JP4814213B2 - 固体粒子を運搬する方法 - Google Patents
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Description
m1p1+m2p2+…+mnpn=(m1+m2+…+mn)pr
に従って生じ、但し、miは、個々のドープ量piを有するSi成分の個々の質量である。
Claims (21)
- 不規則な形状の複数の固体粒子を、1つの湾曲部または複数の湾曲部および/または1つの折曲部または複数の折曲部を有する少なくとも1つの管または管装置を通して搬送し、これら固体粒子を搬送するために流体が用いられる、方法において、
前記不規則な形状の固体粒子を、破壊されたシリコン材料としてのCVDポリシリコン棒のフラグメント、多結晶ブロックのフラグメント、シリコン単結晶のフラグメントおよび/またはエンドピース、単結晶のおよび/または多結晶のウエハのフラグメントの何れかが用いられてなる第1の固体粒子として搬送するために、これらの固体粒子に、シリコンからなりまたはシリコンを含む規則的な形状の第2の固体粒子が添加されること、また、前記固体粒子は、流体としてのガスと共に搬送されることを特徴とする方法。 - 多角形の形状を有する固体粒子が、第1の固体粒子として用いられることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 球形のまたは楕円形の形状を有する固体粒子が、第2の固体粒子として添加されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の固体粒子の割合が、前記第1のおよび第2の固体粒子の全量の約1%ないし約50%であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記固体粒子は、流体のパックによって搬送されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記流体は、前記管または管装置に脈動的に供給されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記流体は、規則的なまたは不規則的な時間間隔で脈動されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記第1の固体粒子は、長さ対幅比L:B約≦3の幅Bおよび長さLを持つ細長の形状を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の固体粒子の最大限の長さLは、前記管の半径であることを特徴とする請求項1または8に記載の方法。
- 前記固体粒子をシリコン融液に供給することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の固体粒子に存するドーピング元素が、前記シリコン融液に、ドープされることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- ホウ素およびリン、周期系の第3族の元素および/または第5族の元素が、前記ドーピング元素として、用いられることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 1×10 17 cm −3 ≦p + i ≦1×10 20 cm −3 、特に、1×10 18 cm −3 ≦p + i ≦1×10 19 cm −3 の範囲のドーピング濃度p + i を有するドープ量p + 1 ,p + 2 ,…p + n の、量m + 1 ないしm + n における高濃度にドープした前記第1の固体粒子を、1×10 13 cm −3 ≦p j ≦1×10 17 cm −3 、特に1×10 14 cm −3 ≦p j ≦1×10 16 cm −3 の範囲のドーピング濃度p j の濃度p 1 ,p 2 ,…p m を有する、量m 1 ないしm m における第2のドープしていない固体粒子と混合し、その結果として前記融液のドープ量p r が生じ、以下の式
- 前記固体粒子は、前記少なくとも1つの管または管装置の1つのまたは複数の区域において、加速されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- シリコン融液からシリコンの結晶化によって固体シリコンを製造する方法であって、容器に入っているシリコン融液から引き上げられた結晶化されたシリコンに応じて、前記シリコン融液に、シリコンからなりまたはシリコンを含む固体材料を供給する、方法において、
前記固体材料は、第1のおよび第2の複数の固体粒子からなり、または少なくともこれらの固体粒子を含み、また、前記第1の固体粒子は破壊されたシリコン材料からなり、前記第2の固体粒子は球形のまたは楕円形の形状を有し、また、前記固体材料は、流体によって搬送されることを特徴とする方法。 - 前記固体材料は、前記融液が中を通りあるいはこの融液によって同軸に囲繞されている管を通って搬送され、また、前記固体粒子は、前記管の上方に設けられかつ錐体の形状を有している転向要素により、前記容器の方向に転向され、また、これら固体粒子は、前記管を囲繞しかつ前記融液の領域で外縁側に延びておりしかも錐体面部分の形状を有している跳ね返り要素を介して、前記融液に供給されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 圧縮空気、窒素、アルゴンおよび/または二酸化炭素またはこれらの物質の混合物からなるガスが、流体として用いられることを特徴とする請求項1または15に記載の方法。
- シリコンウエハをリボン状結晶成長法で製造することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 錐体の形状を有する前記転向要素のおよび前記跳ね返り要素の形状は、複数の前記固体粒子の形態および混合比に適合するように調整されていることを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記跳ね返り要素および/または転向要素の温度は、300℃ないし1200℃の範囲に、好ましくは1000℃と1120℃の間に調整されることを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記錐体の形状を有する転向要素は、開口角αを有し、但し、好ましくは30°≦α≦60°、特にα≒45°であり、この転向要素は、基礎面において、直径dを有し、前記跳ね返り要素は基礎において直径Dを有し、但し、0.2≦d/D<0.8であることを特徴とする請求項16に記載の方法。
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