JP4774891B2 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図9は、有機EL素子の一構成例を示す概略断面図である。
図9に示すように、有機EL素子は、概略、ガラス基板等の絶縁性基板111の一面側(図面上方側)に、アノード(陽極)電極112、有機化合物等(有機材料)からなる有機EL層113、及び、カソード(陰極)電極114を順次積層した構成を有している。
図10及び図11は、従来技術における表示パネル(有機EL素子)の製造プロセスの一例を示す工程断面図である。ここでは、説明の都合上、絶縁性基板上に有機EL素子のみを形成する場合を示す。また、上述した有機EL素子(図9)の素子構造と同等の構成については、同一の符号を付して説明する。
次いで、上述した親液化処理を施した絶縁性基板111に対して、フッ化物ガス雰囲気中で紫外線UVを照射することにより、隔壁121表面においてはフッ素が結合して撥液化(撥水化)し、一方、アノード電極(ITO)112表面は親液性を保持する。
このような有機EL素子の製造方法については、例えば、特許文献1等に詳しく説明されている。
少なくとも表面が金属導電層である複数の隔壁間に表面が金属酸化物を有している画素電極が配置された状態で、前記複数の隔壁の側面を含む表面に選択的にトリアジンチオール化合物を有する酸化防止膜を被膜する酸化防止工程と、
前記画素電極を親液化処理する親液化工程と、
前記親液化処理後に前記複数の隔壁の表面に選択的にトリアジンチオール化合物を有する撥液化膜を被膜する撥液化処理工程と、
前記撥液化処理工程後に、前記画素電極上に電荷輸送層を形成する電荷輸送層形成工程と、
を含むことを特徴とする。
(表示パネル)
まず、本発明に係る表示装置(表示パネル)の概略構成について説明する。
図1は、本発明に係る表示装置(表示パネル)の一実施形態を示す要部概略平面図であり、図2は、本発明に係る表示装置(表示パネル)の一実施形態を示す要部概略断面図である。なお、図1に示す平面図においては、図示の都合上、視野側から見た各画素形成領域とアノードライン及びカソードラインの配設構造のみを示し、図2に示す他の構成(薄膜トランジスタ等)を省略した。
次に、上述した構成を有する表示装置(表示パネル)の製造方法について説明する。
図3乃至図5は、本実施形態に係るトップエミッション型の表示装置(表示パネル)の製造方法の一例を示す工程断面図である。また、図6は、本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法に適用される被膜材料の分子構造を示す化学記号である。なお、ボトムエミッション型についてもトップエミッション型の製法を踏襲して製造することができる。
したがって、画素電極15上に均一な膜厚を有するとともに、均一な膜質を有する有機EL層16(正孔輸送層16a及び電子輸送性発光層16b)を形成することができる。
上述した実施形態に示したように、画素形成領域(各色画素の形成領域)を画定するバンク(バンクメタル部)の表面に、トリアジントリチオール(TATT)誘導体の被膜を形成し、その後、UV−オゾン処理により画素電極表面を親液化した後に、バンク(バンクメタル部の表面に形成されたトリアジントリチオール(TATT)誘導体の被膜の)表面に、撥液性のフッ素系トリアジンジチオール誘導体の被膜をさらに形成した場合(本実施形態)と、画素形成領域にUV−オゾン処理を行い、画素電極表面を親液化処理を行った後に、上記バンク(バンクメタル部)の表面に、撥液性のトリアジントリチオール(TATT)誘導体の被膜を形成した場合(説明の都合上、「他の方式」と記載する)について、純水接触角を比較検証すると、表1に示すように、本実施形態においては、画素電極や絶縁膜上における純水接触角は上記他の方式と同様に、有機EL層を成膜する際の親液性の目安である10°以下を保持することができ、一方、バンク(バンクメタル部)上における純水接触角は130°と十分なり、他の方式同様に撥液性を得ることができることが判明した。ただし、他の方式では、バンクメタル部がUV−オゾン処理によって酸化されてしまい、バンクメタル部を配線に適用しようとすると好ましくない。
図7は、本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法における効果を説明するための実験データの一例(デバイス平面写真)である。
また、上記実施形態では、画素電極15はアノード電極であったが、カソード電極としてもよい。この場合、共通電極17がアノード電極となり、バンクメタル部18bがアノードラインLaとなる。
次に、本発明に係る表示装置(表示パネル)に適用可能な表示画素(発光駆動回路)について具体的に説明する。
図8は、本発明に係る表示装置の表示パネルに2次元配列される各表示画素に適用可能な発光駆動回路の一例を示す等価回路図である。
13 保護絶縁膜
14 平坦化膜
15 画素電極
16a 正孔輸送層
16b 電子輸送性発光層
16 有機EL層
17 カソード電極
18 バンク
19 封止樹脂層
20 封止基板
T1、T2 トランジスタ
La アノードライン
Lc カソードライン
LN 配線層
Rpx 画素形成領域
PXr、PXg、PXb 色画素
PIX 表示画素
Claims (3)
- 少なくとも表面が金属導電層である複数の隔壁間に表面が金属酸化物を有している画素電極が配置された状態で、前記複数の隔壁の側面を含む表面に選択的にトリアジンチオール化合物を有する酸化防止膜を被膜する酸化防止工程と、
前記画素電極を親液化処理する親液化工程と、
前記親液化処理後に前記複数の隔壁の表面に選択的にトリアジンチオール化合物を有する撥液化膜を被膜する撥液化処理工程と、
前記撥液化処理工程後に、前記画素電極上に電荷輸送層を形成する電荷輸送層形成工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1に記載の表示装置の製造方法において、前記親液化工程は、オゾン処理工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
- 請求項1または2に記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする表示装置。
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