JP4809182B2 - 温度制御装置 - Google Patents

Description

本発明は、筐体内の温度を制御する温度制御装置に関するものである。

電子機器（筐体）が備える各部品の動作を保障するためには、各部品の動作が保証される温度範囲（温度保証範囲）において、各部品を動作させる必要がある。電子機器が備える部品の温度保証範囲は、例えば民生用途向けの部品では、０℃〜７０℃が一般的であるが、電子機器の動作環境は、０℃を下回る温度環境となる場合も想定される。

従来、電子機器の低温環境での動作を保証するためには、保証温度範囲の広い産業用途向けの部品を使用したり、電子機器にヒータやその他の発熱媒体を設けて発熱させて電子機器を保証温度範囲内に収める必要があった（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１−８７８６２号公報

しかしながら、上記従来の技術では、ヒータなどの発熱媒体を電子機器内に配設する必要があるため、電子機器自体の構成が複雑化する。このため、電子機器の生産コストが高くなるとともに電子機器の実装面積を圧迫するといった問題があった。

電子機器内に発熱媒体を配設せずに電子機器の低温環境での動作を保証する方法として、保証温度範囲の広い産業用途向けの部品などを使用する方法がある。ところが、この方法では、保証温度範囲の狭い民生用の部品を使用する場合よりも、部品コストが増加し、電子機器の生産コストが高くなるといった問題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、筐体内の温度制御を簡易な構成で容易に行なうことができる温度制御装置を得ることを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、筐体内の温度を制御する温度制御装置において、前記筐体内に配設される基板上で前記基板上の部品と協働して所定の演算処理を行うとともに前記筐体内の温度を制御する温度制御部と、前記筐体内の温度を検出する温度検出部と、を備え、前記温度制御部は、前記筐体内の部品に対して動作保証されている動作保証温度よりも低い温度を、前記所定の演算処理を行っている際に前記温度検出部が検出すると、前記所定の演算処理を停止して前記筐体内の温度が前記動作保証温度以上となるまでアイドル動作して発熱し自らの温度を上昇させることを特徴とする。

この発明によれば、筐体内の温度が部品の動作保証温度よりも低い場合に、温度制御部がアイドル動作して発熱し自らの温度を上昇させるので、筐体内の温度制御を簡易な構成で容易に行なうことが可能になるという効果を奏する。

以下に、本発明にかかる温度制御装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかる温度制御装置の構成を示すブロック図である。温度制御装置１００は、電子機器などとして動作する筐体（後述の筐体２０）内などに配設され、基板（後述の基板３０）上で所定の演算処理を行うとともに筐体２０内の温度を制御する。温度制御装置１００は、筐体２０内の温度を検出する温度センサ５０、基板３０上で所定の演算処理を行うマイクロプロセッサ１０を備えている。

温度センサ（温度検出部）５０は、温度検出部４、動作保証温度記憶部３、低温検知信号送出部５を備えている。温度検出部４は、筐体内の温度を検出する温度検出回路などを含んで構成されており、検出した筐体内の温度を筐体温度情報として低温検知信号送出部５に入力する。

動作保証温度記憶部３は、制御部２にアイドル動作（筐体の温度を上昇させるための動作）を行なわせるか否かを判断する際の判断基準（部品の動作保証温度）を記憶する。動作保証温度記憶部３は、低温検知信号送出部５と接続しており、低温検知信号送出部５に動作保証温度を提供する。なお、ここでの動作保証温度は、筐体２０内の部品（マイクロプロセッサ１０や後述の部品６１）の動作を保証する温度（例えば０℃）であり、電子機器（筐体２０、温度制御装置１００）毎に設定される。

低温検知信号送出部５は、温度検出部４から入力された筐体温度情報と、動作保証温度記憶部３が記憶する動作保証温度に基づいて、筐体内が所定の温度以下であることを示す低温検知信号をマイクロプロセッサ１０に送出するか否かを判断する。低温検知信号送出部５は、温度検出部４から入力された筐体温度情報の温度が、動作保証温度記憶部３が記憶する動作保証温度よりも低い場合に、低温検知信号をマイクロプロセッサ１０に送出すると判断し、低温検知信号をマイクロプロセッサ１０に送出する。

マイクロプロセッサ１０は、発熱機構１を有しており、発熱機構１内に制御部２を備えている。発熱機構１は、マイクロプロセッサ１０が動作している間に発熱する電子部品、半導体部品（図示せず）などを含んで構成されている。ここでの発熱機構１は、例えば制御部２がマイクロプロセッサ１０にアイドル動作を行なわせている間に発熱し、この発熱によって筐体２０内の温度を上昇させる。

制御部（温度制御部）２は、マイクロプロセッサ１０によるアイドル動作や通常の演算処理動作を制御する。ここでの制御部２は、温度センサ５０と接続しており、温度センサ５０から低温検知信号を受信するとアイドル動作を行なって筐体２０内の温度を上昇させる。制御部２は、温度センサ５０から低温検知信号を受信しない場合、通常の演算処理動作などを行なう。

つぎに、筐体２０の外観構成（断面構成）について説明する。図２は、筐体の外観構成を示す断面図である。筐体２０（電子機器）は、その内部に配設される基板３０を筐体２０の内壁面などに固定するとともに基板３０を保護する。筐体２０は、プリント基板などの基板３０上に温度センサ５０、部品６１、マイクロプロセッサ１０などを搭載している。

部品６１は、電子機器を構成する電子部品や半導体部品などの部品であり、マイクロプロセッサ１０とともに所定の演算処理などを行う。温度センサ５０とマイクロプロセッサ１０は、基板３０上または基板３０内で所定の配線を介して接続している。なお、ここでの温度センサ５０、マイクロプロセッサ１０、基板３０が、図１で説明した温度制御装置１００に対応している。

つぎに、実施の形態１にかかる温度制御装置１００の温度制御の処理手順について説明する。図３は、実施の形態１にかかる温度制御装置の温度制御の処理手順を示すフローチャートである。

温度制御装置１００へ電源投入された後（ステップＳ１０）、温度制御装置１００の温度センサ５０（温度検出部４）によって筐体２０内の温度を測定する（ステップＳ２０）。温度検出部４は、測定した筐体２０内の温度を筐体温度情報として、低温検知信号送出部５に送信する。

低温検知信号送出部５は、温度検出部４から筐体温度情報を受信する。低温検知信号送出部５は、温度検出部４から筐体温度情報を受信すると、動作保証温度記憶部３から動作保証温度を抽出する。そして低温検知信号送出部５は、温度検出部４から受信した筐体温度情報と、動作保証温度記憶部３から抽出した動作保証温度とを比較して、検出された筐体２０内の温度が動作保証温度の範囲内（例えば、０℃以上）であるか否かを判断する（ステップＳ３０）。

低温検知信号送出部５は、検出された筐体２０内の温度が動作保証温度の範囲内ではないと判断すると（ステップＳ３０、ＮＯ）、マイクロプロセッサ１０に低温検知信号を送信する。これによりマイクロプロセッサ１０の制御部２は、温度センサ５０の低温検知信号送出部５から低温検知信号を受信する（ステップＳ４０）。

温度センサ５０から低温検知信号を受信したマイクロプロセッサ１０の制御部２は、スタートアップモードで動作を開始する（ステップＳ５０）。マイクロプロセッサ１０は、スタートアップモードでは、部品６１などの周辺回路に影響を与えないようアイドル状態で動作する（ステップＳ６０）。

このアイドル状態での動作によって、マイクロプロセッサ１０（発熱機構１）は発熱する。ここで、筐体２０内の熱伝播について説明する。図４は、実施の形態１にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図である。

同図に示すように、筐体２０内のマイクロプロセッサ１０が発熱すると、筐体２０内の空気を介した熱伝導、基板３０の内層にある電源層やグラウンド層のベタ面への熱伝導が発生する。これにより、筐体２０内の温度が上昇する。

スタートアップモード中は、筐体２０内の温度が動作保証温度範囲内に上昇するまで、ステップＳ２０〜Ｓ６０の処理を繰り返し実行する。マイクロプロセッサ１０の発熱によって、検出される筐体２０内の温度が動作保証温度範囲内（例えば、０℃以上）になると（ステップＳ３０、ＹＥＳ）、低温検知信号送出部５は、マイクロプロセッサ１０への低温検知信号の送出を停止する。そして、低温検知信号送出部５は、温度検出部４による温度検出を解除させる。マイクロプロセッサ１０は、低温検知信号送出部５から低温検知信号を受信しなくなると、スタートアップモードから通常モードに切り替わり、通常の演算処理動作を開始する（演算処理の実行命令受け付ける状態となる）（ステップＳ７０）。

なお、基板３０の上面（下面）が筐体２０の側面と平行方向になるよう（基板３０の上面が筐体２０の底面と垂直方向になるよう）、基板３０を筐体２０内に設置する場合、発熱電子部品となるマイクロプロセッサ１０を基板３０の下部（筐体２０の底面に近い位置）に配置することによって、マイクロプロセッサ１０に温められた空気が筐体２０内で対流しやすくなる。これにより、筐体２０内の上部に配置された電子部品や半導体部品（部品６１など）を効率良く温度上昇させることができる。

また、温度センサ５０は、基板３０上の何れの位置に配設してもよいが、例えばマイクロプロセッサ１０から遠く離れた位置に配設することによって、筐体２０内のうち温度上昇しにくい位置での温度を検出できる。これにより、筐体２０内において正確に電子部品などの動作温度を保証することが可能となる。

なお、本実施の形態では、筐体２０内の温度が動作保証温度範囲であるか否かを温度センサ５０が判定したが、マイクロプロセッサ１０が判定してもよい。この場合、温度センサ５０からマイクロプロセッサ１０へは測定した筐体２０の温度のみを送信する。そして、測定された筐体２０の温度、動作保証温度範囲に基づいて、筐体２０内の温度が動作保証温度範囲であるか否かをマイクロプロセッサ１０が判定する。

また、本実施の形態では、温度センサ５０が動作保証温度記憶部３を備える構成としたが、動作保証温度記憶部３は温度センサ５０以外（部品６１、マイクロプロセッサ１０など）が備える構成としてもよい。この場合、低温検知信号送出部５やマイクロプロセッサ１０は、温度センサ５０以外が備える動作保証温度記憶部３から動作保証温度を取得して筐体２０内の温度が動作保証温度範囲であるか否かを判定する。

このように実施の形態１によれば、筐体２０内の温度が動作保証温度範囲外である場合に、マイクロプロセッサ１０の発熱を利用して筐体２０内の温度が動作保証温度範囲内となるまで筐体２０内の温度を上昇させているので、筐体２０内の温度を動作保証温度範囲内に制御することが可能となる。

また、マイクロプロセッサ１０の発熱を利用して筐体２０内の温度を上昇させているので、動作保証温度範囲を下回るような環境下であっても、高価な産業用途品を使用せずに安価に機器（電子部品）の動作を保証できる。したがって、筐体２０内の温度制御を簡易な構成で容易に行なうことが可能となる。

実施の形態２．
つぎに、図５を用いてこの発明の実施の形態２について説明する。実施の形態２では、スタートアップモード時にマイクロプロセッサ１０が他の部品などにアクセスすることによって、実施の形態１の温度制御装置よりも多くの発熱部品を備える構成とする。

図５は、本発明の実施の形態２にかかる温度制御装置の構成を示すブロック図であり、図６は、実施の形態２にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図である。図５および図６の各構成要素のうち図１および図４に示す実施の形態１の温度制御装置１００、筐体２０と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。

実施の形態２の温度制御装置１００は、発熱機構１がマイクロプロセッサ１０の制御部２に加えて、マイクロプロセッサ１０の外部に配置されるメモリ１１、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）１２を含んでいる。

メモリ１１は、電子機器を構成する部品であり、所定の情報を記憶する。ＦＰＧＡ１２は、電子機器を構成する部品であり、プログラミング可能なＬＳＩ（Large Scale Integration）である。メモリ１１、ＦＰＧＡ１２は、基板３０上に配設される。

メモリ１１、ＦＰＧＡ１２は、制御部２と接続しており、マイクロプロセッサ１０がスタートアップモードとなった際に、制御部２がメモリ１１、ＦＰＧＡ１２にアクセスすることによってメモリ１１、ＦＰＧＡ１２が発熱する。すなわち、ここでのメモリ１１、ＦＰＧＡ１２は、通常の動作（記憶処理、プログラミング処理）に加えてスタートアップモード時には発熱部品（発熱機構１の一部）として動作する。

温度制御装置１００において、マイクロプロセッサ１０が温度センサ５０から低温検知信号を受信しスタートアップモードとなった場合、マイクロプロセッサ１０は、図６に示すように、基板３０上の周辺の部品（メモリ１１、ＦＰＧＡ１２）にアクセスする。このとき、マイクロプロセッサ１０は、他の周辺回路に影響を与えないよう、メモリ１１、ＦＰＧＡ１２にアクセスする。

なお、スタートアップモードの際にマイクロプロセッサ１０がアクセスする部品はメモリ１１、ＦＰＧＡ１２に限られず、筐体２０内（基板３０上）の何れの部品であってもよい。

また、基板３０上にＦＰＧＡ１２やＰＬＤ（Programmable Logic Device）等のプログラマブルデバイスを搭載する場合、プログラマブルデバイスを内部で独立して動作させるスタートアップモード専用回路（カウンタ回路等）を予め用意しておいてもよい。これにより、スタートアップモード時にスタートアップモード専用回路を動作させることができ、発熱部品を増やすことが可能となる。

このように実施の形態２によれば、電子機器のスタートアップモード時にマイクロプロセッサ１０が基板３０上の他の部品にアクセスするので、スタートアップモード時の発熱部品が実施の形態１の温度制御装置１００よりも多くなる。これにより、電子機器のスタートアップモード時に、多くの発熱部品によって筐体２０の温度を上昇させることができ、効率良く迅速に筐体２０内の温度制御を行なうことが可能となる。

実施の形態３．
つぎに、図７を用いてこの発明の実施の形態３について説明する。実施の形態３では、マイクロプロセッサ１０のアイドル動作によって筐体２０が動作保証温度に到達するまでに要する時間（以下、動作保証温度到達時間という）を予め算出しておく。そして、スタートアップモード時には、予め算出しておいた動作保証温度到達時間の間、マイクロプロセッサ１０のアイドル動作を行なう。

電子機器の周辺温度が定常的に動作保証温度を下回っているような環境下で電子機器を使用する場合、筐体２０、基板３０、電子部品（部品６１、マイクロプロセッサ１０）等の形状や物性値から、筐体２０内が動作保証温度に達するまでの時間（動作保証温度到達時間）を算出しておく。

例えば、筐体２０の周辺温度が一定の場合、動作保証温度到達時間は、電子機器の熱時定数よって求めることができる。具体的には、熱時定数τは、熱抵抗Ｒ×熱容量Ｃの計算式で算出可能である。また、電子機器全体の熱抵抗Ｒは筐体２０、基板３０、素子（図示せず）、筐体２０内の空気の熱抵抗などから計算でき、熱容量Ｃは、筐体２０、素子、筐体２０内の空気の比熱と体積から計算できる。

このようにして算出した動作保証温度到達時間は、マイクロプロセッサ１０などに記憶させておく。そして、制御部２は、スタートアップモード時には、記憶しておいた動作保証温度到達時間の間、マイクロプロセッサ１０のアイドル動作を行なう。

図７は、実施の形態３にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図である。図７の各構成要素のうち図４に示す実施の形態１の筐体２０と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。図７の筐体２０は、図４に示した筐体２０と比べて、基板３０上に温度センサ５０を備えていない。

動作保証温度を下回る環境（例えば、筐体２０の周辺温度が−５℃）で、電子機器の電源を投入すると、温度制御装置１００のマイクロプロセッサ１０は、記憶しておいた動作保証温度到達時間の間、スタートアップモードで動作する。これにより、温度センサ５０を使用せずに筐体２０内の温度を動作保証温度範囲内に制御することが可能となる。

なお、実施の形態３では、実施の形態１で説明した発熱機構１を用いて筐体２０内の温度を上昇させてもよいし、実施の形態２で説明した発熱機構１を用いて筐体２０内の温度を上昇させてもよい。

また、実施の形態３では、予め算出しておいた動作保証温度到達時間を用いてマイクロプロセッサ１０がアイドル動作を行なったが、動作保証温度到達時間は電子機器の電源が投入された後に算出してもよい。この場合、動作保証温度到達時間の算出手段（図示せず）などに予め筐体２０、基板３０、電子部品等の形状や物性値などを記憶させておく。そして、電子機器の電源投入後に、動作保証温度到達時間の算出手段などによって動作保証温度到達時間を算出し、算出した動作保証温度到達時間を用いてマイクロプロセッサ１０がアイドル動作を行なう。

このように実施の形態３によれば、予め算出しておいた動作保証温度到達時間を用いてマイクロプロセッサ１０のアイドル動作を行なうので、温度センサ５０を用いることなく筐体２０内の温度制御を簡易な構成で容易に行なうことが可能となる。

実施の形態４．
つぎに、この発明の実施の形態４について説明する。実施の形態４では、電子機器が通常動作中に筐体２０内の温度が動作保証温度範囲外となった場合に、マイクロプロセッサ１０は通常動作を中断してスタートアップモードに切り替える。

実施の形態４では、例えば実施の形態１で説明した図１の温度制御装置１００と同様の温度制御装置によって筐体２０内の温度を制御するので、温度制御装置の構成の説明を省略する。

電子機器は、筐体２０内の温度が動作保証温度範囲内の場合に通常動作を行なう。この間、温度センサ５０の温度検出部４は、筐体２０内の温度検出を実行し、検出した筐体２０内の温度を筐体温度情報として低温検知信号送出部５に入力する。

そして、低温検知信号送出部５は、温度検出部４から入力された筐体温度情報の温度が、動作保証温度記憶部３が記憶する動作保証温度よりも低くなっていないか否かを判断している。

この電子機器の通常動作中に、筐体２０の周辺温度が下がったことによって筐体２０内の温度が動作保証温度範囲外（動作保証温度を下回った場合）となると、低温検知信号送出部５は、温度検出部４から入力された筐体温度情報の温度が、動作保証温度記憶部３が記憶する動作保証温度よりも低くなっていると判断し、低温検知信号をマイクロプロセッサ１０に送信する。

これにより、マイクロプロセッサ１０（制御部２）は、通常動作を中断してスタートアップモードに切り替わる。マイクロプロセッサ１０は、周辺回路に影響を与えないようアイドル状態で動作する。

アイドル状態で動作している間、温度センサ５０の温度検出部４は、筐体２０内の温度検出を実行し、検出した筐体２０内の温度を筐体温度情報として低温検知信号送出部５に入力する。

そして、低温検知信号送出部５は、温度検出部４から入力された筐体温度情報の温度が、動作保証温度記憶部３が記憶する動作保証温度よりも高くなったか否かを判断する。アイドル状態での動作中に、筐体２０内の温度が動作保証温度範囲内になると、低温検知信号送出部５は、温度検出部４から入力された筐体温度情報の温度が、動作保証温度記憶部３が記憶する動作保証温度よりも高くなっていると判断し、マイクロプロセッサ１０への低温検知信号の送出を停止する。

マイクロプロセッサ１０は、低温検知信号送出部５から低温検知信号を受信しなくなると、スタートアップモードから通常モードに切り替わり通常動作を開始する。そして、温度センサ５０の温度検出部４は、筐体２０内の温度検出を再開する。

このように、実施の形態４では、筐体２０内の温度が動作保証温度範囲外となった場合にマイクロプロセッサ１０は通常動作を中断してスタートアップモードに切り替わり、筐体２０内の温度が動作保証温度範囲内となった場合にマイクロプロセッサ１０はスタートアップモードを中断して通常動作に切り替わる。

このように実施の形態４によれば、電子機器が動作する際には、筐体２０内の温度に応じてマイクロプロセッサ１０が通常動作とスタートアップモードとを切り替えながら動作するので、筐体２０内の温度変化に応じて正確に筐体２０内の温度制御を行なうことが可能となる。

実施の形態５．
つぎに、図８および図９を用いてこの発明の実施の形態５について説明する。実施の形態５では、実施の形態１〜４の温度制御装置１００に対して基板３０上に熱の良導体を配設し、マイクロプロセッサ１０から発生する熱を熱の良導体を介して伝播させる。

ここでは、実施の形態５にかかる温度制御装置１００の一例として、図４に示した実施の形態１の温度制御装置１００の基板３０上に熱の良導体を配設した場合について説明する。

図８は、実施の形態５にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図である。図８の各構成要素のうち図４に示す実施の形態１の筐体２０と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。

実施の形態５の筐体２０は、基板３０の面内でマイクロプロセッサ１０から発生する熱が行き渡りにくい箇所（部品６１など）に対して、熱の良導体を配設する。具体的には、マイクロプロセッサ１０（発熱電子部品）と部品６１の上面に、マイクロプロセッサ１０や部品６１がヒートパイプ（第１の熱伝播部）７と接触するようヒートパイプ７を設置する。これにより、図９に示すように、熱の良導体であるヒートパイプ７がマイクロプロセッサ１０から発生する熱の熱輸送を部品６１などに行ない、基板３０面の均熱化が可能となる。

なお、実施の形態５では、基板３０上に熱の良導体としてヒートパイプ７を設置したが、熱の良導体はヒートパイプ７に限られず、アルミ板やヒートスプレッダを設置してもよい。

このように実施の形態５によれば、基板３０上に熱の良導体であるヒートパイプ７を配設し、スタートアップモードとなった場合には、マイクロプロセッサ１０から発生する熱をヒートパイプ７を介して基板３０上（部品６１）に伝播させるので、筐体２０内の温度制御を効率良く行なうことが可能となる。

実施の形態６．
つぎに、図１０および図１１を用いてこの発明の実施の形態６について説明する。実施の形態６では、実施の形態１〜５の温度制御装置１００に対して基板３０の内層部に熱の良導体を配設し、マイクロプロセッサ１０から発生する熱を熱の良導体を介して伝播させる。

ここでは、実施の形態６にかかる温度制御装置１００の一例として、図４に示した実施の形態１の温度制御装置１００の基板３０上に熱の良導体を配設した場合について説明する。

図１０および図１１は、実施の形態６にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図である。図１０および図１１の各構成要素のうち図４に示す実施の形態１の筐体２０と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。

実施の形態６の筐体２０は、基板３０の材料としてメタルコア基板等の基板３０の中間層に金属芯（第２の熱伝播部）８を配置した基板３０を使用する。そして、マイクロプロセッサ１０は、スタートアップモードとなった場合には、銅コア等の金属芯８をベタグランド（ベタＧＮＤ）として使用し、マイクロプロセッサ１０の発熱機構１とヒートパイプ７を接続させる。これにより、図１１に示すように熱の良導体である金属芯８がマイクロプロセッサ１０から発生する熱の熱輸送を行ない、基板３０面の均熱化が可能となる。

このように実施の形態６によれば、基板３０の内層部に熱の良導体である金属芯８を配設し、スタートアップモードとなった場合には金属芯８をベタグランドとして使用するので、マイクロプロセッサ１０から発生する熱を金属芯８を介して基板３０上（部品６１）に伝播させることができる。したがって、筐体２０内の温度制御を効率良く行なうことが可能となる。

以上のように、本発明にかかる温度制御装置は、筐体内の温度制御に適している。

実施の形態１にかかる温度制御装置の構成を示すブロック図である。 筐体の外観構成を示す断面図である。 実施の形態１にかかる温度制御装置の温度制御の処理手順を示すフローチャートである。 実施の形態１にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図である。 実施の形態２にかかる温度制御装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態２にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図である。 実施の形態３にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図である。 実施の形態５にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図（１）である。 実施の形態５にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図（２）である。 実施の形態６にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図（１）である。 実施の形態６にかかる筐体内での熱伝播を説明するための図（２）である。

符号の説明

１ 発熱機構
２ 制御部
３ 動作保証温度記憶部
４ 温度検出部
５ 低温検知信号送出部
７ ヒートパイプ
８ 金属芯
１０ マイクロプロセッサ
１１ メモリ
１２ ＦＰＧＡ
２０ 筐体
３０ 基板
５０ 温度センサ
６１ 部品
１００ 温度制御装置

Claims (6)

1. 筐体内の温度を制御する温度制御装置において、
   前記筐体内に配設される基板上で前記基板上の部品と協働して所定の演算処理を行うとともに前記筐体内の温度を制御する温度制御部と、
   前記筐体内の温度を検出する温度検出部と、
   を備え、
   前記温度制御部は、前記筐体内の部品に対して動作保証されている動作保証温度よりも低い温度を、前記所定の演算処理を行っている際に前記温度検出部が検出すると、前記所定の演算処理を停止して前記筐体内の温度が前記動作保証温度以上となるまでアイドル動作して発熱し自らの温度を上昇させることを特徴とする温度制御装置。
2. 前記温度制御部は、前記アイドル動作を行っている際に前記温度検出部が前記動作保証温度よりも高い温度を検出すると、前記アイドル動作を停止して前記所定の演算処理を行なうことを特徴とする請求項１に記載の温度制御装置。
3. 前記温度制御部は、前記筐体毎に算出された時間であって自装置に電源が投入されてから前記動作保証温度となるまでに必要なアイドル動作の時間の間、アイドル動作して自らの温度を上昇させることを特徴とする請求項１に記載の温度制御装置。
4. 前記温度制御部は、アイドル動作して自らの温度を上昇させる際、自らが配設される部品とは異なる他の部品にアクセスして前記他の部品を発熱させ前記他の部品の温度を上昇させることを特徴とする請求項１に記載の温度制御装置。
5. 前記筐体内で動作する部品と前記温度制御部とを接続するとともに、前記温度制御部がアイドル動作して発熱する際には前記温度制御部からの熱を前記筐体内で動作する部品に熱伝播させる第１の熱伝播部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の温度制御装置。
6. 前記温度制御部のグランド線として前記基板の層間に配設されるとともに、前記温度制御部がアイドル動作して発熱する際には前記温度制御部からの熱を前記筐体内で動作する部品に熱伝播させる第２の熱伝播部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の温度制御装置。

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