、ポインティングデバイス１６、クリックボタン１７、ディスプレイパネル１８等が、筐体１２ａ，１３ａによって隠された状態となる。なお、図１３では、キーボード１５のキー１５ａは一部のみ図示されている。

そして、第１実施形態または第１〜第６変形例で示した基板４，４Ａ〜４Ｆと同様の基板１１が、第一の本体部１２の筐体１２ａまたは第二の本体部１３の筐体１３ａ内に（本実施形態では、筐体１２ａ内のみに）収容されている。

ディスプレイパネル１８は、基板１１に実装された電子部品等で構成された制御回路（いずれも図示せず）から表示信号を受け取り、静止画や動画等の映像を表示する。また、パーソナルコンピュータ１０の制御回路は、制御部、記憶部（例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等）、インタフェース回路、各種コントローラ等を有している。また、基板１１には、図４に示した破断検出機構５を構成する回路の少なくとも一部を実装することができる。また、パーソナルコンピュータ１０は、音声出力用のスピーカ等（図示せず）も内蔵している。

そして、基板１１には、上記第１実施形態または第１〜第６変形例で示した導体部６，６Ａ〜６Ｇや易破断部８，８Ａ〜８Ｇと同様の導体部ならびに易破断部（破断予定部）が設けられ、破断検出機構５によって、上述した一連の破断検出、異常判別、および異常制御の処理が実施される。したがって、本実施形態にかかるパーソナルコンピュータ１０にあっても、上記第１実施形態ならびに上記第１〜第６変形例によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。

＜第３実施形態＞
図１４に示すように、本実施形態にかかる電子機器は、磁気ディスク装置２０として構成されている。磁気ディスク装置２０は、磁気ディスク（図示せず）等の部品を収容する扁平な直方体状の筐体２１と、筐体２１にねじ２２等の締結具によって取り付けられた基板（プリント基板）２３と、を有している。

また、基板２３は、筐体２１の上壁部２１ａ上に配置されている。基板２３と上壁部２１ａとの間には、フィルム状の絶縁シート（図示せず）が挟まれている。そして、本実施形態では、基板２３の図１４の視線での裏面、すなわち上壁部２１ａに対向する基板２３の裏面（図示せず）が、複数の電子部品等が実装される実装面となっている。基板２３の表面および裏面には、配線パターン（図示せず）が設けられている。なお、もちろん、基板２３の表面にも電子部品を実装することができる。

そして、本実施形態でも、基板２３に、上記第１実施形態や第１〜第６変形例等で示した導体部６，６Ａ〜６Ｇや易破断部８，８Ａ〜８Ｇと同様の導体部ならびに易破断部（破断予定部）が設けられ、破断検出機構５によって、上述した一連の破断検出、異常判別、および異常制御の処理が実施される。したがって、本実施形態にかかる電子機器としての磁気ディスク装置２０にあっても、上記第１実施形態ならびに上記第１〜第６変形例によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、テレビジョン装置や、ノート型のパーソナルコンピュータ、磁気ディスク装置等以外の、基板を有する電子機器として実施することができる。また、基板や、電子部品、破断検出機構、導体部、易破断部、破断予定部、導体層、絶縁体層、小導体部、境界部分、段差部分、貫通部、内層、パッド部、半導体パッケージ、サブストレート、ダイ等のスペック（構造や、形状、大きさ、深さ、厚さ、断面積、重量、数、材質、配置、位置等）は、適宜に変更して実施することができる。

また、基板に設けられる孔は、貫通孔（スルーホールビア）以外の、ブラインドビアや、ベリッドビア等であってもよい。また、導体部に繋がる内層の位置や数も適宜に変更することができる。

また、導体部には、凹部や、溝、切欠、孔、断面積の急変部分、形状の急変部分等を形成することで易破断部（破断予定部）を構成し、易破断部に対する応力集中効果を高めることができる。これにより、導体部を易破断部でより確実に破断させることができる。

また、破断検出機構による検出対象としての導体部は、破断検出専用の導体部として構成してもよいし、他の機能回路の一部として構成してもよい。また、破断検出機構によって、製造時の不良等も検出できることは、もちろんである。

また、導体部は、電子部品に設けられたピンを挿入するスルーホールの導体層として構成することができる。この場合、ピンとしては、信号ピンや、補強ピンとすることができる。また、電子部品は、はんだ実装させるものには限定されず、ねじ止め等、他の接合方式によって基板に接合されることができる。また、導体部は、グラウンド接続してもよい。

また、プログラムにしたがったＣＰＵ等の制御部の動作によって、破断検出機構を上述したように動作させることが可能である。その場合、制御部は、ＲＡＭ等に読み込まれたプログラムを実行することで、破断検出機構として動作する。プログラムには、上述した検出部や、制御部、異常判別部、抵抗値算出部、異常制御処理部、実施制御部等に対応するモジュールが含まれる。プログラムは、ＣＤ−ＲＯＭ等の記憶媒体からハードディスクドライブ等の不揮発性の記憶媒体にインストールされうる。

上記実施形態や変形例によれば、製造後に基板や電子部品等に不都合が生じるのを抑制しやすいテレビジョン装置、半導体パッケージ、および電子機器を得ることができる。

１…テレビジョン装置（電子機器）、４，４Ａ〜４Ｆ…基板、４ａ…表面、４ｃ…絶縁体層、４ｄ…貫通孔（孔）、５…破断検出機構、６，６Ａ〜６Ｇ…導体部、６ｃ，６ｄ…充填部（貫通部）、６ｅ…小導体部、６ｈ…内層部、６ｉ…パッド部、８，８Ａ〜８Ｇ…易破断部（破断予定部）、８Ｂ，８Ｃ，８Ｆ…易破断部（段差部分，境界部分）、８Ｄ…易破断部（境界部分）、９…電子部品、９Ａ…コネクタ（電子部品）、９Ｂ…ＢＧＡ（半導体パッケージ、電子部品）、９Ｃ…電源コネクタ（電子部品）、９ｂ…サブストレート、９ｃ…ダイ、９ｆ…端部、１０…パーソナルコンピュータ（電子機器）、２０…磁気ディスク装置（電子機器）。

Claims

電子部品が設けられた基板と、
前記基板の表面または内部に位置され、通電による破断検出の対象となる導体部と、
前記導体部の少なくとも一部に設けられ、前記基板に応力が生じた際に前記導体部の他の部位よりも破断しやすい易破断部と、
を備え、
前記基板が、積層された複数の絶縁体層を含み、
前記導体部が、前記基板の厚さ方向に隣接する前記絶縁体層のそれぞれを貫通し、かつ前記厚さ方向に重ねて配置された小導体部を含み、
前記易破断部が、相互に隣接する前記小導体部の境界部分に形成された段差部分である、電子機器。
電子部品が設けられた基板と、
前記基板の表面または内部に位置され、通電による破断検出の対象となる導体部と、
前記導体部の少なくとも一部に設けられ、前記基板に応力が生じた際に前記導体部の他の部位よりも破断しやすい易破断部と、
を備え、
前記基板が、積層された複数の絶縁体層を含み、
前記導体部が、前記基板の厚さ方向に隣接する前記絶縁体層のそれぞれを貫通し、かつ相互にずれた状態で前記厚さ方向に重ねて配置された小導体部を含み、
前記易破断部が、相互に隣接する前記小導体部の境界部分である、電子機器。
電子部品が設けられた基板と、
前記基板の表面または内部に位置され、通電による破断検出の対象となる導体部と、
前記導体部の少なくとも一部に設けられ、前記基板に応力が生じた際に前記導体部の他の部位よりも破断しやすい易破断部と、
を備え、
前記基板が、積層された複数の絶縁体層を含み、
前記導体部が、前記絶縁体層を厚さ方向に少なくとも部分的に貫通する貫通部と、前記絶縁体層の表面に沿って形成され前記貫通部に通電により接続された内層部と、を含み、
前記易破断部が、前記貫通部と前記内層部との境界部分である、電子機器。
前記易破断部が、前記基板の厚さ方向の中間部に設けられた、請求項１〜３のうちいずれか一つに記載の電子機器。
前記易破断部が、前記基板の厚さ方向の端部に設けられた、請求項１〜４のうちいずれか一つに記載の電子機器。
前記導体部が、前記電子部品の端子が接合されるパッド部に隣接して位置された、請求項１〜５のうちいずれか一つに記載の電子機器。
前記導体部が、前記電子部品の端部に対向して位置された、請求項１〜６のうちいずれか一つに記載の電子機器。