JP4762671B2

JP4762671B2 - Dicing tape and semiconductor wafer dicing method

Info

Publication number: JP4762671B2
Application number: JP2005311227A
Authority: JP
Inventors: 正三矢野
Original assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Current assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date: 2005-10-26
Filing date: 2005-10-26
Publication date: 2011-08-31
Anticipated expiration: 2025-10-26
Also published as: JP2007123404A

Description

本発明は、ダイシングテープ、およびそれを用いたレーザーダイシングにより半導体ウェハをダイシングする方法に関する発明である。 The present invention relates to a dicing tape and a method for dicing a semiconductor wafer by laser dicing using the dicing tape.

ここ最近における半導体チップの薄膜化・小チップ化への進化はめざましく、特に、メモリカードやスマートカードの様な半導体ＩＣチップが内蔵されたＩＣカードの場合、半導体チップの厚さとしては７５μｍ以下が要求されるものであり、今後これらの需要が増えるにつれ上記の薄膜化・小チップ化のニーズはより一層高まるものと考えられる。 Recently, the evolution of semiconductor chips to thinner and smaller chips has been remarkable, especially in the case of an IC card incorporating a semiconductor IC chip such as a memory card or smart card, the thickness of the semiconductor chip is 75 μm or less. As these demands increase in the future, the needs for the above-mentioned thin film and small chip are expected to increase further.

これらの半導体チップは、半導体ウェハをバックグラインド工程やエッチング工程等において所定厚みに薄膜化した後、ダイシング工程にてチップ化する事により得られるものであるが、このダイシング工程においては、半導体ウェハはダイシングブレードにより切断されるブレードカット方式が用いられるのが一般的である。この場合、切断時にはブレードによる切削抵抗が半導体ウェハに直接かかる事になるわけであるが、この切削抵抗によって半導体チップには微小な欠け（チッピング）が発生する事がある。このチッピング発生は半導体チップの外観を損なうだけでなく、場合によってはチップ上の回路パターンまで破損してしまう可能性があり、昨今、重要な問題のうちの１つとして捉えられこれまでにも検討が種々行われてきた。前述の様な薄膜小チップの場合は、許容されるチッピングレベルも厳しくなってくるため、今後の半導体チップの薄膜化・小チップの傾向がますます進むことにより、このチッピングの問題は今後より一層深刻化してくるものと容易に推測されるものである。 These semiconductor chips are obtained by thinning a semiconductor wafer into a predetermined thickness in a back grinding process, an etching process, etc., and then dicing into chips. In this dicing process, the semiconductor wafer is In general, a blade cutting method in which cutting is performed by a dicing blade is used. In this case, the cutting resistance by the blade is directly applied to the semiconductor wafer at the time of cutting, but this chipping resistance may cause minute chipping (chipping) in the semiconductor chip. The occurrence of chipping not only impairs the appearance of the semiconductor chip but also possibly breaks the circuit pattern on the chip. Recently, it is regarded as one of the important problems and has been studied so far. Has been done in various ways. In the case of thin-film small chips as described above, the allowable chipping level is becoming stricter, and the chipping problem will be further increased in the future as the trend of thinning and small chips of semiconductor chips further increases. It is easily guessed that it will get worse.

このチッピング発生を解決する方法としてレーザーにより半導体ウェハを切断する方式が、近年、注目を集めており種々検討されている。この場合においては、ブレードカット方式の様にブレードによる切削抵抗がウェハに直接かかる事は無いためチッピングの発生を極限まで低減することが可能となるわけである。例えば、特許文献１に記載される方法においては、レーザー光の焦点をウェハ内部に合わせる事によりウェハ内部に多光子吸収による改質領域を形成させる。これを切断ライン、つまりストリート部に沿って形成させ、更に外的応力を印加する事により改質領域を起点としてチップ個々に分割される、というものである。外的応力としては、例えば特許文献２で記載されているのは、予めウェハ等を伸張性のテープに貼合しておき、改質領域形成後にその伸張性フィルムを慎重させ個々のチップに分割する、というものである。この方式の場合、切削抵抗が直接かかる事が無いというメリットに加え、改質領域を起点として亀裂が入り分割されるものであるため、チッピングは殆ど発生しない。よって、チッピング対策としては非常に有効な方式として、最も注目を浴びている方式のうちの１つと言える。 As a method for solving the occurrence of chipping, a method of cutting a semiconductor wafer with a laser has recently attracted attention and various studies have been made. In this case, unlike the blade cutting method, the cutting resistance by the blade is not directly applied to the wafer, so that the occurrence of chipping can be reduced to the limit. For example, in the method described in Patent Document 1, a modified region by multiphoton absorption is formed inside the wafer by focusing the laser beam inside the wafer. This is formed along the cutting line, that is, along the street portion, and further, by applying external stress, the chips are divided into individual chips starting from the modified region. As an external stress, for example, Patent Document 2 describes that a wafer or the like is bonded to an extensible tape in advance, and the extensible film is carefully divided into individual chips after the modified region is formed. Is to do. In the case of this method, in addition to the merit that the cutting resistance is not directly applied, since the crack is cracked and divided from the modified region, the chipping hardly occurs. Therefore, it can be said that it is one of the most attentioned methods as a very effective method as a countermeasure against chipping.

この方式においては、一般的にウェハの回路パターンが形成されている面側からレーザーを入射するわけであるが、例えば回路パターン面にＴＥＧ（テスト・エレメント・グループ）付き、或いはアルミ配線の付いたウェハ等の場合、レーザー光がこれらの材質を透過する事が出来ないためウェハ内部にまで焦点が到達せず、改質領域の形成が出来ない、といった問題がある。これを解決する方法としては、特許文献３にてウェハ裏面からレーザー光を入射させる方法が記載されている。これによると、ウェハの回路パターン面に保護フィルムを装着し、レーザー光をウェハ裏面から入射させ切断予定ラインに沿って改質領域を形成させ、その後、ウェハ裏面側に伸張性フィルムを貼合し伸張させ分割する、という方法である。この方法であれば、裏面側にレーザー光の透過を阻害するものの存在が無い限り、レーザー光の焦点はウェハ内部に到達する事が可能となり、解決可能である。しかしながら、ウェハの仕上げ厚が例えば７５μｍ以下の様に薄厚である場合は、以下の様な不具合がある。 In this method, the laser is generally incident from the surface side where the circuit pattern of the wafer is formed. For example, a TEG (test element group) or aluminum wiring is attached to the circuit pattern surface. In the case of a wafer or the like, there is a problem that since the laser beam cannot pass through these materials, the focal point does not reach the inside of the wafer and the modified region cannot be formed. As a method for solving this, Patent Document 3 describes a method in which laser light is incident from the back surface of a wafer. According to this, a protective film is attached to the circuit pattern surface of the wafer, laser light is incident from the back side of the wafer to form a modified region along the planned cutting line, and then an extensible film is bonded to the back side of the wafer. It is a method of expanding and dividing. If this method is used, the focus of the laser light can reach the inside of the wafer and can be solved as long as there is nothing on the back side that hinders the transmission of the laser light. However, when the finished thickness of the wafer is as thin as 75 μm or less, for example, there are the following problems.

すなわち、この方法では表面保護テープを回路パターンに貼合した状態でウェハ裏面を７５μｍ以下まで研削し、研削後、その状態でレーザー光による改質領域形成の工程に搬送されてダイシングされ、ダイシングの後に、ウェハ裏面にリングフレームに貼合固定されたダイシングテープにより支持固定された状態になるわけである。ウェハ仕上げ厚が１００μｍ以上の比較的厚い場合であればウェハ自身にある程度の自立強度があるため、ダイシングテープによる支持固定状態になくても、研削後からレーザー光による改質領域形成工程への搬送に特に問題は無いが、７５μｍ以下の薄厚の状態ではウェハ自身に自立強度が無いため、搬送時、ダイシングテープによる支持固定状態にないと、自重による反りなどの影響でウェハにクラックが入ったり、最悪の場合割れたりするなどの不具合が発生してしまう。前述の、一般的な回路パターン面からレーザー光を入射する方法であれば、研削後、表面保護テープを剥離する前にリングフレーム＋ダイシングテープにより支持固定状態とする事が出来るが、最近では、ウェハ裏面研削からリングフレーム＋ダイシングテープでウェハ貼合から表面保護テープ剥離、の一連工程を同一装置内で完結させるインライン方式の装置が世の中に浸透しつつある。これは、極薄のウェハを常時支持固定の状態にある様にするもので、極薄ウェハの損傷防止のために非常に有効な装置である。しかしながら、ウェハ裏面側からレーザー光を入射する方法の場合、レーザー光による改質領域形成時にウェハがダイシングテープ支持固定状態にあると、レーザー光はダイシングテープ越しに入射される事になる。一般的にダイシングテープの基材フィルム側表面は、巻き状態でのブロッキング防止やハンドリング上の点から粗面処理されているのが通常である。また、本方式の様に、改質領域形成後にエキスパンドにより分割する必要がある場合は、エキスパンドリングとの滑り性を良くするため、粗面処理は不可欠と言える。粗面処理されていないとエキスパンドリングでの滑り性が悪くなるためダイシングテープはエキスパンドリングと接触している部分のみが局所的に伸張し、ウェハ部では殆ど伸張せず、ウェハは完全に分割されない結果となってしまう。この粗面処理はシボ加工やエンボス加工等が施されているのが一般的であるが、フィルム成形時に同時に形成されるのが普通である。
以上の理由により、この方式におけるダイシングテープの基材フィルム側表面は粗面処理されている必要があるものである。ところが、レーザー光はこの粗面越しに入射される事になるため、結果、基材フィルムの粗面処理された凹凸によりレーザー光が散乱してしまい、焦点がウェハ内部の所定の位置に合わせられず、その結果、ウェハ内部の所定の位置に改質領域が形成されない、という不具合が起こり得る。特許文献３に記載されるような方法も、チッピング対策として非常に有益な方法ではあるが、極薄ウェハの処理においては上記の様な問題を持ち合わせるものである。更には、これを避けるために、ウェハの回路パターン面に貼合状態にある表面保護テープ側をダイシングテープに貼合し、ウェハ裏面を上側にした状態でレーザー光を入射させる方法も考えられるが、該インラインシステムの装置がそのまま適用出来ない、或いは、後のピックアップ工程を考えると回路パターン面を上側にする必要があるため、他のテープに転写する工程が必要となるなど、非常に工程が煩雑化するというデメリットがある。特に転写については、改質領域を形成した後に他テープへ転写する事になるため、改質領域形成後の比較的脆いウェハがテープ貼合等の工程において破損する可能性もあり問題となる。
特許第３４０８８０５号公報特開２００３−３３４８１２号公報特開２００４−００１０７６号公報 That is, in this method, the back surface of the wafer is ground to 75 μm or less with the surface protection tape bonded to the circuit pattern, and after grinding, the wafer is conveyed to the modified region forming step by laser light and diced. Later, the wafer is supported and fixed by a dicing tape bonded and fixed to the ring frame on the back surface of the wafer. If the wafer finish thickness is relatively thick (100μm or more), the wafer itself has a certain level of self-supporting strength, so even if it is not supported and fixed by dicing tape, it is transported to the modified region forming process by laser light after grinding. Although there is no particular problem with the thin thickness of 75 μm or less, since the wafer itself does not have a self-supporting strength, if it is not supported and fixed by dicing tape during transportation, the wafer may crack due to warpage due to its own weight, In the worst case, problems such as cracking will occur. If it is a method of injecting laser light from the above-mentioned general circuit pattern surface, it can be supported and fixed by a ring frame + dicing tape after grinding and before peeling off the surface protection tape. An in-line system that completes a series of processes from wafer back grinding to ring frame + dicing tape to wafer bonding to surface protective tape peeling is becoming popular in the world. This is a very effective device for preventing damage to an ultra-thin wafer, so that the ultra-thin wafer is always supported and fixed. However, in the case of the method in which laser light is incident from the back side of the wafer, the laser light is incident through the dicing tape if the wafer is in a dicing tape support and fixing state when the modified region is formed by the laser light. In general, the base film side surface of the dicing tape is usually roughened from the viewpoint of blocking prevention and handling in a wound state. Further, when it is necessary to divide by the expanded after forming the modified region as in this method, it can be said that the rough surface treatment is indispensable in order to improve the slipperiness with the expanding ring. If the surface is not roughened, the sliding property of the expanding ring will be poor, so the dicing tape will stretch locally only at the part that is in contact with the expanding ring, will hardly stretch at the wafer part, and the wafer will not be completely divided. Result. The rough surface treatment is generally subjected to embossing or the like, but is usually formed simultaneously with film formation.
For the above reasons, the base film side surface of the dicing tape in this method needs to be roughened. However, since the laser light is incident through this rough surface, the laser light is scattered by the rough surface processed unevenness of the base film, and the focal point is adjusted to a predetermined position inside the wafer. As a result, there is a possibility that a modified region is not formed at a predetermined position inside the wafer. The method described in Patent Document 3 is also a very useful method as a countermeasure against chipping, but it has the above-mentioned problems in the processing of ultra-thin wafers. Furthermore, in order to avoid this, there may be a method in which the surface protective tape side that is bonded to the circuit pattern surface of the wafer is bonded to the dicing tape, and the laser beam is incident with the back surface of the wafer facing upward. The inline system apparatus cannot be applied as it is, or the circuit pattern surface needs to be on the upper side when considering the later pick-up process, which requires a process of transferring to another tape. There is a demerit that it is complicated. In particular, since transfer is performed on another tape after forming the modified region, a relatively fragile wafer after forming the modified region may be damaged in a process such as tape bonding.
Japanese Patent No. 3408805 JP 2003-334812 A JP 2004-001076 A

本発明は、半導体ウェハの裏面研削の直後にダイシングテープおよびリングフレームにて貼合支持固定し、その状態でダイシングテープ側から半導体ウェハ裏面側にレーザー光を入射させダイシングすることを可能とするダイシングテープおよび半導体ウェハダイシング方法を提供することを目的とするものである。 The present invention is a dicing method in which a dicing tape and a ring frame are bonded and supported immediately after the backside grinding of a semiconductor wafer, and laser light is incident from the dicing tape side to the backside of the semiconductor wafer in that state for dicing. An object of the present invention is to provide a tape and semiconductor wafer dicing method.

本発明は、前記のような問題点を解決する方法を提案するものである。
すなわち本発明は、
［１］１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上である基材フィルム（４）の一方の面に粘着剤層（３）が設けられ、かつ、前記基材フィルム（４）の他方の面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上のダイシングテープ（２）であって、
１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上である基材フィルム（８）の一方の面に粘着剤層（７）が設けられ、かつ、前記基材フィルム（８）の前記基材フィルム（８）の他方の面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である粘着テープ（６）の粘着剤層（７）と、前記基材フィルム（４）を貼り合されて用いられる前記ダイシングテープ（２）、
［２］１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上である基材フィルム（８）の一方の面に粘着剤層（７）が設けられ、かつ、前記基材フィルム（８）の他方の面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である粘着テープ（６）の、前記粘着剤層（７）を、
１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上である基材フィルム（４）の一方の面に粘着剤層（３）が設けられたダイシングテープ（２）の前記基材フィルム（４）の他方の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の面に貼り合わせて積層したダイシングテープ、
［３］基材フィルム（８）がポリエチレンテレフタレートフィルムである［１］または［２］記載のダイシングテープ、
［４］レーザーダイシング用であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１項に記載のダイシングテープ、
［５］半導体ウェハをダイシングテープにて支持固定した状態でダイシングする方法であって、
（ａ）１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上である基材フィルム（４）の一方の面に粘着剤層（３）が設けられ、かつ、前記基材フィルム（４）の他方の面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上のダイシングテープ（２）の前記粘着剤層（３）をリングフレーム（５）に貼り付け、半導体ウェハ（１）の回路パターン（１５）が形成されていない面をダイシングテープ（２）の粘着剤層（３）側に貼合する工程と、
（ｂ）１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上である基材フィルム（８）の一方の面に粘着剤層（７）が設けられ、かつ、前記基材フィルム（８）の前記基材フィルム（８）の他方の面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である粘着テープ（６）の粘着剤層（７）をダイシングテープ（２）の基材フィルム（４）側に貼合した状態において、粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）の内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を切断ラインに沿って形成する工程と、
（ｃ）粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）から剥離した後、エキスパンド工程にてダイシングテープ（２）を伸張させる事により半導体ウェハ（１）を、改質領域（１２）を起点として個々のチップに切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハダイシング方法、
［６］半導体ウェハをダイシングテープにて支持固定した状態でダイシングする方法であって、
（ａ）１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上である基材フィルム（８）の一方の面に粘着剤層（７）が設けられ、前記基材フィルム（８）の他方の面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である粘着テープ（６）の、前記粘着剤層（７）を、
１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上である基材フィルム（４）の一方の面に粘着剤層（３）が設けられ、かつ、前記基材フィルム（４）の他方の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の面に貼り合わせ積層したダイシングテープの粘着剤層（３）をリングフレーム（５）に貼り付け、半導体ウェハ（１）の回路パターン（１５）が形成されていない面を粘着剤層（３）側に貼合する工程と、
（ｂ）前記積層したダイシングテープに貼合した状態において、前記積層したダイシングテープの粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）の内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を切断ラインに沿って形成する工程と、
（ｃ）粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）から剥離した後、エキスパンド工程にてダイシングテープ（２）を伸張させる事により半導体ウェハ（１）を、改質領域（１２）を起点として個々のチップに切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハダイシング方法、
［７］粘着テープ（６）の粘着剤層（７）が放射線硬化型粘着剤であり、粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を形成した後、粘着テープ（６）側から放射線照射して粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）から剥離することを特徴とする［５］または［６］に記載の半導体ウェハダイシング方法。
［８］半導体ウェハ（１）の回路パターン面に表面保護テープ（１０）が貼合されており、粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）の内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を切断ラインに沿って形成する工程以降から、エキスパンド工程にてダイシングテープ（２）を伸張させることにより半導体ウェハ（１）を、改質領域（１２）を起点として個々のチップに切断分離する工程以前の間に、該表面保護テープ（１０）をダイシングされた半導体ウェハ（１）から剥離することを特徴とする［５］〜［７］のいずれか１項に記載の半導体ウェハダイシング方法、
を提供するものである。 The present invention proposes a method for solving the above problems.
That is, the present invention
[1] The pressure-sensitive adhesive layer (3) is provided on one side of the base film (4) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more, and the other side of the base film (4) surface roughness Ra of the side is a 0.7μm or more dialog Thing tape (2),
An adhesive layer (7) is provided on one surface of the base film (8) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more and a parallel light transmittance of 30% or more, and the base film ( The adhesive layer (7) of the adhesive tape (6) whose surface roughness Ra on the other surface side of the base film (8) of 8) is 0.5 μm or less , and the base film (4) are pasted the combined and the dicing tape used (2),
[2] A pressure-sensitive adhesive layer (7) is provided on one surface of a base film (8) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more and a parallel light transmittance of 30% or more. The pressure-sensitive adhesive layer (7) of the pressure-sensitive adhesive tape (6) having a surface roughness Ra on the other side of the material film (8) of 0.5 μm or less,
The other of the base film (4) of the dicing tape (2) provided with the pressure-sensitive adhesive layer (3) on one surface of the base film (4) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more . dicing tape surface roughness Ra are laminated by bonding the above surface 0.7 [mu] m,
[3] The dicing tape according to [1] or [2], wherein the substrate film (8) is a polyethylene terephthalate film,
[4] The dicing tape according to any one of [1] to [3], which is for laser dicing,
[5] A method of dicing in a state where a semiconductor wafer is supported and fixed by a dicing tape,
(A) The pressure-sensitive adhesive layer (3) is provided on one surface of the substrate film (4) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more, and the other surface of the substrate film (4) paste the pressure-sensitive adhesive layer side of the surface roughness Ra is 0.7μm or more dialog Thing tape (2) and (3) to a ring frame (5), the circuit pattern of the semiconductor wafer (1) (15) is formed A step of bonding the non-stick surface to the pressure-sensitive adhesive layer (3) side of the dicing tape (2);
(B) A pressure-sensitive adhesive layer (7) is provided on one surface of the base film (8) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more and a parallel light transmittance of 30% or more; The adhesive layer (7) of the adhesive tape (6) having a surface roughness Ra on the other surface side of the base film (8) of the material film (8) of 0.5 μm or less is used as the base of the dicing tape (2). In a state of being bonded to the material film (4) side, the laser beam (11) is incident from the adhesive tape (6) side, and the inside of the semiconductor wafer (1) is irradiated with a focal point to be irradiated. Forming a modified region (12) along the cutting line;
(C) After peeling off the adhesive tape (6) from the dicing tape (2), the dicing tape (2) is stretched in the expanding step, and the semiconductor wafer (1) is individually started from the modified region (12). A semiconductor wafer dicing method comprising: cutting and separating the chip into
[6] A method of dicing a semiconductor wafer while being supported and fixed by a dicing tape,
(A) 1 on one surface an adhesive layer of the total light transmittance of Ru der parallel light transmittance is 30% or more 70% or more substrate film (8) (7) is provided at 064Nm, the group The pressure-sensitive adhesive layer (7) of the pressure-sensitive adhesive tape (6) having a surface roughness Ra on the other side of the material film (8) of 0.5 μm or less,
A pressure-sensitive adhesive layer (3) is provided on one surface of the base film (4) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more , and the other surface roughness Ra of the base film (4). The adhesive layer (3) of the dicing tape laminated and laminated on the surface of 0.7 μm or more is attached to the ring frame (5), and the surface of the semiconductor wafer (1) where the circuit pattern (15) is not formed is adhered. A step of bonding to the agent layer (3) side;
(B) In a state of being bonded to the laminated dicing tape, a laser beam (11) is incident from the pressure-sensitive adhesive tape (6) side of the laminated dicing tape, and a focal point is set inside the semiconductor wafer (1). Forming a modified region (12) by multiphoton absorption along the cutting line by irradiation;
(C) After peeling off the adhesive tape (6) from the dicing tape (2), the dicing tape (2) is stretched in the expanding step, and the semiconductor wafer (1) is individually started from the modified region (12). A semiconductor wafer dicing method comprising: cutting and separating the chip into
[7] The pressure-sensitive adhesive layer (7) of the pressure-sensitive adhesive tape (6) is a radiation curable pressure-sensitive adhesive, and a laser beam (11) is incident from the pressure-sensitive adhesive tape (6) side, and a focal point is formed inside the semiconductor wafer (1). After forming the modified region (12) by multiphoton absorption by irradiation together, the adhesive tape (6) is peeled off from the dicing tape (2) by irradiating with radiation from the adhesive tape (6) side. The semiconductor wafer dicing method according to [5] or [6].
[8] The surface protection tape (10) is bonded to the circuit pattern surface of the semiconductor wafer (1), and the laser beam (11) is incident from the adhesive tape (6) side to focus inside the semiconductor wafer (1). The semiconductor wafer (1) is obtained by extending the dicing tape (2) in the expanding process from the process of forming the modified region (12) by multiphoton absorption along the cutting line by irradiating the light spots. The surface protective tape (10) is peeled from the diced semiconductor wafer (1) before the step of cutting and separating into individual chips starting from the modified region (12) [5]. ] The semiconductor wafer dicing method according to any one of [7] to [7],
Is to provide.

本発明により、半導体ウェハの裏面研削の直後にダイシングテープ＋リングフレームにて貼合支持固定し、その状態でダイシングテープ側から半導体ウェハ裏面側にレーザー光を入射させダイシングする事が可能となった。また、本発明の方法は、従来の薄膜ウェハを処理する場合に適用されるインラインシステムがそのまま使えるため、ＴＥＧ付き、或いはアルミ配線付きで、且つ、７５μｍ厚以下の自立強度を持たない薄膜の半導体ウェハの処理の場合であっても、処理、搬送中におけるウェハの損傷等の問題を防止する事を可能とするものである。 According to the present invention, it is possible to bond and fix with a dicing tape + ring frame immediately after the backside grinding of the semiconductor wafer, and in that state, it is possible to dice by dicing the laser beam from the dicing tape side to the backside of the semiconductor wafer. . In addition, since the method of the present invention can use an in-line system applied when processing a conventional thin film wafer as it is, a thin film semiconductor with TEG or aluminum wiring and having no self-supporting strength of 75 μm or less. Even in the case of wafer processing, problems such as wafer damage during processing and transport can be prevented.

以下、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明のダイシングテープの好ましい実施態様を説明する概略断面図である。ダイシングテープ２は、粘着剤層３と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層３の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の基材フィルム４とからなる。使用される際には、粘着剤層７と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層７の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム８とからなる粘着テープ６が、矢印Ａｒ１で示すように、基材フィルム４の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の面に貼り合わされ用いられるものである。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a preferred embodiment of the dicing tape of the present invention. The dicing tape 2 includes the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the base film 4 having a total surface light transmittance at 1064 nm of 70% or more and a surface roughness Ra on the surface side without the pressure-sensitive adhesive layer 3 of 0.7 μm or more. Become. When used, the pressure-sensitive adhesive layer 7 has a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more and a parallel light transmittance of 30% or more, and has a surface roughness Ra on the surface side without the pressure-sensitive adhesive layer 7. An adhesive tape 6 composed of a base film 8 having a thickness of 0.5 μm or less is used by being bonded to a surface having a surface roughness Ra of 0.7 μm or more as indicated by an arrow Ar1.

仮に上記粘着テープ６を貼合しない場合は、レーザー光を基材フィルム４側から照射した場合、通常粗面処理されているダイシングテープ２の基材フィルム４表面の凹凸によりレーザー光が散乱してしまい、焦光点がウェハ１内部の所定の位置に合わせられない。しかしながら、本実施態様においては、粘着テープ６をダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼合する事により、図２に示すように、粗面処理されたダイシングテープの基材フィルムの表面９の凹凸は、粘着テープ６の粘着剤７により吸収され、その結果、基材フィルム４表面の凹凸は消失しその上透明度が向上する事となる。更には、本発明のダンシングテープは、レーザー光が直接入射する粘着テープ６の基材フィルム８の表面粗さＲａは０．５μｍ以下であるため十分平滑な面でありレーザー光は殆ど散乱される事がなく、焦光点を所定の位置に合わせる事が可能となるためレーザーダイシング用として好適である。基材フィルム８の表面粗さＲａは０．１〜０．５μｍであることが好ましい。逆に表面粗さＲａが大きすぎるとレーザー光が散乱されてしまいウェハ１内部に焦光点を合わせる事が不可能となる。 If the adhesive tape 6 is not bonded, the laser light is scattered by the irregularities on the surface of the base film 4 of the dicing tape 2 that is usually roughened when the laser light is irradiated from the base film 4 side. Therefore, the focal point cannot be aligned with a predetermined position inside the wafer 1. However, in this embodiment, by sticking the adhesive tape 6 to the base film 4 side of the dicing tape 2, as shown in FIG. 2, the surface 9 of the base film of the roughened dicing tape. The unevenness is absorbed by the adhesive 7 of the adhesive tape 6, and as a result, the unevenness on the surface of the base film 4 disappears and the transparency is improved. Furthermore, the dancing tape of the present invention has a sufficiently smooth surface because the surface roughness Ra of the base film 8 of the adhesive tape 6 on which the laser light is directly incident is 0.5 μm or less, and the laser light is almost scattered. This is suitable for laser dicing because it is possible to adjust the focal point to a predetermined position. The surface roughness Ra of the base film 8 is preferably 0.1 to 0.5 μm. On the other hand, if the surface roughness Ra is too large, the laser light is scattered and it becomes impossible to adjust the focal point within the wafer 1.

本発明のダイシングテープは、予め粘着テープ６が貼り合わせられ、図２に示すように積層されたダイシングテープであっても良い。この積層型のダイシングテープでは、例えば、粘着剤層７と基材フィルム８により構成された粘着テープ６を、粘着剤層３と基材フィルム４からなるダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼り合わせ積層した構造とすることができる。 The dicing tape of the present invention may be a dicing tape in which the adhesive tape 6 is bonded in advance and laminated as shown in FIG. In this laminated dicing tape, for example, an adhesive tape 6 composed of an adhesive layer 7 and a base film 8 is attached to the base film 4 side of a dicing tape 2 composed of the adhesive layer 3 and the base film 4. A laminated structure can be obtained.

図３は、本発明の半導体ウェハダイシング方法の好ましい実施態様を説明する概略断面図である。ここでは、粘着テープ６側からレーザー光１１を入射し半導体ウェハ１の内部に焦光点を合わせて照射し多光子吸収による改質領域１２を切断ラインに沿って形成している。本発明においては、好ましくは、半導体ウェハ１が、リングフレーム５並びに、粗面処理された表面９を有する基材フィルム４と粘着剤層３とからなるダイシングテープ２にて支持固定された状態（図４）で、粘着剤層７と基材フィルム８からなり、基材フィルム８の１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、且つ、粘着剤７の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である粘着テープ６を、ダイシングテープ２の１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で粘着剤層３の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の基材フィルム４の表面９側に貼合し、その状態（図５）において該粘着テープ６側からレーザー光１１を入射しウェハ１内部に焦光点を合わせ照射し改質領域１２を切断ラインに沿って形成するものである。なお、本実施態様では、半導体ウェハ１の回路パターン１５が形成されている面には表面保護テープ１０が貼合されている。そして、表面保護テープ１０は固定用チャックテーブル１６に貼付されている（図３〜５）。 FIG. 3 is a schematic sectional view for explaining a preferred embodiment of the semiconductor wafer dicing method of the present invention. Here, the laser beam 11 is incident from the adhesive tape 6 side, and the semiconductor wafer 1 is irradiated with the focal point aligned to form a modified region 12 by multiphoton absorption along the cutting line. In the present invention, the semiconductor wafer 1 is preferably supported and fixed by a dicing tape 2 comprising a ring frame 5 and a base film 4 having a roughened surface 9 and an adhesive layer 3 ( 4), it is composed of a pressure-sensitive adhesive layer 7 and a base film 8. The base film 8 has a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more and a parallel light transmittance of 30% or more. The surface roughness Ra on the surface side without the adhesive layer 3 having a total light transmittance at 1064 nm of the dicing tape 2 of 70% or more with the surface roughness Ra of the surface side with no adhesive of 0.5 μm or less. Is bonded to the surface 9 side of the base film 4 having a thickness of 0.7 μm or more, and in this state (FIG. 5), the laser beam 11 is incident from the adhesive tape 6 side, and the focal point is irradiated and irradiated inside the wafer 1 Quality region 12 along the cutting line Is formed. In this embodiment, the surface protective tape 10 is bonded to the surface of the semiconductor wafer 1 on which the circuit pattern 15 is formed. And the surface protection tape 10 is affixed on the chuck table 16 for fixation (FIGS. 3-5).

本発明においては、基材フィルム８は１０６４ｎｍにおける全光線透過率が７０％以上、好ましくは８０〜９５％で、平行光線透過率が３０％以上、好ましくは４０％以上であり、且つ、基材フィルム４も全光線透過率が７０％以上、好ましくは８０〜９５％であるため、例えば特許第３４０８８０５号公報や特開２００４−００１０７６号公報にて提案されているような、レーザー光により多光子吸収による改質領域を形成する方式に使用される波長１０６４ｎｍの基本波レーザーに対する透過性は十分であるといえる。ここでいう平行光線透過率とは、材質そのものの透過率、すなわち全光線透過率と、上記のレーザー光の散乱され易さで決まってくるものであるため、材質そのものの透過率が良くてもレーザー光が散乱されてしまうと入射光と平行な線上に透過する平行光線透過率の値は低下する結果となる。本発明のレーザー光により多光子吸収による改質領域を形成する方式においては、焦光点を深さ方向の所定の位置に合わせた状態を維持したままで、切断ラインに沿ってスキャンさせなければならない。従って、材質そのものの透過率、すなわち全光線透過率が良くて、且つ、レーザー光が散乱されない事が本発明を実現するための条件となるものである。 In the present invention, the substrate film 8 has a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more, preferably 80 to 95%, a parallel light transmittance of 30% or more, preferably 40% or more, and a substrate. Since the film 4 also has a total light transmittance of 70% or more, preferably 80 to 95%, for example, a multiphoton is produced by laser light as proposed in Japanese Patent No. 3408805 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-001076. It can be said that the transparency to the fundamental laser having a wavelength of 1064 nm used in the method of forming the modified region by absorption is sufficient. Here, the parallel light transmittance is determined by the transmittance of the material itself, that is, the total light transmittance and the ease of scattering of the laser light, so even if the transmittance of the material itself is good. If the laser light is scattered, the value of the parallel light transmittance that is transmitted on a line parallel to the incident light is reduced. In the method of forming the modified region by multiphoton absorption by the laser light of the present invention, it is necessary to scan along the cutting line while keeping the focal point at a predetermined position in the depth direction. Don't be. Therefore, it is a condition for realizing the present invention that the transmittance of the material itself, that is, the total light transmittance is good and the laser beam is not scattered.

これら基材フィルム４、および基材フィルム８の材質としては、上記の各々の透過率以上である限りにおいては特に制限は無いが、好ましくは、ＰＥＴ等のポリエステル系、ナイロン系、ポリカーボネート、エラストマー系、ポリオレフィン系のものが適用される。エラストマー系やポリオレフィンン系のうち１０６４ｎｍにおける光線透過率が比較的低いものもあるが、例えばフィルム厚を８０μｍ以下と薄くする事により透過率を向上させる事で、前記の必要最低な全光線透過率、平行光線透過率に到達すれば適用可能である。これら基材フィルムは、一般的にはＴダイ法やインフレ法によりフィルム成形されるものであるが、前者の場合、基材フィルム表面に粗面処理を施す必要がある場合にはフィルム成形と同時にシボ加工等の粗面処理を行う事が可能であり、又、自由にその粗さをコントロールする事が可能である。又、粗面処理の必要が無ければ、そのような処理を実施しない限り平滑面を持つフィルムが得られる。基材フィルム表面の粗さは、前述のレーザー光の散乱され易さを左右する因子となるが、同時にエキスパンド工程におけるエキスパンドリングとの滑り易さにも影響を及ぼすものであるため、状況に応じて適宜フィルム成形時に粗さをコントロールする必要がある。ここでいうエキスパンド工程とは、レーザー光１１により改質領域１２を形成、粘着テープ６をダイシングテープ２から剥離した後、ダイシングテープ２を引き落とし用押圧具１４とエキスパンドリング１３により引き落とし伸長させ半導体ウェハ１の改質領域１２を起点として個々のチップに切断分離する工程の事である（図６参照）。エキスパンド時には、図６に示されるように、粘着テープ６は既に剥離され、粗面処理されたダイシングテープ２の基材フィルム面９がエキスパンドリング１３と接触する事になるため滑り性が悪くなる事はなく、ダイシングテープ２は十分に伸長し、切断分離するのに問題は無い。一般的に改質領域１２を起点として個々のチップに切断分離するのに十分な滑り性を出すため、基材フィルム４の粘着剤層３の無い面側の表面粗さＲａは０．７μｍ以上であることが好ましい。このＲａが小さすぎるとエキスパンドリング１３との接触部のみ局所的に伸長してしまい完全な切断分離が不可能となる。 The material of the base film 4 and the base film 8 is not particularly limited as long as it is equal to or higher than the above-described transmittances, but preferably polyester such as PET, nylon, polycarbonate, and elastomer. Polyolefin type is applied. Some of the elastomers and polyolefins have a relatively low light transmittance at 1064 nm. For example, by reducing the film thickness to 80 μm or less, the transmittance is improved, so that the above-mentioned minimum required total light transmittance is achieved. It is applicable if the parallel light transmittance is reached. These base films are generally formed by a T-die method or an inflation method. In the former case, when it is necessary to subject the base film surface to a rough surface treatment, It is possible to perform rough surface processing such as embossing and the like, and it is possible to freely control the roughness. If there is no need for rough surface treatment, a film having a smooth surface can be obtained unless such treatment is performed. The roughness of the surface of the base film is a factor that influences the ease of scattering of the laser beam described above, but at the same time affects the ease of sliding with the expanding ring in the expanding process. Therefore, it is necessary to appropriately control the roughness during film forming. The expanding process here refers to a semiconductor wafer in which a modified region 12 is formed by a laser beam 11, the adhesive tape 6 is peeled off from the dicing tape 2, and then the dicing tape 2 is pulled down and extended by the pressing tool 14 and the expanding ring 13. This is a process of cutting and separating into individual chips starting from one modified region 12 (see FIG. 6). At the time of expansion, as shown in FIG. 6, the adhesive tape 6 is already peeled off, and the base film surface 9 of the roughened dicing tape 2 comes into contact with the expanding ring 13, so that the slipperiness is deteriorated. There is no problem in dicing tape 2 being sufficiently stretched and cut and separated. In general, the surface roughness Ra on the surface side of the base film 4 without the adhesive layer 3 is 0.7 μm or more in order to provide sufficient slipperiness for cutting and separating into individual chips starting from the modified region 12. It is preferable that If this Ra is too small, only the contact portion with the expand ring 13 is locally expanded, and complete cutting and separation are impossible.

また、ダイシングテープ２の粘着剤層３及び粘着テープ６の粘着剤層７については、一般的に、後述するアクリル系の粘着剤、アクリル系の放射線重合性粘着剤等が適用されるものであるため非常に透明度が高く、その上、後述の通り、通常、５〜３０μm厚と比較的薄いため、１０６４ｎｍのレーザー光が透過するには十分な透過性を持ち、本発明においてはこれら粘着剤層３、及び粘着剤層７がレーザー光の透過を妨げる事はない。又、これらの粘着剤層が放射線硬化型である場合も、その殆どは１０６４ｎｍ付近での吸収は弱いためレーザー光が放射線硬化型粘着剤層に吸収され、レーザー光強度が低下してしまう事も無い。万一、１０６４ｎｍ付近に吸収を持つ粘着剤層が適用される場合は、レーザー光による改質領域形成の工程以前に予め放射線照射を行う等の対処法をとる必要もあり得る。 Moreover, about the adhesive layer 3 of the dicing tape 2, and the adhesive layer 7 of the adhesive tape 6, generally the acrylic adhesive mentioned later, an acrylic radiation-polymerizable adhesive, etc. are applied. Therefore, the transparency is very high. Moreover, as described later, since it is usually as thin as 5 to 30 μm, it is sufficiently transparent to transmit 1064 nm laser light. In the present invention, these pressure-sensitive adhesive layers 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 7 do not hinder the transmission of laser light. In addition, even when these pressure-sensitive adhesive layers are radiation-curable, most of them are weakly absorbed near 1064 nm, so that the laser light is absorbed by the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer and the laser light intensity may be lowered. No. If an adhesive layer having absorption in the vicinity of 1064 nm is applied, it may be necessary to take measures such as performing radiation irradiation in advance before the step of forming the modified region by laser light.

本発明のダイシングテープが、粘着剤層７と基材フィルム８により構成された粘着テープ６を、粘着剤層３と基材フィルム４からなるダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼り合わせ積層した構造したものである場合には、これをリングフレーム５に貼り付け、半導体ウェハ１のパターンが形成されていない面を粘着剤層３側に貼合した状態で粘着テープ６側からレーザー光１１を入射し多光子吸収による改質領域１２を切断ラインに沿って形成し、その後、粘着テープ６をダイシングテープ２から剥離することができる。 The dicing tape of the present invention is obtained by laminating and laminating an adhesive tape 6 composed of an adhesive layer 7 and a base film 8 on the base film 4 side of a dicing tape 2 composed of an adhesive layer 3 and a base film 4. In the case of a structure, this is affixed to the ring frame 5, and the laser beam 11 is applied from the adhesive tape 6 side with the surface of the semiconductor wafer 1 on which the pattern is not formed being adhered to the adhesive layer 3 side. The modified region 12 by incident and multiphoton absorption is formed along the cutting line, and then the adhesive tape 6 can be peeled from the dicing tape 2.

粘着テープ６の剥離の方法については特に制限は無く、常法により行うことができ、場合によっては手作業にて剥離しても良い。また、粘着テープ６の粘着剤層７を放射線硬化型粘着剤とした場合、放射線を照射する事により粘着力を低減させる事で剥離がよりスムーズに行える。この場合は、粘着テープ６を剥離する前に粘着テープ６側から放射線を照射し剥離をする。又、ダイシングテープ２の粘着剤層３も同時に放射線硬化型である場合は、粘着剤層３と粘着剤層７に対する放射線照射は一時に同時に行う事になるが、別段問題は無い。但し、粘着剤層３と粘着剤層７の粘着力を十分に低減させるだけの、十分な照射量を必要とする。 There is no restriction | limiting in particular about the peeling method of the adhesive tape 6, It can carry out by a conventional method, and you may peel by a manual work depending on the case. Further, when the pressure-sensitive adhesive layer 7 of the pressure-sensitive adhesive tape 6 is a radiation curable pressure-sensitive adhesive, peeling can be performed more smoothly by reducing the adhesive force by irradiating radiation. In this case, before peeling off the pressure-sensitive adhesive tape 6, radiation is applied from the pressure-sensitive adhesive tape 6 side to peel off. Further, when the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the dicing tape 2 is also radiation curable, radiation irradiation to the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 7 is performed at the same time, but there is no particular problem. However, a sufficient irradiation amount is required to sufficiently reduce the adhesive strength between the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 7.

また、本発明においてダイシングテープ２をリングフレーム５に貼り付け、半導体ウェハ１をダイシングテープ２の粘着剤層３側に貼合し、粘着テープ６をダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼合する場合、これらの順番に特に制限はない。ダイシングテープ２をリングフレーム５に貼り付けた後に半導体ウェハ１を粘着剤３に貼合するのでもよく、リングフレーム５と半導体ウェハ１に同時にダイシングテープ２を貼合する順序でも良い。又、粘着テープ６をダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼合する順序についても、粘着テープ６を貼合した後に半導体ウェハ１を粘着剤層３に貼合しても構わない。更に、積層型ダイシングテープ９を適用する場合も同様で、積層型ダイシングテープ９をリングフレーム５に貼り付けた後に半導体ウェハ１を粘着剤３に貼合するのでもよく、リングフレーム５と半導体ウェハ１に同時に積層型ダイシングテープ９を貼合する順序でも良い。 In the present invention, the dicing tape 2 is attached to the ring frame 5, the semiconductor wafer 1 is attached to the adhesive layer 3 side of the dicing tape 2, and the adhesive tape 6 is attached to the base film 4 side of the dicing tape 2. In this case, there is no particular limitation on the order of these. The semiconductor wafer 1 may be bonded to the adhesive 3 after the dicing tape 2 is bonded to the ring frame 5, or the dicing tape 2 may be bonded to the ring frame 5 and the semiconductor wafer 1 at the same time. Moreover, also about the order which bonds the adhesive tape 6 to the base film 4 side of the dicing tape 2, you may bond the semiconductor wafer 1 to the adhesive layer 3 after bonding the adhesive tape 6. FIG. Further, the same applies when the laminated dicing tape 9 is applied, and the semiconductor wafer 1 may be attached to the adhesive 3 after the laminated dicing tape 9 is attached to the ring frame 5. 1 may be the order in which the laminated dicing tape 9 is bonded simultaneously.

更に、本発明においては、半導体ウェハ１は、ダイシングテープ２およびリングフレーム５に貼合支持固定される以前に、ウェハ厚を所定の厚みにするため裏面研削されるのが一般的であるが、この研削時には、回路パターン面１５を保護する目的から表面保護テープ１０が回路パターン面１５に貼合されることが好ましい（図７および図８参照）。なお、図７は、半導体ウェハ１の回路パターン面１５に表面保護テープ１０が貼合された状態を示す概略断面図、図８は、表面保護テープ１０を貼合した状態で半導体ウェハ１の回路パターンの無い裏面側を所定の厚みまで研削した状態を示す概略断面図である。 Furthermore, in the present invention, the semiconductor wafer 1 is generally subjected to back surface grinding to make the wafer thickness a predetermined thickness before being bonded and fixed to the dicing tape 2 and the ring frame 5. At the time of grinding, it is preferable that the surface protective tape 10 is bonded to the circuit pattern surface 15 for the purpose of protecting the circuit pattern surface 15 (see FIGS. 7 and 8). 7 is a schematic sectional view showing a state in which the surface protective tape 10 is bonded to the circuit pattern surface 15 of the semiconductor wafer 1, and FIG. 8 is a circuit diagram of the semiconductor wafer 1 in a state in which the surface protective tape 10 is bonded. It is a schematic sectional drawing which shows the state which ground the back surface side without a pattern to predetermined thickness.

本発明では、レーザー光による改質領域形成の工程においては、粘着テープ６側からレーザー光１１を入射する事になるため、その際、半導体ウェハ１の回路パターン面がウェハ固定用のチャックテーブル１６に直接接触し真空吸着等の手段によって固定される事になる。よって、この工程においても回路パターン面によっては該回路パターン面を保護する方が望ましい場合もあり、そこで本発明では、この様なケースにおいては研削時の該表面保護テープをレーザー光による改質領域形成の工程においてもそのまま貼合した状態とし、回路パターン面１５の保護の役割として利用することができる（図１参照）。この表面保護テープ１０は、レーザー光１１による改質領域１２形成の工程後、図９の概略断面図に示すように、エキスパンドによるチップ切断分離工程に移される前に半導体ウェハ１から矢印Ａｒ２に示すように、剥離される事になるため伸張による切断分離を妨げる事は無い。このとき粘着テープ６もダイシングテープ２から矢印Ａｒ３で示されるように剥離する。また、図９中の符号は、図３における符号と同一のものを示す。この表面保護テープ１０の粘着剤層は放射線硬化型であっても非放射線硬化型であってもよく、特に制限はない。又、表面保護テープ１０の粘着剤層が放射線硬化型である場合は裏面研削〜表面保護テープ１０剥離までの間に放射線照射をすれば良いが、レーザー光１１による改質領域１２形成時にはウェハの回路パターン面１５はしっかりと表面保護テープ１０に保持されている方が良く、特に支障が無ければ出来るだけレーザー光による改質領域形成の工程の後に放射線照射をするのが望ましい。 In the present invention, the laser beam 11 is incident from the adhesive tape 6 side in the process of forming the modified region by the laser beam. At this time, the circuit pattern surface of the semiconductor wafer 1 is the chuck table 16 for fixing the wafer. It is fixed directly by means such as vacuum suction. Therefore, in this process, depending on the circuit pattern surface, it may be desirable to protect the circuit pattern surface. Therefore, in the present invention, in such a case, the surface protection tape at the time of grinding is modified by a laser beam. Even in the forming process, it can be used as a state of bonding as it is and protect the circuit pattern surface 15 (see FIG. 1). This surface protection tape 10 is indicated by an arrow Ar2 from the semiconductor wafer 1 after the step of forming the modified region 12 by the laser beam 11 and before being transferred to the chip cutting / separating step by the expand as shown in the schematic sectional view of FIG. Thus, since it will be peeled off, it does not hinder the cutting and separation by stretching. At this time, the adhesive tape 6 is also peeled off from the dicing tape 2 as indicated by an arrow Ar3. Moreover, the code | symbol in FIG. 9 shows the same thing as the code | symbol in FIG. The pressure-sensitive adhesive layer of the surface protective tape 10 may be a radiation curable type or a non-radiation curable type, and is not particularly limited. Further, when the pressure-sensitive adhesive layer of the surface protection tape 10 is a radiation curable type, radiation irradiation may be performed between the back surface grinding and the surface protection tape 10 peeling. The circuit pattern surface 15 is preferably firmly held on the surface protection tape 10, and it is desirable to irradiate with radiation after the step of forming the modified region by laser light as much as possible unless there is a problem.

本発明におけるダイシングテープ２及び粘着テープ６の厚みに特に制限は無いが、５０〜３５０μｍ程度のものが一般的であり、それぞれ、基材フィルムの厚みとしては５０〜３００μｍ程度、好ましくは７０〜２７０μｍ、粘着剤層の厚みとしては３〜５０μｍ程度、好ましくは５〜３０μｍである。但し、基材フィルムの厚みとしては、前記の通り、ダイシングテープ２の基材フィルム４の場合は１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上、粘着テープ６の基材フィルム８の場合は１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上とするものである。また、表面保護テープ１０の厚みにも本発明においては特に制限はなく、半導体ウェハの種類により研削性を考慮し選定される。この表面保護テープも一般的には５０〜３５０μｍ程度、好ましくは１００〜３００μｍであり、このうち基材フィルム厚が５０〜３００μｍ程度、粘着剤層厚が３〜５０μｍ程度の範囲にあるのが一般的といえる。 Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the dicing tape 2 and the adhesive tape 6 in this invention, The thing of about 50-350 micrometers is common, and the thickness of each base film is about 50-300 micrometers, Preferably it is 70-270 micrometers. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is about 3 to 50 μm, preferably 5 to 30 μm. However, as described above, the thickness of the base film is 70% or more at 1064 nm in the case of the base film 4 of the dicing tape 2 and is 1064 nm in the case of the base film 8 of the adhesive tape 6. The total light transmittance is 70% or more and the parallel light transmittance is 30% or more. The thickness of the surface protection tape 10 is not particularly limited in the present invention, and is selected in consideration of grindability depending on the type of semiconductor wafer. This surface protection tape is also generally about 50 to 350 μm, preferably 100 to 300 μm. Of these, the base film thickness is about 50 to 300 μm, and the adhesive layer thickness is about 3 to 50 μm. It can be said that.

本発明のダイシングテープ２の粘着剤層４、及び粘着テープ６の粘着剤層７は特に限定されるものでもなく、通常使用されるアクリル系粘着剤等が適用可能である。又、放射線硬化型の粘着剤であっても良く、ダイシングテープ２の粘着剤層３の場合はチップのサイズやデバイスの種類により適宜使い分けられる。又、粘着テープ６の粘着剤層７については、前述の通りダイシングテープ２からの剥離性を考慮して、適宜使い分けられるものである。放射線硬化型粘着剤の場合も特に制限は無く、一般的には、前述のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなる。これらアクリル系粘着剤、及び放射線重合性化合物については具体的には以下のものが適用可能である。 The pressure-sensitive adhesive layer 4 of the dicing tape 2 of the present invention and the pressure-sensitive adhesive layer 7 of the pressure-sensitive adhesive tape 6 are not particularly limited, and commonly used acrylic pressure-sensitive adhesives can be applied. Moreover, a radiation curing type adhesive may be used, and in the case of the adhesive layer 3 of the dicing tape 2, it is properly used depending on the size of the chip and the type of device. Moreover, the adhesive layer 7 of the adhesive tape 6 can be properly used in consideration of the peelability from the dicing tape 2 as described above. The radiation curable pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, and generally comprises the aforementioned acrylic pressure-sensitive adhesive and a radiation polymerizable compound as main components. Specific examples of these acrylic pressure-sensitive adhesives and radiation-polymerizable compounds are as follows.

アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を成分とするものである。（メタ）アクリル系共重合体は、例えば（メタ）アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、及び（メタ）アクリル酸エステル系共重合体の（メタ）アクリル系重合体、或いは官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては重量平均分子量が５０万〜１００万程度の高分子量のものが一般的に適用される。又、硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ′−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の添加量は、書房の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。 The acrylic pressure-sensitive adhesive contains a (meth) acrylic copolymer and a curing agent as components. The (meth) acrylic copolymer is, for example, a polymer having a (meth) acrylic acid ester as a polymer constituent unit, and a (meth) acrylic polymer of a (meth) acrylic acid ester copolymer, or functionality. Examples include copolymers with monomers, and mixtures of these polymers. As the molecular weight of these polymers, those having a weight average molecular weight of about 500,000 to 1,000,000 are generally applied. Moreover, a hardening | curing agent is used in order to make it react with the functional group which a (meth) acrylic-type copolymer has, and to adjust adhesive force and cohesion force. For example, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) toluene, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) ) Epoxy compounds having two or more epoxy groups in the molecule such as benzene, N, N, N, N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate , 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, etc., an isocyanate compound having two or more isocyanate groups in the molecule, tetramethylol-tri-β-aziridini Lupropionate, trimethylol-tri-β-aziridinylpropionate, Examples thereof include aziridine compounds having two or more aziridinyl groups in the molecule, such as dimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate and trimethylolpropane-tri-β- (2-methylaziridine) propionate. . What is necessary is just to adjust the addition amount of a hardening | curing agent according to the adhesive force of a bookstore, and 0.1-5.0 mass parts is suitable with respect to 100 mass parts of (meth) acrylic-type copolymers.

放射線硬化型粘着剤は、前記のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなるのが一般的である。放射線重合性化合物とは、例えば紫外線の照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。 The radiation curable pressure-sensitive adhesive generally comprises the above acrylic pressure-sensitive adhesive and a radiation polymerizable compound as main components. As the radiation-polymerizable compound, for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by irradiation with ultraviolet rays is widely used. Specifically, trimethylol is used. Propane triacrylate, tetramethylol methane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate Polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are widely applicable.

また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いる事も出来る。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。 In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by the reaction.

放射線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着剤層の粘着力は大きく低下する。 As a compounding ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive and the radiation-polymerizable compound in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the radiation-polymerizable compound is 50 to 200 parts by weight, preferably 50 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive. It is desirable to blend in the range of parts. In the case of this blending ratio range, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is greatly reduced after radiation irradiation.

更には、放射線硬化型粘着剤は、上記の様にアクリル系粘着剤に放射線重合性化合物を配合する替わりに、アクリル系粘着剤自体を放射線重合性アクリル酸エステル共重合体とする事も可能である。 Furthermore, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can be made into a radiation-polymerizable acrylic ester copolymer instead of blending the radiation-polymerizable compound with the acrylic pressure-sensitive adhesive as described above. is there.

また、放射線により粘着剤層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用する事が出来る。これらのうち少なくとも１種類を粘着剤層に添加する事により、効率よく重合反応を進行させる事が出来る。尚、ここで言う放射線とは、紫外線のような光線、または電子線のような電離性放射線の事をさす。 When the pressure-sensitive adhesive layer is polymerized by radiation, a photopolymerization initiator such as isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, benzyl methyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy Methylphenylpropane or the like can be used in combination. By adding at least one of these to the pressure-sensitive adhesive layer, the polymerization reaction can proceed efficiently. In addition, the radiation said here refers to the light ray like an ultraviolet-ray, or the ionizing radiation like an electron beam.

本発明に用いることのできるレーザー光１１の種類としては、パルスレーザ光を発生するＮｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、チタンサファイアレーザなど多光子吸収を起こすものを挙げることができる。粘着テープ６側から入射し半導体ウェハ１の内部に焦光点を合わせて照射するときのレーザー光１１の波長は、本発明においては１０６４ｎｍを使用するものである。 Examples of the laser beam 11 that can be used in the present invention include those that cause multiphoton absorption, such as Nd: YAG laser, Nd: YVO laser, Nd: YLF laser, and titanium sapphire laser that generate pulsed laser light. it can. The wavelength of the laser beam 11 when entering from the adhesive tape 6 side and irradiating the inside of the semiconductor wafer 1 with a focal point is 1064 nm in the present invention.

本発明における半導体ウェハ１の厚さは特に限定はないが、一般的にはバックグラインド工程やエッチング工程等において所定厚みに薄膜化された状態で３０〜４００μｍ程度の厚みのものが使用される。 The thickness of the semiconductor wafer 1 in the present invention is not particularly limited, but generally, a semiconductor wafer having a thickness of about 30 to 400 μm is used in a state of being thinned to a predetermined thickness in a back grinding process or an etching process.

以下、実施例に基づき、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to this.

厚さ６５０μmの８インチシリコンウェハの表面に表面保護テープ（古河電気工業製SP-575B-150）を貼合しディスコ製グラインダーＤＦＧ８５６０にて厚さ７５μmになるまでウェハ裏面を研削した。更に、８インチ用リングフレームに表１に示すダイシングテープを貼合し、次いで、ダイシングテープ粘着剤層面に上記の研削済みウェハの研削面が貼合面となるように貼合し、更に、ダイシングテープの基材面に粘着テープを貼合した。更に、これを株式会社東京精密製のレーザー加工装置ML200RMEに設置し、半導体ウェハの内部に焦光点が合うように粘着テープ側からレーザー光を入射し、チップサイズが5mm×5mmとなる切断予定ラインに沿って多光子吸収による改質領域を形成した。次いで、表１中にて示す通り、粘着テープの粘着剤層が紫外線硬化型である場合には粘着テープ側から紫外線を照射し、ダイシングテープから粘着テープを剥離し、更に、表面保護テープにも紫外線を照射し該表面保護テープを半導体ウェハのパターン面から剥離した。その後、レーザー加工装置ML200RMEに付帯しているエキスパンド装置を用いて、引き落とし量15mm、エキスパンド速度30mm/sにてダイシングテープを伸張し、チップ切断分離工程を実施した。 A surface protection tape (SP-575B-150, manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.) was bonded to the surface of a 650 μm thick 8-inch silicon wafer, and the back surface of the wafer was ground with a disco grinder DFG8560 to a thickness of 75 μm. Furthermore, the dicing tape shown in Table 1 is bonded to an 8-inch ring frame, and then bonded to the dicing tape pressure-sensitive adhesive layer so that the ground surface of the ground wafer becomes the bonding surface. An adhesive tape was bonded to the base material surface of the tape. Furthermore, this is installed in the laser processing equipment ML200RME manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., and laser light is incident from the adhesive tape side so that the focal point is in the interior of the semiconductor wafer, and the chip size will be cut to 5mm x 5mm. A modified region by multiphoton absorption was formed along the line. Next, as shown in Table 1, when the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape is an ultraviolet curable type, ultraviolet light is irradiated from the pressure-sensitive adhesive tape side, the pressure-sensitive adhesive tape is peeled off from the dicing tape, and the surface protective tape is also applied. The surface protective tape was peeled off from the pattern surface of the semiconductor wafer by irradiating with ultraviolet rays. Thereafter, using an expanding apparatus attached to the laser processing apparatus ML200RME, the dicing tape was stretched at a withdrawal amount of 15 mm and an expanding speed of 30 mm / s, and a chip cutting and separating process was performed.

株式会社東京精密製のレーザー加工装置ML200RMEによる加工条件の詳細は以下の通り行った。
（Ａ）レーザー
光源：半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
波長：１０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積：３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザー光品質：ＴＥＭ００ 40
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
ＮＡ：０．５５
レーザー光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）半導体基板が載置される載置台の移動速度
移動速度：１００ｍｍ／秒 The details of the processing conditions using the laser processing device ML200RME manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. were as follows.
(A) Laser light source: semiconductor laser excitation Nd: YAG laser wavelength: 1064 nm
Laser light spot cross-sectional area: 3.14 × 10 ⁻⁸ cm ²
Oscillation form: Q switch pulse repetition frequency: 100 kHz
Pulse width: 30ns
Output: 20 μJ / pulse laser light quality: TEM00 40
Polarization characteristics: Linearly polarized light (C) Condensing lens magnification: 50 times NA: 0.55
Transmittance to laser wavelength: 60% (D) Moving speed of mounting table on which semiconductor substrate is mounted Moving speed: 100 mm / sec

表１に示した各々の材料は、以下の通り作成した。
・ダイシングテープの基材フィルム作製
日本ユニカー社製ポリエチレン樹脂「ＮＵＣ−８１２２」、又は、住友化学製ＥＭＭＡ樹脂「アクリフトＷＤ２０１」を用いて、Ｔダイ法によりフィルム成形した。成形時に、粘着剤が塗工されない面に粗面処理を施し、表面粗さの調整を行った。
・粘着テープの基材フィルム作製
実施例６、比較例１、２：日本ユニカー社製ポリエチレン樹脂「ＮＵＣ−８１２２」、又は、住友化学製ＥＭＭＡ樹脂「アクリフトＷＤ２０１」の用いて、Ｔダイ法によりフィルム成形した。成形時に、粘着剤が塗工されない面に粗面処理を施し、表面粗さの調整を行った。
実施例１〜５、比較例３，４：市販されている東洋紡製ＰＥＴフィルム「エステルフィルムＥ５１００−１００」１００μｍ厚、又は帝人化成製ポリカーボネートフィルム「パンライト」１００μｍ厚を適用した。
なお、表１に記載の基材フィルムの種類／厚みの詳細は以下のとおりである。
基材（１）：東洋紡製ＰＥＴフィルム「エステルフィルムＥ５１００−１００」、１００μｍ厚、粗面処理無し
基材（２）：帝人化成製ポリカーボネートフィルム「パンライト」、１００μｍ厚、粗面処理無し
基材（３）：日本ユニカー社製ポリエチレン樹脂「ＮＵＣ−８１２２」、１００μｍ厚、粗面処理有り
基材（４）：住友化学製ＥＭＭＡ樹脂「アクリフトＷＤ２０１」、１００μｍ厚、粗面処理有り
基材（５）：日本ユニカー社製ポリエチレン樹脂「ＮＵＣ−８１２２」、７０μｍ厚、粗面処理無し Each material shown in Table 1 was prepared as follows.
-Base film production of dicing tape Film formation was performed by the T-die method using polyethylene resin "NUC-8122" manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd. or EMMA resin "Aclift WD201" manufactured by Sumitomo Chemical. During molding, the surface to which the adhesive was not applied was subjected to a rough surface treatment to adjust the surface roughness.
-Base film production of pressure-sensitive adhesive tape Example 6, Comparative Examples 1 and 2: Film by T-die method using polyethylene resin "NUC-8122" manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd. or EMMA resin "Aclift WD201" manufactured by Sumitomo Chemical Molded. During molding, the surface to which the adhesive was not applied was subjected to a rough surface treatment to adjust the surface roughness.
Examples 1 to 5, Comparative Examples 3 and 4: A commercially available PET film “Ester Film E5100-100” manufactured by Toyobo Co., Ltd., having a thickness of 100 μm, or a polycarbonate film “Panlite” manufactured by Teijin Chemicals, having a thickness of 100 μm was applied.
In addition, the detail of the kind / thickness of the base film of Table 1 is as follows.
Substrate (1): Toyobo PET film “Ester film E5100-100”, 100 μm thick, no rough surface treated substrate (2): Teijin Kasei polycarbonate film “Panlite”, 100 μm thick, no rough surface treated substrate (3): Polyethylene resin “NUC-8122” manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., 100 μm thickness, substrate with rough surface treatment (4): EMMA resin “Aclift WD201” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., 100 μm thickness, substrate with rough surface treatment (5 ): Nippon Unicar Co., Ltd. polyethylene resin “NUC-8122”, 70 μm thick, no rough surface treatment

・粘着テープ作製
上記の粘着テープの基材フィルム作製により得られた基材フィルムに、表１の粘着剤層の欄に記載した粘着剤を厚さ１０μmになるよう塗工して得た。
・ダイシングテープ作製
上記のダイシングテープの基材フィルム作製により得られた基材フィルムに、表１の粘着剤層の欄に記載した粘着剤を厚さ２０μmになるよう塗工して得た。
なお、表１に記載された各粘着剤の組成は以下のとおりである。
非紫外線硬化型粘着剤：アクリル系共重合体１００質量部
硬化剤２質量部
紫外線硬化型粘着剤：アクリル系共重合体１００質量部
硬化剤２質量部
ウレタンアクリレート系オリゴマー１５０質量部
光重合開始剤２質量部 -Adhesive tape preparation It obtained by apply | coating the adhesive described in the column of the adhesive layer of Table 1 to thickness 10micrometer to the base film obtained by base-material film preparation of said adhesive tape.
-Dicing tape preparation It obtained by apply | coating the adhesive described in the column of the adhesive layer of Table 1 to the thickness of 20 micrometers to the base film obtained by base-film production of said dicing tape.
In addition, the composition of each adhesive described in Table 1 is as follows.
Non-ultraviolet curable adhesive: 100 parts by mass of acrylic copolymer
Curing agent 2 parts by mass UV curable pressure-sensitive adhesive: 100 parts by mass of acrylic copolymer
Hardener 2 parts by weight
150 parts by mass of urethane acrylate oligomer
Photopolymerization initiator 2 parts by mass

・積層型ダイシングテープ作製
上記ダイシングテープ作製により得られたダイシングテープの基材フィルム側に、上記粘着テープ作製により得られた粘着テープの粘着剤層側を貼り合わせ積層して得た。 -Laminate type dicing tape preparation It obtained by laminating | stacking the adhesive layer side of the adhesive tape obtained by the said adhesive tape preparation on the base film side of the dicing tape obtained by the said dicing tape preparation.

また、全光線透過率、平行光線透過率、及び表面粗さＲａについては下記の方法にて測定した。
（１）全光線透過率、平行光線透過率の測定
上記の粘着テープの基材フィルム作製、及びダイシングテープの基材フィルム作製により得られた基材フィルムの粘着剤の塗工されない面側から波長１０６４ｎｍでの全光線透過率、平行光線透過率を透過率測定器（島津製作所製、商品名：UV3101PC＆MPC-3100）を使用してＮ＝５で測定し平均値を求めた。この装置は積分球方式の受光部を有する全光線透過率測定が可能な装置となっているが、サンプルの固定位置を積分球入射窓から７０ｍｍ引き離すことで、平行光線透過率も併せて測定した。
（２）表面粗さＲａ
上記の粘着テープの基材フィルム作製、及びダイシングテープの基材フィルム作製により得られた基材フィルムの、粘着剤が塗工される面側を平滑なミラーウエハに貼合することで固定し、粘着剤の塗工されない面側の算術表面粗さＲａを表面粗さ測定器（ミツトヨ社製、商品名：サーフテストSJ-301）を使用してフィルム押し出し方向（ＭＤ方向）にＮ＝５で測定し平均値を求めた。 Further, the total light transmittance, parallel light transmittance, and surface roughness Ra were measured by the following methods.
(1) Measurement of total light transmittance and parallel light transmittance Wavelength from the surface of the base film not coated with the adhesive of the base film obtained by the base film preparation of the above adhesive tape and the base film preparation of the dicing tape The total light transmittance and the parallel light transmittance at 1064 nm were measured at N = 5 using a transmittance meter (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: UV3101PC & MPC-3100), and the average value was obtained. This device has an integrating sphere type light receiving unit and is capable of measuring the total light transmittance, but the parallel light transmittance was also measured by pulling the fixed position of the sample 70 mm away from the integrating sphere entrance window. .
(2) Surface roughness Ra
Fixing the surface of the base film obtained by preparing the base film of the adhesive tape and the base film of the dicing tape by bonding the surface side to which the adhesive is applied to a smooth mirror wafer, Arithmetic surface roughness Ra on the non-adhesive coated surface side is N = 5 in the film extrusion direction (MD direction) using a surface roughness measuring device (trade name: Surf Test SJ-301, manufactured by Mitutoyo Corporation). The average value was obtained by measurement.

実施例１〜６、比較例１〜４の積層型ダイシングテープについて、下記の試験を行った。
・チップ切断分離性試験
実施例１〜６、比較例１〜４について、最終的にレーザー加工装置ML200RMEに付帯しているエキスパンド装置を用いて、引き落とし量15mm、エキスパンド速度30mm/sにてダイシングテープを伸張し、チップ切断分離を行い、チップの分断性を試験した。
表２にチップ切断分離性についての試験結果を記載した。 The following tests were conducted on the laminated dicing tapes of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4.
・ Chip cutting separability test For Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4, using an expanding device finally attached to the laser processing device ML200RME, a dicing tape with a withdrawal amount of 15 mm and an expanding speed of 30 mm / s The sample was stretched, the chip was cut and separated, and the chip breaking property was tested.
Table 2 shows the test results for chip cutting separability.

試験結果
比較例１では、粘着テープの基材フィルム面の粗さが１．１μmと粗いためレーザー光が散乱されてしまい、その結果平行光線透過率が低くなってしまったために、ウェハの部分的に改質領域が形成されない部分が出来てしまった。結果的に分断出来なかった箇所においてエキスパンドの応力によりチップが破損した。
比較例２では、全光線透過率が低く、更に粘着テープの基材フィルム面の粗さが１．５と粗いため、平行光線透過率が非常に低く、所定の位置において殆ど改質領域が形成されず、結果的にエキスパンドの応力によりウェハが割れてしまった。
比較例３では、ダイシングテープの全光線透過率が低いため、ウェハの部分的に改質領域が形成されない部分が出来てしまった。結果的に分断出来なかった箇所においてエキスパンドの応力によりチップが破損した。
比較例４では、ダイシングテープの基材フィルム面の粗さが０．５μmと小さいためダイシングテープとエキスパンドリングとの滑り性が悪く、エキスパンドしてもエキスパンドリングにてダイシングテープが局所的に伸びるのみであり、ウェハ部は殆ど伸長される事が無かった。その結果、ウェハを分断する事が出来なかった。
これに対して、実施例１〜６では、ダイシングテープに粘着テープを貼り合わせた状態でのレーザー光の透過性が良好であるため、全ての切断ラインに沿って所定の位置（深さ）に多光子吸収による改質領域を問題なく形成する事が出来た。又、ダイシングテープとエキスパンドリングとの滑り性も良好であったためエキスパンドによりウェハ部も伸長され、その結果、改質領域を起点として５ｍｍ×５ｍｍのチップに分断する事が可能であった。 Test Results In Comparative Example 1, the roughness of the base film surface of the pressure-sensitive adhesive tape was as rough as 1.1 μm, so that the laser light was scattered, and as a result, the parallel light transmittance was lowered, so that the partial wafer A part where the modified region was not formed was formed. As a result, the chip was broken due to the stress of the expand at the location where it could not be divided.
In Comparative Example 2, since the total light transmittance is low, and the roughness of the base film surface of the adhesive tape is as rough as 1.5, the parallel light transmittance is very low, and almost a modified region is formed at a predetermined position. As a result, the wafer was cracked by the stress of the expand.
In Comparative Example 3, since the total light transmittance of the dicing tape was low, a portion where the modified region was not formed partially was formed on the wafer. As a result, the chip was broken due to the stress of the expand at the location where it could not be divided.
In Comparative Example 4, since the roughness of the base film surface of the dicing tape is as small as 0.5 μm, the slipping property between the dicing tape and the expanding ring is poor, and even if expanded, the dicing tape only extends locally by the expanding ring. The wafer portion was hardly stretched. As a result, the wafer could not be divided.
On the other hand, in Examples 1-6, since the transmittance | permeability of the laser beam in the state which bonded the adhesive tape to the dicing tape is favorable, it is in a predetermined position (depth) along all the cutting lines. The modified region by multiphoton absorption could be formed without any problem. Further, since the sliding property between the dicing tape and the expanding ring was good, the wafer portion was also expanded by the expanding, and as a result, it was possible to divide into 5 mm × 5 mm chips starting from the modified region.

本発明のダイシングテープの好ましい実施態様を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the preferable embodiment of the dicing tape of this invention. 粘着テープを本発明のダイシングテープの粗面処理された基材フィルム表面に貼合した状態を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the state which bonded the adhesive tape to the base film surface by which the roughening process of the dicing tape of this invention was carried out. 本発明の半導体ウェハダイシング方法の好ましい実施態様を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the preferable embodiment of the semiconductor wafer dicing method of this invention. ダイシングテープをリングフレームに貼り付け、裏面研削後の半導体ウェハの裏面側をダイシングテープの粘着剤層側に貼合した状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the state which affixed the dicing tape on the ring frame and bonded the back surface side of the semiconductor wafer after back surface grinding to the adhesive layer side of the dicing tape. 半導体ウェハを貼合支持固定したダイシングテープの基材フィルム側に粘着テープを貼合した状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the state which bonded the adhesive tape to the base film side of the dicing tape which bonded and supported the semiconductor wafer. ダイシングテープをエキスパンドさせ、半導体ウェハの内部に形成された改質領域を起点として個々のチップに切断分離する状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the state which expands a dicing tape and cuts and isolate | separates into each chip | tip from the modified area | region formed inside the semiconductor wafer. 半導体ウェハの回路パターン面に表面保護テープが貼合された状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the state by which the surface protection tape was bonded by the circuit pattern surface of the semiconductor wafer. 表面保護テープを貼合した状態で半導体ウェハの回路パターンの無い裏面側を所定の厚みまで研削した状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the state which ground the back surface side without the circuit pattern of a semiconductor wafer to the predetermined thickness in the state which bonded the surface protection tape. 表面保護テープを半導体ウェハから剥離し、粘着テープをダイシングテープから剥離する状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the state which peels a surface protection tape from a semiconductor wafer, and peels an adhesive tape from a dicing tape.

Explanation of symbols

１半導体ウェハ
１′ 切断分離されたチップ
２ダイシングテープ
３ダイシングテープの粘着剤層
４ダイシングテープの基材フィルム
５リングフレーム
６粘着テープ
７粘着テープの粘着剤層
８粘着テープの基材フィルム
９粗面処理されたダイシングテープの基材フィルム表面
１０表面保護テープ
１１レーザー光
１２多光子吸収により形成された改質領域
１３エキスパンドリング
１４引き落とし用押圧具
１５半導体ウェハの回路パターン
１６固定用チャックテーブル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 1 'Cut | disconnected chip 2 Dicing tape 3 Adhesive layer of dicing tape 4 Dicing tape base film 5 Ring frame 6 Adhesive tape 7 Adhesive tape adhesive layer 8 Adhesive tape base film 9 Rough surface Surface of substrate film of processed dicing tape 10 Surface protective tape 11 Laser beam 12 Modified region formed by multiphoton absorption 13 Expanding ring 14 Depressing tool 15 Circuit pattern of semiconductor wafer 16 Fixing chuck table

Claims

An adhesive layer (3) is provided on one surface of the substrate film (4) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more, and the surface on the other surface side of the substrate film (4) roughness Ra of a 0.7μm or more dialog Thing tape (2),
An adhesive layer (7) is provided on one surface of the base film (8) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more and a parallel light transmittance of 30% or more, and the base film ( The adhesive layer (7) of the adhesive tape (6) whose surface roughness Ra on the other surface side of the base film (8) of 8) is 0.5 μm or less , and the base film (4) are pasted the combined and the dicing tape used (2).

An adhesive layer (7) is provided on one surface of the base film (8) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more and a parallel light transmittance of 30% or more, and the base film ( 8) The pressure-sensitive adhesive layer (7) of the pressure-sensitive adhesive tape (6) having a surface roughness Ra on the other surface side of 0.5 μm or less,
The other of the base film (4) of the dicing tape (2) provided with the pressure-sensitive adhesive layer (3) on one surface of the base film (4) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more . dicing tape surface roughness Ra are laminated by bonding the above surface 0.7 [mu] m.

The dicing tape according to claim 1 or 2, wherein the base film (8) is a polyethylene terephthalate film.

It is an object for laser dicing, The dicing tape of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.

A method of dicing a semiconductor wafer with a dicing tape supported and fixed,
(A) The pressure-sensitive adhesive layer (3) is provided on one surface of the base film (4) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more, and the other surface of the base film (4) paste the pressure-sensitive adhesive layer side of the surface roughness Ra is 0.7μm or more dialog Thing tape (2) and (3) to a ring frame (5), the circuit pattern of the semiconductor wafer (1) (15) is formed A step of bonding the non-stick surface to the pressure-sensitive adhesive layer (3) side of the dicing tape (2);
(B) A pressure-sensitive adhesive layer (7) is provided on one surface of the base film (8) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more and a parallel light transmittance of 30% or more; The adhesive layer (7) of the adhesive tape (6) having a surface roughness Ra on the other surface side of the base film (8) of the material film (8) of 0.5 μm or less is used as the base of the dicing tape (2). In a state of being bonded to the material film (4) side, the laser beam (11) is incident from the adhesive tape (6) side, and the inside of the semiconductor wafer (1) is irradiated with a focal point to be irradiated. Forming a modified region (12) along the cutting line;
(C) After peeling off the adhesive tape (6) from the dicing tape (2), the dicing tape (2) is stretched in the expanding step, and the semiconductor wafer (1) is individually started from the modified region (12). And a step of cutting and separating the wafer into chips.

A method of dicing a semiconductor wafer with a dicing tape supported and fixed,
(A) 1 064nm on one surface an adhesive layer of the total light transmittance of Ru der parallel light transmittance is 30% or more 70% or more substrate film (8) (7) is provided with, and, The pressure-sensitive adhesive layer (7) of the pressure-sensitive adhesive tape (6) having a surface roughness Ra of 0.5 μm or less on the other surface side of the base film (8) ,
A pressure-sensitive adhesive layer (3) is provided on one surface of the base film (4) having a total light transmittance at 1064 nm of 70% or more , and the other surface roughness Ra of the base film (4). The adhesive layer (3) of the dicing tape laminated and laminated on the surface of 0.7 μm or more is attached to the ring frame (5), and the surface of the semiconductor wafer (1) where the circuit pattern (15) is not formed is adhered. A step of bonding to the agent layer (3) side;
(B) In a state of being bonded to the laminated dicing tape, a laser beam (11) is incident from the pressure-sensitive adhesive tape (6) side of the laminated dicing tape, and a focal point is set inside the semiconductor wafer (1). Forming a modified region (12) by multiphoton absorption along the cutting line by irradiation;
(C) After peeling off the adhesive tape (6) from the dicing tape (2), the dicing tape (2) is stretched in the expanding step, and the semiconductor wafer (1) is individually started from the modified region (12). And a step of cutting and separating the wafer into chips.

The pressure-sensitive adhesive layer (7) of the pressure-sensitive adhesive tape (6) is a radiation curable pressure-sensitive adhesive, and a laser beam (11) is incident from the side of the pressure-sensitive adhesive tape (6) to irradiate the semiconductor wafer (1) with a focal point. After forming the modified region (12) due to multiphoton absorption, the adhesive tape (6) is peeled from the dicing tape (2) by irradiation with radiation from the adhesive tape (6) side. The semiconductor wafer dicing method according to 5 or 6.

The surface protection tape (10) is bonded to the circuit pattern surface of the semiconductor wafer (1), the laser beam (11) is incident from the adhesive tape (6) side, and the focal point is formed inside the semiconductor wafer (1). The semiconductor wafer (1) is modified by extending the dicing tape (2) in the expanding step from the step of forming the modified region (12) by multiphoton absorption along the cutting line by irradiating together. The surface protection tape (10) is peeled off from the diced semiconductor wafer (1) before the step of cutting and separating into individual chips starting from the quality region (12). The semiconductor wafer dicing method according to any one of the above.