JP3525139B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
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Description
精細の液晶表示素子に関する。
は、主にネマチック液晶を用いた液晶表示素子が、その
低駆動電圧、低消費電力特性を生かして用いられてお
り、近年の携帯情報端末の急速な普及に伴い、その生産
量が拡大している。同時にその表示機能も表示画素(文
字)数の増加など、より高度な表示性能が要求されてき
ている。
使用時間を維持あるいは拡大しなければならないことか
ら、上記の高精細化をはじめとする表示機能の高度化の
みならず、低消費電力化も同時に達成する技術が必要と
されている。
電圧を切った場合にも表示が保持される、いわゆる表示
メモリー特性をもつ液晶表示素子を用いる技術が種々提
案されている。
ない場合には原理的には消費電力を0とすることがで
き、また、画素ごとに表示内容が変わった画素のみ電圧
を印加して表示内容を変更することによっても消費電力
を低減できる。
あるいはスーパーツイステッドネマチック(STN)方
式を単純マトリックス駆動する場合には、よく知られて
いるようにデューティー比の制限から、表示可能な画素
数に上限があるが、メモリー性を利用することによりこ
の画素数の制限をなくすことができる。
しては、たとえば、強誘電性液晶を用いたもの〔アプラ
イドフィジックスレターズ,36,899(198
0)、特開昭56−107216号公報〕や、ネマチッ
ク液晶と微細なグレーティング処理を施した液晶配向層
を組み合わせたもの(特表平11−513809号公
報)などが提案されている。
誘電性(カイラルスメクチックC)液晶を用いたもの
は、強誘電効果に起因して応答で高速に、かつ二つのホ
モジニアス配向状態間の基板面内のスイッチングを用い
ることから広視野角表示が可能であるが、ネマチック液
晶を用いた一般的な液晶表示素子に比べて、このスメク
チック液晶特有の層構造をとることから配向制御が難し
く、さらにこの層構造は機械的衝撃により一度壊れてし
まうと回復しにくい等の問題点があり、広範な実用化は
なされていない。
処理を施した液晶配向層を用いるものは、フレクソエレ
クトリック効果を用いてホメオトロピック(垂直)配向
とハイブリッド配向の二状態間をスイッチングするもの
であるが、このハイブリッド配向に起因して表示視野角
特性が特定の方向で悪化するという問題点がある。
するためには、フレクソエレクトリック係数が十分に大
きな液晶材料が必要となるが、そのような液晶材料が一
般的に知られていないため駆動電圧および消費電力が高
くなってしまうという問題点もあり、この技術も広範な
実用化は行われていない。
配向制御が容易なネマチック液晶を用いた液晶表示素子
において、メモリー性による低消費電力化と広視野角表
示を両立することが困難であった。
た液晶表示素子において、メモリー性と広視野角表示特
性を両立した高精細、広視野角かつ低消費電力の液晶表
示素子を提供することを目的とする。
態間のスイッチングが主に液晶層を挟持する基板面内と
なるようにすればよく、同時にそれらの液晶配向状態が
メモリー性を持つためにはそれらの複数の状態が印加電
圧を切った後にも共にエネルギー的に安定であればよ
い。
場合の液晶配向状態のエネルギーは、液晶層自身の弾性
変形エネルギーと液晶層と基板表面の配向層の界面相互
作用エネルギーの和で表されることから、基板面内の複
数の配向方向が共にエネルギー的に十分安定となる界面
相互作用を用いることによって、基板面内でスイッチン
グする複数の液晶層の配向状態を安定状態とすることが
出来る。
し、かつ安定な状態間のスイッチングを得るためには、
上記の界面相互作用による複数の配向方向のエネルギー
的な安定性が等価であることが望ましい。
等価に安定となる液晶界面配向を得る手段としては、基
板面内において互いになす角がすべて略等しい複数の方
向に液晶配向規制(アンカリング)処理された配向層を
用い、かつ、これらの複数の液晶配向規制のすべてにお
いて、液晶分子の配向規制方向における基板面からの起
き上がり(プレチルト)角が略0度となるようにすれば
良い。
場合を例にとり、以下説明する。
き上がり(プレチルト)角の条件を除けばその作用は同
じである。
に違わない2つの異なる方向に液晶配向規制力をもつ配
向層は一般にその2つの方向の配向規制力の競合によ
り、その2つの方向の合成方向に液晶容易軸をもつ。
が互いになす角がすべて90度とならない場合には、こ
の対称性の破れにより、より小さな相対角度を二分する
方向の容易軸がよりエネルギー的に安定となり、双安定
状態を実験するための2つの液晶容易軸間の等価性が失
われる。
には、その源となる2つの配向規制方向が互いになす角
を第1図(b)のようにすべて等しい略90度とする必
要がある。
制方向のなす角が略90度である場合においても、液晶
配向規制力を生じさせるための処理として通常用いられ
るラビング処理により配向規制力を与える場合には、基
板面からの液晶配向方向の起き上がり角(プレチルト
角、通常ラビング処理では、少なくとも1度以上で数度
〜数十度)が必然的に生じるため、これによる対称性の
破れも考慮する必要がある。
(c)のように液晶分子の基板面からの起き上がり方向
に矢印をつけた有向ベクトルとして表すことが出来る。
つのプレチルト角を持つ配向規制方向からなる場合を考
えると、2つの生じ得る容易軸のうち、矢印の揃った
(太い点線の)方向がよりエネルギー的に安定となり、
この場合にも双安定状態を実現するための2つの容易軸
間の等価性が失われる。
と、2つの配向規制力方向のうち第1図(d)のように
少なくとも一方のプレチルト角が略0度であれば2つの
容易軸間の等価性が得られることが判る。
して生じる複数の容易軸間の等価性を得るには、第1図
(b)のようにすべての配向規制方向のプレチルト角が
略0度である必要があることが判る。
プレチルト角が略0度となる液晶配向規制を与える方法
としては、例えば、直線偏光した紫外光により、この光
に感度を有する感光性材料をあらかじめコートした表面
を照射するいわゆる光配向法や、いわゆるアトミックフ
ォースマイクロスコープ(原子間力顕微鏡;AFM)と
して知られている装置と基本構造としてよく似た装置に
より、前記基板表面上に応力を与えることが可能な探針
により走査したり、紫外領域のレーザー光などの化学反
応を与え得るビーム状の光線で感光性材料をあらかじめ
コートした表面を任意のパターンで走査する方法などを
用いれば良い。
得るには、例えば、当該処理対象となる領域全体に一様
に直線偏光した紫外光を照射する光配向装置を、その直
線偏光方向を変えて複数回行なうことにより可能であ
る。
に十分に安定であるためには、その源となる競合する複
数の液晶配向規制方向それぞれの配向規制力の相対的な
強度の精密な制御が必要である。
ては、上記の競合自身が生じないことからも明らかであ
る。
規制力の場合には、2つの液晶配向規制方向が異なる領
域を、例えばチェッカーボードパターンのように、その
2つの領域の総面積比率を制御しつつ基板面内に複数分
割配置する方法を用いることにより特に容易に精密制御
が可能である。
晶の基板面内スイッチングを実現するためには、基板面
に略平行な成分を持つ電界を前記液晶層に印加するため
の電極群を用いれば良い。
複数の配向方向がエネルギー的に安定となる配向層を両
基板に配置して、両方の基板界面で面内スイッチングを
生じさせてもよいし、上記のような配向層を片側の基板
にのみ配置し、他方の基板には通常のラビング法により
配向能を付与して、片側基板界面でのみ面内スイッチン
グをさせても良く、とちらの場合においても基板面内ス
イッチングによる広視野角特性が実現できる。
方位のホモジニアス状態間の複屈折光学モードによる表
示、後者の場合はホモジニアス−ツイステッドプラーナ
ー状態間の旋光光学モードによる表示を用いることが出
来る。
の双安定スイッチングを用いる場合には、液晶層のツイ
スト変形によりこれらの双安定スイッチング状態の間で
大きなエネルギー差が生じ、スイッチングの閾値電圧の
大きな非対称性などの駆動上好ましくない特性が生じる
ことがある。
安定化させる目的で不斉分子成分をカイラルドーパント
として適当量含んだ液晶組成物を用いればよい。
異方性(Δε)は正・負の材料を用いることができる。
電界の周波数に依存して正・負両方をとり得る液晶材料
を用い、双安定状態間の一方向のスイッチングにはΔε
が正となる交流電界周波数、逆方向のスイッチングには
Δεが負となる交流電界周波数を用いることにより、一
対の櫛歯電極のみでも両状態間の双方向スイッチングが
可能となり、電極構造とその製造プロセスの簡略化を図
る。
チック(TN)方式と同様に、両基板面上に設けられた
一対の面電極により液晶層に対して略垂直な電界を加え
る手段を用いることにより、上述のツイステッドプラー
ナー状態をホメオトロピック(垂直配向)状態に遷移さ
せることが可能であるが、この状態から電界を切った場
合には、ホモジニアス状態に遷移するため、このような
縦電界を加える手段によっても状態間のスイッチングが
可能で、特に全画素表示の一斉リフレッシュに有効であ
る。
構成を示す図である。
構成を示す図である。
探針の走査パターンを示す斜視図である。
スイッチング特性を示す図である。
状態に対応する液晶内の配向状態の模式図を示す図であ
る。
性を示す図である。
構成を示す図である。
駆動波形と電気光学特性を示す図である。
構成を示す図である。
の構成を示す図である。
構成を示す図である。
成を示す図である。
みが1.1mmで表面を研磨した透明なガラス基板を2
枚用いた。
EL2Bを、基板上に形成した同一のITO(インジウ
ムチンオキサイド)からなる透明導電層をパターン化し
て形成し、更にその上に窒化シリコンからなる膜厚60
0nmの絶縁保護膜IL1を形成した。
を、上記の櫛歯電極EL2と略直交する方向に、絶縁膜
IL1の上に形成した同一のITOからなる透明導電層
をパターン化して構成し、更にその上に窒化シリコンか
らなる膜厚200nmの絶縁保護膜IL2を形成した。
中の座標系であらわすと、それぞれy軸、x軸方向であ
る。
は4μmで、図中の櫛歯間隙部の数は簡単に説明するた
め模式的に3分割で図示してあるが、実際の素子は8分
割とした。
駆体である日産化学社製、SE7210の溶液を塗布し
た後、200℃まで加熱し、30分放置し溶剤を除去し
て緻密なポリイミド膜を得た。
FM装置と同じ構造の装置により、前記膜表面に20〜
30nNの応力を与えるよう調整された、Si3N4あ
るいはSiを材質とした、先端を原子レベルで尖らせた
探針を用いて線状の応力作用パターンを形成するように
走査した。
ンに区切られたそれぞれの小領域において、互い違いに
SCN1AおよびSCN1Bで表される略直交する方向
の線状走査を行うように制御されている。
は略1μm角であり、その中を35ライン/μmの密度
で線状に探針を走査することにより線状の応力作用パタ
ーンを複数配置した。
るように、一筆書き状に隣り合う走査方向が互いに逆方
向となるよう行った。
で一つの例であり、用いる液晶材料の特性などに合わせ
て調整する。
N1Bは、第2図中の座標系で表すとそれぞれx軸、y
軸と略45度の角をなす方向に設定されている。
向をもつ領域を基板面内に複数配置した配向層AL1
は、結果として図中座標系x軸、y軸方向であるALD
1A,ALD1B方向の二つの方向の配向容易軸を有す
る配向層となる。
なポリイミド膜を得た後、ラビングローラに取付たバフ
布で配向膜表面をラビング処理し、図中の座標軸のx軸
方向のALD2で表せられる単一の配向容易軸をもつ液
晶配向能を付与した。
有する表面同士を相対向させて、分散させた球形のポリ
マビーズからなるスペーサと周辺部のシール剤とを介在
させて、セルを組みたてた。
チック液晶組成物ZLI−4535(誘電異方性Δεが
正でその値が14.8であり、屈折率異方性Δnが0.
0865)を真空で注入し、紫外線硬化型樹脂からなる
封止材で封止して液晶パネルを得た。
封入状態で6.4μmとなるように調整した。従って、
本実施例の液晶表示素子のリタデーション(Δnd)
は、0.5μmとなる。
(日東電工社製G1220DU)で挟み、一方の偏光板
の偏光透過軸POL1を上記のラビング方向ALD2と
ほぼ並行とし、他方POL1をそれに直交させて配置し
た。
表示素子を得た。
第4図を用いて説明する。
A,EL1Bおよび第2の櫛歯電極EL2A,EL2B
間に加えられる電圧波形、Trはそれに伴う液晶素子の
透過率の変化を表す。
素子は、選択的に交流電圧をV1あるいはV2として加
えることにより明・暗の2メモリー状態間のスイッチン
グが可能であることが分かる。
kHz)はV1として8Vpp,V2として6Vppであ
り、若干の駆動電圧非対称性がみられた。
状態〔第5図(b)参照〕に対応する液晶層内の液晶配
向状態の模式図を示す。
グは略基板面内の液晶分子配向スイッチングにより行わ
れる。
00を用いて、本実施例の液晶表示素子の、視野角特性
を測定したところ、上下140度、左右140度の全域
でコントラスト比が10:1以上で、かつ階調反転のな
い広視野角特性が得られた。
表示色の大きな変化も見られず、均一性の高い表示が得
られた。
して、感光性材料膜を基板表面上に形成し、その表面を
紫外光線で走査した物を用い、さらに液晶材料にカイラ
ルドーパントとしてメルク社製のCB−15を、組成物
の螺旋ピッチ長が約15μmとなるように組成したもの
を用いた以外は実施例1と同様にして液晶表示素子を作
成し、第2実施例とした。
基を含有する〔化1〕と4,4′−ジアミノジフェニル
メタンを等モル比で混入した物を用い、ピロメリット酸
二無水物及び/あるいは1,2,3,4−シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物の酸無水物にポリアミック酸
として合成し、基板表面に塗布後、200℃、30分の
焼成、イミド化を行い、波長420nmのGaNレーザ
ー光を走査ビームとして用い、第1実施例と同じパター
ンを表面上に配置し、配向層とした。
が、発振波長の近いHeCdレーザーを用いてもよい。
2〕、〔化3〕を用いてもよい。
示す図である。この実施例の場合のスイッチング交流電
圧はV1として5Vpp,V2として4.8Vppであり、
カイラルドーパント添加によるツイステッドプラーナー
状態のエネルギー安定化効果により、V1,V2の駆動
電圧非対称性をほぼ解消することができた。
例とほぼ同じ広視野角特性を持った均一性の高い表示が
得られた。
製のTX2Aを用い、第7図に示すように、櫛歯電極を
1 組のみ持つ構成として、2周波駆動回路を用いた以外
は第1実施例と同様にして液晶表示素子を作製し、第3
実施例とした。
ε)が低周波では正で、高周波では負となる2周波駆動
用のネマチック組成物であり、そのクロスオーバー周波
数は6kHzである。
す。この図に示すように、本実施例においては、暗(ホ
モジニアス)状態から明(ツイステッドプラーナー)状
態へのスイッチングには、TX2AのΔεが正となる4
kHz、8Vppの交流電圧、逆のスイッチング時には
Δεが負となる8kHz、10Vppの交流電圧をV1
として用いることにより、一組の櫛歯電極で両状態間の
スイッチングが可能であった。
により、第1実施例とほぼ同じ広視野角特性を持った均
一性の高い表示が得られた。
板SUB1、SUB2それぞれに対となる平行平板電極
を加えた構成とした以外は第3実施例と同様にして液晶
表示素子を作製し、第4実施例とした。
り、交流電圧V2が加えられる駆動回路に接続されてい
る。
例とほぼ同じであるが、追加された平行平板電極間に4
kHz、20Vppの交流電圧を加えることにより、複
数の画素を一度に明状態から暗状態にリフレッシュ表示
が可能であった。
基板SUB1上に光反射板REFとその上にλ/4板Q
Pを加えた構成とし、セルギャップを半分の3.2μm
とし、配向層AL1の二つの走査方向SCN1A,SC
N1B走査時の探針を与える応力値を調整して、AL1
にお互いに45度の角度をなす二つの液晶配向容易軸A
LD1A,ALD2Aを付与した配向層を用いた以外は
第3実施例と同様にして反射型の液晶表示素子を作製
し、第5実施例とした。
板POL2の透過軸と略45度をなす角度に設定し、配
向層AL1の配向容易軸ALD1AはALD2と同方
向、ALD1BはALD2に対して45度回転した方向
となっている。
二つの安定な液晶層の配向状態は、第5図(b)に示す
ものを45度捩れの構造としたものとなり、第5図の透
過型の構成と同じく一様配向状態で暗、(45度)ツイ
ステッドプラーナー状態で明状態となる。
例とほぼ同じであるが、透過率ではなく反射率として光
学特性が得られる点が異なる。
ポリイミド膜表面を、一旦基板SUB2側と同様にラビ
ングローラに取付たバフ布で、第1図中の座標軸のx軸
と45度の方向にラビング処理し、単一の配向容易軸を
もつ液晶配向能を付与した。
置により、前記膜表面に20〜30nNの応力を与える
よう調整された、Si3 N4 あるいはSiを材質とし
た、先端を原子レベルで尖らせた探針を用いて第1図中
の座標軸のy軸と45度の方向に、線状の応力作用パタ
ーンを形成するように先にラビング処理をした領域全面
に一様に走査した。
ビング方向と走査方向を互いに90度変えて前後して行
なったラビング処理、AFM走査処理を施した配向層A
L1は、結果として実施例1と同様に第1図中座標系x
軸、y軸方向であるALD1A,ALD1B方向の二つ
の方向の配向容易軸を有する配向層となった。本実施例
の電気光学特性および視野角特性は第1実施例とほぼ同
じであった。
して基板表面上に形成した感光性材料膜表面を紫外光線
で走査する代わりに、紫外光源からの光をブリュスター
角を利用した偏光素子により直線偏光紫外光とし、第
1、2実施例と同じ正方形のチェッカーボードパターン
の2枚のフォトマスクを介して2回照射したものを用い
た以外は実施例2と同様にして液晶表示素子を作成し、
第7実施例とした。
て、ジアゾベンゼン基を含有する〔化1〕と4,4′−
ジアミノジフェニルメタンを等モル比で混入した物を用
い、ピロメリット酸二無水物及び/あるいは1,2,
3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物の酸無
水物にポリアミック酸として合成し、基板表面に塗布
後、200℃、30分の焼成、イミド化を行い、これに
2回の偏光紫外光照射を、その直線偏光方向を互いに9
0度回転させ、同時にフォトマスクのチェッカーボード
パターンの黒に当たる部分が1回目、白に当たる部分が
2回目の偏光紫外照射領域となるように行ない配向層と
した。
晶配向のプレチルト角が略0度となるように基板面に対
して垂直入射とした。感光性材料としては、〔化1〕の
代わりに〔化2〕、〔化3〕を用いてもよい。本実施例
の電気光学特性および視野角特性は第2実施例とほぼ同
じであった。
両方の側の配向層として、実施例7と同様のチェッカー
ボードパターンの2枚のフォトマスクを用いて、2回の
直線偏光紫外光を照射した配向層を用い、さらにこの2
回の紫外光照射の強度を相対的に変えることにより、第
5実施例と同様に結果として得られる配向層の2つの容
易軸のなす角度を45度とし、またカイラルドーパント
材を添加しないようにした以外は第7実施例と同様にし
て液晶表示素子を作成し、第8実施例とした。
の配向方向がエネルギー的に安定となる配向層を両基板
に配置していることから、両方の基板界面で面内スイッ
チング(スイッチング角45度)が生じ、これとクロス
ニコルに配置された2枚の偏光板により、異なる面内方
位のホモジニアス状態間の複屈折光学モードによる表示
となる。
例とほぼ同じであるが、前述の様に複屈折モードによる
透過率として光学特性が得られる点が異なる。
して基板表面上に形成した感光性材料膜表面を直線偏光
紫外光照射を行なう際に、フォトマスクとして第11図
に示すハチの巣パターンの3枚のフォトマスクを用い、
それぞれその直線偏光方向を60度ずつ回転させながら
3回の偏光紫外光照射したものを用い、さらに基板SU
B1上の電極群を、互いにそのなす角を60度として交
差させた3対の櫛歯電極群としてそれぞれに駆動回路を
付与し、適当な光学特性を調整した位相版を出射側の偏
光板の直前に追加した以外は第7実施例と同様にして液
晶表示素子を作成し、第9実施例とした。
れぞれに対応した直線偏光紫外光照射の偏光方向を第1
1図(b)、第11図(c)、第11図(d)に示す。
度ずつ異なる3つの配向方向がエネルギー的に安定とな
る配向層を一方の基板に配置していることから、3対の
櫛歯電極に適当な駆動電圧をあたえることにより、この
基板界面で面内スイッチング(スイッチング角60度、
120度)を生じさせる。
態(ツイスト角0度)、60度ツイスト、120度ツイ
ストの3状態をメモリー状態として取ることが可能であ
る。
態において白表示となるように前述の位相板の光学特性
を調節することにより、60度ツイスト状態での中間調
表示を含めた3階調の光学特性が得られた。
く、本発明の趣旨にもとづいて種々の変形が可能であ
り、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
チック液晶を用いた液晶表示素子において、メモリー特
性による低消費電力と広視野角表示を両立させることが
できる。
に適用することができ、特に、メモリー特性による低消
費電力と広視野角表示を両立させることができるため、
携帯情報端末として好適である。
Claims (11)
- 【請求項1】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前
記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成された、前
記基板面に略平行な成分を持つ電界を前記液晶層に印加
するための電極群と、前記一対の基板間に配置された液
晶層と、該液晶層と前記一対の基板の少なくともどちら
か一方の基板の間に配置された、複数の方向に液晶配向
規制処理された配向層とを有する液晶表示素子におい
て、前記配向層の複数の液晶配向規制方向が、基板面内
で互いになす角がすべて略等しく、かつ、それぞれの液
晶配向規制方向における基板面からの起き上がり角がす
べて略0度であることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項2】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前
記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成された、前
記基板面に略平行な成分を持つ電界を前記液晶層に印加
するための電極群と、前記一対の基板間に配置された液
晶層と、該液晶層と前記一対の基板の少なくともどちら
か一方の基板の間に配置された、2つの方向に液晶配向
規制処理された配向層とを有する液晶表示素子におい
て、前記配向層の2つの液晶配向規制方向が、基板面内
において互いになす角が略90度で、かつ、その一方の
液晶配向規制方向における基板面からの起き上がり角が
略0度、他方が略0度でないことを特徴とする液晶表示
素子。 - 【請求項3】前記異なる複数の方向の液晶配向規制処理
の少なくとも1つが、当該処理対象となる領域全体に一
様に施される処理を、その方向ごとに複数回に分割して
行なう処理であることを特徴とする請求項1又は2記載
の液晶表示素子。 - 【請求項4】前記異なる複数の方向の液晶配向規制処理
の少なくとも1つが、当該処理対象となる領域全体を、
その方向ごとに複数の副領域に分割して行なう処理であ
ることを特徴とする請求項1又は2記載の液晶表示素
子。 - 【請求項5】前記異なる複数の方向の液晶配向規制処理
の少なくとも1つが、前記基板表面上に化学反応を与え
得る光を直線偏光光として照射する処理であることを特
徴とする請求項1、2,3又は4記載の液晶表示素子。 - 【請求項6】前記異なる複数の方向の液晶配向規制処理
の少なくとも1つが、前記基板表面上に応力を与え得る
探針で走査する処理であることを特徴とする請求項1、
2、3又は4記載の液晶表示素子。 - 【請求項7】前記異なる複数の方向の液晶配向規制処理
の少なくとも1つが、前記基板表面上に化学反応を与え
得る光線で走査する処理であることを特徴とする請求項
1、2、3又は4記載の液晶表示素子。 - 【請求項8】前記液晶層として、不斉分子を組成成分と
して含有する液晶材料からなることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6又は7記載の液晶表示素子。 - 【請求項9】前記液晶層として、その誘電異方性の符号
が印加される交流電界の周波数に依存して正・負両方と
り得る液晶材料からなることを特徴とする、請求項1、
2、3、4、5、6、7又は8記載の液晶表示素子。 - 【請求項10】前記基板と略平行な成分を持つ電界を液
晶層に印加する電極群とは別に、前記一対の基板のそれ
ぞれの基板上に配置された、対となる電極を有すること
を特徴とする、請求項1、2、3、4、5、6、7、8
又は9記載の液晶表示素子。 - 【請求項11】前記一対の基板のどちらかの基板上に、
光反射板が配置されたことを特徴とする、請求項1、
2、3、4、5、6、7、8、9又は10記載の液晶表
示素子。
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