JP4781082B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
前記有機樹脂膜に第2の基板を第1の両面テープで接着させ、前記被剥離層および有機樹脂膜を前記第1の基板と前記第2の基板とで挟む第3工程と、第2の両面テープで第3の基板を前記第1の基板と接着する第4工程と、前記第3の基板が接着された前記第1の基板と、前記被剥離層とを物理的手段で分離する第5工程と、前記被剥離層に第4の基板を第1の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第2の基板と前記第4の基板とで挟む第6工程と、前記被剥離層および第1の両面テープと前記第2の基板とを分離する第7工程と
、前記被剥離層と前記第1の両面テープとを分離する第8工程と、前記有機樹脂膜を溶媒で除去する第9工程と、第5の基板を第2の接着材で前記被剥離層に接着させ、前記被剥離層を前記第4の基板と前記第5の基板とで挟む第10工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
前記有機樹脂膜に第2の基板を第1の両面テープで接着させ、前記被剥離層および有機樹脂膜を前記第1の基板と前記第2の基板とで挟む第3工程と、第2の両面テープで第3の基板を前記第1の基板と接着する第4工程と、前記第3の基板が接着された前記第1の基板と、前記被剥離層とを物理的手段で分離する第5工程と、前記被剥離層に第4の基板を第1の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第2の基板と前記第4の基板とで挟む第6工程と、前記被剥離層および第1の両面テープと前記第2の基板とを分離する第7工程と
、前記被剥離層と前記第1の両面テープとを分離する第8工程と、前記有機樹脂膜を溶媒で除去する第9工程と、前記被剥離層上に有機化合物を含む発光素子を形成する第10工程と、前記発光素子を封止する第5の基板を第2の接着材で貼り合わせ、前記被剥離層を前記第4の基板と前記第5の基板とで挟む第11工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
ここでは、剥離法によって剥離した被剥離層(素子を含む)に高い熱伝導性を有する絶縁基材または基板を貼り付ける例を示す。
ここでは、アクティブマトリクス型の発光装置を作製する例を挙げて図3に説明することとする。
ここでは、発光素子の発光を第1の電極に通過させて光を取り出す発光装置の作製例を図4に示す。なお、途中までは実施の形態2と同一であるため、詳細な説明は省略するとともに同一である部分には同じ符号を用いる。
もよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。
る。第2の不純物領域には1×1020〜1×1021/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加されている。ここでは、第2の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をn+領域とも呼ぶ。
C)の構造に対応している。
1105、第2シール材1107により封止基板1104を貼り合わせる。なお、第1シール材1105、第2シール材1107としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第1シール材1105、第2シール材1107はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
2103、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明により熱伝導性を有するプラスチック基板を用いることによって信頼性を向上させ、軽量化を図ることができる。
2503、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。本発明により熱伝導性を有するプラスチック基板を用いることによって信頼性を向上させ、軽量化を図ることができる。
3003、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。本発明により熱伝導性を有するプラスチック基板を用いることによって信頼性を向上させ、軽量化を図ることができる。
1805、走査線駆動回路1804及び画素部1803に供給する。
Claims (11)
- 第1の基板上にタングステン層を形成し、
前記タングステン層上に酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜を形成した後、剥離しようとする領域の周縁に沿って前記タングステン層または前記酸化シリコン層にレーザー光を部分的に照射し、
前記有機樹脂膜上に両面テープを用いて第2の基板を接着させ、前記被剥離層及び前記有機樹脂膜を前記第1の基板と前記第2の基板とで挟み、
前記第1の基板に第3の基板を接着させ、
人間の手、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、または超音波を用いて、前記被剥離層を前記第1の基板及び前記第3の基板から剥離し、
前記被剥離層に第4の基板を接着させ、前記被剥離層及び前記有機樹脂膜を前記第2の基板と前記第4の基板とで挟み、
前記両面テープから前記第2の基板を分離し、
前記有機樹脂膜から前記両面テープを分離し、
前記有機樹脂膜を溶媒で除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上にタングステン層を形成し、
前記タングステン層上に酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜を形成した後、剥離しようとする領域の周縁に沿って前記タングステン層または前記酸化シリコン層にレーザー光を部分的に照射し、
前記第1の基板に第3の基板を接着させ、
前記有機樹脂膜上に両面テープを用いて第2の基板を接着させ、前記被剥離層及び前記有機樹脂膜を前記第1の基板及び前記第3の基板と前記第2の基板とで挟み、
人間の手、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、または超音波を用いて、前記被剥離層を前記第1の基板及び前記第3の基板から剥離し、
前記被剥離層に第4の基板を接着させ、前記被剥離層及び前記有機樹脂膜を前記第2の基板と前記第4の基板とで挟み、
前記両面テープから前記第2の基板を分離し、
前記有機樹脂膜から前記両面テープを分離し、
前記有機樹脂膜を溶媒で除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上にタングステン層を形成し、
前記タングステン層上に酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜を形成した後、剥離しようとする領域の周縁に沿って前記タングステン層または前記酸化シリコン層にレーザー光を部分的に照射し、
前記有機樹脂膜上に両面テープを用いて第2の基板を接着させ、前記被剥離層及び前記有機樹脂膜を前記第1の基板と前記第2の基板とで挟み、
前記第1の基板に第3の基板を接着させ、
人間の手、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、または超音波を用いて、前記被剥離層を前記第1の基板及び前記第3の基板から剥離し、
前記被剥離層に第4の基板を接着させ、前記被剥離層及び前記有機樹脂膜を前記第2の基板と前記第4の基板とで挟み、
前記両面テープから前記第2の基板を分離し、
前記有機樹脂膜から前記両面テープを分離し、
前記有機樹脂膜を溶媒で除去し、
前記被剥離層上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に電極を形成し、
前記被剥離層上に第5の基板を接着させ、前記被剥離層、前記有機化合物を含む層及び前記電極を前記第4の基板と前記第5の基板とで挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上にタングステン層を形成し、
前記タングステン層上に酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜を形成した後、剥離しようとする領域の周縁に沿って前記タングステン層または前記酸化シリコン層にレーザー光を部分的に照射し、
前記第1の基板に第3の基板を接着させ、
前記有機樹脂膜上に両面テープを用いて第2の基板を接着させ、前記被剥離層及び前記有機樹脂膜を前記第1の基板及び前記第3の基板と前記第2の基板とで挟み、
人間の手、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、または超音波を用いて、前記被剥離層を前記第1の基板及び前記第3の基板から剥離し、
前記被剥離層に第4の基板を接着させ、前記被剥離層及び前記有機樹脂膜を前記第2の基板と前記第4の基板とで挟み、
前記両面テープから前記第2の基板を分離し、
前記有機樹脂膜から前記両面テープを分離し、
前記有機樹脂膜を溶媒で除去し、
前記被剥離層上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に電極を形成し、
前記被剥離層上に第5の基板を接着させ、前記被剥離層、前記有機化合物を含む層及び前記電極を前記第4の基板と前記第5の基板とで挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上にタングステン層を形成し、
前記タングステン層上に酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に電極を形成し、
前記電極上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜を形成した後、剥離しようとする領域の周縁に沿って前記タングステン層または前記酸化シリコン層にレーザー光を部分的に照射し、
前記有機樹脂膜上に両面テープを用いて第2の基板を接着させ、前記被剥離層、前記有機化合物を含む層、前記電極及び前記有機樹脂膜を前記第1の基板と前記第2の基板とで挟み、
前記第1の基板に第3の基板を接着させ、
人間の手、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、または超音波を用いて、前記被剥離層を前記第1の基板及び前記第3の基板から剥離し、
前記被剥離層に第4の基板を接着させ、前記被剥離層、前記有機化合物を含む層、前記電極及び前記有機樹脂膜を前記第2の基板と前記第4の基板とで挟み、
前記両面テープから前記第2の基板を分離し、
前記有機樹脂膜から前記両面テープを分離し、
前記有機樹脂膜を溶媒で除去し、
前記被剥離層上に第5の基板を接着させ、前記被剥離層、前記有機化合物を含む層及び前記電極を前記第4の基板と前記第5の基板とで挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上にタングステン層を形成し、
前記タングステン層上に酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に電極を形成し、
前記電極上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜を形成した後、剥離しようとする領域の周縁に沿って前記タングステン層または前記酸化シリコン層にレーザー光を部分的に照射し、
前記第1の基板に第3の基板を接着させ、
前記有機樹脂膜上に両面テープを用いて第2の基板を接着させ、前記被剥離層、前記有機化合物を含む層、前記電極及び前記有機樹脂膜を前記第1の基板及び前記第3の基板と前記第2の基板とで挟み、
人間の手、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、または超音波を用いて、前記被剥離層を前記第1の基板及び前記第3の基板から剥離し、
前記被剥離層に第4の基板を接着させ、前記被剥離層、前記有機化合物を含む層、前記電極及び前記有機樹脂膜を前記第2の基板と前記第4の基板とで挟み、
前記両面テープから前記第2の基板を分離し、
前記有機樹脂膜から前記両面テープを分離し、
前記有機樹脂膜を溶媒で除去し、
前記被剥離層上に第5の基板を接着させ、前記被剥離層、前記有機化合物を含む層及び前記電極を前記第4の基板と前記第5の基板とで挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、前記両面テープによる前記被剥離層と前記第2の基板との密着性よりも前記被剥離層と前記第4の基板との密着性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至7のいずれか一において、前記第3の基板は、前記第1の基板よりも剛性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記溶媒は、水またはアルコール類であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至9のいずれか一において、前記第4の基板は、2〜30W/mKの熱伝導率を有するプラスチック基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至10のいずれか一において、前記第5の基板は、透光性を有する基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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