JP4823330B2 - 光導波路型バイオケミカルセンサチップ及びその測定対象物の測定方法 - Google Patents
光導波路型バイオケミカルセンサチップ及びその測定対象物の測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4823330B2 JP4823330B2 JP2009087629A JP2009087629A JP4823330B2 JP 4823330 B2 JP4823330 B2 JP 4823330B2 JP 2009087629 A JP2009087629 A JP 2009087629A JP 2009087629 A JP2009087629 A JP 2009087629A JP 4823330 B2 JP4823330 B2 JP 4823330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- waveguide layer
- light
- sensor chip
- sensing film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
の界面で反射させる光導波路センサが提案されている。
R={cI(1−α(0))n−cI(1−α(T))n}/{cI(1−α(0))n+β}
の関係式で表され、前記Rの値は0.009以上であることを特徴とする光導波路型バイオケミカルセンサチップが提供される。
R={cI(1−α(0))n−cI(1−α(T))n}/{cI(1−α(0))n+β}
の関係式で表され、前記Rの値は0.009以上であるように構成された光導波路型バイオケミカルセンサチップにおいて、光を入射させて、前記光導波路層を伝播させ、前記光導波路層から出射した光を受光し、前記センシング膜が前記測定対象物と反応していない状態で受光した光に対する光の低下率に基づいて、測定対象物の量を測定することを特徴とする測定対象物の測定方法が提供される。
図1は、第1実施形態に係る光導波路型バイオケミカルセンサチップを示す断面図である。
間を結ぶ線分上の保護膜4に挟まれた領域に位置し、前記光導波路層3表面に密着するよ
うに隣接して形成されている。
所定濃度の検体に応じて、所定濃度の反応産物を生成する膜である。反応産物は光導波路
型バイオケミカルセンサチップ内を導波する光、もしくはこの光から生じるエバネッセン
ト波と作用してエネルギーを消費する性質を有し、吸収したり、蛍光を発したりする。
抗体反応により結合する標識された抗体や、標識に反応して反応産物を生成する試薬、標
識と試薬の反応を促進する触媒などが、薬品の種類に応じて適宜組み合わされ、多孔質組
織内の空孔に個別に納められている。検体溶液の溶媒が膜組織を破壊してこれらのセンシ
ング膜構成物質を移動自在に開放し、検体との反応を促す。
コースの酸化酵素または還元酵素、この酵素による生成物と反応して発色剤を発色させる
物質を発生する試薬、発色剤、膜形成高分子樹脂、必要に応じてポリエチレングリコール
のような透水性促進剤を含む。このグルコースセンシング膜中の酸化酵素、試薬および発
色剤は、例えば下記表1に示す組み合わせで用いられる。
前記グルコースセンシング膜中の発色剤としては、水への溶解度が低く、生体への有害性が極めて低い3,3',5,5'−テトラメチルベンジジン(TMBZ)を用いることが望ましい。
この状態で、図1に示すように光源(例えばレーザダイオード)6および受光素子(例えばフォトダイオード)7をそれぞれバイオケミカルセンサチップの基板1の裏面左側および右側にそれぞれ配置し、前記レーザダイオード6からレーザ光を前記バイオケミカルセンサチップの基板1裏面側に入射すると、そのレーザ光は基板1を通してグレーティング2と光導波路層3の界面で屈折され、さらに光導波路層3と基板1およびセンシング膜5の界面で複数回屈折しながら伝播する。この際、光導波路層3で伝播する光のエバネッセント波はセンシング膜5の界面での屈折時にそのセンシング膜5おける前記検体中の生体分子のバイオケミカル反応に基づく変化(例えば吸光度変化)に応じて吸収される。
前記光導波路層3を伝播した光は、右側のグレーティング2から基板1の裏面から出射され、フォトダイオード7で受光される。受光したレーザ光強度は、センシング膜5が生体分子とバイオケミカル反応をなさない時に受光した光強度(初期光強度)に比べて低下した値になり、その低下率から生体分子の量を検出することが可能になる。
図3は、本実施例における出力信号強度Iの光導波路層膜厚依存性の一例を示す。ここで、Iact、Icalcはそれぞれ出力信号強度の実測値および計算値を表している。図3から明らかなように、光導波路層膜厚が小さいほど出射光強度が低下する。
図4は、本実施例における出力信号低下率Rの光導波路層膜厚依存性の一例を示す。ここで、Ract、Rcalcは、それぞれ出力信号低下率の実測値および計算値である。出力信号低下率Rは、光導波路層膜厚が薄いほど、すなわち光導波路層内における反射回数が多いほど高まる訳ではなく、初期信号強度(I(0))の低下とオフセット成分の存在によって、光導波路層膜厚に対して最大値を取るものであることが分かる。
このように光導波路層の厚さに起因する二律背反する光強度の減衰の抑制および検出感度の向上を3〜300μmの厚さに規定することによって達成することが可能になる。
また、本実施形態ではグレーティングへの傷や汚染などによる光の散乱に起因する減衰を防止するために、グレーティングは基板表面に形成され、その上が光導波路層で覆われており、更にその光導波路層の上面が光導波路層より低屈折率な樹脂でコートされている。
サブミクロンサイズのグレーティング構造を高精度に形成する方法としてはリソグラフィ技術とドライエッチング技術を用いるのが一般的であるが、ガラスや金属酸化物のエッチング速度は決して高くなく、100nmの深さまで加工するために数分を要する場合もある。そのため、例えば1μmの深さに加工しようとすると、結果的に高コストとなる問題がある。
4)式となる屈折率n2を有する材料で格子形状をパターニングし、カプラやデカプラを形成することが現実的である。
光導波路層においては、減衰率を低減するために光導波路層の長さ(グレーティング間の部分の長さ)Lを小さくすることが好ましい。ただし、レーザ光のスポット径が0.5〜1.0mm程度であることから扱い易さや位置あわせマージンを考慮して3mm以上、より好ましくは5〜20mmにすることが望ましい。
但し、n1:コア層の屈折率、n2:クラッド層の屈折率、である。
前記光導波路層は、表面にヒドロキシ基、アルデヒド基、カルボキシ基のような親水性官能基を有することが好ましい。このような親水性官能基を有する光導波路層は、その表面に前記センシング膜が良好に密着される。
すべてのグレーティング12は同じ線長で等ピッチに形成される。このグレーティング12に対して外部から光を入射させればグレーティングはカプラとして機能するし、光導波路層内を伝播した光がグレーティング12に入射すれば、グレーティングはデカプラとして機能する。
図6は、この第2実施形態に係る光導波路型バイオケミカルセンサチップを示す断面図である。
生体分子認識機能および情報変換機能を有するセンシング膜15は、前記保護膜14間に位置する前記光導波路層13部分の上に形成されている。
で洗浄した。
次いで、保護膜14間に位置する前記光導波路層13表面に、表1の成分の成膜用塗布液を滴下・乾燥して、保護膜が形成されていないグレーティング間に位置する領域に、図7(e)に示すようにセンシング膜15を形成する。
屈折率1.52の無アルカリガラス基板の主面に屈折率2.2〜2.4の酸化チタンをスパッタリングして厚さ50nmの酸化チタン膜を成膜し、この酸化チタン膜をリソグラフィーとドライエッチング(RIE)により選択的に除去してグレーティングを形成した。つづいて、グレーティングを含むガラス基板の主面に熱硬化性樹脂溶液をスピンコータで塗付し、焼成することにより厚さが25〜35μm、屈折率が1.57の光導波路層を形成した。つづいて、グレーティングに対応する前記光導波路層表面部分にフッ素系樹脂をスクリーン印刷し、乾燥して保護膜を形成した。
・リン酸緩衝液 : 0.000525 mol/L
・ポリエチレングリコール(PEG): 0.15 Wt%
・3,3’、5,5’−テトラメチルベンジジン(TMBZ):0.15 mg/dL
・カルボキシメチルセルロース(CMC): 0.32 wt%
・ペルオキシターゼ(POD): 0.0015 mg/dL
・グルコースオキシダーゼ(GOD): 0.012 mg/dL
図1に示すようにレーザダイオード6およびフォトダイオード7をそれぞれバイオケミカルグルコースセンサの基板1の裏面左側および右側にそれぞれ配置し、レーザダイオード6から波長655nmのレーザ光を左側のグレーティング2に入射し、そのレーザ光を光導波路層3を伝播させ、右側のグレーティング2から出射し、その光の強度をフォトダイオード7で測定しつつ、所定量のグルコース水溶液をセンシング膜5に滴下した。グルコース溶液の滴下終了後から所定時間のレーザ光強度の低下率(感度)をグルコース濃度に対してプロットした結果を図8に示す。
4,14…保護膜、5,15…センシング膜、6…レーザダイオード、
7…フォトダイオード、16…高分子樹脂層。
Claims (12)
- 高分子樹脂材料からなる光導波路層と、
前記光導波路層に光を入射させるカプラと、
前記光導波路層を伝播した光を出射させるデカプラと、
前記光導波路層の上に設けられ、検体を作用させると前記光もしくは前記光のエバネッセント波に対して吸収性を有する反応産物を生成するセンシング膜と、
を備え、
前記光導波路層の厚さをt、前記カプラと前記デカプラとの間の前記光導波路層の長さをL、外部からの入射光の強度をI、前記光導波路層を伝播する光の強度の前記入射光の強度に対する割合をc、前記光導波路層を伝播する光の前記光導波路層の表面における反射角をθ、前記光導波路層を伝播する光の反射回数nをL/(t×tanθ)、前記光導波路層を伝播せずに検出された光の強度をβ、前記検体が前記センシング膜に作用した時間をTとし、前記センシング膜に前記検体を作用させていない状態で、前記光導波路層を伝播する光の1回の反射あたりの平均減衰率をα(T=0)、前記センシング膜に前記検体を作用させてからの時間T後の前記光導波路層を伝播する光の1回の反射あたりの平均減衰率をα(T)、前記検体を作用させてからの時間T後の出力信号の低下率をRとしたときに、
これらより、前記Rは、
R={cI(1−α(0))n−cI(1−α(T))n}/{cI(1−α(0))n+β}
の関係式で表され、前記Rの値は0.009以上であることを特徴とする光導波路型バイオケミカルセンサチップ。 - 透光性を有し前記高分子樹脂材料よりも屈折率が低い材料で成形された基板をさらに備え、
前記光導波路層は、前記基板の上に設けられたことを特徴とする請求項1記載の光導波路型バイオケミカルセンサチップ。 - 前記光導波路層の厚さは、3μm以上300μm以下であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の光導波路型バイオケミカルセンサチップ。
- 前記光導波路層の厚さは、3μm以上50μm以下であることを特徴とする請求項3記載の光導波路型バイオケミカルセンサチップ。
- 前記カプラもしくは前記デカプラは、前記光導波路層の屈折率より0.3以上高屈折率の材料で形成されたグレーティングで形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の光導波路型バイオケミカルセンサチップ。
- 前記光導波路層は、厚さが前記光の波長の5倍以上であり、前記光をマルチモードで導波させることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の光導波路型バイオケミカルセンサチップ。
- 前記光は、発散光または収束光であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の光導波路型バイオケミカルセンサチップ。
- 前記光導波路層と同材質で同じ厚さの高分子樹脂層が、前記基板の他方の主面にさらに形成されていることを特徴とする請求項2記載の光導波路型バイオケミカルセンサチップ。
- 前記光導波路層表面に対し、前記光導波路層より低屈折率の材料からなる保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の光導波路型バイオケミカルセンサチップ。
- 前記センシング膜を囲むように開口する前記光導波路層より低屈折率の材料からなる枠構造膜が前記光導波路層表面に形成されたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の光導波路型バイオケミカルセンサチップ。
- 前記センシング膜が、3,3’,5,5’−テトラメチルベンジジン(TMBZ)を具備することを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載のバイオケミカルセンサチップ。
- 高分子樹脂材料からなる光導波路層と、
前記光導波路層に光を入射させるカプラと、
前記光導波路層を伝播した光を出射させるデカプラと、
前記光導波路層の上に設けられ、測定対象物を含む検体を作用させると、前記光もしくは前記光のエバネッセント波に対して吸収性を有する反応産物を生成するセンシング膜と、
を備え、
前記光導波路層の厚さをt、前記カプラと前記デカプラとの間の前記光導波路層の長さをL、外部からの入射光の強度をI、前記光導波路層を伝播する光の強度の前記入射光の強度に対する割合をc、前記光導波路層を伝播する光の反射回数nをL/(t×tanθ)、前記光導波路層を伝播せずに検出された光の強度をβ、前記光導波路層を伝播する光の前記光導波路層の表面における反射角をθ、前記センシング膜上に接触させてから、前記検体が前記センシング膜に作用した時間をTとし、前記センシング膜に前記検体を作用させていない状態において、前記光導波路層を伝播する光の1回の反射あたりの平均減衰率をα(T=0)、前記センシング膜に前記検体を作用させてからの時間T後の前記光導波路層を伝播する光の1回の反射あたりの平均減衰率をα(T)、前記検体を作用させてからの時間T後の出力信号の低下率をRとしたときに、
これらより、前記Rは、
R={cI(1−α(0))n−cI(1−α(T))n}/{cI(1−α(0))n+β}
の関係式で表され、前記Rの値は0.009以上であるように構成された光導波路型バイオケミカルセンサチップにおいて、
光を入射させて、前記光導波路層を伝播させ、前記光導波路層から出射した光を受光し、前記センシング膜が前記測定対象物と反応していない状態で受光した光に対する光の低下率に基づいて、測定対象物の量を測定することを特徴とする測定対象物の測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009087629A JP4823330B2 (ja) | 2004-12-27 | 2009-03-31 | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ及びその測定対象物の測定方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004377006 | 2004-12-27 | ||
JP2004377006 | 2004-12-27 | ||
JP2009087629A JP4823330B2 (ja) | 2004-12-27 | 2009-03-31 | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ及びその測定対象物の測定方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005285586A Division JP4673714B2 (ja) | 2004-12-27 | 2005-09-29 | 光導波路型バイオケミカルセンサチップおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009150908A JP2009150908A (ja) | 2009-07-09 |
JP4823330B2 true JP4823330B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=40920139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009087629A Expired - Fee Related JP4823330B2 (ja) | 2004-12-27 | 2009-03-31 | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ及びその測定対象物の測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4823330B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5777277B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2015-09-09 | 株式会社東芝 | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ |
JP5728419B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2015-06-03 | 株式会社東芝 | センサチップ、測定装置、および測定方法 |
JP2014194435A (ja) * | 2014-07-01 | 2014-10-09 | Toshiba Corp | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ |
CN115826316A (zh) | 2016-09-29 | 2023-03-21 | 松下知识产权经营株式会社 | 光设备及光检测系统 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03236199A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電磁力支持カラー |
JP2924707B2 (ja) * | 1995-04-13 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 光導波路型蛍光免疫センサとその製造方法 |
JP3236199B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2001-12-10 | 日本電気株式会社 | 平面光導波路型バイオケミカルセンサ |
JP3041408B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2000-05-15 | 工業技術院長 | 光学顕微鏡試料載置用基板、光学顕微鏡及びそれを用いた試料照明による観察方法 |
JPH10247751A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Technova:Kk | 加熱報知装置 |
JP3836394B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2006-10-25 | 株式会社東芝 | 光導波路型免疫センサ及び光導波路型免疫測定方法 |
JP3968425B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2007-08-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光導波路への光導入方法及びそれを用いた光導波路分光測定装置 |
JP2004212188A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toshiba Corp | 光導波路型グルコースセンサ及び発色試薬膜固定化方法 |
JP4076902B2 (ja) * | 2003-05-06 | 2008-04-16 | 株式会社東芝 | 光学式バイオセンサ |
JP2004361256A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Aisin Seiki Co Ltd | 表面プラズモン共鳴センサー及び表面プラズモン共鳴測定装置 |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009087629A patent/JP4823330B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009150908A (ja) | 2009-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4673714B2 (ja) | 光導波路型バイオケミカルセンサチップおよびその製造方法 | |
US7269308B2 (en) | Optical waveguide type biochemical sensor chip and method of manufacturing the same | |
US6320991B1 (en) | Optical sensor having dielectric film stack | |
US20080298740A1 (en) | Integrated Optical Waveguide Sensors With Reduced Signal Modulation | |
JP2009133844A (ja) | バイオセンサおよびその製造方法、およびセンサ計測システム | |
JP5238171B2 (ja) | 光導波路型抗体チップ | |
JP4823330B2 (ja) | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ及びその測定対象物の測定方法 | |
JP2008046093A (ja) | 細孔付き光導波モードセンサー | |
EP2548003A1 (en) | A sensor and a method for characterising a dielectric material | |
JP2006208359A5 (ja) | ||
JP2012021936A (ja) | 光導波路型センサチップおよび光導波路型センサ | |
JP5777277B2 (ja) | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ | |
JP4076902B2 (ja) | 光学式バイオセンサ | |
JP2008096454A (ja) | 光学式バイオセンサ | |
JP2012078185A (ja) | 光導波路型バイオセンサチップおよび光導波路型バイオセンサチップの製造方法 | |
JP2014194435A (ja) | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ | |
WO2006109408A1 (ja) | 全反射減衰型光学プローブおよびそれを用いた遠紫外分光測定装置 | |
US7678567B2 (en) | Optical biosensor | |
EP4103929B1 (en) | Method of analysis of refractive index using a polarisation-sensitive optical sensor and sensor system comprising the optical sensor | |
WO2023189139A1 (ja) | 光学デバイス及びバイオセンサ | |
EP4357761A1 (en) | Multilayer protective structure in an implantable optical sensor | |
TWI298104B (en) | Miniature surface plasmon resonance waveguide device with sinusoidal curvature compensation | |
WO2015002009A1 (ja) | Sprセンサセルおよびsprセンサ | |
Weiss | Porous silicon waveguide biosensors | |
JP2013015393A (ja) | 標的物質検出装置及び標的物質検出方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110606 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110809 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110906 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |