JP4802697B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示し、図2(A)は図1のIIA−IIAに沿う断面図を示し、図2(B)は図1のIIB−IIBに沿う断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはCSP(chip size package)と呼ばれるものであり、シリコン基板(半導体基板)1を備えている。
図3はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、下層配線16をその上に絶縁膜3及び保護膜5を介して設けられた第2の引き出し配線9と交差するようにした点である。この場合、下層配線16と第2の引き出し配線9とは直交するように構成されるため、下層配線16の長さを可及的に短くすることができる。これにより、下層配線16に起因する特性劣化を低減することができて、インダクタ素子13のQ値を増加させることができる。
図4はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と大きく異なる点は、薄膜インダクタ素子13において、下層配線を2ヵ所に設けるようにした点である。
図5はこの発明の第4実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と大きく異なる点は、薄膜インダクタ素子13を3巻きの渦巻き状とし、薄膜インダクタ素子13の立体的な交差部を2箇所とした点である。
図6はこの発明の第5実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と大きく異なる点は、薄膜インダクタ素子13を4巻きの渦巻き状とし、薄膜インダクタ素子13の立体的な交差部を3箇所とした点である。
図7はこの発明の第6実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示す。この半導体装置において、図6に示す半導体装置と異なる点は、第3の上層配線43を2巻きの渦巻き状とし、第4の上層配線44を半円弧状とし、第3の上層配線43の他端部と第4の上層配線44とを第3の下層配線で接続した点である。
2a、2b、2c 接続パッド
3 絶縁膜
5 保護膜
10〜12 第1〜第3の配線
13 薄膜インダクタ素子
14 外側の上層配線
15 内側の上層配線
16 下層配線
21 柱状電極
22 封止膜
23 半田ボール
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記半導体基板上に設けられた配線により形成された薄膜インダクタ素子と、
を備え、
前記薄膜インダクタ素子は、前記配線の両端からなる一端部及び他端部と、少なくとも1箇所に設けられた、平面視において前記配線同士が前記絶縁膜を介して交差する交差部と、を有し、
前記配線は、前記絶縁膜の上部に設けられた上層配線と、前記絶縁膜の下部に設けられ、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記上層配線と電気的に接続される下層配線とにより形成され、前記交差部を除く領域において、平面視において互いに重ならず、複数の巻数を有する単一の渦巻き状に形成され、前記交差部において、前記上層配線と前記下層配線とが前記絶縁膜を介して平面視において互いに交差する位置に設けられ、
前記配線の両端から該配線に沿った長さが等しい前記配線の中央から前記一端部側に向かって、前記配線に沿って設けられた前記上層配線及び前記下層配線の配列順序と、前記配線の中央から前記他端部側に向かって、前記配線に沿って設けられた前記上層配線及び前記下層配線の配列順序と、が同一であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の発明において、前記薄膜インダクタ素子における前記渦巻き状の配線は2巻であり、前記交差部は1箇所であり、
前記上層配線は、前記絶縁膜上に1箇所が欠けた環状に設けられた外側上層配線と、前記絶縁膜上において前記外側上層配線の内側に同一側の1箇所が欠けた環状に設けられた内側上層配線と、外側上層配線の一端部及び内側上層配線の一端部に接続される引き出し配線とを有し、
前記交差部において、前記下層配線は、前記絶縁膜の下部に前記外側上層配線の他端部及び前記内側上層配線の他端部に電気的に接続されて設けられ、前記配線の中央を含む位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の発明において、前記交差部において、前記下層配線は、その上に前記絶縁膜を介して設けられた前記内側上層配線と交差するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2に記載の発明において、前記交差部において、前記下層配線は、その上に前記絶縁膜を介して設けられた前記引き出し配線と直交するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、
前記薄膜インダクタ素子における前記渦巻き状の配線は2巻であり、前記交差部は1箇所であり、
前記上層配線は、前記絶縁膜上に相対向して設けられた半円弧状の2つの外側上層配線と、前記絶縁膜上において前記外側上層配線の内側に1箇所が欠けた環状に設けられた内側上層配線と、外側上層配線の一端部及び内側上層配線の一端部に接続される引き出し配線とを有し、
前記下層配線は、前記交差部において、前記絶縁膜の下部に前記内側上層配線の一端部と前記一方の外側上層配線の一端部とに電気的に接続されて設けられた第1の下層配線と、前記交差部と異なる領域において、前記絶縁膜の下部に前記内側上層配線の他端部と前記他方の外側上層配線の一端部とに電気的に接続されて設けられた第2の下層配線とを、有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の発明において、前記半導体基板の上面に集積回路が設けられ、前記下層配線は、前記集積回路内に設けられていることを特徴とする半導体装置。
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