JP4817161B2 - 横電界型液晶素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶素子およびその製造方法に係り、特に、横電界型液晶素子およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、縦電界型液晶表示素子は、テレビ、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器等、種々の装置のモニタとして、その用途を拡大している。その一方で、縦電界型液晶表示素子よりも視野角が広い横電界型液晶表示素子の実用化が進められている。
【0003】
横電界型液晶表示素子では、縦電界型液晶表示素子と同様に、2枚の透明基板が対向配置されたセル容器に液晶材料を充填して、液晶セルを構成する。液晶セルを構成する2枚の透明基板それぞれに、配向膜が形成される。
【0004】
ただし、電極は、液晶セルを構成する2枚の透明基板の一方にのみ形成される。1つの画素当たり1対の電極が配置され、これら1対の電極に印加する電圧を制御することにより、画素での光透過性が制御される。
【0005】
以下、横電界型液晶素子において液晶セルを構成する2枚の透明基板のうち、電極が形成される透明基板を「電極基板」、電極が形成されない透明基板を「無電極基板」ということがある。
【0006】
横電界型液晶表示素子では、1対の電極間に電圧を印加したときに形成される電界を電気力線を用いて表すと、この電気力線は液晶セルの厚さ方向に凸の弓形となる。このため、正の誘電率異方性を有する液晶材料を用いると、電極端付近で表示ムラ(光漏れ)を生じやすい。また、光学的特性のセル厚依存性が高く、製造時にはセル厚を高精度に制御することが必要となる。
【0007】
横電界型液晶表示素子の表示ムラは、負の誘電率異方性を有する液晶材料を用いることによって、抑制することができる。
【0008】
ツイステッドネマティック液晶を用いて光学的特性のセル厚依存性を改善した横電界型液晶素子が知られている(2000年日本液晶学会討論会予稿集第133頁参照)。この横電界型液晶表示素子は、液晶分子のアンカリング強度が無電極基板側で相対的に強く、電極基板側で相対的に弱くなるように構成され、更に、1対の電極間に電圧を印加したときに液晶分子の捻れ構造が解消されるように構成されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
負の誘電率異方性を有する液晶材料は比較的粘度が高い。このため、この液晶材料を用い、電界の有無によってツイスト状態と無ツイスト状態との間を遷移させる横電界型液晶表示素子では、電気光学的しきい値電圧Vthを低くすることが困難である。
【0010】
本発明の目的は、負の誘電率異方性を有する液晶材料を用いた場合でも低電圧駆動が可能な横電界型液晶素子を提供することである。
【0011】
本発明の他の目的は、負の誘電率異方性を有する液晶材料を用いた場合でも低電圧駆動が可能な横電界型液晶素子の製造方法を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、互いに間隔をあけて対向配置された第1および第2の透明基板を備えたセル容器であって、前記第1の透明基板の内側面上に少なくとも1対の電極と該少なくとも1対の電極を覆う第1の透明膜とが形成され、前記第2の透明基板の内側面上に、液晶分子との間のアンカリング強度が前記第1の透明膜と前記液晶分子との間のアンカリング強度よりも低い第2の透明膜が形成され、前記第1の配向膜と液晶分子との方位角方向のアンカリング強度が10 −4 N/mオーダーであり、前記第2の配向膜と液晶分子との方位角方向のアンカリング強度が10 −6 N/mオーダーとされたセル容器と、前記セル容器の外部に配置された偏光板と、前記セル容器内に充填された液晶材料によって構成される液晶層であって、前記液晶材料がカイラル剤を含み、前記液晶材料が負の誘電率異方性を有し、前記第1の透明膜から前記第2の透明膜にかけて捩れ構造を自発的に形成し、前記一対の電極間に横電界を発生させて前記第1の基板側の界面で液晶分子を再配向させたときに、前記一対の電極間に平面視上位置している液晶分子の各々が前記捩れ構造を保ったまま回転する液晶層とを有する横電界型液晶素子が提供される。
【0014】
本発明の他の観点によれば、互いに間隔をあけて対向配置された第1および第2の透明基板を備えたセル容器であって、前記第1の透明基板の内側面上に少なくとも1対の電極と該少なくとも1対の電極を覆い、液晶分子との方位角方向のアンカリング強度が10 −4 N/mオーダーである第1の透明膜とが形成され、前記第2の透明基板の内側面上に、液晶分子との方位角方向のアンカリング強度が10 −6 N/mオーダーである第2の透明膜が形成されたセル容器を用意する準備工程と、前記セル容器に負の誘電率異方性を有する液晶材料を充填して液晶セルを得る液晶セル形成工程であって、(i)前記セル容器に、カイラル剤を含む液晶材料をアイソトロピック状態で充填した後に徐冷するか、または、(ii)前記セル容器に、カイラル剤を含む液晶材料をネマティック相の状態で充填し、熱処理によって液晶分子を再配向させた後に徐冷して、前記液晶セルを得る液晶セル形成工程とを含む横電界型液晶素子の製造方法が提供される。
【0016】
横電界型液晶素子を作製するに当たって、捻れ構造を自発的に形成する液晶材料を用い、液晶分子のアンカリング強度を無電極基板側で相対的に弱く、電極基板側で相対的に強くすると、次の制御が可能になる。
【0017】
すなわち、1対の電極間に横電界を発生させて電極基板側の界面で液晶分子を再配向させたときに、これら1対の電極間に平面視上位置している液晶分子の各々を、電圧を印加していないときに形成される捻れ構造を保ったまま回転させることができる。
【0018】
液晶分子の捻れ構造を解消させることなく液晶素子の光学的特性を変化させることができるので、液晶分子の捻れ構造を解消させて光学的特性を変化させる場合に比べて、低電圧での駆動が可能になる。
【0019】
例えば、電極基板(第1の透明基板)の内側表面上に設ける第1の透明膜に配向処理を施し、無電極基板(第2の透明基板)の内側表面上に設ける第2の透明膜には配向処理を施さないことにより、液晶分子との間のアンカリング強度を無電極基板側で相対的に弱く、電極基板側で相対的に強くすることが可能である。
【0020】
第1の透明膜の材質と第2の透明膜の材質とが異なると、これらの透明膜同士の間でイオンの吸着のし易さに差が生じ、第1の透明膜と第2の透明膜との間に直流電流成分が発生し易くなる。この直流電流成分が発現すると、例えば液晶表示素子では、長時間表示したときに焼き付き等の不具合が生じ易くなる。
【0021】
上記と同様の制御は、捻れ構造を自発的に形成する液晶材料を用い、第1の透明膜および第2の透明膜のいずれにも配向処理を施すことなく構成された液晶素子に対しても行うことができる。
【0022】
この場合、1対の電極間に平面視上位置する液晶分子の各々は、これら1対の電極間に電圧を印加しないとき、配向方向の異なる複数のドメインに自然に分かれる。個々のドメイン内の液晶分子は、第1の透明膜から第2の透明膜にかけて捩れ構造を自発的に形成する。
【0023】
1対の電極間に横電界を発生させることにより、液晶分子の捻れ構造を解消させることなく液晶素子の光学的特性を変化させることができる。液晶分子の捻れ構造を解消させて光学的特性を変化させる場合に比べて、低電圧での駆動が可能になる。
【0024】
【発明の実施の形態】
図1に、第1の実施例による横電界型液晶素子の構成を概略的に示す。同図に示した横電界型液晶素子30(以下、「液晶素子30」と略記する。)は、セル容器10と、このセル容器10内に収容された液晶層20と、セル容器10の外表面上に直交ニコル配置された2枚の偏光板25a、25bとを有している。
【0025】
セル容器10は、透明ガラスによって形成された第1の透明基板1aおよび第2の透明基板1bと、これらの透明基板1a、1bを一定の間隔の下に保持する樹脂製のスペーサ5とを有する。第1の透明基板1aと第2の透明基板1bとは、スペーサ5を挟んで貼り合わされている。
【0026】
1対の電極2a、2bが、第1の透明基板1aの内側面上に配置されている。これらの電極2a、2bは導電性金属材料によって形成され、0.05mmの間隔をあけて互いに平行に形成されている。
【0027】
ポリイミドによって形成された第1の透明膜3aが、1対の電極2a、2bを覆うと共に、第1の透明基板1aの内側面を覆っている。第1の透明膜3aには、1対の電極2a、2bの延在方向と平面視上直交する方向に、ラビング処理が施されている。
【0028】
第2の透明基板1bの内側面には、ポリイミドによって形成された第2の透明膜3bが設けられている。第2の透明膜3bの組成は、第1の透明膜3aの組成と同一である。第2の透明膜3bには配向処理が施されていない。
【0029】
セル容器10内に収容された液晶層20は、セル容器10と共に液晶セルを構成する。液晶層20は、負の誘電率異方性を有する液晶であるメルク社製の5CBに同社製のカイラル剤S−811を添加した液晶材料によって構成されている。カイラル剤の添加量は、セル容器10のセル厚dと液晶層のカイラルピッチpとの比d/pが1/4となるように調整されている。
【0030】
液晶層20は、カイラル剤が添加された上記の液晶材料をネマティック相−アイソトロピック相転移温度以上に加熱すると共にセル容器10も同転移温度以上に加熱し、この状態で液晶材料をセル容器10に注入した後に徐冷することによって形成した。
【0031】
液晶分子と第1の透明膜3aとの間のアンカリング強度(方位角方向のアンカリング強度)は10-4N/mオーダーであり、液晶分子と第2の透明膜3bとの間のアンカリング強度(方位角アンカリング強度)は10-6N/mオーダーである。
【0032】
セル厚d(図1参照)が4.0μm、4.5μmまたは5.0μmである3種類の液晶素子30を作製し、これらの液晶素子30の電気光学的特性を調べた。
【0033】
図2は、これらの液晶素子30についての、1対の電極2a、2b間に発生させる電界の強さと光透過率との関係を示す。電界の強さは、1対の電極2a、2bに印加する電圧と、これら1対の電極2a、2b間の距離とから算出した最大電界値である。
【0034】
同図から明らかなように、これらの液晶素子30は、電圧無印加時に最も光を透過させる。比較的低い印加電圧で光透過率を減少させることができ、電界の強さを500V/mmにすれば光透過率をほぼ0にすることができる。横電界型液晶素子でありながら、低電圧駆動が可能である。
【0035】
また、セル厚dが4.0μmの液晶素子30と4.5μmの液晶素子30とで、電気光学的特性が殆ど一致している。セル厚5.0μmの液晶素子30も、ホワイト時の光透過率が若干低いのみで、ブラック時の特性は他の2つの液晶素子30にほぼ一致している。したがって、セル厚dに多少ムラが生じても、ほぼ同じ特性の液晶素子を得ることが可能である。製造条件を緩和することができる。
【0036】
さらに、第2の透明膜3bには配向処理を施さないので、その分、製造が容易になる。
【0037】
以上の結果から、本実施例による液晶素子30の動作は、以下のように考えられる。
【0038】
図3は、図1に示した液晶素子30において、1対の電極2a、2b間に電圧を印加しないときの液晶分子20aの配列状態を模式的に示す。
【0039】
同図に示した部材のうち、図1において既に示した部材については、図1で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。ただし、図3においては、便宜上、第1の透明膜3aおよび第2の透明膜3bの図示を省略している。また、2枚の偏光板25a、25bについてはその厚さを省略している。
【0040】
図3に示すように、第1の透明基板1a側の液晶分子20aは、1対の電極2a、2bに電圧を印加しないとき、その長軸方向が第1の透明膜(図示せず)の配向方向Da と平行となるように配列する。1対の電極2a、2b間に平面視上位置する液晶分子20aは、第1の透明基板1a側から第2の透明基板1b側にかけて、平面視上90°捩れた捩れ構造を形成する。
【0041】
2枚の偏光板25a、25bが直交ニコル配置されていることから、例えば偏光板25bに入射した光Lのうち、偏光板25bの透過軸方向Dt2と平行な方向に電気ベクトルが振動する光Lpはこの偏光板25bを透過し、液晶分子20aが形成する捩れ構造に沿って90°旋光した後に偏光板25aに入射する。この光Lpの電気ベクトルの振動方向は偏光板25aの透過軸方向Dt1と平行であるので、偏光板25aを透過する。液晶素子30はノーマリーホワイトモードの液晶素子である。
【0042】
図4は、図1に示した液晶素子30において、1対の電極2a、2b間に電圧を印加したときの液晶分子20aの配列状態を図3と同様に模式的に示す。
【0043】
1対の電極2a、2bに電圧を印加すると、これら1対の電極2a、2bの間に電界が形成される。図4では、第1の透明基板1aの内側面近傍での電界の向きを矢印DE で示している。
【0044】
1対の電極2a、2bへの電圧印加に伴い、第1の透明基板1a側の液晶分子20aは、その長軸方向が電界の向きDE に対して直交するように配列する。結果として、この液晶分子20aは、第1の透明膜(図示せず)の配向方向Da と平面視上直交するように配列する。
【0045】
1対の電極2a、2b間に平面視上位置する液晶分子20aは、電圧を印加していない時と同様に、第1の透明基板1a側から第2の透明基板1b側にかけて、平面視上90°捩れた捩れ構造を形成する。ただし、第1の透明基板1a側の液晶分子20aが上記のように配列するのに伴って、電圧を印加していないときに比べて全体が90°旋回する。
【0046】
2枚の偏光板25a、25bが直交ニコル配置されていることから、偏光板25bに入射した光Lのうち、偏光板25bの透過軸方向Dt2と平行な偏光成分Lpはこの偏光板25bを透過して液晶層に入射する。しかしながら、液晶分子20aが偏光成分Lpの偏光方向と直交する方向に配列していることから、液晶層を透過することは困難である。若干の成分が、液晶分子20aの形成する捻れ構造に沿って90°旋光した後に偏光板25aに入射することもあろう。この偏光成分Lpの偏光方向は偏光板25aの透過軸方向Dt1と直交するため、偏光板25aを透過できない。1対の電極2a、2bに電圧を印加することにより、光を遮断することができる。
【0047】
次に、第2の実施例による横電界型液晶素子について説明する。
【0048】
図5は、第2の実施例による横電界型液晶素子35(以下、「液晶素子35」と略記する。)の構成を概略的に示す。同図に示した構成要素のうち、図1に示した構成要素と共通するものについては図1で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【0049】
図示の液晶素子35は、(1) 第1の透明膜3cにも配向処理が施されていないこと、(2) セル容器10のセル厚dが8μmであること、および、(3) 2枚の偏光板25a、25bを直交ニコル配置のまま図3または図4の方向から90°回転させたことを除いて、図1に示した液晶素子30と同様の構成を有する。
【0050】
図6は、この液晶素子35についての、1対の電極2a、2b間に発生させる電界の強さと光透過率との関係を示す。電界の強さは、1対の電極2a、2bに印加する電圧と、これら1対の電極2a、2b間の距離とから算出した最大電界値である。
【0051】
図6と図2との対比から明らかなように、液晶素子35では、ノーマリーホワイトモードの液晶素子30よりも更に低い電圧で光透過率を変化させることができる。横電界型液晶素子でありながら、低電圧駆動が可能である。
【0052】
また、液晶素子30と同様に、セル厚dに多少ムラが生じてもほぼ同じ特性の液晶素子を得られることがシミュレーション等によって確認された。
【0053】
以上の結果から、本実施例による液晶素子35の動作は、以下のように考えられる。
【0054】
第1の透明膜3cおよび第2の透明膜3bのいずれにも配向処理が施されていないことから、1対の電極2a、2b間に平面視上位置する液晶層は、これら1対の電極2a、2b間に電圧を印加しないとき、配向方向の異なる複数のドメインに自然に分かれ、無定形な配向(アモルファス配向)状態を自然にとる。個々のドメイン内の液晶分子は、第1の透明膜3cから第2の透明膜3bにかけて90°捩れた捩れ構造を自発的に形成する。この液晶素子35は、ノーマリーブラックモードの液晶素子である。
【0055】
1対の電極2a、2bに電圧を印加すると、第1の透明基板1a側の液晶分子は、その長軸方向が電界の向きに対して直交するように配列する。結果として、第1の透明膜3c上の液晶分子は全て、電界の方向と平面視上直交するように配列し、これらの液晶分子全体がホモジニアス配向となる。ドメインが消滅する。
【0056】
1対の電極2a、2b間に平面視上位置する液晶分子は、電圧を印加していないときと同様に、第1の透明基板1a側から第2の透明基板1b側にかけて、平面視上90°捩れた捩れ構造を形成する。第1の透明膜3c上の液晶分子が上記のように配列するのに伴って各液晶分子が第1または第2の透明基板1aまたは1bと平行な面内で向きを揃えて旋回し、捻れ構造を保持する。
【0057】
図6に示した特性は、ブラック時の遮光性が必ずしも十分ではない。偏光板25a、25bを図3または図4と同様の配置にしてノーマリーホワイトモードとすれば、遮光性が向上するであろう。電圧印加時の方が液晶分子の配列を揃え易く、この時にブラック表示とするのがよいと考えられる。
【0058】
液晶素子35は、第1の透明膜3cおよび第2の透明膜3bのいずれにも配向処理を施さないので、その分、製造が容易である。第1〜第2の透明膜3c、3bと液晶分子との間のアンカリング強度を低くすることができるので、液晶分子の回転が容易になり、低電圧駆動が容易になる。
【0059】
液晶素子35の応答速度は、5℃下において、立ち上がり応答時間τriseが50ミリ秒、立ち下がり応答時間τdecay が100ミリ秒であった。
【0060】
以上、実施例による横電解型液晶素子について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【0061】
例えば、セル容器を構成する第1の透明基板および第2の透明基板は、透明樹脂によって構成することも可能である。電極は、ITOのような透明電極材料によって形成してもよいし、Mo、Cr、Al等の導電性金属材料によって形成してもよい。スペーサは、無機材料によって形成することも可能である。面内スペーサを利用することもできる。
【0062】
第1の透明膜および第2の透明膜は、ポリイミド以外にも、PVC(ポリビニルシンナメート)、シンナモイル基を導入した変性ポリシラン、長波長の光によって光二量化が進行するようにカルコン基を導入した材料、SiO等によって形成することができる。
【0063】
第1の透明膜を配向膜とする場合には、その材質に応じて、ラビング、光配向、斜方蒸着等の方法によって配向処理を施すことができる。
【0064】
ラビングによって配向処理を行うと、微小塵や静電気が生じ易い。微小塵は、例えば液晶表示素子においては表示ムラの原因となることがある。また静電気は、例えばアクティブマトリックス駆動型の液晶表示素子においては、薄膜トランジスタの絶縁破壊の原因となることがある。例えば光配向処理を適用することにより、微小塵の発生や静電気の発生を抑止することができる。
【0065】
液晶材料としては、負の誘電率異方性を有する種々の液晶材料を使用することができる。正の誘電率異方性を有する液晶材料を使用することも可能である。
【0066】
1対の電極間に電圧を印加しないときの液晶分子の配向方向は、横電界型液晶素子の用途や性能等に応じて、適宜選定可能である。液晶層のカイラルピッチについても同様であるが、セル容器のセル厚dと液晶層のカイラルピッチpとの比d/pを1/4とすることが実用上好ましい。
【0067】
液晶分子のプレチルト角は、小さいほど好ましい。第1または第2の透明膜表面を基準とした場合、液晶分子のプレチルト角は5°以下であることが好ましく、1°以下であることが更に好ましく、0°であることが特に好ましい。
【0068】
液晶セルは、液晶材料をネマティック相の状態でセル容器に充填し、例えば概ね150℃以上に加熱して液晶分子をセル容器内で再配向させた後に徐冷することによっても形成することができる。
【0069】
横電界型液晶素子の形態および用途は、レンズ、プリズム、シャッタ、ウォブリング素子(回転波長板)、表示素子等、適宜選定可能である。
【0070】
図7は、横電界型液晶表示素子の一例を概略的に示す。同図には、この横電界型液晶表示素子100(以下、「液晶表示素子100」と略記する。)における電極配置が示されている。
【0071】
図7に示した構成要素のうち、図1に示した構成要素と機能上共通するものについては、図1で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【0072】
図示した液晶表示素子100においては、第1の透明基板1aの内側表面上に複数対の電極がマトリックス状に配置されている。1対の電極は、電極2aと電極2bとによって構成される。これら1対の電極2a、2bの間の領域が、1つの画素50として機能する。
【0073】
1つの画素行を構成する電極2aの各々は、例えば1本の走査線60に接続される。1つの画素列を構成する電極2bの各々は、例えば1本の信号線65に接続される。この液晶表示素子100は、単純マトリックス駆動される。
【0074】
電極2a、2bの配置ならびに信号線60および走査線65の敷設を除けば、液晶表示素子100は、図1に示した液晶素子30または図5に示した液晶素子35と同様の構成を有する。
【0075】
図5に示した液晶素子35と同様の構成にすれば、液晶分子がアモルファス配向している領域で文字や図形等の表示を行うことができる。この領域は光透過率の視野角依存性が低いので、極めて広い視角特性を有する液晶表示素子を得ることが可能である。
【0076】
ただし、ノーマリーブラックモードよりもノーマリーホワイトモードの方が、コントラスト比の高い液晶表示素子を得易い。
【0077】
図1または図5に示した偏光板25aに代えて光反射膜を設けて、反射型の液晶表示素子を構成することも可能である。
【0078】
必要に応じて、第1の透明基板1a側または第2の透明基板1b(図1参照)側に、カラーフィルタを設けることができる。偏光板を円偏光板やコレステリックフィルムと組み合わせてカラー化を図ることもできる。
【0079】
図8は、横電界型液晶表示素子の他の一例を概略的に示す。同図には、この横電界型液晶表示素子110(以下、「液晶表示素子110」と略記する。)における電極配置が示されている。
【0080】
図8に示した構成要素のうち、図7に示した構成要素と機能上共通するものについては、図7で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【0081】
図示した液晶表示素子110はアクティブマトリックス駆動タイプの液晶表示素子であり、1つの電極2aにスイッチング回路70が1つずつ接続されている。スイッチング回路70は、例えば薄膜トランジスタを含む。
【0082】
1つの画素行を構成するスイッチング回路70の各々は、例えば1本の走査線60と1本の信号線65とに接続される。走査線60は画素行方向に延在し、信号線65は画素列方向に延在する。
【0083】
1つの画素列を構成する電極2bの各々は、例えば隣り合うもの同士が配線68によって接続されて、1つの共通電極を構成する。液晶表示素子110における他の構成は、図7に示した液晶表示素子100の構成と同様である。
【0084】
図9は、横電界型液晶表示素子の更に他の一例を概略的に示す。同図には、この横電界型液晶表示素子120(以下、「液晶表示素子120」と略記する。)における電極配置が示されている。
【0085】
図9に示した構成要素のうち、図7に示した構成要素と機能上共通するものについては、図7で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【0086】
図示した液晶表示素子120は単純マトリックス駆動タイプの液晶表示素子である。1つの画素50に5つのセグメント電極2a1 、2a2 、2a3 、2a4 、2a5 が配置され、これらのセグメント電極2a1 〜2a5 に対向して1つの電極2bが配置されている。
【0087】
例えば、1つの画素列を構成するセグメント電極2a1 の各々は信号電極65aに、セグメント電極2a2 の各々は信号電極65bに、セグメント電極2a3 の各々は信号電極65cに、セグメント電極2a4 の各々は信号電極65dに、セグメント電極2a5 の各々は信号電極65eに接続される。
【0088】
例えば、1つの画素列を構成する電極2bの各々は、1本の走査線60に接続される。液晶表示素子120における他の構成は、図7に示した液晶表示素子100の構成と同様である。
【0089】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、負の誘電率異方性を有する液晶材料を用いた場合でも低電圧駆動が可能な横電界型液晶素子を得ることができる。例えば視野角依存性が低く低電圧駆動が可能な液晶表示素子を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例による横電界型液晶素子の構成を概略的に示す断面図である。
【図2】第1の実施例による横電界型液晶素子についての、1対の電極間に発生させる電界の強さと光透過率との関係を示すグラフである。
【図3】図1に示した横電界型液晶表示素子において1対の電極間に電圧を印加しないときの液晶分子の配列状態を示す模式図である。
【図4】図1に示した横電界型液晶素子において1対の電極間に電圧を印加したときの液晶分子の配列状態を示す模式図である。
【図5】第2の実施例による横電界型液晶素子の構成を概略的に示す断面図である。
【図6】第2の実施例による横電界型液晶素子についての、1対の電極間に発生させる電界の強さと光透過率との関係を示すグラフである。
【図7】図1または図5に示した液晶素子の構成を応用した横電界型液晶表示素子における電極配置を概略的に示す平面図である。
【図8】図1または図5に示した液晶素子の構成を応用した他の横電界型液晶表示素子における電極配置を概略的に示す平面図である。
【図9】図1または図5に示した液晶素子の構成を応用した更に他の横電界型液晶表示素子における電極配置を概略的に示す平面図である。
【符号の説明】
1a…第1の透明基板、 1b…第2の透明基板、 2a、2b…1対の電極、 3a、3c…第1の透明膜、 3b…第2の透明膜、 10…セル容器、 20…液晶層、 20a…液晶分子、 25a、25b…偏光板、 30、35…横電界型液晶素子、 50…画素、 100、110、120…横電界型液晶表示素子。
Claims (7)
- 互いに間隔をあけて対向配置された第1および第2の透明基板を備えたセル容器であって、前記第1の透明基板の内側面上に少なくとも1対の電極と該少なくとも1対の電極を覆う第1の透明膜とが形成され、前記第2の透明基板の内側面上に、液晶分子との間のアンカリング強度が前記第1の透明膜と前記液晶分子との間のアンカリング強度よりも低い第2の透明膜が形成され、前記第1の配向膜と液晶分子との方位角方向のアンカリング強度が10 −4 N/mオーダーであり、前記第2の配向膜と液晶分子との方位角方向のアンカリング強度が10 −6 N/mオーダーとされたセル容器と、
前記セル容器の外部に配置された偏光板と、
前記セル容器内に充填された液晶材料によって構成される液晶層であって、前記液晶材料がカイラル剤を含み、前記液晶材料が負の誘電率異方性を有し、前記第1の透明膜から前記第2の透明膜にかけて捩れ構造を自発的に形成し、前記一対の電極間に横電界を発生させて前記第1の基板側の界面で液晶分子を再配向させたときに、前記一対の電極間に平面視上位置している液晶分子の各々が前記捩れ構造を保ったまま回転する液晶層と
を有する横電界型液晶素子。 - 前記第1の透明膜が配向処理を施した透明樹脂膜であり、前記第2の透明膜が配向処理を施していない透明樹脂膜である請求項1に記載の横電界型液晶素子。
- 前記セル容器のセル厚dと前記液晶層のカイラルピッチpとの比d/pが1/4である請求項1または請求項2に記載の横電界型液晶素子。
- 前記少なくとも1対の電極が複数対の電極である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の横電界型液晶素子。
- さらに、前記偏光板と逆側の前記セル容器外部に光反射膜を有する請求項4に記載の横電界型液晶素子。
- 互いに間隔をあけて対向配置された第1および第2の透明基板を備えたセル容器であって、前記第1の透明基板の内側面上に少なくとも1対の電極と該少なくとも1対の電極を覆い、液晶分子との方位角方向のアンカリング強度が10 −4 N/mオーダーである第1の透明膜とが形成され、前記第2の透明基板の内側面上に、液晶分子との方位角方向のアンカリング強度が10 −6 N/mオーダーである第2の透明膜が形成されたセル容器を用意する準備工程と、
前記セル容器に負の誘電率異方性を有する液晶材料を充填して液晶セルを得る液晶セル形成工程であって、(i)前記セル容器に、カイラル剤を含む液晶材料をアイソトロピック状態で充填した後に徐冷するか、または、(ii)前記セル容器に、カイラル剤を含む液晶材料をネマティック相の状態で充填し、熱処理によって液晶分子を再配向させた後に徐冷して、前記液晶セルを得る液晶セル形成工程と
を含む横電界型液晶素子の製造方法。 - 前記セル容器を用意する準備工程において、前記第1の透明膜が配向処理の施された透明樹脂膜であり、前記第2の透明膜が配向処理の施されていない透明樹脂膜であることを特徴とする請求項6記載の横電界型液晶素子の製造方法。
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