JP4763893B2 - 光ファイバを被覆するためのフッ素化ジオールに基づくポリウレタンアクリレートまたはビニル型高分子材料 - Google Patents

光ファイバを被覆するためのフッ素化ジオールに基づくポリウレタンアクリレートまたはビニル型高分子材料 Download PDF

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Description

【0001】
本発明は、光ファイバを被覆するための、または光ファイバリボン用の、フッ素化ジオールに基づくポリウレタンアクリレートまたはビニル型高分子材料に関する。
【0002】
光ファイバは、ガラスファイバと接触し、且つ上には第二被膜で被覆される可塑化第一被膜から成る二重高分子被膜を含んでなることが知られている。この二重被膜は、光伝送に関する減衰障害をもたらすことがある機械的または化学的攻撃からファイバを保護する。
【0003】
所期の支持体への各被膜の接着は良好であらねばならず、その物理的性質は、ファイバが線引きされる条件、特に、線引き速度およびファイバの最終用途に適合しなければならない。第一被膜は、ガラス上のマイクロベンディングおよびあらゆる応力を吸収しなければならない。第二被膜は、ファイバにその機械的特性を与える。
【0004】
現在、第一および第二被膜は、UV放射により光硬化されるポリウレタンアクリレート型被膜である。
【0005】
欧州特許出願EP−A−0 565 425は、少なくとも一つのジオール、ジイソシアネートおよびアクリレートに基づき、光ファイバを被覆するためのフッ素化ポリウレタンアクリレート型高分子材料であって、前記化合物の少なくとも一つがフッ素を含有すること、および前記化合物の少なくとも一つが硫黄を含有することを特徴とするフッ素化ポリウレタンアクリレート型高分子材料を記載している。
【0006】
この材料は良好な機械的特性、特に、改善された静的疲労強さを有する。しかし、これは、硫黄含有ジオールを使用し、例えば、除去しなければならない副生成物の生成を伴う中間体チオール製造段階のために高い製造コストを伴なう。この問題は、欧州特許出願EP−A−0,565,425に記載の材料を製造するために用いられるその他の硫黄含有化合物の問題と同じである。
【0007】
従って、同じ機械的特性を有するが、硫黄含有生成物、特に硫黄含有ジオールの使用を必要としない材料が求められる。
【0008】
本発明は、ジオールが式(I):
2n+1−A−CHOCH−C(CHOH)−R
(式中、nは、2から20であり、Aは、−CH=CHまたは−CHCH−を表し、Rは、1個から4個の炭素原子を含有するアルキル基である)のフッ素化ジオールであることを特徴とする、少なくとも一つのジオール、ジイソシアネートおよびエチレン性不飽和化合物に基づく、光ファイバを被覆するためのポリウレタン型高分子材料を提供する。
【0009】
一つの実施態様において、ジオールは不飽和であり、および式:
2n+1−CH=CH−CHOCH−C(CHOH)−C
に対応する。
【0010】
もう一つの実施態様において、ジオールは飽和しており、および式:
2n+1−CHCH−CHOCH−C(CHOH)−C
に対応する。
【0011】
1つの実施態様において、式(I)においてRはCである。
【0012】
1つの実施態様において、式(I)においてnは6から14までの範囲内にある整数である。
【0013】
1つの実施態様において、式(I)においてC2n+1は混合物から得られ、またnは6から14までの範囲内にある。
【0014】
ある実施様態において、式(I)においてnは6から8までの範囲内にある。
【0015】
材料の実施態様において、エチレン性不飽和化合物はアクリレートである。
【0016】
本発明は、
(i)フッ素化ジオールをジイソシアネートと反応させてフッ素化ジイソシアネートプレポリマーを生成する段階、
(ii)フッ素化ジイソシアネートプレポリマーをヒドロキシル含有エチレン性不飽和化合物と反応させる段階
を含んでなる、本発明の材料を製造する方法も提供する。
【0017】
本発明は、光硬化される少なくとも一つの本発明の材料層で被覆されたファイバも提供し、具体的には、この層は第二層である。
【0018】
1つの実施態様において、材料は、反応性希釈剤としてジアクリレートの存在下で光硬化される。
【0019】
本発明は、反応性希釈剤としてのジアクリレートと任意に混合物した本発明の材料でファイバを被覆する段階、および光硬化段階を含んでなる、ファイバ線引き方法も提供する。
【0020】
特に、本発明の高分子材料は硫黄を含有しない。
【0021】
ジイソシアネート、およびビニルエーテル、アクリレートなどのエチレン性不飽和化合物は、検討中の分野において従来用いられる化合物である。これらの化合物を任意にフッ素化することができる。ジイソシアネートをポリイソシアネートに置き換えることができるが、便宜上、最初の用語を総称として用いる。こうしたジイソシアネート、アクリレートおよびビニルエーテルは、(硫黄を含有しない限り)フッ素化化合物を含むEP−A−0 565 425中に引用された化合物中に、およびフランス特許出願FR−A−2 712 291に引用された化合物中に見出すことができる。
【0022】
硬化性であるという特別な特徴も有する本発明の材料は、ファイバ被膜を製造するために、一般にはUVによって、好ましくは従来の量で存在する一般にはジアクリレートである活性希釈剤の存在下で光硬化される。
【0023】
従来、必要であれば、光開始剤および/または触媒が(光)化学反応に用いられる。
【0024】
本発明に用いられるフッ素化ジオールは新規である。
【0025】
本発明のフッ素化ジオール(式中、RがCである)は、C2n+1Iのアリルオキシトリメチロールプロパン(またはトリメチロールプロパンモノアリルエーテル)との反応に続いて、脱ヨウ化水素し、任意に続けて水素化分解するか、または直接還元すなわち直接水素化分解するかによって製造される。
【0026】
RがCであるジオールを参照して説明してきたが、適するモノアリルエーテルから出発する同じ方法で、その他の化合物が明らかに製造される。このモノアリルエーテルは、一つの炭素原子が増えたR基に対応するアルカンを有するトリメチロールアルカンモノアリルエーテルである。
【0027】
ラジカル付加は、固体状態で、または有機溶媒中で、もしくは水中でのいずれかで、公知の操作手順を用いて行うことができる。
【0028】
こうしたラジカル付加はドイツ特許出願DE−A−2 336 913に記載されており、その反応条件に従うことができる。
【0029】
有機溶媒は、アセトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エタノール、イソプロパノール、または酢酸イソプロピルであることができる。好ましくは、水溶性溶媒または水溶性溶媒の混合物が用いられる。
【0030】
ラジカル付加は、使用されるモノマーの全重量に対して0.1%から1.5%、好ましくは0.1%から0.5%の量で用いられる開始剤(複数を含む)の存在下で行われる。開始剤は、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル、過酸化スクシニルなどの過酸化物、またはt−ブチルペルピバレート、もしくは2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、4,4’−アゾビス(4−シアノペンタン酸)および2,2’−アゾビス−[2−メチルブタンニトリル]などのアゾ化合物であることができる。
【0031】
反応温度範囲は広く、すなわち、周囲温度から反応混合物の沸点までである。好ましくは、60℃から90℃の温度が用いられる(これにより、ポリマー形成を回避する)。同様に、アリルオキシトリメチロールプロパンを滴下して、反応を制御し、温度上昇を制限することができる。
【0032】
ヨウ素含有付加生成物は、このようにして得られる。
【0033】
脱ヨウ化水素は、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどの無機強塩基、あるいはDBU(1.8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデク−7−エン)などの有機強塩基を用いておこなわれる。反応は、好ましくは水性媒質中で行われる。例として、用いられる強塩基の量は化学量論量に近い。温度は、一般には約70℃〜75℃に制限される(これにより、ポリマー形成を回避する)。
【0034】
このようにして不飽和ジオールを生成する。
【0035】
飽和ジオールは、異なる方法によって生成することができる。飽和ジオールは、ヨウ化された付加生成物からアルカリ性剤の存在下の水素化分解によって、あるいは水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素亜鉛、水素化アルミニウムリチウムまたはt−ブチル水素化スズとの反応によって得ることができる。飽和ジオールは、公知の方法を用いて、不飽和誘導体から溶媒を用いずに、またはエタノールまたはメタノールなどの通常の有機溶媒中の溶液状態で、場合によってラネーニッケルであってもよいし、木炭上のパラジウムであってもよい水素添加触媒の存在下で、触媒的水素添加により得ることもできる。
【0036】
飽和ジオールはこのように得られる。
【0037】
ペルフルオロアルキル基C2n+1は、線状であっても、分岐していてもよい。化合物C2n+1Iは、それ自体が知られており、従来の方法を用いて調製される。
【0038】
以下の実施例は、本発明の範囲を限定することなく本発明を説明する。
実施例1
a)C2n+1−CHCHI−CHOCH−C(CHOH):200グラムのアセトン中の式:C2n+1I(式中、nは、6、8、10、12および14であり、各々の重量比率は63:25:8:2:2である)を有するヨウ化ペルフルオロアルキル(0.25モル)と、64.5グラムのトリメチロールプロパンモノアリルエーテル(0.375モル)との混合物125gを、二重サーモスタット付き外囲器によって加熱されるアンカー形羽根攪拌機および還流冷却器を備えた1リットル反応器に入れた。窒素で不活性にし、62℃に加熱した後、0.4グラムのアゾビス−イソブチロニトリル(AIBN)を用いてラジカル付加を開始し、その後、0.2グラムのAIBNを2時間毎に添加した。C2n+1Iヨウ素化ペルフルオロアルキルの転化をガスクロマトグラフィーによって監視した。反応は20時間後に完了した。減圧下でアセトンを蒸発除去した後、60℃で200グラムの脱イオン水を用いて反応塊を三度洗浄し、過剰のトリメチロールプロパンモノアリルエーテルを除去した。淡黄色粘稠液体の形態の付加生成物をデカントによって分離した後、減圧乾燥した。生成物は、周囲温度でゆっくりと結晶化し、約41度の融点を有した。C2n+1Iについての収率は、実際に定量的であった。
【0039】
b)C2n+1−CH=CH−CHOCH−C(CHOH)−C:同じ反応器を用い、同一の量を用いて同じ反応を行った。デカントの後、水性洗浄相を吸引によって除去し、その後、得られた付加生成物を単離することなく脱ヨウ化水素した。このためには、生成物を50℃で維持し、水酸化ナトリウム水溶液、すなわち、50グラムの水中の10.7グラムの水酸化ナトリウム(0.27モル)を一時間にわたって65℃を越えないように滴下した。ヨウ素含有誘導体の転化をガスクロマトグラフィーによって監視したところ、7時間後に完了した。デカントの後、水性相を吸引によって除去し、その後、有機相を50℃で脱イオン水を用いて洗浄して中性にした。水性相を分離した後、得られたフッ素化ジオールをシクロヘキサンとの共沸蒸留によって乾燥した。その後、減圧下で溶媒を蒸留した。出発C2n+1Iに対して95%の収率で淡黄色粘稠液体を得た。
【0040】
実施例2
2n+1I混合物をC13Iに置き換えて、実施例1の手順に従った。実験条件を同じにし、ヨウ素含有付加生成物を46℃の融点を有する淡黄色固体の形態で定量的に得た。
【0041】
構造をプロトンNMR(300MHz、CDCl)によって確認した。化学シフトδは以下のとおりであった:
4.42ppm(−C−I、五重線、1H)、
3.60〜3.80ppm(−C −OH、ピークの複合群、4H)、
3.54ppm(−OC −C、一重線、2H)、
2.60〜3.05ppm(−C CF−、ピークの複合群、2H)、
1.35ppm(C CH、四重線、2H)、
0.86ppm(CH 、三重線、3H)。
【0042】
説明した条件(例えば、1b)下での脱ヨウ化水素の後、淡黄色粘稠液体(νは約1300cps)を1.43の密度で得た。これは、不飽和フッ素化ジオールの1.3モル%の出発ジオール、73モル%のトランス異性体、25モル%のシス異性体を含有する混合物であった。プロトンNMR分析(400MHz、CDCl)により以下のシグナルを得た:
トランス異性体:
6.45ppm(CF−C =CH、Dt、HA−F=4.2Hz、JH−H=15.8Hz、1H)、
5.90ppm(CH=C −CH−O、Dt、HB−F=12Hz、1H)、
4.15ppm(=CH−C O、ピークの複合群、2H)、
3.55〜3.75ppm、(C OH、ピークの複合群、4H)、
3.50ppm(O−C −C、一重線、2H)、
1.34ppm(−C −CH、四重線、2H)、
0.85ppm(−CH−C 、三重線、3H)。
【0043】
シス異性体:
6.25ppm(CF−C =CH、Dt、HA−F=2.5Hz、JH−H=12.5Hz、1H)、
5.60ppm(CH=C −CH−O、Dt、HB−F=15.5Hz、1H)、
4.28ppm(=CH−C O、ピークの複合群、2H)、
3.55〜3.75ppm、(C OH、ピークの複合群、4H)、
3.44ppm(O−C −C、一重線、2H)、
1.34ppm(C −CH、四重線、2H)、
0.85ppm(−CH−C 、三重線、3H)。
【0044】
実施例3
a)周囲温度で亜硫酸水素塩水溶液を用いてあらかじめ洗浄し、極微量のヨウ素含有不純物を除去した273グラムのヨウ化ペルフルオロアルキルC17−I(1.5モル)、93グラムのトリメチロールプロパンモノアリルエーテル(0.53モル)および120グラムの脱イオン水を、サーモスタット付き二重外囲器によって加熱される、アンカー形羽根攪拌機および還流冷却器を備えた1リットル反応器に入れた。この不均一混合物を窒素を用いて不活性にした後、70℃で勢いよく攪拌しながら過熱した。その後、0.4グラムのAIBN開始剤を添加した。この反応は発熱性あり、90℃を越えないように数分間二重外囲器を冷却した。温度を75℃で維持し、反応体の転化をガスクロマトグラフィーによって監視した。0.2グラムのAIBNを二時間毎に添加した。C17−Iの転化は6時間後に完了した。75℃で水を用いて有機相を三度洗浄することによって、過剰の出発ジオールを除去した。最終生成物を分析して、主要化合物として所期の付加生成物の存在を確認した。この中間体は迅速に凝固した(72℃)。
【0045】
b)同じ反応器内で、脱ヨウ化水素反応を有機相上で直接開始した。この後者を70℃で維持して60グラムの水を60℃で添加し、その後、80グラムの水中に20.3グラムの水酸化ナトリウム(0.5モル)を含有する溶液を一時間にわたって60℃を越えないように滴下した。6時間後、ガスクロマトグラフィー分析は、反応が完了したことを示した。デカントの後、水性相を吸引によって除去し、その後、有機相を50℃で脱イオン水を用いて洗浄して中性にした。水性相を分離除去した後、得られたフッ素化ジオールをシクロヘキサンとの共沸蒸留によって乾燥した。その後、溶媒を減圧下で蒸留除去した。周囲温度でゆっくりと凝固し(融点=38℃)、出発C17−Iに対して95%の収率を有する淡黄色粘稠液体を得た。これは、0.7モル%の出発ジオール、73.1モル%のトランス異性体および24.5モル%のシス異性体を含有する混合物であった。
【0046】
C13 NMR分析(75.5MHz、CDCl)は、
・トランス異性体に関する以下のシグナル:
138.8ppm(CF−CH=H−、C−F=9Hz)、
117.3ppm(CFH=CH、C−F=23.7Hz)、
73.4ppm(CHO−−C−)、
69.6ppm(=CH−−O)、
66.1ppm、(−OH)、
43ppm((CHOH))、
23.0ppm(CH−)、
7.4ppm(−CH−)、
・シス異性体に関する以下のシグナル:
142.3ppm(CF−CH=H−、C−F=5.6Hz)、
117ppm(CFH=CH、C−F=23.7Hz)、
73.8ppm(CHO−−C−)、
67.5ppm(=CH−−O)、
66.0ppm、(−OH)、
42.9ppm((CHOH))、
23.0ppm(CH−)、
7.4ppm(−CH−)、
を示した。
【0047】
実施例4:C15−(CHOCH−C(CHOH)
370グラムのメタノール中の492グラムの実施例2に記載のC13フッ素化ジオール、および20グラムの木炭上5%パラジウム、ならびに10グラムのKCOを約1リットルの容量の攪拌器に入れた。水素を添加して、20バールの圧力にした。反応は発熱性であり、温度が50℃に上昇する一方で、圧力が10分かけて5バールに降下した。水素がもはや吸収されなくなるまで再び水素を添加して、20バールの圧力にした。反応は40℃、60バールで終了した。ガスクロマトグラフィー分析は、すべての不飽和ジオールが変化したことを示した。触媒を濾過によって分離し、その後、溶媒を減圧下で除去した。得られた飽和ジオールの構造を97℃における収量でプロトンNMR(400MHz、CDCl)によって確認した:
以下が観察された:
・シス/トランス異性体の6.45および6.25ppmにおけるシグナル(CF−C =CH)が消失した、
・シス/トランス異性体の5.90および5.60ppmにおけるシグナル(CH=C −CH−O)が消失した、
3.5ppm(−CH−C O、三重線)、
3.6〜3.7ppm、(C OH、ピークの複合群、4H)、
3.44ppm(O−C −C、一重線、2H)、
2.15ppm(CF−C 、ブロード多重線)、
1.89ppm(CF−CH−C −、ブロード多重線)、
1.34ppm(−C −CH、四重線、2H)、
0.85ppm(−CH−C 、三重線、3H)。
【0048】
実施例5
62グラム(0.1モル)の実施例2に記載のC13ヨウ素付加生成物、13.8グラム(0.11モル)の微細粉末状炭酸カリウム、160グラムの無水エタノール、および6グラムの木炭上5%パラジウム触媒を約0.5リットルの容量の攪拌オートクレーブに入れた。窒素でパージした後、水素を添加して、50バールの圧力にした。これを攪拌しながら60℃に加熱した。圧力は、20時間後、約40バールで安定した。触媒および炭酸塩を濾過によって分離し、その後、減圧下で溶媒を除去した。得られた粘稠液体を200mLの塩化メチレンに再び溶解した。有機相を水で洗浄してKIを除去し、その後、硫酸ナトリウム上で乾燥した。濾過の後、今度は溶媒を除去して、迅速に凝固し、ヨウ素含有付加生成物をもはや含有しない粘稠液体を得た(ガスクロマトグラフィーによって分析)。47グラム(すなわち、収率95%)の実施例4と同じ生成物を得た。
【0049】
実施例6
13ジオールを実施例3において得られるC17ジオールに置き換えて、実施例4の手順に従った。同一条件下で、飽和固形フッ素化ジオールを収率96%で得た。
【0050】
実施例7
610グラムの2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネートおよび26.5gのジブチルジラウリン酸スズを5リットル反応器に入れた。715グラムの実施例2のフッ素化ジオールを添加し、この混合物を80℃で1時間反応させた。温度を40℃に降下させ、その後、2.9グラムのイオノール、492.7グラムのヘキサメチレンジアクリレート、および343.8グラムの2−ヒドロキシエチルアクリレートを添加した。この反応を放置して、2260cm−1のイソシアネートバンドが消失したことを赤外線分析が示すまで継続させた。その後、5重量%のIrgacure 184光開始剤を添加した。
【0051】
第一被膜は標準被膜であり、第二被膜は上で生成された材料の被膜となるように、その後、ファイバを被覆した。光重合をUV下で行った。
【0052】
その後、静的疲労を二点の屈曲で測定した。2.5cm長のファイバを精密ガラス管内で洗浄し、20本のファイバを各管内に配置した。異なる径の5本の管を用いて以下の応力をファイバにかけた:
1. 456kpsi(3144MPa)、
2. 419kpsi(2889MPa)、
3. 399kpsi(2751MPa)、
4. 386kpsi(2661MPa)、
5. 353kpsi(2434MPa)。
【0053】
応力をかけたファイバを、85℃、85%の相対湿度に設定したチャンバー内に配置した。各ファイバの破断時間を音響検波器によって自動的に記録した。破断までの時間を加えた応力の関数として対数目盛りでプロットし、静的疲労因子nを得られた直線の勾配から計算した。標準被膜の場合、nの値は18〜20であったが、一方、本発明のフッ素化ジオール系組成物ではnの値が23であった。
【0054】
本発明は記載した実施態様に限定されず、例えば、ファイバリボンに適用することができる。フッ素化ジオールは、その他のジオールとの混合物として用いることもできる。ジイソシアネートは、完全に、または部分的にポリイソシアネートと置き換えることができる。

Claims (13)

  1. 少なくとも一つのジオール、ジイソシアネートおよびエチレン性不飽和化合物に基づく、光ファイバを被覆するためのポリウレタン型高分子材料であって、ジオールが式I:
    2n+1−A−CHOCH−C(CHOH)−R
    (式中、nは、2から20であり、Aは、−CH=CHまたは−CHCH−を表し、Rは、1個から4個の炭素原子を含有するアルキル基である)のフッ素化ジオールであることを特徴とするポリウレタン型高分子材料。
  2. ジオールが不飽和であり、および式:
    2n+1−CH=CH−CHOCH−C(CHOH)−C
    に対応する、請求項1に記載の高分子材料。
  3. ジオールが飽和しており、および式:
    2n+1−CHCH−CHOCH−C(CHOH)−C
    に対応する、請求項1に記載の高分子材料。
  4. ジオールにおいて、RがCである、請求項1に記載の高分子材料。
  5. 式(I)において、nは整数であり、および6から14までの範囲内にある、請求項1から4のいずれか一項に記載の高分子材料。
  6. 式(I)において、C2n+1は、混合物から得られ、nは、6から14までの範囲内にある、請求項1から5のいずれか一項に記載の高分子材料。
  7. 式(I)において、nが6から8までの範囲内にある、請求項1から6のいずれか一項に記載の高分子材料。
  8. エチレン性不飽和化合物がアクリレートである、請求項1から7のいずれか一項に記載の高分子材料。
  9. (i)フッ素化ジオールをジイソシアネートと反応させてフッ素化ジイソシアネートプレポリマーを生成する段階、
    (ii)フッ素化ジイソシアネートプレポリマーをヒドロキシル含有エチレン性不飽和化合物と反応させる段階を含んでなる、請求項1から8のいずれか一項に記載の材料を製造する方法。
  10. 光硬化された請求項1から8のいずれか一項に記載の材料の少なくとも一つの被膜で被覆されたファイバ。
  11. 反応性希釈剤としてジアクリレートの存在下で材料を光硬化する、請求項10に記載のファイバ。
  12. 被覆が二次被覆である、請求項10又は11に記載のファイバ。
  13. 任意に反応性希釈剤としてのジアクリレートとの混合物としての、請求項1から8のいずれか一項に記載の材料でファイバを被覆する段階を含んでなり、且つ光硬化の段階を含む、ファイバ線引き方法。
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