JP4796055B2 - ベースポリマーにグラフトされた安定なトリフルオロスチレン含有化合物 - Google Patents
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Description
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここで、アルキルまたはアリール基は過フッ素化(perfluorinated)または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを少なくとも1つのベースポリマーへグラフトすることによって製造されたフッ素化イオン交換高分子を提供する。
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを提供する。
(a)構造1aまたは1b
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここで、アルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを、ニートの形態、エマルジョンの形態、または溶液の形態で含んでなるモノマー組成物を形成する工程と、
(b)ベースポリマーに電離放射線を照射する工程と、
(c)少なくとも1つのベースポリマーを工程(a)からのモノマー組成物と約0℃〜約120℃の温度で約0.1〜約500時間接触させる工程と
を含んでなるイオン性ポリマーを製造するためのグラフト化方法を提供する。工程(b)および(c)は同時にまたは順次行われてもよい。
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを提供する。
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここで、アルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーをベースポリマーへグラフトすることによって製造されたフッ素化イオン交換高分子を含んでなる、触媒コート膜を提供する。
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物をさらに含んでなる。
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここで、アルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを少なくとも1つのベースポリマー・フィルムへグラフトすることによって製造されたフッ素化イオン交換高分子を含んでなる、膜電極アセンブリを提供する。
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる。
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここで、アルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを少なくとも1つのベースポリマーへグラフトすることによって製造されたフッ素化イオン交換高分子を含んでなる、電気化学セルを提供する。
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる。
本発明のフッ素化イオン交換高分子は、燃料電池、クロルアルカリ電池、バッテリー、電解セル、イオン交換膜、センサー、電気化学キャパシター、および改良電極で高分子電解質膜として有用である。
フッ素化イオン交換高分子は、構造1aまたは1b
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここで、アルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーをベースポリマーへグラフトすることによって製造される。
グラフトモノマーは、グラフト化方法を改善するための、または強度もしくは耐溶媒膨潤性などの特性を改善するためのコモノマーを場合により含んでいてもよい。コモノマーはグラフト反応中に構造1aまたは1bを有するモノマーと一緒に導入されてもよい。コモノマーはフリーラジカル条件下にモノマー1aまたは1bと共重合できなければならない。好適な架橋モノマーは、ジビニルベンゼン、シアヌル酸トリアリルなどの、単一のまたは多数のビニル基を含有する化合物から選択されたコモノマー;構造2または3
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物を含んでなる。幾つかの好適な置換基Yは、水素、塩素、フッ素、メチル、エチル、メトキシ、パーフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロブチル、パーフルオロメトキシ、および−CF2CF(CF3)OCF2CF3から選択される。
グラフト反応のための基材として使用されるべきベースポリマーは、ホモポリマーであっても、または幾つかのコモノマーよりなってもよい。ベースポリマーは典型的には、最終グラフトポリマーに望ましい機械的特性を与えるように選択され、グラフト化のためポリマーを活性化するために用いられる照射に安定であり、かつ、それが使用中に曝される条件下で安定である。セパレーターまたは膜のためには、ベースポリマーはフィルムの形態で存在することが望ましいが、電気化学的用途に依存して他の形状が望ましいかもしれない。好適な材料には一般に、非フッ素化、フッ素化、および過フッ素化モノマーのホモポリマーまたは共重合体が含まれる。部分的にまたは完全にフッ素化されたポリマーは、しばしば増加した化学的安定性を与え、より典型的である。幾つかの典型的なベースポリマーには、デュポン(DuPont)テフゼル(Tefzel)(登録商標)のケースでは、35:65〜65:35(モル比)の範囲のエチレンおよびテトラフルオロエチレン(TFE)と1〜10モル%のターモノマー、パーフルオロブチルエチレンとのターポリマーを含んでなるポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン−ターモノマー(ETFE);他のターモノマーをまた使用するETFE共重合体(ネオフロン(Neoflon)(登録商標)ETFE);エチレンとクロロトリフルオロエチレとの共重合体を含んでなるECTFE;場合により少量(1〜3モル%)のパーフルオロ(アルキルビニルエーテル)(PAVE)、通常パーフルオロ(プロピルビニルエーテル)(PPVE)またはパーフルオロ(エチルビニルエーテル)(PEVE)を含有していてもよい、TFEとヘキサフルオロプロピレン(HFP)との共重合体を含んでなるFEP;PAVEがPPVEまたはPEVEであってもよい、TFEとPAVEとの共重合体を含んでなるPFA;TFE、PMVE、およびPPVEの共重合体を含んでなるMFA;TFEのホモポリマーを含んでなるPTFE;0.5モル%以下の別のモノマー、通常PAVEを含有する変性PTFE;フッ化ビニル(VF)のポリマーを含んでなるPVF;フッ化ビニリデン(VF2)のポリマーを含んでなるPVDF;それぞれ、アトフィナ(Atofina)およびデュポンによって商標カイナーフレックス(KynarFlex)(登録商標)およびバイトン(Viton)(登録商標)Aで販売されているVF2とHFPとの共重合体;ポリエチレンならびにポリプロピレンが含まれるかもしれない。用語「変性」は、これらのポリマーをTFEの共重合体から区別する。変性PTFEポリマーはPTFEに似ているが、溶融加工できない。
フッ素化イオン交換高分子は、
(a)任意のコモノマーと一緒に、構造1aまたは1bを有する少なくとも1つのグラフトモノマーをニートの形態、エマルジョンの形態、または溶液の形態で含んでなるモノマー組成物を形成する工程と、
(b)典型的にはフィルムの形態にあるベースポリマーに電離放射線を照射する工程と、
(c)ベースポリマーを工程(a)からのモノマー組成物と約0℃〜約120℃の温度で約0.1〜約500時間接触させる工程と
を含んでなるグラフト化方法によって製造されてもよい。工程(b)および(c)は同時にまたは順次に行われてもよい。
本発明は、スルホン化試薬の使用なしに、フルオロスルホニルフルオリドの酸形への容易な転化を提供する。ペンダント・スルホニルフルオリド基を持つモノマーでグラフトされたポリマーは、MOHもしくはM2CO3(M=Li、Na、K、Cs、NH4)、またはMeOHおよび/またはDMSOならびに水中のMOHなどの塩基で加水分解されてもよい。加水分解は通常室温〜約100℃、典型的には室温〜約80℃で実施されてもよい。強塩基に敏感であるPVDFなどのポリマー基材では、基材の分解を回避するより弱い炭酸塩塩基を使用することが好ましい。HNO3などの酸でのポリマー塩の処理はポリマー酸を与えた。本明細書で使用される特定の連結基Zは酸形にあるイオン交換高分子の増加した熱安定性を生み出すことが分かった。
図1に示されるように、燃料電池などの電気化学セルは、非統合膜電極アセンブリ(MEA)を形成するために少なくとも1つのガス拡散バッキング(GDB)(13)と組み合わせて触媒コート膜(CCM)(10)を含んでなる。触媒コート膜(10)は、上に議論された高分子電解質膜(11)と電気触媒コーティング組成物から形成された触媒層または電極(12)とを含んでなる。燃料電池は、水素;液体もしくはガスのアルコール、例えばメタノールおよびエタノール;またはエーテル、例えばジエチルエーテルなどなどの燃料のための入口(14)、アノード出口(15)、カソードガス入口(16)、カソードガス出口(17)、タイロッド(示されていない)とつなぎ合わされたアルミニウム末端ブロック(18)、シーリングのためのガスケット(19)、電気絶縁層(20)、ガス分配のための流れ場付きグラファイト・カレントコレクタ・ブロック(21)、および金めっきカレントコレクタ(22)をさらに備えていてもよい。
上記のものに類似の電気触媒コーティング組成物を固体高分子電解質膜上へ塗布する様々な技法がCCM製造に関して公知である。幾つかの公知の方法には、吹き付け、塗装、パッチコーティングおよびスクリーン、デカル、パッドまたはフレキソ印刷が含まれる。
膜の面内導電率は、電流が膜の平面に平行に流れる技法によって、制御した相対湿度および温度の条件下に測定した。4電極技法を、参照により本明細書に援用されるワイ.ソン(Y.Sone)ら著、J.Electrochem.Soc.,143、1254(1996年)による「4電極ACインピーダンス法によって測定されるようなナフィオン(登録商標)117のプロトン伝導性(Proton Conductivity of Nafion(R) 117 As Measured by a Four−Electrode AC Impedance Method)」という表題の論文に記載されたものと同じように用いた。図2について言及すると、4つの0.25mm直径白金ワイヤー電極を支持し、かつ、支える溝を含有する4つの平行な尾根(41)を有するように下方固定具(40)をアニールしたガラス繊維強化ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)から機械加工した。2つの外側電極間の距離は25mmであるが、2つの内側電極間の距離は10mmであった。膜のストリップを、10〜15mmの幅および外側電極をカバーし、そしてそれをわずかに越えて伸びるのに十分な長さにカットし、白金電極のトップ上に置いた。底部固定具のそれに対応する適所に尾根を有する上方固定具(示されていない)をトップ上に置き、膜を押して白金電極と接触させるように2つの固定具を一緒に固定した。膜を含有する固定具を小さな圧力容器(圧力フィルター・ハウジング)に入れ、それを加熱用の温度自動調節される強制対流オーブンに入れた。容器内の温度を熱電対で測定した。水を較正ウォーターズ(Waters)515HPLCポンプ(ウォーターズ・コーポレーション、マサチューセッツ州ミルフォード(Waters Corporation,Milford,MA))から供給し、較正マスフロー・コントローラー(200sccm最高)から供給される乾燥空気と組み合わせてオーブン内部への1.6mm直径ステンレススチール・チューブのコイル内で水を蒸発させた。生じた加湿空気を圧力容器の入口へ供給した。容器内の全圧(100〜345kPa)を、出口の圧力制御レットダウン・バルブを用いて調節し、キャパシタンス・マノメーター(モデル280E、セトラ・システムズ社、マサチューセッツ州ボックスバーロウ(Setra Systems,Inc.,Boxborough,MA))を用いて測定した。温度の関数としての液体水の蒸気圧の表、2つの流速からのガス組成、容器温度、および全圧を用いて理想ガス挙動を仮定して相対湿度を計算した。図2について言及すると、固定具の下方および上方部のスロット(42)は、水蒸気との迅速な平衡のために膜への加湿空気のアクセスを可能にした。生じた電圧を内側2電極間で測定しながら、電流を外側2電極間に加えた。内側2電極間のACインピーダンス(抵抗)の実数部Rは、ポテンシオスタット/周波数応答分析器(EISソフトウェア付きPC4/750TM、ガムリー・インスツルメンツ、ペンシルバニア州ワーミンスター(Gamry Instruments,Warminster,PA))を用いて1kHzの周波数で測定した。膜の導電率κを次に、
κ=1.00cm/(R×t×w)
(ここで、tは膜の厚さであり、wはその幅であった(両方ともcm単位で))
のように計算した。
ETFEフィルムは30μmおよび55μmの厚さで入手した(テフゼル(登録商標)LZ5100およびLZ5200、デュポン・カンパニー、デラウェア州ウィルミントン(Wilmington,DE))。PVdFフィルムは50μmの厚さで入手した(カイナー(登録商標)、グッドフェロー社、ペンシルバニア州バーウィン(Goodfellow Corp,Berwyn,PA))。フィルムを脱ガスし、窒素充満グローブボックスへ持ち込んだ。それらを一定の大きさにカットし、ガスバリア性バッグ(シールド・パック社、ルイジアナ州ウェストモンロー(Shield Pack,Inc.,West Monroe,LA)製のPPDアルミ箔バリアバッグ)の内側にシールした。ドライアイス小粒を冷却用の金属トレイに入れ、フィルム入りバッグを金属トレイ中へ置いた。フィルムに、1MVおよび2.2mAの電流を用いる電子ビーム加速器を用いて照射した。6フィルム以下を各バッグに入れ、バッグをトレイ中で2以下の高さまで積み重ねた。金属トレイを2.39cm/秒のスピードでビームの真下をゆっくり移動させながら、ビームを40°開口にわたって電気走査させた。各パスは20kGyの線量をもたらし、1〜13パスを用いて20〜260kGyの総線量をもたらした。190kGyより上の線量については、パスを2グループに分け、グループ間にバッグを冷却させるために3分中断を含めた。照射フィルムは、ドライアイス下にまたは−40℃に冷却した冷凍室中でバッグ中に貯蔵した。
実施例1からの照射フィルムを秤量し、窒素充満ドライボックス内のガラス反応器内部に入れた。ガラス反応器は、グラフト溶液を満たした薄い環状容量を提供するために底部で接合された2つの同心ガラス管から形成された。スルフィドモノマーCF2=CF−C6H4S(CF2)2SO2F、またはスルホンモノマーCF2=CF−C6H4S(CF2)2SO2F、およびα,α,α−トリフルオロトルエン(TFT)の脱酸素溶液(1:1体積モノマー:体積TFT)をフィルムの一面に注いだ。反応器をセプタムでシールし、グローブボックスから取り出した。それを表1に示された温度でおよび示された時間油浴中で加熱した。フィルムをモノマー溶液から取り出し、α,α,α−トリフルオロトルエンで簡単にリンスした。フィルムを次にテトラヒドロフラン(THF)中70℃で4時間加熱して残留する溶媒、モノマー、および/またはベースフィルムに結合していないポリマーをさらに除去した。フィルムをドラフトで周囲条件下に乾燥させ、再秤量した。グラフトレベルを表1に示す。グラフトレベルは(wg−w)/w(ここで、wは基材フィルムの初期重量であり、wgはTHF抽出後の乾燥グラフト化フィルムの重量である)として計算した。
撹拌子を備えた30mLボトルに20mLの脱イオン水および4.0mLの20%パーフルオロオクタン酸アンモニウム(C8)溶液を装入した。溶液にN2を10分間バブルさせ、3.0gのCF2=CFC6H4SCF2CF2SO2Fを加えた。生じた混合物を3分間超音波処理して乳状エマルジョンを与えた。
実施例3で製造した2つのグラフト化フィルム(209%グラフトレベル)をH2O:MeOH:DMSO(5:4:1重量:重量:重量)中の10%KOH中へ60℃で24時間浸漬した。フィルムを10%硝酸中60℃で60時間酸性化し、次に中性pHまで脱イオン水でリンスした。加水分解したフィルムは58μm厚さに膨潤した。サンプルの導電率は、最初の25%から最後の95%まで変動する、制御した湿度下に80℃で面内測定した。導電率値を下の表2に示す。
撹拌子を備えた30mLボトルに20mLの脱イオン水および4.0mLの20%パーフルオロオクタン酸アンモニウム(C8)溶液を装入した。溶液にN2を10分間バブルさせ、3.0gのCF2=CFC6H4SCF2CF2SO2Fおよび0.3gの1,4−ジ(トリフルオロビニル)ベンゼンを加えた。生じた混合物を3分間超音波処理して乳状エマルジョンを与えた。
140kGy線量で照射した、それぞれ0.078gの重さがある、実施例1からの4フィルムを、小さなチューブ中のニートCF2=CFC6H4SCF2CF2SO2F中に60℃で3日間浸漬した。フィルムをボトルから取り出し、MeOH、アセトンおよび水で洗浄した。グラフト化フィルムを真空オーブン中窒素ブリードしながら60℃で2時間乾燥させた後、0.134gのグラフト化フィルムを得た。71.8%グラフトレベルを、式(wg−w)/w(ここで、wはフィルムの初期重量であり、wgは乾燥グラフト化フィルムの重量である)を用いて計算した。
実施例6で製造した71.8%増量を有するグラフト化1ミルETFEフィルムを、ペトリ(Petri)皿中の5:4:1の比(重量比)のH2O:MeOH:DMSOの溶液中10%KOH中に50℃で一晩浸漬した。フィルムを脱イオン水中周囲温度で5分間リンスした。フィルムを、10%硝酸中に60℃で60時間浸けることによって酸形にイオン交換させ、脱イオン水中でのリンス、次に脱イオン水中への室温で15分間の3連続浸漬がこれに続いた。加水分解したフィルムは38μm厚さに膨潤した。サンプルの導電率は、最初の25%から最後の95%まで変動する、制御した湿度下に80℃で面内測定した。導電率値を下の表3に示す。
実施例4で製造した膜を50mLのCH3CO2H中3.0gのCrO3中に60℃で24時間浸漬した。フィルムを取り出し、水で洗浄し、次に100mLの10%HNO3中に60℃で24時間浸漬した。きれいなフィルムを水で洗浄し、再び15%HNO3中に60℃で24時間浸漬した。フィルムを中性pHまで水で洗浄した。加水分解したフィルムは38μm厚さに膨潤した。サンプルの導電率は、最初の25%から最後の95%まで変動する、制御した湿度下に80℃で面内測定した。導電率値を下の表4に示す。
本発明の好適な実施態様は次のとおりである。
1. 構造1aまたは1b
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここでアルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを少なくとも1つのベースポリマーへグラフトすることによって製造されたフッ素化イオン交換高分子。
2. Qがフッ素を含んでなる上記1に記載のフッ素化イオン交換高分子。
3. RFが(CF2)q(ここで、q=1〜16)、(CF2)qOCF2CF2(ここで、q=1〜12)、および(CF2CF(CF3)O)qCF2CF2(ここで、q=1〜6)から選択され、そしてR2 Fが、そのそれぞれが部分フッ素化または過フッ素化されていてもよいメチル、エチル、プロピル、ブチル、およびフェニルから選択される上記1に記載のフッ素化イオン交換高分子。
4. RFが(CF2)q(ここで、q=1〜4)、(CF2)qOCF2CF2(ここで、q=1〜4)、および(CF2CF(CF3)O)qCF2CF2(ここで、q=1〜2)から選択され、そしてR2 Fがパーフルオロメチル、パーフルオロエチル、およびパーフルオロフェニルから選択される上記3に記載のフッ素化イオン交換高分子。
5. n=1であり、そしてZがSまたはSO2である上記3に記載のフッ素化イオン交換高分子。
6. 前記少なくとも1つのグラフトモノマーが単一のまたは多数のビニル基を含有する化合物;構造2または3
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる上記1に記載のフッ素化イオン交換高分子。
7. 単一のまたは多数のビニル基を含有する前記化合物が構造2のビス(トリフルオロビニル)−ベンゼンまたはシアヌル酸トリアリルを含んでなる上記6に記載のフッ素化イオン交換高分子。
8. 構造3のコモノマー上の置換基Yが水素、塩素、フッ素、メチル、エチル、メトキシ、パーフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロブチル、パーフルオロメトキシ、および−CF2CF(CF3)OCF2CF3から選択される上記7に記載のフッ素化イオン交換高分子。
9. 前記ベースポリマーが非フッ素化、フッ素化、または過フッ素化モノマーから製造された少なくとも1つのホモポリマーまたは共重合体を含んでなる上記1に記載のフッ素化イオン交換高分子。
10. 前記ベースポリマーがポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン)、ポリ(エチレン−クロロトリフルオロエチレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロメチルビニルエーテル)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロプロピルビニルエーテル)、ポリテトラフルオロエチレン、変性ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ(フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリエチレン、およびポリプロピレンから選択される上記9に記載のフッ素化イオン交換高分子。
11. 前記パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)がパーフルオロ(プロピルビニルエーテル)またはパーフルオロ(エチルビニルエーテル)を含んでなる上記10に記載のフッ素化イオン交換高分子。
12. 前記ベースポリマーがエチレン、テトラフルオロエチレン(TFE)、およびパーフルオロブチルエチレンを含んでなる1〜10モル%のターモノマーのターポリマーを含んでなる上記2に記載のフッ素化イオン交換高分子。
13. 構造1aまたは1b
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここでアルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを、フィルムの形態にある部分的にまたは完全にフッ素化されたポリマーである少なくとも1つのベースポリマーへグラフトすることによって製造されたフッ素化イオン交換高分子を含んでなるフッ素化イオン交換高分子膜。
14. 前記ベースポリマーが完全にフッ素化されたポリマーを含んでなる上記13に記載のフッ素化イオン交換膜。
15. 前記ベースポリマーがポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン)、ポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン−ターモノマー)、ポリ(テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロビニルエーテル)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ(エチレン−クロロトリフルオロエチレン)、ポリ(フッ化ビニリデン)、およびポリ(フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン)から選択される上記13に記載のフッ素化イオン交換膜。
16. 前記ベースポリマーがポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン−ターモノマー)、ポリ(テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロプロピルビニルエーテル)、およびポリ(フッ化ビニリデン)から選択される上記15に記載のフッ素化イオン交換膜。
17. 前記ベースポリマーがエチレン、テトラフルオロエチレン(TFE)、およびパーフルオロブチルエチレンを含んでなる1〜10モル%のターモノマーのターポリマーを含んでなる上記15に記載のフッ素化イオン交換膜。
18. (a)構造1aまたは1b
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここで、アルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを、ニートの形態、エマルジョンの形態、または溶液の形態で含んでなるモノマー組成物を形成する工程と、
(b)少なくとも1つのベースポリマーに電離放射線を照射する工程と、
(c)少なくとも1つのベースポリマーを工程(a)からのモノマー組成物と約0℃〜約120℃の温度で約0.1〜約500時間接触させる工程と
を含んでなるフッ素化イオン交換高分子膜を製造するためのグラフト化方法。
19. 前記少なくとも1つのベースポリマーがフィルムの形態にある上記18に記載の方法。
20. 工程(b)および(c)が同時に行われる上記18に記載の方法。
21. 工程(b)および(c)が順次に行われる上記18に記載の方法。
22. QがFを含んでなる上記18に記載の方法。
23. RFが(CF2)q(ここで、q=1〜16)、(CF2)qOCF2CF2(ここで、q=1〜12)、および(CF2CF(CF3)O)qCF2CF2(ここで、q=1〜6)から選択され、そしてR2 Fが、そのそれぞれが部分フッ素化または過フッ素化されていてもよいメチル、エチル、プロピル、ブチル、およびフェニルから選択される上記18に記載の方法。
24. RFが(CF2)q(ここで、q=1〜4)、(CF2)qOCF2CF2(ここで、q=1〜4)、および(CF2CF(CF3)O)qCF2CF2(ここで、q=1〜2)から選択され、そしてR2 Fがパーフルオロメチル、パーフルオロエチル、およびパーフルオロフェニルから選択される上記23に記載の方法。
25. 前記グラフトモノマーが単一のまたは多数のビニル基を含有する化合物;構造2または3
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる上記18に記載の方法。
26. 単一のまたは多数のビニル基を含有する前記化合物が構造2のビス(トリフルオロビニル)−ベンゼンまたはシアヌル酸トリアリルを含んでなる上記25に記載の方法。
27. 構造3のコモノマー上の置換基Yが水素、塩素、フッ素、メチル、エチル、メトキシ、パーフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロブチル、パーフルオロメトキシ、および−CF2CF(CF3)OCF2CF3から選択される上記25に記載の方法。
28. 前記ベースポリマーが非フッ素化、フッ素化、または過フッ素化モノマーから製造されたホモポリマーまたは共重合体を含んでなる上記18に記載の方法。
29. 前記ベースポリマーがポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン)、ポリ(エチレン−クロロトリフルオロエチレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロメチルビニルエーテル)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロプロピルビニルエーテル)、ポリテトラフルオロエチレン、変性ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ(フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリエチレン、およびポリプロピレンから選択される上記28に記載の方法。
30. 前記ベースポリマーが部分的にまたは完全にフッ素化されたポリマーを含んでなる上記28に記載の方法。
31. 前記ベースポリマーがポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン)、ポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン−ターモノマー)、ポリ(テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロビニルエーテル)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ(エチレン−クロロトリフルオロエチレン)、ポリ(フッ化ビニリデン)、およびポリ(フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン)から選択される上記30に記載の方法。
32. 第1表面および第2表面を有する高分子電解質膜を含んでなる触媒コート膜であって、該高分子電解質膜が構造1aまたは1b
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここでアルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを少なくとも1つのベースポリマーへグラフトすることによって製造されたフッ素化イオン交換高分子を含んでなる、触媒コート膜。
33. 前記ベースポリマーがフィルムの形態にある上記32に記載の触媒コート膜。
34. 前記高分子電解質膜の第1および第2表面上に存在する電気触媒コーティング組成物から製造された少なくとも1つの電極をさらに含んでなる上記32に記載の触媒コート膜。
35. 前記少なくとも1つの電極がアノードである上記34に記載の触媒コート膜。
36. 前記少なくとも1つの電極がカソードである上記34に記載の触媒コート膜。
37. 前記電気触媒コーティング組成物が触媒およびバインダーを含んでなる上記34に記載の触媒コート膜。
38. 前記バインダーがパーフルオロスルホン酸ポリマーである上記37に記載の触媒コート膜。
39. 前記少なくとも1つのグラフトモノマーが単一のまたは多数のビニル基を含有する化合物;構造2または3
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる上記32に記載の触媒コート膜。
40. 第1表面および第2表面を有する、高分子電解質膜を含んでなる膜電極アセンブリであって、該高分子電解質膜が構造1aまたは1b
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここで、アルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを少なくとも1つのベースポリマーへグラフトすることによって製造されたフッ素化イオン交換高分子を含んでなる、膜電極アセンブリ。
41. 前記ベースポリマーがフィルムの形態にある上記40に記載の膜電極アセンブリ。
42. 前記膜の第1または第2表面上に存在する電気触媒コーティング組成物から製造された少なくとも1つの電極をさらに含んでなる上記40に記載の膜電極アセンブリ。
43. 少なくとも1つの電極がアノードである上記42に記載の膜電極アセンブリ。
44. 少なくとも1つの電極がカソードである上記42に記載の膜電極アセンブリ。
45. 前記電気触媒コーティング組成物が触媒およびバインダーを含んでなる上記42に記載の膜電極アセンブリ。
46. 前記バインダーがパーフルオロスルホン酸ポリマーである上記45に記載の膜電極アセンブリ。
47. 前記高分子電解質膜上に存在する少なくとも1つの電極に隣接して少なくとも1つのガス拡散バッキングをさらに含んでなる上記40に記載の膜電極アセンブリ。
48. 前記膜の第1および第2表面上に存在する少なくとも1つのガス拡散電極であって、ガス拡散バッキングと電気触媒コーティング組成物から製造された電極とを含んでなるガス拡散電極をさらに含んでなる上記40に記載の膜電極アセンブリ。
49. QがFを含んでなる上記40に記載の膜電極アセンブリ。
50. RFが(CF2)q(ここで、q=1〜16)、(CF2)qOCF2CF2(ここで、q=1〜12)、および(CF2CF(CF3)O)qCF2CF2(ここで、q=1〜6)から選択され、そしてR2 Fが、そのそれぞれが部分フッ素化または過フッ素化されていてもよいメチル、エチル、プロピル、ブチル、およびフェニルから選択される上記40に記載の膜電極アセンブリ。
51. 前記少なくとも1つのグラフトモノマーが単一のまたは多数のビニル基を含有する化合物;構造2または3
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる上記40に記載の膜電極アセンブリ。
52. 単一のまたは多数のビニル基を含有する前記化合物が構造2のビス(トリフルオロビニル)−ベンゼンまたはシアヌル酸トリアリルである上記51に記載の膜電極アセンブリ。
53. 構造3のコモノマー上の置換基Yが水素、塩素、フッ素、メチル、エチル、メトキシ、パーフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロブチル、パーフルオロメトキシ、および−CF2CF(CF3)OCF2CF3よりなる群から選択される上記51に記載の膜電極アセンブリ。
54. 前記少なくとも1つのベースポリマーが非フッ素化、フッ素化、または過フッ素化モノマーから製造されたホモポリマーまたは共重合体を含んでなる上記41に記載の膜電極アセンブリ。
55. 前記少なくとも1つのベースポリマーがポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン)、ポリ(エチレン−クロロトリフルオロエチレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロメチルビニルエーテル)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロプロピルビニルエーテル)、ポリテトラフルオロエチレン、変性ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ(フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリエチレン、およびポリプロピレンから選択される上記54に記載の膜電極アセンブリ。
56. 前記少なくとも1つのベースポリマーがポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン)、ポリ(エチレン−テトラフルオロエチレン−ターモノマー)、ポリ(テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン−パーフルオロビニルエーテル)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ(エチレン−クロロトリフルオロエチレン)、ポリ(フッ化ビニリデン)、およびポリ(フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン)から選択される上記54に記載の膜電極アセンブリ。
57. 前記少なくとも1つのベースポリマーがエチレン、テトラフルオロエチレン(TFE)、および1〜10モル%のパーフルオロブチルエチレンのターポリマーを含んでなる上記56に記載の膜電極アセンブリ。
58. 前記パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)がパーフルオロ(プロピルビニルエーテル)またはパーフルオロ(エチルビニルエーテル)を含んでなる上記55に記載のフッ素化イオン交換高分子。
59. 前記少なくとも1つのベースポリマーがエチレン、テトラフルオロエチレン(TFE)、およびパーフルオロブチルエチレンなどの1〜10モル%のターモノマーのターポリマーを含んでなる上記54に記載の膜電極アセンブリ。
60. 第1表面および第2表面を有する、高分子電解質膜を含んでなる膜電極アセンブリを含んでなる電気化学セルであって、該高分子電解質膜が構造1aまたは1b
RFは場合により酸素もしくは塩素を含有していてもよい1〜20個の炭素原子の線状もしくは分枝パーフルオロアルケン基を含んでなり、
QはF、−OM、−NH2、−N(M)SO2R2 F、および−C(M)(SO2R2 F)2(ここで、MはH、アルカリカチオン、またはアンモニウムを含んでなる)から選択され、
R2 F基は場合によりエーテル酸素を含んでいてもよい1〜14個の炭素原子のアルキルまたは6〜12個の炭素原子のアリールを含んでなり、ここで、アルキルまたはアリール基は過フッ素化または部分フッ素化されていてもよく、かつ、
nは1aについては1または2であり、そしてnは1bについては1、2、または3である)
を含んでなる少なくとも1つのグラフトモノマーを少なくとも1つのベースポリマーへグラフトすることによって製造されたフッ素化イオン交換高分子を含んでなる、電気化学セル。
61. 燃料電池である上記56に記載の電気化学セル。
62. 前記ベースポリマーがフィルムの形態にある上記61に記載の電気化学セル。
63. 前記少なくとも1つのグラフトモノマーが単一のまたは多数のビニル基を含有する化合物;構造2または3
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる上記60に記載の電気化学セル。
64. 前記少なくとも1つのグラフトモノマーが単一のまたは多数のビニル基を含有する化合物;構造2または3
を有する少なくとも1つのモノマー;およびそれらの混合物から選択された少なくとも1つのコモノマーをさらに含んでなる上記61に記載の電気化学セル。
65. 前記高分子電解質膜の第1および第2表面上に存在する電気触媒含有組成物から製造された少なくとも1つの電極をさらに含んでなる上記61に記載の燃料電池。
66. 少なくとも1つのガス拡散バッキングをさらに含んでなる上記60に記載の燃料電池。
67. 前記膜の第1および第2表面上に存在する少なくとも1つのガス拡散電極であって、ガス拡散バッキングと電気触媒含有組成物から製造された電極とを含んでなるガス拡散電極をさらに含んでなる上記61に記載の燃料電池。
68. 燃料をアノードに供給するための手段、酸素をカソードに供給するための手段、アノードおよびカソードを外部電気負荷に接続するための手段、アノードと接触した液体またはガス状態の水素またはメタノール、ならびにカソードと接触した酸素をさらに含んでなる上記61に記載の燃料電池。
69. 燃料をアノードに供給するための手段、酸素をカソードに供給するための手段、アノードおよびカソードを外部電気負荷に接続するための手段、アノードと接触した液体またはガス状態の水素またはメタノール、ならびにカソードと接触した酸素をさらに含んでなる上記64に記載の燃料電池。
70. 前記燃料がアルコールまたはエーテルである上記68に記載の燃料電池。
71. 前記燃料がメタノールである上記70に記載の燃料電池。
72. 前記燃料が水素である上記68に記載の燃料電池。
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