JPH10247751A

JPH10247751A - 加熱報知装置

Info

Publication number: JPH10247751A
Application number: JP9048775A
Authority: JP
Inventors: Takashi Amano; 隆天野; Naoki Kamiya; 直樹神谷; Makoto Okabayashi; 真岡林
Original assignee: Technova Inc
Current assignee: Technova Inc
Priority date: 1997-03-04
Filing date: 1997-03-04
Publication date: 1998-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】加熱の有無を検出する簡易で安価な加熱報知
装置を提供する。【解決手段】この加熱報知装置は、厚膜熱電素子１と
ＬＥＤ２と着・消火スイッチと連動した電気接点４およ
び導線３とで構成されている。そして厚膜熱電素子１
は、厚さ２．０ｍｍ以下の基板１０と、この基板１０上
に焼付けられた０．０１ｍｍ以上で互いに一端が接合さ
れたｐ型およびｎ型で１対となる複数対の厚膜型の熱電
材料３０とからなる。この加熱報知装置は厚膜熱電素子
１の先端が加熱されるとＬＥＤ２が発光し、消火と同時
にＬＥＤ２も消え、加熱の有無が表示される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガス機器等に使用
される加熱報知装置、特に表示される熱により発電され
た電力で着火確認される着火確認装置、および所定の場
所が異常に加熱された際、その熱により発電された電力
で警報を発する装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近の給湯器やガスコンロなどのガス器
具では、ガス火の着火がユーザーの目に触れないものが
多く、ガスが着火していることをＬＥＤの点灯等で報知
する（ガス着火表示）機能を持つものがある。この従来
のガス着火表示装置は、熱電対と電源となる電池及び表
示用のＬＥＤなどの報知装置およびＩＣ回路で構成され
ており、ガスの着火による昇温を熱電対で検知し、ＩＣ
回路による制御で電池から供給される電気を使用し、Ｌ
ＥＤ等を駆動している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この従来のガス着火表
示装置は、電源である乾電池を必要とするため一定期間
ごとに電池の交換が必要で、使用者にとって煩わしい。
また、センサで検知された入力信号に基づきＬＥＤなど
の報知手段への電力の入出力を制御する回路を必要と
し、複雑で高価となる。また警報報知として使用される
場合には、報知の機会は少ないが駆動のための電源も必
要であり、その電源が電池の場合、装置が駆動している
時点で電池が自然消耗しているという場合もある。

【０００４】本発明はかかる不都合を解消するもので、
熱をエネルギー源として利用する簡易な加熱報知装置を
提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は熱電素子を用
いて熱より電力を取り出し、その電力で直接ＬＥＤ、圧
電ブザー、液晶表示等の報知手段を作動させることを考
え、試行錯誤の結果、効率のよい熱電素子を開発し、本
発明を完成したものである。すなわち、本発明の加熱報
知装置は、薄膜基板と該基板上に焼付けられた互いに一
端が接合されたｐ型およびｎ型で一対が形成される厚膜
型の熱電材料とからなり炎によって直接加熱される厚膜
熱電素子と、該厚膜熱電素子と閉回路を形成し該厚膜熱
電素子で発電された電力で作動する報知手段とから構成
されていることを特徴とする。

【０００６】本発明の加熱報知装置は、閉回路を形成す
る厚膜熱電素子と報知手段とから構成されている。一般
的に言って、熱電素子としては発電による電力の取り出
しを主目的とする焼結体型のものと、センサーとして利
用されている基板上に形成された薄膜型のものの２種類
がある。焼結体型の熱電素子は体積が大きいこともあ
り、所定温度に加熱するのに時間がかかり、所定出力を
得るために比較的長い時間を必要とする。一方、薄膜型
の熱電素子は、電圧としての出力は早いが、電力として
は極めて微弱である。

【０００７】薄膜型の熱電素子は、通常セラミックス等
の電気絶縁基板の上にＣＶＤとかＰＶＤの蒸着膜として
形成される。また、特開平１−１７９３７６には、粉末
状の熱電材料をペースト化し、基板上に塗布して所定形
状とし、所定温度に加熱して焼付けた焼付け型の薄膜熱
電材料も知られている。本発明では、熱電素子は厚膜熱
電素子を、報知手段はＬＥＤ、圧電ブザーや液晶表示素
子等、厚膜熱電素子により得られる電力量に応じて適宜
選択して使用することができる。この厚膜熱電素子を使
用することにより加熱によってこれら報知手段を駆動さ
せる電力（電圧）を発生させることができたものであ
る。なお、厚膜とは０．０１ｍｍ以上の厚さをいう。

【０００８】さらに、加熱報知装置は応答性がよいこと
が重要である。即ち、ガス火の着火、消火や異常加熱に
対し、時間差をできるだけ短くすることが重要である。
具体的にはガス火の着火、消火に対しては時間差５秒以
内、望ましくは３秒以内で応答するのが好ましい。この
応答性に関し、加熱報知装置の回路中に電気接点をもう
け、この電気接点とガス火の着火スイッチを連動させる
ことにより消火時の応答性については時間差をなくすこ
とができるようになる。着火時の応答性については熱電
素子は先端と基端との温度差に応じて熱起電力が発生す
るため、先端ができるだけ早く昇温すること、及び基端
の昇温がないことを求められる。これを実現するために
は熱電素子の熱容量を小さくする必要がある。

【０００９】熱電素子は高温に直接さらして使われるこ
とから耐熱性がよいことが重要である。たとえばガス火
に直接さらされる場合には１０００℃近い耐熱性が求め
られる。そして高い耐久性、具体的には、連続３０００
時間以上の耐久性が求められる。本発明の厚膜熱電素子
は上記の要求を満たすもので、薄膜基板とこの基板上に
焼付けられた互いに一端が接合されたｐ型およびｎ型で
一端が形成される厚膜型の熱電材料とからなる。

【００１０】熱電材料は、直火にも耐える耐熱性（〜９
３０℃）を持ち、無害である、安価である等から鉄シリ
サイド系熱電半導体が望ましい。また、熱電材料は応答
性をよくするためには厚みをできるだけ薄くする必要が
ある。従来の焼結体は薄くすればその強度が極端に低下
し実用的ではない。そこで、本発明では、セラミックス
または金属の薄膜基板を採用し、その薄膜基板上に厚膜
型の熱電材料を形成する方法を採用した。

【００１１】セラミックス基板としては、Ａｌ₂Ｏ₃やＭ
ｇＯ、ＺｒＯ₂、フォルステライトなど、１２５０℃以
上の耐熱性があれば用いることができる。セラミックス
基板の熱膨張係数が鉄シリサイドの熱膨張係数（１０〜
１２×１０^-6／℃程度）にできるだけ近い値を持ったも
のが望ましい。基板はできるだけ強度が高く板厚が薄い
ものが好ましいが、薄いセラミックス製の基板は作るの
が困難であり、実用的には０．１５〜１．０ｍｍ程度が
よい。

【００１２】金属基板は薄膜化できるという点で好まし
い材料である。しかし、絶縁性がないため絶縁層が必要
である。金属基板の種類としては熱膨張係数と耐熱性の
点からフェライト系ステンレス鋼が適当であり、その中
でもＡｌやＳｉを含有するものがさらに好ましい。金属
はセラミックスに比較し、延性に富むためより薄くで
き、それだけ、より容易に加熱され、より早く所定温度
に加熱できる。基板を形成する金属板の厚さは２．０ｍ
ｍ以下、特に０．３ｍｍ以下のものがよい。このように
薄くしても基板の機械的性質を確保できる。

【００１３】金属基板と熱電材料とを絶縁するための絶
縁層は、熱膨張係数が金属基板および熱電材料とできる
だけ一致させ、かつ、１２５０℃の耐熱性があるのが好
ましい。また、できるだけ薄く塗布して絶縁性を確保す
る必要がある。厚くなると金属基板の反りの原因とな
る。かかる見地から、金属基板の両面に絶縁層を形成す
ることにより金属基板の反りを防止することができる。
絶縁層の厚さとしては５０〜３００μｍ程度が好まし
い。絶縁層としてはセラミックスの薄層を採用できる。
かかる薄層としてはシリカやアルミナを主成分とする絶
縁耐熱塗料が使用できる。また、絶縁層としてガラス質
のものでもよい。

【００１４】なお、絶縁層あるいはセラミックス基板と
熱電材料の接合をより確実とするため絶縁層あるいはセ
ラミックス基板上に金属接合層を形成するのが好まし
い。この金属接合層としては、スパッタ法で作製した厚
さ１μｍ程度のＦｅ薄膜が好ましい。このＦｅ薄膜によ
り熱電材料の密着性が向上し、剥離とか割れなどの欠陥
がなくなる。

【００１５】基板の材質がセラミックスまたは金属であ
るとを問わず、熱電材料を基板の片面のみに形成して
も、基板の両面に形成してもよい。基板の両面に熱電材
料を形成した場合、基板両面の材質は対称となり、熱電
材料と基板との熱膨張率の違いに起因する高温時の熱電
素子の反りを有効に防止でき、熱電素子の機械的強度を
保持できる効果が期待できる。また、一つの素子から得
られる電力を大きくできる効果がある。

【００１６】本発明の熱電材料は、互いに一端が接合さ
れたｐ型およびｎ型の一対の厚膜型の熱電材料で構成さ
れる。より高電圧を必要とする場合は、一対の厚膜型の
熱電材料を直列に複数対接合することで対応できる。な
お、ｐ型およびｎ型の一対の厚膜型の熱電材料は直接接
合しても間に他の金属または導電性ペーストを介して間
接的に接合してもよい。

【００１７】熱電材料としては、通常の熱電材料を使用
できる。即ち、鉄シリサイド、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｅ
系、Ｓｉ−Ｇｅ系または遷移金属珪化物の材料を５０原
子％以上含んでいる材料を使用できる。鉄シリサイドの
ドーパント無添加材料の組成をＦｅＳｉ_yとすると、焼
結材の場合、熱電特性の発生する半導体相のβ相とする
ためには、ｙは１．９５〜２．０５の極く狭い組成範囲
でなければならない。

【００１８】厚膜の場合この組成の材料を焼成すると、
焼成中のＳｉの選択酸化によりβ相を形成すべきＳｉが
欠乏状態となりがちである。実験の結果からみると、本
発明の厚膜型の熱電材料では、膜を塗布する際の組成は
２≦ｙ≦４が適当である。特にｙが２．５〜３の範囲が
よい。ｙが２．５以下ではＳｉ量はまだ不十分で焼成後
β相以外にε相やα相などの金属相（低熱電能相）が多
く含まれることが多い。また、ｙを３以上にするとＳｉ
が過剰となるため、高抵抗率であるＳｉ相が現れるとと
もに適正な焼成温度が高くなり、膜質の低下を招く。

【００１９】本発明の厚膜熱電素子はその熱電材料を基
板上に焼付け厚膜型の熱電材料とすることにより形成で
きる。焼付けられた厚膜型の熱電材料の気孔率は小さい
方が次の点で好ましい。すなわち、厚膜型の熱電材料の
気孔率は小さいほど基板に対するよい密着性が得られる
こと、および耐酸化性があがるためである。この点から
みると厚膜の熱電材料の気孔率は４０％以下、より好ま
しくは２０％以下がよい。

【００２０】厚膜型の熱電材料の気孔率を低くするため
に、ｐ型とｎ型それぞれの熱電材料を独立に基板上でい
ったん溶融状態にして基板上に焼き付け、得られたｐ型
とｎ型の一対の熱電材料の間に金属またはＣｕやＡｇを
含む導電性ペーストを介して間接的に接合する方法が採
られる。この溶融して焼付ける方法は、熱電材料として
鉄シリサイドを用いた場合に特によい結果が得られる。

【００２１】熱電材料を形成する鉄シリサイド材料のド
ーパントはｐ型にはＭｎやＡｌ、Ｂなどを、ｎ型にはＣ
ｏを適量添加する。この他にも焼結材と同様なドーパン
トが自由に使用できる。通常は材料にドーパントを添加
するのでｘは以下のように記述される。まず、Ｆｅと置
換固溶するドーパントの場合、ｐ型ではＭｎ、Ｂ、Ｃｒ
などが、ｎ型ではＣｏ、Ｎｉ、Ａｇがドーパントとして
使用される。この場合、材料組成はＦｅ_1-xＭ_xＳｉ_yと
記述され、２．５≦ｙ≦３となる。

【００２２】Ｓｉと置換固溶するドーパントの場合、ｐ
型ではＡｌが、ｎ型ではＰ（リン）、Ｓｂ、Ａｓなどが
ドーパントとなる。この場合材料組成はＦｅＳｉ_yＭ_xと
記述され、２．５≦ｙ≦３となる。ｐ型とｎ型ととの一
端を直接接続する方法では、ｐ型とｎ型の熱電材料の融
点がそれぞれ異なるので、低い温度で溶融した材料が未
溶融の材料中に浸透拡散し、接合部分が高抵抗になり、
熱起電力も低くなる現象が起こる。これを避けるために
は熱電材料組成の粉体の融点以下の温度で焼結して焼付
ける方法を採る。

【００２３】融点以下の焼結により得られる熱電材料の
密度は理論密度の６０〜９０％と低く、気孔率が１０〜
４０％になるので耐酸化性に欠ける。参考としてＦｅ
_0.98Ｓｉ_2.5Ｃｏ_0.02の粉末を焼結した場合の焼結温度
と気孔率および溶融、未溶融の関係を表１に示す。この
合金の融点は１２１７．５℃であり、融点より焼成温度
が低くなると気孔率は急激に大きくなる。

【００２４】

【表１】気孔率が高いため耐酸化性に欠ける熱電材料の耐酸化性
を上げるにはガラス質皮膜を被覆することが効果的であ
る。ガラス質皮膜により気孔を塞ぎ酸化性ガスが気孔内
にはいるのを阻止し、熱電材料の耐酸化性を上げるもの
である。このガラス質皮膜としては珪酸ソーダ、ガラス
粉末または金属アルコキシドを挙げることができる。

【００２５】本発明の厚膜熱電素子は所定の起電圧およ
び電流を確保するため、例えば報知手段がＬＥＤの場
合、ＬＥＤを発光させるには約１．６Ｖで数ｍＡの電力
必要とするため、ｐ型及びｎ型で１対が形成される熱電
材料を少なくとも５対、好ましくは６〜１０対直列に接
続する。これにより１．６Ｖ程度の電圧が得られる。電
流は熱電材料の断面積に関連する。数ｍＡの電流を得る
ため、熱電材料の断面積は、０．１〜０．４ｍｍ²以上
とするのが好ましい。報知手段が液晶や電子ブザーの場
合にはＬＥＤより電力を使用しないものもあり、この場
合には形成される熱電素子の対の数はＬＥＤの場合より
小さくてよい。

【００２６】本発明の加熱報知装置は前述した厚膜熱電
素子と報知手段とをループ状に結線したものである。そ
して加熱により、発電された電力は報知手段に送られ、
報知手段を駆動する。降温時には厚膜熱電素子の先端温
度が下がり基端との温度差が小さくなると発電電力が低
下し、報知手段を駆動させるのに必要な電力以下にな
り、そのまま報知手段が駆動しなくなる。このように本
発明の加熱報知装置は加熱している間報知手段が駆動し
温度が下がると報知手段も駆動しなくなる。ただし、本
発明の加熱報知装置は厚膜熱電素子と報知手段と電気接
点をループ状にして結線することも採用できる。例えば
ガス機器においてガスの着・消火スイッチと電気接点と
を連動させた場合、ガス加熱により厚膜熱電素子で発電
された電力は報知手段に送られ、報知手段を駆動する。
消火とともにガスの着・消火スイッチと連動した電気接
点により、回路のスイッチが切られるため、報知手段に
電力が送られなくなり、報知手段が駆動しなくなる。

【００２７】

【作用】本発明の加熱報知装置は厚膜熱電素子を開発使
用しているため、膜型ではあるが出力が大きい。このた
め立ち上がりが早く、短時間に所定出力が得られる。

【００２８】

【実施例】以下、加熱報知装置の報知手段としてＬＥＤ
を使用した本発明の実施例を示す。本加熱報知装置の実
施例の着火確認装置の斜視図を図１に示す。この加熱報
知装置は厚膜熱電素子１とＬＥＤ２と着・消火スイッチ
と連動した電気接点４および導線３とから構成されてい
る。厚膜熱電素子１は金属基板１０とこの基板１０上に
形成された絶縁膜２０、この絶縁膜２０に形成された厚
膜型の熱電材料３０とで構成されている。

【００２９】金属基板１０はステンレス製で、厚さ０．
２ｍｍ、基端の幅４０ｍｍ、先端の幅１０ｍｍ、長さ６
０ｍｍの基板本体１１とその基端側の両側辺から下方に
伸びさらに水平方向にのびる幅２０ｍｍの脚部１２とか
らなる。絶縁膜２０はシリカ微粉末を主成分とするセラ
ミックス薄膜で形成され、その厚さは０．２ｍｍであ
る。この絶縁膜２０は基板１０の基板本体１１の上面全
体に形成されている。

【００３０】熱電材料３０は８対を直列に接続したもの
で、各対のｐ型熱電材料３１は基板本体１１の左端側辺
に沿って伸びるものを始め１つおきに８本形成されてい
る。各対のｎ型熱電材料３２は各ｐ型熱電材料３１と先
端側で横方向に連結され、ｐ型熱電材料３１と互いに交
互に８本形成されている。いずれのｐ型熱電材料３１も
Ｆｅ_0.92Ｓｉ_2.5Ｍｎ_0.08の組成をもつ粉末から作成さ
れる。また、いずれのｎ型熱電材料３２もＦｅ_0.98Ｓｉ
_2.5Ｃｏ_0.02の組成をもつ粉末から作成される。これら
はそれぞれ粒子径約１０μｍに、テレペン油を配合して
ペースト状にし、絶縁膜２上に塗布され、テレペン油を
加熱除去し、その後１×１０^-3Ｔｏｒｒ以下の真空中に
おいて約１２００℃に加熱し、ｐ型熱電材料およびｎ型
熱電材料を焼成し、その後徐冷し焼付けたものである。
徐冷中に７６０℃の温度で１２時間程度保持することに
より熱電材料３０にはβ相が析出する。なお、先端側の
ｐ型およびｎ型の連結部分の幅は、２ｍｍ、厚さは０．
２ｍｍである。また、約１２００℃に加熱するときの雰
囲気は、還元性雰囲気または不活性ガス中であってもよ
い。

【００３１】２本のリード線３はｐ型熱電材料３１とｎ
型熱電材料３２の端部に予めスパッタリングで形成して
おいた純鉄（厚さ０．５μｍ）の薄膜上にはんだ付けさ
れている。また導電性接着剤で接着することもできる。
ＬＥＤ２としては、赤色発光の市販品１個を使用した。
そして図１に示すように導線３で厚膜熱電素子１、電気
接点４とループ状に結線した。

【００３２】本実施例の加熱報知装置の厚膜熱電素子１
の先端側をガス炎により加熱すると５秒後にＬＥＤ２が
淡く発光し始めた。そして約１０秒後に所定の赤色に
なった。また、この厚膜熱電素子に接続する報知手段と
してＬＥＤの代わりに圧電ブザーや液晶表示素子を用い
ることもできる。なお、この厚膜熱電素子１の特性を調
べるためＬＥＤ２から切り離し、その先端を８００℃に
加熱し、基端側を１２０℃に保持し、温度差を６８０℃
としたときの熱起電力を測定した。この結果約３Ｖの熱
起電力が測定された。

【００３３】次に、本実施例で採用した厚膜熱電素子１
の焼成条件、熱電材料の組成、基板の種類ついて検討し
た結果を説明する。熱電材料の組成を検討した結果を図
４に示す。図４は組成ＦｅＳｉ_xのｘの値を横軸に、得
られた各ｐ型およびｎ型の熱電材料の熱起電力を縦軸に
示す。なお、焼成温度は１２１７．５℃で行った。Ｆｅ
に対するＳｉの量が、１対２より多いＳｉ量で、両ｐ型
およびｎ型の熱電材料とともに高い熱起電力が得られる
のがわかる。焼成温度が１１８０℃以上では、同様な結
果が得られた。

【００３４】次に検討した基板の種類を表２に、基板の
種類により基板の先端側と基端側の温度差と加熱時間と
の関係を図５に示す。図５の結果では、基板の薄いもの
ほど、短時間に先端が高温度に加熱されるのがわかる。
また、セラミックス製のものよりステンレス製のものの
方がより早く加熱されるのがわかった。このことから熱
容量の小さいものがよいことがわかる。なお、厚さ０．
１ｍｍのＳＵＳ４３０は、薄すぎるためだと考えられる
変形がみられ、基板としては満足できるものではなかっ
た。

【００３５】

【表２】

【００３６】

【発明の効果】短時間で加熱の有無が報知手段により表
示される極めて単純な加熱報知装置が得られた。この加
熱報知装置は極めて容易にかつ安価に製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の加熱報知装置の実施例の着火確認装
置の斜視図である。

【図２】熱電材料の材料組成であるＦｅＳｉ_xのｘと
熱起電力の関係を示す線図である。

【図３】基板の種類による加熱経過時間と温度差を示
す線図である。

【符号の説明】

１…厚膜熱電素子２…ＬＥＤ３…導線
４…電気接点１０…金属基板１１…基板本体１２…脚部
２０…絶縁膜３０…熱電材料３１…ｐ型熱電材料３２…
ｎ型熱電材料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 35/14 Ｈ０１Ｌ 35/14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜基板と該基板上に焼付られた互いに
一端が接合されたｐ型およびｎ型で一対が形成される厚
膜型の熱電材料とからなり直接加熱される厚膜熱電素子
と該厚膜熱電素子と閉回路を形成し、該厚膜熱電素子で
発電された電力で作動する報知手段とから構成されてい
ることを特徴とする加熱報知装置。
【請求項２】前記一対の厚膜型の熱電材料は前記基板
の両面に形成されている請求項１記載の加熱報知装置。
【請求項３】該基板上に形成された該一対の厚膜型の
熱電材料はガラス質皮膜で被覆されている請求項２記載
の加熱報知装置。
【請求項４】該ガラス質皮膜は珪酸ソーダ、ガラス粉
末または金属アルコキシドからからなる請求項３記載の
加熱報知装置。
【請求項５】該基板は厚さ２．０ｍｍ以下で熱膨張係
数が６×１０^-6／℃〜１３×１０^-6／℃のセラミックス
板である請求項１記載の加熱報知装置。
【請求項６】該セラミックス板はアルミナ、ジルコニ
ア、マグネシア又はフォルステナイトで形成されている
請求項５記載の加熱報知装置。
【請求項７】該基板は、厚さ２．０ｍｍ以下で熱膨張
係数が１０×１０^-6／℃〜２０×１０^-6／℃の金属板と
その表面に形成された絶縁層とからなる請求項１記載の
加熱報知装置。
【請求項８】該金属板は厚さが２．０ｍｍ以下のステ
ンレス鋼板またはＮｉを３０重量％以上含む耐熱合金板
である請求項７記載の加熱報知装置。
【請求項９】該一対の厚膜型の熱電材料は互いに一端
が直接接合されている請求項１記載の加熱報知装置。
【請求項１０】該一対の厚膜型の熱電材料は互いに一
端が他の導電材料を介して間接的に接合されている請求
項１記載の加熱報知装置。
【請求項１１】該ｐ型の熱電材料及び該ｎ型の熱電材
料は、鉄シリサイド、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｓｉ
−Ｇｅ系または遷移金属けい化物の材料を５０原子％以
上含んでいる請求項１記載の加熱報知装置。
【請求項１２】該鉄シリサイドはβ−ＦｅＳｉ₂相を
含む鉄シリサイドである請求項１１記載の加熱報知装
置。
【請求項１３】該鉄シリサイドはＦｅＳｉ_yで２≦ｙ
≦４である請求項１２記載の加熱報知装置。
【請求項１４】該鉄シリサイドのドーパントはｐ型で
はＭｎ、Ａｌ、Ｃｒの少なくとも一種であり、ｎ型では
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐ、Ｃｕの少なくとも一種である請求項１
３記載の加熱報知装置。
【請求項１５】前記報知手段はＬＥＤ、圧電ブザー、
液晶表示素子等である請求項１記載の加熱報知装置。