JP5860217B2 - The laser processing apparatus - Google Patents

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本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域に微小電気機械システム(MEMS)等のデバイスが形成されたウエーハの内部に、ストリートに沿って変質層を形成するーザー加工装置に関する。 The present invention, in the interior of the wafer in which the devices are formed, such as micro-electro-mechanical system into a plurality of regions partitioned by the plurality of streets with multiple streets are formed in a lattice pattern on the surface (MEMS), street along about Les Za processing apparatus for forming a deteriorated layer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI、微小電気機械システム(MEMS)等のデバイスを形成する。 In the production process of a semiconductor device, a plurality of areas are sectioned by dividing lines on the front surface of a substantially disk shape called streets arranged in a lattice pattern, IC of the sectioned areas, LSI, micro-electro forming a device such as mechanical systems (MEMS). そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。 Then, it manufactures individual devices by dividing the regions where the devices are formed by cutting the semiconductor wafer along the streets.

上述したウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。 Cutting along the streets of the above-mentioned wafer is generally carried out by a cutting machine called a dicer. この切削装置は、ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に切削送りする切削送り手段とを具備し、切削ブレードを回転するとともに該切削ブレードによる切削部に切削水を供給しつつチャックテーブルを切削送りすることにより、ウエーハのストリートに沿って切断する。 The cutting device, relative a chuck table for holding a workpiece wafer, etc., and cutting means having a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and a cutting means and the chuck table specific cutting feed to comprise a cutting feed means, by cutting feed chuck table while supplying cutting water to the cutting portion by the cutting blade while rotating the cutting blade, cutting along the streets of the wafer.

しかるに、切削ブレードは20〜30μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画するストリートとしては幅が50μm程度必要となる。 However, the cutting blade has a thickness of about 20 to 30 [mu] m, it must have a width of about 50μm as streets for partitioning device. このため、ストリートの占める面積比率が高くなり、生産性が悪いという問題がある。 For this reason, the higher the area ratio occupied by the street, there is a problem of poor productivity.

一方、ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を内部に集光点を合わせストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って破断の起点となる変質層を連続的に形成し、この破断起点となる変質層が形成され強度が低下せしめられたストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハをストリートに沿って分割する方法が提案されている。 On the other hand, as a method of dividing along the wafer streets, a pulse laser beam having a transmission wavelength to be irradiated along the streets irradiated with laser light while locating a light with respect to the wafer, breaking along the streets in the inside of the wafer the deteriorated layer as a starting point continuously formed, by applying an external force along the streets that altered layer is formed strength was allowed to decrease to be the fracture starting point, a method of dividing along the wafer streets are proposed ing. (例えば、特許文献1参照。) (E.g., see Patent Document 1.)

特許第3408805号公報 Patent No. 3408805 Publication

ウエーハの内部にストリートに沿って破断の起点となる変質層を連続的に形成し、この破断起点となる変質層が形成され強度が低下せしめられたストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハを分割する方法としては、ストリートが形成されていないウエーハの裏面側からストリートと対応する領域の内部にレーザー光線の集光点を位置付けてレーザー光線を照射して変質層を形成し、その後ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着し、ストリートに沿って内部に変質層が形成されたウエーハに外力を加えることによりウエーハを分割する方法が実施されている。 The internal becomes a starting point of breakage along the streets in the affected layer of the wafer was continuously formed, by applying an external force along the streets that altered layer is formed strength was allowed to decrease to be the fracture starting point, the wafer as a method of splitting, and applying a laser beam to form an altered layer position the laser beam of the converging point within the region corresponding to the streets from the back side of the wafer is not formed streets, diced backside of subsequent wafer adhered to the tape, the method of dividing the wafer by applying an external force to the wafer deteriorated layer formed therein along the streets have been implemented. しかるに、ストリートに沿って内部に変質層が形成されたウエーハをダイシングテープに貼着する際にウエーハがストリートに沿って割れるという問題がある。 However, there is a problem that the wafer is divided along the streets when adhering the wafer deteriorated layer formed therein along the streets to the dicing tape.
一方、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着した状態で、ウエーハの表面側からストリートの内部にレーザー光線を集光させて変質層を形成する方法を実施することにより、上述した問題は回避されるが、レーザー光線の照射領域としてウエーハの厚みに対して20〜30%の幅が必要であり、例えば400μmの厚みを有する微小電気機械システム(MEMS)が形成されたウエーハにおいては、100μm前後のストリート幅が必要となり、ウエーハの設計上の制約が大きく生産性が悪いという問題がある。 On the other hand, the rear surface of the wafer while stuck to a dicing tape mounted on an annular frame, by the laser beam from the surface side of the wafer to the interior of the street carrying out a method for forming a deteriorated layer is focused, above Although the problem is avoided, 20-30% of the width to the thickness of the wafer as the irradiation area of ​​the laser beam is required, the wafer microelectromechanical systems (MEMS) are formed having, for example, 400μm thickness of , street width before and after 100μm is required, constraints are greater productivity on the design of the wafer is poor.
なお、ウエーハの表面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着した状態で、ウエーハの裏面側からストリートの内部にレーザー光線を集光させて変質層を形成する方法を採用すれば、上記問題を解消することはできるが、マイクロホーン、加速度センサー、圧力センサー等の微小電気機械システム(MEMS)ならなるデバイスが形成されたウエーハにおいては、デバイスの表面をダイシングテープに貼着すると粘着剤が微小電気機械システム(MEMS)に付着してデバイスが損傷するという問題がある。 Incidentally, the surface of the wafer while stuck to a dicing tape mounted on an annular frame, the laser beam from the back side of the wafer to the interior of the street by focusing by adopting a method of forming an altered layer, the problems although it is possible to eliminate, a microphone, accelerometer, in the wafer micro-electromechanical system (MEMS) if made device is formed such as a pressure sensor, a pressure-sensitive adhesive adhering the surface of the device to the dicing tape is small there is a problem that the device is damaged adhered to electromechanical systems (MEMS).

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ストリート幅を大きくすること無く、またウエーハの表面にダイシングテープを貼着することなくウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成することができるーザー加工装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, the principal object, without increasing the street width and along the streets in the inside of the wafer without attaching a dicing tape on the surface of the wafer to provide a record Za processing apparatus capable of forming a deteriorated layer.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部にストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成するためのレーザー加工装置であって、 To solve the above object, according to the present invention, the inside of the wafer by the device into a plurality of areas sectioned by streets said plurality of formed with a plurality of streets are formed in a lattice pattern on the surface a laser beam is irradiated along the streets, a laser processing apparatus for forming a deteriorated layer along the streets in the inside of the wafer,
環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハを保持するウエーハ保持部と、該ウエーハ保持部の外周方向外側に設けられ該環状のフレームを保持するフレーム保持面を有する環状のフレーム保持部とを備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハおよび該ダイシングテープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該集光器とを相対的に移動する移動手段とを具備し、 A wafer holding unit for holding the frame in the mounted dicing tape to sticking to the wafer ring, annular frame holding having a frame holding surface for holding the annular frame provided in the outer circumferential direction outside of the wafer holding portion and a chuck table having a section, a laser beam application means having a condenser for applying a laser beam having a transmission wavelength to the retained wafer and the dicing tape on the chuck table, the chuck table and the and moving means for relatively moving the condenser,
該チャックテーブルの該ウエーハ保持部は、透明部材によって形成され、 The wafer holding part of the chuck table is formed by a transparent member,
該チャックテーブルの該環状のフレーム保持部の該フレーム保持面には、該ダイシングテープを介して該環状のフレームを吸引するための複数の吸引孔と、該環状のフレームとウエーハの外周間の領域の該ダイシングテープを吸引保持する複数の吸引孔が形成されており、 The said frame holding surface of the annular frame holding section of the chuck table, the region between the outer periphery of the plurality of suction holes and the ring-shaped frame and the wafer for sucking the annular frame via the dicing tape a plurality of suction holes for suction-holding the dicing tape is formed and,
該レーザー光線照射手段の該集光器は、該チャックテーブルの該ウエーハ保持部の下側から該ウエーハ保持部および該ダイシングテープを通してウエーハにレーザー光線を照射するように構成されている、 The condenser unit of the laser beam application means, and a lower side of the wafer holding portion of the chuck table so as to irradiate a laser beam to the wafer through the wafer holder and the dicing tape,
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。 Laser processing apparatus is provided, characterized in that.

発明によるレーザー加工装置は、環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハを保持するウエーハ保持部と、該ウエーハ保持部の外周方向外側に設けられ該環状のフレームを保持するフレーム保持面を有する環状のフレーム保持部とを備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハおよび該ダイシングテープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該集光器とを相対的に移動する移動手段とを具備し、該チャックテーブルの該ウエーハ保持部は、透明部材によって形成され、チャックテーブルの環状のフレーム保持部のフレーム保持面には、ダイシングテープを介して環状のフレームを吸引するための複数の吸 Frame laser machining apparatus according to the present invention, for holding a wafer holding unit for holding the bonded been wafer dicing tape mounted on an annular frame, the annular frame is provided in the outer circumferential direction outside of the wafer holding portion a chuck table and a frame holding portion of the annular having a holding surface, the laser beam irradiation with a condenser for applying a laser beam having a transmission wavelength to the retained wafer and the dicing tape on the chuck table means and, and moving means for relatively moving the chuck table and the condenser unit, the wafer holding part of the chuck table is formed by a transparent member, the frame holding portion of the annular chuck table the frame holding surface, a plurality of suction for sucking the annular frame through a dicing tape 孔と、環状のフレームとウエーハの外周間の領域のダイシングテープを吸引保持する複数の吸引孔が形成されており、レーザー光線照射手段の集光器は、チャックテーブルのウエーハ保持部の下側から該ウエーハ保持部および該ダイシングテープを通してウエーハにレーザー光線を照射するように構成されているので、 ウエーハの表面に形成されたデバイスにパルスレーザー光線が照射されることは無い。 Hole and a plurality of suction holes for sucking and holding the dicing tape in the region between the outer periphery of the annular frame and the wafer is formed, condenser of the laser beam irradiation means, said from the bottom of the wafer holding portion of the chuck table since the wafer holding portion and configured to irradiate a laser beam to the wafer through the dicing tape, never pulsed laser beam is irradiated to the devices formed on the surface of the wafer. 従って、ウエーハの厚み対して20〜30%の幅のストリートを必要としないので、ウエーハの設計上のストリートの幅が制約されることは無い。 Therefore, since for the thickness of the wafer does not require street 20-30% of the width, it is not the width of the street Design of the wafer is restricted. また、ウエーハは最初から裏面側をダイシングテープに貼着するので、変質層を形成した後に表裏を反転して張り替える必要がないため、ウエーハの張り替えの際にウエーハがストリートに沿って割れるという問題が未然に回避される。 Further, the wafer because adhering the back side to the dicing tape from the beginning, it is not necessary to Harikaeru by turning over after forming the deteriorated layer, a problem that the wafer is divided along the streets during replacement of the wafer There is avoided in advance.

本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。 Perspective view of a laser processing apparatus in accordance with the present invention. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法によってレーザー加工されるウエーハの斜視図。 Perspective view of a wafer to be laser-processed by a laser wafer processing method of the present invention. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法におけるウエーハ支持工程が実施されウエーハの裏面が環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す斜視図。 Perspective view showing a state in which the back surface of the wafer supporting step is performed in the laser wafer processing method of the present invention the wafer is stuck to a dicing tape mounted on an annular frame. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法におけるウエーハ支持行程の説明図。 Illustration of the wafer support stage in the laser wafer processing method of the present invention. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法におけるアライメント行程の説明図。 Illustration of the alignment process in the laser wafer processing method of the present invention. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法における変質層形成行程の説明図。 Illustration deteriorated layer forming step in the laser wafer processing method of the present invention. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法における変質層形成行程の説明図。 Illustration deteriorated layer forming step in the laser wafer processing method of the present invention. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法における変質層形成行程が実施されたウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断するウエーハ破断工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。 Perspective view of the tape expanding device for carrying out the wafer dividing step of breaking along a street altered layer is formed a wafer having deteriorated layer forming step is performed in the laser wafer processing method of the present invention. 図7に示すテープ拡張装置によって実施するウエーハ破断工程の説明図。 Illustration wafer dividing step which is carried by the tape expanding device shown in FIG. 図7に示すテープ拡張装置によって実施するピックアップ工程の説明図。 Illustration of pickup step performed by tape expanding device shown in FIG.

以下、本発明によるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Preferred embodiments of the laser processing method and laser processing apparatus of a wafer according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。 FIG. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus in accordance with the present invention is illustrated.
図1に示されたレーザー加工装置1は、静止基台2と、第1の可動基台3と、第2の可動基台4と、第3の可動基台5を具備している。 The laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 comprises a stationary base 2, and includes a first movable base 3, a second movable base 4, a third movable base 5. この静止基台2の手前側の側面には、矢印Yで示す方向(Y軸方向)に沿って平行に延びる一対の案内レール21、21が設けられている。 This is the front side surface of the stationary base 2, a pair of guide rails 21, 21 extending in parallel along the direction (Y-axis direction) indicated by an arrow Y is provided.

上記静止基台2には、第1の可動基台3が上記一対の案内レール21、21に沿って摺動可能に装着されている。 The above stationary base 2, a first movable base 3 is mounted slidably along the pair of guide rails 21, 21. 即ち、図1に示すように第1の可動基台3における第1の可動基台3と対向する一方の面には静止基台2に設けられた一対の案内レール21、21に嵌合する一対の被案内溝31、31が設けられており、この一対の被案内溝31、31を上記一対の案内レール21、21に嵌合することにより、第1の可動基台3は静止基台2に一対の案内レール21、21に沿ってY軸方向に摺動可能に装着される。 That fits into a pair of guide rails 21, 21 on one surface that faces the first movable base 3 in the first movable base 3 provided on the stationary base 2, as shown in FIG. 1 a pair of the guide grooves 31, 31 is provided, by fitting the pair of the guide grooves 31, 31 on the pair of guide rails 21 and 21, the first movable base 3 is stationary base slidably mounted in the Y-axis direction along the pair of guide rails 21, 21 to 2. また、第1の可動基台3の他方の面には、矢印Zで示す方向(Z軸方向)に平行に延びる一対の案内レール32、32が設けられている。 On the other surface of the first movable base 3 is provided with a pair of guide rails 32, 32 extending parallel to the direction (Z-axis direction) indicated by an arrow Z. 図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、第1の可動基台3を上記静止基台2に設けられた一対の案内レール21、21に沿ってY軸方向に移動させるための第1の移動手段30を具備している。 The laser processing machine in the illustrated embodiment, the first moving means for moving the first movable base 3 along the pair of guide rails 21, 21 provided in the stationary base 2 in the Y-axis direction It is equipped with a 30. 第1の移動手段30は、一対の案内レール21と21との間に該案内レールと平行に配設された雄ネジロッド301と、該雄ネジロッド301を回転駆動するためのパルスモータ302とを含んでいる。 First moving means 30, includes a male screw rod 301 which is disposed parallel to the guide rails between the pair of guide rails 21 and 21, a pulse motor 302 for rotary-driving the male screw rod 301 They are out. 雄ネジロッド301は、上記第1の可動基台3に設けられた雌ネジ33と螺合し、その一端が静止基台2に配設された軸受部材303に回転可能に支持されている。 The male screw rod 301 is screwed into a female thread 33 provided on the first movable base 3 is rotatably supported by a bearing member 303 having one end disposed on the stationary base 2. パルスモータ302は、その駆動軸が雄ネジロッド301の他端に連結されている。 Pulse motor 302, the drive shaft is connected to the other end of the externally threaded rod 301. 従って、パルスモータ302を正転または逆転駆動して雄ネジロッド301を正転または逆転駆動することにより、第1の可動基台3を静止基台2に設けられた一対の案内レール21、21に沿ってY軸方向に移動せしめる。 Therefore, by forward or reverse driving the male screw rod 301 a pulse motor 302 is driven forward or reverse, the pair of guide rails 21, 21 provided with a first movable base 3 to the stationary base 2 along allowed to move in the Y-axis direction.

上記第1の可動基台3には、第2の可動基台4が上記一対の案内レール32、32に沿って摺動可能に装着されている。 Above the first movable base 3, the second movable base 4 is slidably mounted along the pair of guide rails 32 and 32. 即ち、第2の可動基台4における第1の可動基台3と対向する一方の側面には第1の可動基台3に設けられた一対の案内レール32、32に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝41、41が設けられており、この一対の被案内溝41、41を上記一対の案内レール32、32に嵌合することにより、第2の可動基台4は第1の可動基台3に一対の案内レール32、32に沿って矢印Zで示す方向(Z軸方向)に摺動可能に装着される。 That is, the one side surface facing the first movable base 3 in the second movable base 4 slidably fitted to the pair of guide rails 32 and 32 provided on the first movable base 3 a pair of the guide grooves 41, 41 are provided which, by fitting the pair of the guide grooves 41 and 41 on the pair of guide rails 32 and 32, the second movable base 4 is first slidably mounted in the direction (Z-axis direction) indicated by arrow Z along the pair of guide rails 32 and 32 on the movable base 3. また、第2の可動基台4は、上記一方の側面に対して垂直な側面に設けられ矢印Xで示す方向(X軸方向)に平行に延びる一対の案内レール42、42を備えている。 The second movable base 4 is provided with a pair of guide rails 42, 42 extending parallel to the direction (X-axis direction) indicated by an arrow X provided on sides perpendicular to one side above. 図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、第2の可動基台4を上記第1の可動基台3に設けられた一対の案内レール32、32に沿ってZ軸方向に移動させるための集光点位置調整手段40を具備している。 Laser processing machine in the illustrated embodiment includes a condenser for moving the second movable base 4 in the Z-axis direction along the pair of guide rails 32 and 32 provided in the first movable base 3 are provided with a point position adjusting means 40. 集光点位置調整手段40は、一対の案内レール32と32との間に該案内レールと平行に配設された雄ネジロッド401と、該雄ネジロッド401を回転駆動するためのパルスモータ402とを含んでいる。 Focal point position adjusting means 40 includes a male screw rod 401 which is disposed parallel to the guide rails between the pair of guide rails 32 and 32, a pulse motor 402 for rotary-driving the male screw rod 401 which comprise. 雄ネジロッド401は、上記第2の可動基台4に設けられた雌ネジ43と螺合し、その一端が第1の可動基台3に配設された軸受部材403に回転可能に支持されている。 The male screw rod 401, the second screwed into female screw 43 provided on the movable base 4, one end is rotatably supported by a bearing member 403 disposed on the first movable base 3 there. パルスモータ402は、その駆動軸が雄ネジロッド401の他端に連結されている。 Pulse motor 402, the drive shaft is connected to the other end of the externally threaded rod 401. 従って、パルスモータ402を正転または逆転駆動して雄ネジロッド401を正転または逆転駆動することにより、第2の可動基台4を第1の可動基台3に設けられた一対の案内レール32、32に沿ってZ軸方向に移動せしめる。 Accordingly, the pulse motor 402 forward or reverse drive to by forward or reverse driving the male screw rod 401, the second movable base 4 first pair of guide rails provided on the movable base 3 32 , allowed to move in the Z axis direction along the 32.

上記第2の可動基台4には、第3の可動基台5が上記一対の案内レール42、42に沿って摺動可能に装着されている。 Above the second movable base 4, a third movable base 5 is slidably mounted along the pair of guide rails 42 and 42. 即ち、第3の可動基台5における第2の可動基台4と対向する一方の側面には上記第2の可動基台4に設けられた一対の案内レール42、42に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝51、51(図1においては上側の一方だけが示されている)が設けられており、この一対の被案内溝51、51を上記一対の案内レール42、42に嵌合することにより、第3の可動基台5は第2の可動基台4に一対の案内レール42、42に沿って矢印Xで示す方向(X軸方向)に摺動可能に装着される。 That is, slidably fitted to a third pair of guide rails on one side facing the second movable base 4 in the movable base 5 provided on the second movable base 4 of 42, 42 (in FIG. 1 is shown only one of upper) pair of the guide grooves 51 and 51 if is provided with the pair of the guide grooves 51 and 51 on the pair of guide rails 42 and 42 by fitting, the third movable base 5 of it is mounted slidably in the direction (X-axis direction) indicated by arrow X along the pair of guide rails 42 and 42 to the second movable base 4 . 図示の実施形態におけるレーザー加工装置1は、第3の可動基台5を上記第2の可動基台4に設けられた一対の案内レール42、42に沿ってX軸方向に移動させるための第2の移動手段50を具備している。 Laser processing machine in the illustrated embodiment 1, for moving the third movable base 5 in the X-axis direction along the pair of guide rails 42, 42 provided on the second movable base 4 a and it comprises a second moving means 50. 第2の移動手段50は、一対の案内レール42と42との間に該案内レールと平行に配設された雄ネジロッド501と、該雄ネジロッド501を回転駆動するためのパルスモータ502とを含んでいる。 Second moving means 50 comprises a male screw rod 501 which is disposed parallel to the guide rails between the pair of guide rails 42 and 42, a pulse motor 502 for rotary-driving the male screw rod 501 They are out. 雄ネジロッド501は、上記第3の可動基台5に設けられた雌ネジ(図示せず)と螺合し、その一端が第2の可動基台4に配設された軸受部材503に回転可能に支持されている。 The male screw rod 501 is screwed with the third female screw provided on the movable base 5 (not shown), rotatable bearing member 503 having one end disposed on the second movable base 4 and it is supported by the. パルスモータ502は、その駆動軸が雄ネジロッド501の他端に連結されている。 Pulse motor 502, the drive shaft is connected to the other end of the externally threaded rod 501. 従って、パルスモータ502を正転または逆転駆動して雄ネジロッド501を正転または逆転駆動することにより、第3の可動基台5を第2の可動基台4に設けられた一対の案内レール42、42に沿ってX軸方向に移動せしめる。 Accordingly, the pulse motor 502 forward or reverse drive to by forward or reverse driving the male screw rod 501, a third pair of guide rails a movable base 5 provided on the second movable base 4 of 42 , allowed to move in the X axis direction along the 42.

上記第3の可動基台5の他方の面には、後述する環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハを保持するチャックテーブル6が支持部材60を介して装着されている。 Above the third other surface of the movable base 5 of, it is mounted a chuck table 6 for holding the wafer is adhered to the dicing tape mounted on an annular frame which will be described later through a support member 60. チャックテーブル6は、後述する環状のフレームを保持する環状のフレーム保持部61と、後述する環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハをダイシングテープを介して保持する円形状のウエーハ保持部62とからなっている。 Chuck table 6, the annular frame holding unit 61 for holding the annular frame to be described later, circular wafer holding through a dicing tape wafer is adhered to the dicing tape mounted on an annular frame which will be described later It is made from the holding portion 62. フレーム保持部61は、金属材によって中空状に形成され上面であるフレーム保持面611に複数の吸引孔612が開口されている。 Frame holding unit 61 has a plurality of suction holes 612 in the frame holding surface 611 is a top formed in a hollow shape and is opened by a metal material. このように形成されたフレーム保持部61は、複数の吸引孔612が中空部を介して図示しない吸引手段に連通されている。 The frame holding portions 61 formed as is in communication with suction means having a plurality of suction holes 612 (not shown) via the hollow portion. なお、フレーム保持部61のフレーム保持面611には、後述する環状のフレームを位置決めするための2本の位置決めピン613a、613bが立設されている。 Incidentally, the frame holding surface 611 of the frame holding section 61, two positioning pins 613a for positioning the annular frame to be described later, 613b are erected. 上記ウエーハ保持部62は、ガラス板等の透明部材によって形成されており、外周面が環状のフレーム保持部61の内周壁に適宜の接着剤によって取り付けられる。 The wafer holding unit 62 is formed by a transparent member such as a glass plate, an outer peripheral surface is attached by an appropriate adhesive to the inner peripheral wall of the annular frame holding portion 61. このように構成されたウエーハ保持部62は、上面であるウエーハ保持面621に後述する環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハを保持する。 The wafer holding unit 62 that is configured to retain the wafer is adhered to the dicing tape mounted on an annular frame which will be described later on the wafer holding surface 621 is a top.

図1に示すレーザー加工装置1は、チャックテーブル6に保持された被加工物であるウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段7を具備している。 The laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a laser beam irradiation means 7 for applying a laser beam to the wafer as the workpiece held on the chuck table 6. レーザー光線照射手段7は、ケーシング71と該ケーシング71内に配設されたYAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器等のレーザー光線発振手段(図示せず)と、ケーシング71の一端部上面に配設されレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光して上方に向けて照射する集光器72を具備している。 Laser beam irradiation means 7 includes a YAG laser oscillator or YVO4 laser oscillator or the like of the laser beam oscillation means disposed in the casing 71 and the casing 71 (not shown) is disposed at one end an upper surface of the casing 71 laser beam oscillation means It is provided with a condenser 72 to be irradiated upward by condensing the oscillated pulse laser beam from.

レーザー光線照射手段7の上側にはレーザー光線照射手段7によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段8が配設されている。 The upper side of the laser beam irradiation means 7 imaging means 8 for detecting the area to be processed by the laser beam irradiation means 7 is disposed. この撮像手段8は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。 The imaging unit 8 is provided with illumination means for illuminating the workpiece, an optical system for capturing the area illuminated by the illuminating means, the image pickup device (CCD) or the like for taking an image captured by the optical system, It sends to control means not shown an image signal obtained by imaging. この撮像手段8は、図示の実施形態においては集光器72の直上に所定の間隔を置いて配置されている。 The imaging means 8, in the illustrated embodiment are arranged at predetermined intervals directly on the collector 72. なお、撮像手段8はレーザー光線照射手段7のケーシング71上に取り付けられたL字状のブラケット80に装着されており、集光器72と撮像手段8との間を上記チャックテーブル6が移動可能に構成されている。 The imaging unit 8 is mounted to the L-shaped bracket 80 mounted on the casing 71 of the laser beam application means 7, between the condenser 72 and the imaging unit 8 can move the chuck table 6 It is configured.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置1は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。 The laser processing apparatus 1 in the illustrated embodiment is constituted as described above, and its function will be described below.

図2には、本発明によるウエーハのレーザー加工方法によって加工されるウエーハの斜視図が示されている。 Figure 2 is a perspective view of wafer to be processed by the laser processing method of the wafer according to the present invention is shown. 図2に示すウエーハ10は、厚みが例えば400μmのシリコンウエーハからなっており、表面10aに格子状に形成された複数のストリート101によって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイス102としての微小電気機械システム(MEMS)が形成されている。 Wafer 10 shown in FIG. 2 is a silicon wafer having a thickness of for example 400 [mu] m, a device to the plurality of streets 101 formed in a lattice pattern on the surface 10a with a plurality of regions are partitioned is the divided area 102 microelectromechanical systems (MEMS) is formed as a.

本発明によるウエーハのレーザー加工方法においては、先ず図3に示すようにウエーハ10の裏面10bを環状のフレーム11に装着されたダイシングテープ12の表面に貼着する(ウエーハ支持工程)。 In the laser processing method of the wafer according to the present invention, first the back surface 10b of the wafer 10 as shown in FIG. 3 is stuck on the surface of the dicing tape 12 mounted on an annular frame 11 (wafer supporting step). なお、ウエーハ支持工程は、ダイシングテープ12を環状のフレーム11に装着する際に、ウエーハ10の裏面10bを同時にダイシングテープ12の表面に貼着してもよい。 Incidentally, wafer supporting step is a dicing tape 12 when mounted to the annular frame 11, the back surface 10b of the wafer 10 may be attached at the same time the dicing tape 12 surface. 上記環状のフレーム11の外周端面には上記レーザー加工装置のチャックテーブル6を構成するフレーム保持部61のフレーム保持面611に立設された2本の位置決めピン613a、613bと係合する2個の係合凹部111a、111bが設けられている。 Two positioning pins 613a on the outer peripheral edge surface which is erected on the frame holding surface 611 of the frame holding portion 61 constituting the chuck table 6 of the laser machining apparatus of the annular frame 11, the two engaging with 613b engagement recesses 111a, 111b are provided. また、ダイシングテープ12は、上述したレーザー加工装置1のレーザー光線照射手段7によって照射されるレーザー光線が透過する例えばポリ塩化ビニル(PVC)やポリオレフィン(PO)シートが用いられている。 Also, the dicing tape 12, the laser beam applied is used for example polyvinyl chloride (PVC) or polyolefin (PO) sheets transmitted by the laser beam irradiation means 7 of the laser processing apparatus 1 described above.

上述したレーザー加工装置1を用いて図3に示すように環状のフレーム11に装着されたダイシングテープ12の表面に貼着されたウエーハ10の内部にストリート101に沿って変質層を形成する変質層形成工程について、図4乃至図6を参照して説明する。 Altered layer for forming a deteriorated layer along the streets 101 inside the bonded been wafer 10 on the surface of the dicing tape 12 mounted on an annular frame 11 as shown in FIG. 3 by means of a laser processing apparatus 1 described above for forming step will be described with reference to FIGS.
変質層形成工程を実施するには、先ず図4に示すようにレーザー加工装置1のチャックテーブル6上に環状のフレーム11にダイシングテープ12を介して支持されたウエーハ10を載置する。 To implement the deteriorated layer forming step, first places the laser processing apparatus the chuck table 6 wafer 10 supported through the dicing tape 12 on an annular frame 11 on the 1, as shown in FIG. 4. このとき、ウエーハ10をダイシングテープ12を介してウエーハ保持部62上に載置するとともに、環状のフレーム11をチャックテーブル6を構成する環状のフレーム保持部61上に載置し、環状のフレーム11に設けられた2個の係合凹部111a、111bをフレーム保持部61の上面611に立設された2本の位置決めピン613a、613bと係合せしめる。 At this time, with the wafer 10 through a dicing tape 12 is placed on the wafer holding unit 62, placing the annular frame 11 on the annular frame holding portion 61 constituting the chuck table 6, the annular frame 11 the two engagement recesses 111a that is provided, 111b the two positioning pins provided upright on the upper surface 611 of the frame holding section 61 613a, allowed to engage with 613b. この結果、環状のフレーム11にダイシングテープ12を介して支持されたウエーハ10は、チャックテーブル6の所定の位置に位置付けられたことになる。 As a result, wafer 10 supported through the dicing tape 12 to the annular frame 11 is located at the predetermined position of the chuck table 6. そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル6上に環状のフレーム11およびウエーハ10がダイシングテープ12を介して吸引保持される(ウエーハ保持工程)。 By activating the suction means (not shown), the annular frame 11 and wafer 10 is held by suction through the dicing tape 12 on the chuck table 6 (wafer holding step). 従って、チャックテーブル6上に保持されたウエーハ10は、表面10aが上側となる。 Accordingly, wafer 10 held on the chuck table 6, the surface 10a thereof is directed upwards.

上述したウエーハ保持工程を実施したならば、ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル6は第1の移動手段30を作動することにより図5に示すように撮像手段8の直下に位置付けられる。 After performing the above-mentioned wafer holding step, the chuck table 6 suction-holding the wafer 10 is positioned directly below the imaging means 8 as shown in FIG. 5 by actuating the first moving means 30. チャックテーブル6が撮像手段8の直下に位置付けられると、撮像手段8および図示しない制御手段によってウエーハ10のストリート101に沿ってレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。 When the chuck table 6 is positioned directly below the imaging means 8, along the streets 101 of the wafer 10 by the imaging unit 8 and the control means (not shown) to perform an alignment step of detecting the area to be processed. 即ち、撮像手段8および図示しない制御手段は、ウエーハ10の所定方向に形成されているストリート101と、該ストリート101に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段7の集光器72との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。 That is, the control unit the imaging device 8 and not shown, the streets 101 are formed in a predetermined direction of the wafer 10, the alignment of the condenser 72 of the laser beam application means 7 for applying a laser beam along the streets 101 It executes image processing such as pattern matching for performing, performing the alignment of the laser beam irradiation position. また、ウエーハ10に形成されている複数のストリート101と直交する方向に形成されている複数のストリート101に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。 Moreover, even for a plurality of streets 101 are formed in a direction perpendicular to the plurality of streets 101 are formed on the wafer 10, similar alignment of the laser beam application position is carried out so.

以上のようにしてチャックテーブル6上に保持されたウエーハ10に形成されているストリート101を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図6の(a)で示すようにチャックテーブル6をレーザー光線照射手段7の集光器72が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート101の一端(図6の(a)において左端)をレーザー光線照射手段7の集光器72の直上に位置付ける。 Detecting the streets 101 are formed on the wafer 10 held on the chuck table 6 as described above, if the alignment of the laser beam application position is carried out, the chuck table as shown in (a) of FIG. 6 6 was moved to the laser beam irradiation area is located the condenser 72 of the laser beam irradiation means 7, the predetermined street 101 one end (in Fig. 6 left end in (a)) immediately above the condenser 72 of the laser beam application means 7 position. そして、パルスレーザー光線の集光点Pをウエーハ10の表面10a(上面)から例えば30μm程度下方位置に合わせる。 Then, the focal point P of the pulse laser beam from the surface 10a of the wafer 10 (upper surface) for example, 30μm approximately lower position. 次に、集光器72からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル6を図6の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。 Next, it allowed to move in the direction indicated by the arrow X1 of the chuck table 6 in the FIGS. 6 (a) while applying a pulse laser beam having a transmission wavelength to the silicon wafer from the condenser 72 at a predetermined feed speed. このとき、集光器72から照射されるパルスレーザー光線は、ガラス板等の透明部材によって形成されたウエーハ保持部62およびポリ塩化ビニル(PVC)やポリオレフィン(PO)シートからなるダイシングテープ12を透過してウエーハ10の裏面10b側から照射される。 In this case, the pulse laser beam applied from the condenser 72 is transmitted through the dicing tape 12 comprising a wafer holding unit 62 and the polyvinyl chloride which is formed by a transparent member such as glass plate (PVC) or polyolefin (PO) Sheet It is irradiated from the rear surface 10b side of the wafer 10 Te. そして、図6の(b)で示すようにレーザー光線照射手段7の集光器72の照射位置にストリート101の他端(図6の(b)において右端)が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル6の移動を停止する。 Then, when (at the right end (b) of FIG. 6) reaches the other end of the street 101 at the irradiation position of the condenser 72 of the laser beam irradiation means 7 as shown in FIG. 6 (b), stopping of the pulsed laser beam to stop the movement of the chuck table 6 as well as. この結果、ウエーハ10の内部には、ストリート101に沿ってウエーハ10の表面10a(上面)付近に変質層110が形成される。 As a result, the inside of the wafer 10, deteriorated layer 110 is formed on the surface 10a (upper surface) around the wafer 10 along the streets 101. この変質層110は、溶融再固化層として形成される。 The deteriorated layer 110 is formed as a molten resolidified layer.

上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。 The processing conditions in the above deteriorated layer forming step are set as follows, for example.
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー 波長 :1064nmのパルスレーザー 平均出力 :1.2W Source: LD pumped Q-switched Nd: YVO4 laser Wavelength: 1064 nm pulsed laser average power: 1.2 W
繰り返し周波数 :80kHz Repetition frequency: 80kHz
パルス幅 :120ns Pulse width: 120ns
集光スポット径 :φ2μm Focused spot diameter: φ2μm
送り速度 :100mm/秒 Feed speed: 100mm / sec.

なお、上述した加工条件においては1回のレーザー光線の照射によって形成される変質層110の厚さは50〜60μmである。 The thickness of the deteriorated layer 110 in the above-mentioned processing conditions are formed by irradiation of a single laser beam is 50-60. 従って、厚みが400μmのウエーハ10を容易に分割するには、厚さが50〜60μmの変質層を5層程度形成する必要がある。 Therefore, the thickness is easily divide the wafer 10 400μm, it is necessary thickness to form about 5 layers of affected layer 50-60. 従って、レーザー光線照射手段7の集光器72から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを順次下方に移動して上記変質層形成工程を実施することにより、図6の(c)に示すようにウエーハ10の内部にストリート101に沿って5層の変質層110を形成する。 Therefore, by the converging point P of the pulse laser beam applied from the condenser 72 of the laser beam application means 7 move sequentially downward out the above deteriorated layer forming step, as shown in (c) of FIG. 6 forming a deteriorated layer 110 of five layers along the inside street 101 of the wafer 10. なお、変質層形成工程は、ガラス板等の透明部材によって形成されたウエーハ保持部62およびポリ塩化ビニル(PVC)やポリオレフィン(PO)シートからなるダイシングテープ12を透過してウエーハ10の裏面10b側からパルスレーザー光線を照射するので、デバイス102にパルスレーザー光線が照射されることは無い。 Incidentally, deteriorated layer forming step, the back surface 10b side of the wafer 10 passes through the dicing tape 12 comprising a wafer holding unit 62 and the polyvinyl chloride which is formed by a transparent member such as glass plate (PVC) or polyolefin (PO) Sheet since applying a pulse laser beam from never pulsed laser beam on the device 102 is illuminated. 従って、ウエーハ10の厚みに対して20〜30%の幅のストリートを必要としないので、ウエーハの設計上のストリートの幅が制約されることは無い。 Therefore, it does not require the street 20-30% of the width to the thickness of the wafer 10, it is not the width of the street Design of the wafer is restricted. また、ウエーハ10は最初から裏面側をダイシングテープ12に貼着するので、変質層を形成した後に表裏を反転して張り替える必要がないため、ウエーハの張り替えの際にウエーハがストリートに沿って割れるという問題が未然に回避される。 Further, since the wafer 10 is stuck to the rear surface side to the dicing tape 12 from the beginning, it is not necessary to Harikaeru by turning over after forming the deteriorated layer, the wafer during the replacement of the wafer is divided along the streets a problem that can be avoided in advance.

このようにして、ウエーハ10の所定方向に延在する全てのストリート101に沿って上記変質層形成工程を実行したならば、所定方向と直交する方向に形成されたストリート101に沿って上記変質層形成工程を実施する。 Thus, if along all of the streets 101 extending in the predetermined direction of the wafer 10 to carry out the above deteriorated layer forming step, the deteriorated layer along the streets 101 formed in a direction perpendicular to the predetermined direction implementing the forming step. 即ち、図7の(a)で示すように上記所定方向と直交する方向に形成されたストリート101の一端(図7の(a)において右端)をレーザー光線照射手段7の集光器72の直上に位置付ける。 That is, in FIG. 7 (a) the predetermined direction of the streets 101 formed in a direction perpendicular end as indicated by (right end in FIG. 7 (a)) directly above the condenser 72 of the laser beam application means 7 position. そして、パルスレーザー光線の集光点Pをウエーハ10の表面10a(上面)から例えば30μm程度下方位置に合わせる。 Then, the focal point P of the pulse laser beam from the surface 10a of the wafer 10 (upper surface) for example, 30μm approximately lower position. 次に、集光器72からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル6を図7の(a)において矢印Y1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。 Next, it allowed to move in the direction indicated by the arrow Y1 chuck table 6 in the FIGS. 7 (a) while applying a pulse laser beam having a transmission wavelength to the silicon wafer from the condenser 72 at a predetermined feed speed. このとき、集光器72から照射されるパルスレーザー光線は、ガラス板等の透明部材によって形成されたウエーハ保持部62およびポリ塩化ビニル(PVC)やポリオレフィン(PO)シートからなるダイシングテープ12を透過してウエーハ10の裏面10b側から照射される。 In this case, the pulse laser beam applied from the condenser 72 is transmitted through the dicing tape 12 comprising a wafer holding unit 62 and the polyvinyl chloride which is formed by a transparent member such as glass plate (PVC) or polyolefin (PO) Sheet It is irradiated from the rear surface 10b side of the wafer 10 Te. このようにして、所定方向と直交する方向に形成された各ストリート101に沿って上記変質層形成工程を実施する。 In this manner, carrying out the above deteriorated layer forming step along the streets 101 are formed in a direction perpendicular to the predetermined direction.

上述した変質層形成工程を実施したならば、ウエーハ10に外力を付与し、変質層110が形成されたストリート101に沿って破断する破断工程を実施する。 After performing the above deteriorated layer forming step, an external force is applied to the wafer 10, carrying out the breaking step of breaking along the streets 101 deteriorated layer 110 is formed. この破断工程は、図8に示すテープ拡張装置9を用いて実施する。 The breaking step is performed using a tape expanding device 9 shown in FIG. 図8に示すテープ拡張装置9は、上記環状のフレーム11を保持するフレーム保持手段91と、該フレーム保持手段91に保持された環状のフレーム11に装着されたダイシングテープ12を拡張するテープ拡張手段92と、ピックアップコレット93を具備している。 Tape expanding device 9 shown in FIG. 8, the frame holding means 91 for holding the annular frame 11, tape expanding means for expanding the dicing tape 12 mounted on the annular frame 11 held by the frame holding means 91 and 92, are provided with a pickup collet 93. フレーム保持手段91は、環状のフレーム保持部材911と、該フレーム保持部材911の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ912とからなっている。 Frame holding means 91, the frame holding member 911 comprised of a plurality of clamps 912 serving as a fixing means provided on the outer periphery of the frame holding member 911. フレーム保持部材911の上面は環状のフレーム11を載置する載置面911aを形成しており、この載置面911a上に環状のフレーム11が載置される。 Upper surface of the frame holding member 911 forms a mounting surface 911a for mounting the annular frame 11, the annular frame 11 is placed on the mounting surface 911a. そして、載置面911a上に載置された環状のフレーム11は、クランプ912によってフレーム保持部材911に固定される。 The annular frame 11 placed on the surface 911a mounting is fixed to the frame holding member 911 by the clamps 912. このように構成されたフレーム保持手段91は、テープ拡張手段92によって上下方向に進退可能に支持されている。 The frame holding means 91 configured as described above, is movably supported in the vertical direction by the tape expanding means 92.

テープ拡張手段92は、上記環状のフレーム保持部材911の内側に配設される拡張ドラム921を具備している。 Tape expanding means 92 is provided with an expansion drum 921 disposed inside of the annular frame holding member 911. この拡張ドラム921は、環状のフレーム11の内径より小さく該環状のフレーム11に装着されたダイシングテープ12に貼着されるウエーハ10の外径より大きい内径および外径を有している。 The expansion drum 921 has a larger inner and outer diameter than the outer diameter of the wafer 10 is stuck to the dicing tape 12 attached to the annular frame 11 smaller than the inner diameter of the annular frame 11. また、拡張ドラム921は、下端に支持フランジ922を備えている。 Further, the expansion drum 921 is provided with a support flange 922 at the lower end. 図示の実施形態におけるテープ拡張手段92は、上記環状のフレーム保持部材911を上下方向に進退可能な支持手段923を具備している。 Tape expanding means 92 in the illustrated embodiment is equipped with a retractable support means 923 to the frame holding member 911 in the vertical direction. この支持手段923は、上記支持フランジ922上に配設された複数のエアシリンダ923aからなっており、そのピストンロッド923bが上記環状のフレーム保持部材911の下面に連結される。 The support means 923 has a plurality of air cylinders 923a, which is disposed on the support flange 922, the piston rod 923b is connected to the lower surface of the annular frame holding member 911. このように複数のエアシリンダ923aからなる支持手段923は、図9の(a)に示すように環状のフレーム保持部材911を載置面911aが拡張ドラム921の上端と略同一高さとなる基準位置と、図9の(b)に示すように拡張ドラム921の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。 Support means 923 in this way composed of a plurality of air cylinders 923a, the reference position where the surface 911a mounting the annular frame holding member 911 as shown in FIG. 9 (a) becomes substantially the same height as the upper end of the expansion drum 921 If, allowed to move between the extended position a predetermined amount lower in the vertical direction from the upper end of the expansion drum 921 as shown in (b) of FIG.

以上のように構成されたテープ拡張装置9を用いて実施するウエーハは破断工程について図9を参照して説明する。 Wafer which is carried out by using a tape expanding device 9 configured as described above will be described with reference to FIGS breaking step. 即ち、ウエーハ10が貼着されているダイシングテープ12が装着された環状のフレーム11を、図9の(a)に示すようにフレーム保持手段91を構成するフレーム保持部材911の載置面911a上に載置し、クランプ912によってフレーム保持部材911に固定する(フレーム保持工程)。 That is, the annular frame 11 that the dicing tape 12 is attached to the wafer 10 is stuck, on the mounting surface 911a of the frame holding member 911 constituting the frame holding means 91, as shown in FIG. 9 (a) It is placed on and fixed to the frame holding member 911 by the clamps 912 (frame holding step). このとき、フレーム保持部材911は図9の(a)に示す基準位置に位置付けられている。 At this time, the frame holding member 911 is set at the reference position shown in FIG. 9 (a).

上述したフレーム保持工程を実施したならば、図9の(b)に示すようにテープ拡張手段92を構成する支持手段923としての複数のエアシリンダ923aを作動して、環状のフレーム保持部材911を拡張位置に下降せしめる。 After performing the frame holding step described above, by operating the plurality of air cylinders 923a as the supporting means 923 of the tape expanding means 92 as shown in FIG. 9 (b), the frame holding member 911 allowed to descend to the extended position. 従って、フレーム保持部材911の載置面911a上に固定されている環状のフレーム11も下降するため、図9の(b)に示すように環状のフレーム11に装着されたダイシングテープ12は拡張ドラム921の上端縁に接して拡張せしめられる(テープ拡張工程)。 Therefore, since the frame 11 fixed to the mounting surface 911a of the annular and the frame holding member 911 is also lowered, the dicing tape 12 mounted on an annular frame 11 as shown in (b) of FIG. 9 is extended drum It is caused to expand against the upper edge of the 921 (tape expanding step). この結果、ダイシングテープ12に貼着されているウエーハ10には放射状に引張力が作用する。 As a result, tensile force acts radially on the wafer 10 is stuck to the dicing tape 12. このようにウエーハ10に放射状に引張力が作用すると、ストリート101に沿って形成された変質層110は強度が低下せしめられているので、ウエーハ10は強度が低下せしめられている変質層110が破断起点となってストリート101に沿って破断され個々のデバイス102に分割される。 With such force pulling the wafer 10 radially acts, since the deteriorated layer 110 formed along the streets 101 intensity is caused to decrease, the wafer 10 is deteriorated layer 110 in which the intensity is caused to decrease fracture is broken along the streets 101 becomes a starting point is divided into individual devices 102.

上述したウエーハ破断工程を実施することにより、ウエーハ10を変質層110が形成されたストリート101に沿って破断し個々のデバイス102に分割したならば、図10に示すようにピックアップコレット93を作動してデバイス102を吸着し、ダイシングテープ12から剥離してピックアップする(ピックアップ工程)。 By performing the above-described wafer-dividing step, and broken along the wafer 10 to the streets 101 deteriorated layer 110 is formed if divided into individual devices 102, activates the pickup collet 93 as shown in FIG. 10 adsorbing device 102 Te, peeled to pick up from the dicing tape 12 (pickup step). なお、ピックアップ工程においては、個々のデバイス102間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス102と接触することなく容易にピックアップすることができる。 In the pickup step, since the gap S between the individual devices 102 are spread, it can be easily picked up without contacting the adjacent devices 102.

以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。 Has been described above based on the illustrated embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the embodiments, and various modifications within the spirit and scope of the present invention are possible. 例えば、上述した実施形態においては微小電気機械システム(MEMS)からなるデバイスが形成されたウエーハを個々のデバイスに分割する例を示したが、本発明はIC、LSI等のデバイスが形成された半導体ウエーハや発光ダイオード、CCD等の光デバイスが形成された光デバイスウエーハに適用してもよい。 For example, although in the above-described embodiment shows an example of dividing a wafer having a device consisting of micro-electromechanical systems (MEMS) is formed into individual devices, the present invention is IC, devices such as LSI is formed a semiconductor wafer or a light emitting diode, may be applied to an optical device wafer optical device is formed of a CCD or the like.

1:レーザー加工装置 2:静止基台 3:第1の可動基台 30:第1の移動手段 4:第2の可動基台 40:集光点位置調整手段 5:第3の可動基台 50:第2の移動手段 6:チャックテーブル 60:支持部材 61:環状のフレーム保持部 62:円形状のウエーハ保持部 7:レーザー光線照射手段 72:集光器 8:撮像手段 9:テープ拡張装置 91:フレーム保持手段 92:テープ拡張手段 93:ピックアップコレット 10:ウエーハ 11:環状のフレーム 12:ダイシングテープ 1: laser processing apparatus 2: stationary base 3: first movable base 30: first moving means 4: the second movable base 40: focal position adjusting means 5: the third movable base 50 : second moving means 6: chuck table 60: support member 61: annular frame holding portion 62: circular wafer holder 7: laser beam application means 72: condenser 8: image pickup means 9: tape expansion unit 91: frame holding means 92: tape expanding means 93: pickup collet 10: wafer 11: annular frame 12: dicing tape

Claims (1)

  1. 表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部にストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成するためのレーザー加工装置であって、 A laser beam is irradiated a plurality of streets in the surface along the streets in the interior of the wafer device into a plurality of areas sectioned formed by streets plurality of together are formed in a lattice shape, the streets in the interior of the wafer the laser processing apparatus for forming a deteriorated layer along,
    環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハを保持するウエーハ保持部と、該ウエーハ保持部の外周方向外側に設けられ該環状のフレームを保持するフレーム保持面を有する環状のフレーム保持部とを備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハおよび該ダイシングテープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該集光器とを相対的に移動する移動手段とを具備し、 A wafer holding unit for holding the frame in the mounted dicing tape to sticking to the wafer ring, annular frame holding having a frame holding surface for holding the annular frame provided in the outer circumferential direction outside of the wafer holding portion and a chuck table having a section, a laser beam application means having a condenser for applying a laser beam having a transmission wavelength to the retained wafer and the dicing tape on the chuck table, the chuck table and the and moving means for relatively moving the condenser,
    該チャックテーブルの該ウエーハ保持部は、透明部材によって形成され、 The wafer holding part of the chuck table is formed by a transparent member,
    該チャックテーブルの該環状のフレーム保持部の該フレーム保持面には、該ダイシングテープを介して該環状のフレームを吸引するための複数の吸引孔と、該環状のフレームとウエーハの外周間の領域の該ダイシングテープを吸引保持する複数の吸引孔が形成されており、 The said frame holding surface of the annular frame holding section of the chuck table, the region between the outer periphery of the plurality of suction holes and the ring-shaped frame and the wafer for sucking the annular frame via the dicing tape a plurality of suction holes for suction-holding the dicing tape is formed and,
    該レーザー光線照射手段の該集光器は、該チャックテーブルの該ウエーハ保持部の下側から該ウエーハ保持部および該ダイシングテープを通してウエーハにレーザー光線を照射するように構成されている、 The condenser unit of the laser beam application means, and a lower side of the wafer holding portion of the chuck table so as to irradiate a laser beam to the wafer through the wafer holder and the dicing tape,
    ことを特徴とするレーザー加工装置。 Laser machining device, characterized in that.
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