JP4759952B2 - 含フッ素エーテルおよびその用途 - Google Patents
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Description
CF3CF2CF2O−(CF2CF2CF2O)r3−CF2CF2CH2OH(B)。
・・・(C)。
<1>下式(1)で表される含フッ素エーテル。
[W−Q1(O)e(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]3Y(1)
ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
Q1:−(OCH2CH2)c・(OCH2CH(OW)CH2)d−(ただし、cは0〜100の整数。dは0〜100の整数。Wは後述する基を示す。)を示す。
Q2:−CF2CF2O−を示す。
e〜h:eは0または1、fは0〜4の整数、gは1〜6の整数、hは3〜200の整数。ただし、eとgが1である場合のfは1〜4の整数。
OCN(CH2)i−・・・(W2)
NC(CH2)j−・・・(W3)
(R3)3−m(R2)mSi(CH2)k−・・・(W4)
[W1O(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]3Y1・・・(1−1)
[W2(CF2)gO(Q2)h−]3Y1・・・(1−2)
[W3CF2O(Q2)h−]3Y1・・・(1−3)
[W4(O)e(CH2)fCF2O(Q2)h−]3Y1・・・(1−4)
[W5OCH2CF2O(Q2)h−]3Y1・・・(1−5)
Q2、e、f、g、h:前記と同じ意味を示す。
Y1:3価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または、3価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、後者の基である場合には、該基中に−(OCF2O)−構造は存在しない。
W1:水素原子または前記式(W1)で表される基であり、3つのW1の少なくとも一つは式(W1)で表される基。
W2:前記式(W2)で表される基を示す。
W3:前記式(W3)で表される基を示す。
W4:前記式(W4)で表される基であり、eが1である場合のW4の1または2個は水素原子であってもよい。
W5:水素原子または前記式(W5)で表される基であり、3つのW5の少なくとも一つは式(W5)で表される基。
<4><1>〜<3>のいずれか一項に記載の含フッ素エーテルと有機溶媒とを含む溶液組成物。
<6><1>〜<3>のいずれか一項に記載の含フッ素エーテルを必須成分とする表面処理剤。
<7><6>に記載の表面処理剤を部材表面に処理することによって、部材表面に被膜を形成させてなる処理部材。
W−Q1(O)e(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−・・・(X)
RF(Q2)qO−・・・(Z)。
基(X)におけるc、d、e、f、g、hがそれぞれ0である場合は、対応する該単位が存在しないことを意味する。
OCN(CH2)i−・・・(W2)
NC(CH2)j−・・・(W3)
(R3)3−m(R2)mSi(CH2)k−・・・(W4)
CH2=C(R1)COO(CH2)f(CF2)gO(Q2)h− ・・・(X10)
基(X10)としては以下の基が挙げられ、下記基(X10−1)が好ましい。
CH2=CHCOO−CH2CF2O(CF2CF2O)h−・・・(X10−1)、
CH2=C(CH3)COO−CH2CF2O(CF2CF2O)h−、
CH2=CHCOO−CH2CH2CF2O(CF2CF2O)h−、
CH2=C(CH3)COO−CH2CH2CF2O(CF2CF2O)h−。
OCN(CH2)i(CF2)gO(Q2)h− ・・・(X20)
基(X20)としては、以下の基が挙げられる。
OCN−CF2O(CF2CF2O)h−、
OCN−CH2CF2O(CF2CF2O)h−。
基(X30)としては、以下の基が挙げられ、下記基(X30−1)が好ましい。
NC−CF2O(CF2CF2O)h−・・・(X30−1)、
NC−CH2CF2O(CF2CF2O)h−。
(R20)3Si(CH2)k−・・・(W40)
基(W4)としては、以下の基が好ましく、下記基(W40−3)が特に好ましい。
(CH3O)3SiCH2CH2−、
(CH3CH2O)3SiCH2CH2−、
(CH3O)3Si(CH2)3−・・・(W40−3)、
(CH3CH2O)3Si(CH2)3−、
(CH3O)3Si(CH2)4−、
(CH3CH2O)3Si(CH2)4−、
(CH3O)2(CH3)Si(CH2)4−、
(CH3CH2O)2(CH3)Si(CH2)4−。
(R20)3Si(CH2)k(O)e(CH2)fCF2O(Q2)h−・・・(X40)
基(X40)としては、以下の基が挙げられ、下記基(X40−1)が好ましい。
(CH3O)3SiCH2CH2CF2O(Q2)h−、
(CH3CH2O)3SiCH2CH2CF2O(Q2)h−、
(CH3O)3Si(CH2)3OCH2CF2O(Q2)h−・・・(X40−1)、
(CH3CH2O)3Si(CH2)3−OCH2CF2O(Q2)h−。
W5OCH2CF2O(Q2)h−・・・(X50)。
W6OCH2CF2O(Q2)h−・・・(X60)。
−O(Q2)qRF・・・(Z)
基(Z)におけるRFは1価のペルフルオロ化飽和炭化水素基またはエーテル性酸素原子を含む1価のペルフルオロ化飽和炭化水素基であり、後者の基である場合には、基(Z)中に−(OCF2O)−構造は存在しない。RFとしては、直鎖構造、分岐構造、環構造、または部分的に環構造を有するペルフルオロアルキル基が好ましく、直鎖構造または分岐構造のペルフルオロアルキル基が特に好ましく、直鎖構造のペルフルオロアルキル基基がとりわけ好ましい。RFの炭素数は1〜16が好ましい。
基(Z)におけるqはQ2単位の数、すなわち−(CF2CF2O)−の数、を示し、3〜200の整数であり、5〜50の整数がとりわけ好ましい。基(Z)中のQ2は、−(CF2CF2O)−の酸素原子でRFと結合する。
CF3−O−(CF2CF2O)q−・・・(3−1)、
CF3CF2−O−(CF2CF2O)q−・・・(3−2)、
CF3(CF2)2−O−(CF2CF2O)q−・・・(3−3)、
CF3(CF2)5−O−(CF2CF2O)q−・・・(3−4)。
基(Z)の数であるbの好ましい態様は、基(X)の構造により異なり、bは0または1であるのが好ましい。hが1以上である場合には、bが0である(すなわち、化合物(1)中に基(Z)が存在しない)のが好ましい。
[XA]3Y1 (1A)
ただし、XAは、前記基(X10)〜基(X60)から選ばれるいずれかの基である。XAは、基(X10)、基(X30)、基(X40)、および基(X50)が特に好ましく、基(X40)がとりわけ好ましい。
[W1O(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]3Y1・・・(1−1)
[W2(CF2)gO(Q2)h−]3Y1・・・(1−2)
[W3CF2O(Q2)h−]3Y1・・・(1−3)
[W4(O)e(CH2)fCF2O(Q2)h−]3Y1・・・(1−4)
[W5OCH2CF2O(Q2)h−]3Y1・・・(1−5)。
f:1〜5の整数。
Y1:3価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または、3価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、後者の基である場合には、該基中に−(OCF2O)−構造は存在しない。
W1:水素原子または前記式(W1)で表される基であり、3つのW1の少なくとも一つは式(W1)で表される基。
W2:前記式(W2)で表される基を示す。
W3:前記式(W3)で表される基を示す。
W4:前記式(W4)で表される基であり、eが1である場合のW4の1または2個は水素原子であってもよい。
W5:水素原子または前記式(W5)で表される基であり、3つのW5の少なくとも一つは式(W5)で表される基。
[FCOCF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (E)。
下記化合物(E)に下記化合物(F)(ただし、Rcはアルキル基を示す。)を反応させて下記化合物(G1)を得て、該化合物(G1)を還元的することにより化合物(H1)を得る方法。
[FCOCF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (E)+RcOH (F)
→[RcOCOCF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (G1)
→[HOCH2CF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (H1)。
下記化合物(D)と前記化合物(F)とを反応させることによって下記化合物(G1)を得て、該化合物(G1)を還元的に分解することにより化合物(H1)を得る方法。
[RbFCOOCF2CF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (D)+ RcOH (F)
→(G1)→(H1)
下記化合物(E)を加水分解して下記化合物(G2)を得て、つぎに化合物(G2)を還元して化合物(H1)を得る方法。
[FCOCF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (E)
→[HOCOCF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (G2)
→[HOCH2CF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (H1)。
下記化合物(E)にI2またはLiI等を反応させることにより、末端−COF基をヨウ素原子に変換して下記化合物(J1)を得る。該化合物(J1)に任意のモル数のエチレンおよび/またはテトラフルオロエチレンを付加反応させて下記化合物(J2)とし、該化合物(J2)の末端のヨウ素原子を発煙硫酸またはベタインによって水酸基に変換して下記化合物(H2)を得る方法。
[FCOCF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (E)
→[ICF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (J1)
→[I(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]aY[−Z]b (J2)
→[HO(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]aY[−Z]b (H2)。
前記方法によって得た化合物(H1)にエチレンカーボネ−トおよび/またはエチレンオキシドを付加することにより化合物(H3)を得る方法。
[HOCH2CF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (H1)
→[H(OCH2CH2)cOCH2CF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (H3)。
前記方法によって得た化合物(H2)にエチレンカーボネ−トおよび/またはエチレンオキシドを付加することに化合物(H4)を得る方法。
[HO(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]aY[−Z]b (H2)
[H(OCH2CH2)cO(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]aY[−Z]b (H4)。
前記の方法で得た化合物(H1)〜(H2)に、エチレンカーボネ−ト、エチレンオキシド、およびグリシジルアルコールから選ばれる1種以上をブロック状またはまたはランダム状に付加して化合物(H5)(ただし、cまたはdのいずれか一方は1以上の整数である。)を得る方法。または、前記の方法で得た化合物(H1)〜(H2)にグリシジルアルコールを付加させて化合物(H5)(ただし、dは1以上の整数である。)を得る方法。
[H-(OCH2CH2)c・(OCH2CH(OH)CH2)d−O(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]aY[−Z]b (H5)。
化合物(H1)〜(H5)と式CH2=C(R1)COTで表される化合物とのエステル化反応による方法。または化合物(H1)〜(H5)と式CH2=C(R1)COOHで表される化合物とを脱水縮合反応させる方法。
化合物(E)にアンモニアを反応させて下記化合物(K1)を得て、該化合物(K1)にホスゲンを反応させて基(W2)を有する化合物を製造する方法。
[H2NCOCF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (K1)
OCNCF2O(CF2CF2O)h−]aY[−Z]b。
化合物(H1)〜(H5)と、シアン化塩素(NCCl)を反応させる方法。または前記化合物(K1)の脱水による方法。
化合物(H1)〜(H5)と、式T(CH2)kSi(R2)m(R3)(3−m)で表される化合物とを置換反応させる方法。
下記化合物(J1)と式CH2=CHCH2OC(O)CH3で表される化合物を反応させて下記化合物(J3)とし、該化合物(J3)の脱離反応により下記化合物(J4)を得て、さらに該化合物(J4)と式HSi(R2)m(R3)(3−m)で表される化合物とをヒドロシリル化反応させて化合物(1−40)を得る方法。または化合物(J1)を前記の方法で得た化合物(J2)に変更して同様の反応を行う方法。
[ICF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (J1)
[CH3COOCH2CHICH2CF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (J3)
[CH2=CHCH2CF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (J4)
[(R3)3−m(R2)mSi(CH2)3CF2O(Q2)h−]aY[−Z]b(1−40)。
下記化合物(J1)と式CH2=CH(CH2)k−2Si(R2)m(R3)(3−m)で表される化合物とを付加反応させて化合物(J5)を得て、該化合物(J5)を還元する方法。または化合物(J1)を化合物(J2)に変更して同様の反応を行う方法(ただし、kは0以上の整数を示し、0〜4の整数が好ましく、0または1が特に好ましい。)。
[ICF2O(Q2)h−]aY[−Z]b (J1)
[(R3)(3-m)(R2)mSi(CH2)kCHICH2CF2O(Q2)h-]aY[-Z]b (J5)
[(R3)(3−m)(R2)mSi(CH2)kCF2O(Q2)h−]aY[−Z]b。
化合物(H1)〜(H5)に下式(w5)で表される化合物を反応させる方法。
化合物(H1)〜(H5)と、下記化合物(w6)との置換反応によって得る方法。
GPCの測定方法は、特開2001−208736に記載する方法にしたがった。具体的には、R−225(旭硝子社製、商品名:アサヒクリンAK−225SECグレード1)およびヘキサフルオロイソプロピルアルコール(HFIP)の(99:1、容量比)混合溶媒を移動相として用い、PLgel MIXED−Eカラム(ポリマーラボラトリーズ社製)を2本直列に連結して分析カラムとした。分子量測定用標準試料として、Mw/Mnで表される分子量分布が1.1未満である分子量が2000〜10000のペルフルオロポリエーテル4種および分子量分布が1.1以上である分子量が1300のペルフルオロポリエーテル1種を用いて分析した。移動相流速を1.0mL/分、カラム温度を37℃とし、検出器としては蒸発光散乱検出器を用いた。
[例1−1]エステル化反応による化合物(C1)の合成例
1HNMR(300.4MHz,溶媒:CDCl3,基準:TMS)δ(ppm):3.4〜3.8,4.5。
19FNMR(282.7MHz,溶媒:CDCl3,基準:CFCl3)δ(ppm):−76.0〜−81.0,−81.0〜−82.0,−82.0〜−82.5,−82.5〜−85.0,−128.0〜−129.2,−131.1,−144.7。
19FNMR(282.7MHz,溶媒:R−113,基準:CFCl3)δ(ppm):−77.5〜−86.0,−89.5,−90.0〜−92.0,−120.0〜−139.0,−142.0〜−146.0。
R−113をR−419に変更する以外は、例1−2aと同様に反応および後処理を行った。得られた生成物の19FNMRスペクトル解析の結果、化合物(D1)の生成を確認し、該化合物中に−(OCF2O)−が含まれていないことを確認した。化合物(D1)の収率は例1−2aと同等であった。
R−113をFCOCF(CF3)OCF2CF(CF3)OCF2CF2CF3に変更する以外は、例1−2aと同様に反応および後処理を行った。得られた生成物の19FNMRスペクトル解析の結果、化合物(D1)の生成を確認し、該化合物中に−(OCF2O)−が含まれていないことを確認した。化合物(D1)の収率は例1−2aと同等であった。
19FNMR(282.7MHz,溶媒:R−113,基準:CFCl3)δ(ppm):12.7,−78.1,−89.5,−90.0〜−92.0,−135.0〜−139.0。
1HNMR(300.4MHz,溶媒:R−113,基準:TMS)δ(ppm):3.95,5.9〜6.4。
19FNMR(282.7MHz,溶媒:R−113,基準:CFCl3)δ(ppm):−78.3,−89.5,−90.0〜−92.0,−135.0〜−139.0。
50mLの丸底フラスコにスターラーチップを投入し、内部を充分に窒素置換した。丸底フラスコ出口には、20℃に保持した冷却器、および、ドライアイス−エタノール冷却管を直列に設置し、冷却管の出口を窒素でシールした。フラスコに例1−2aと同様の方法で得た化合物(D1)(20.0g)およびメタノール(1.0g)を仕込み、窒素をバブリングさせながら、室温で激しく撹拌した。8時間後、冷却管に真空ポンプを設置し、過剰のメタノールおよび副生成物であるRfCOFを減圧留去し、室温で液体の化合物(G1−1)(13.6g)を得た。化合物(G1−1)の構造は1HNMR法および19FNMR法によって決定し、化合物(D1)中の−CF2CF2OCORf構造の99.9モル%が−CF2CO2CH3構造に変換された化合物であること、および、該化合物中に−(OCF2O)−が含まれていないことを確認した。GPCから求まる化合物(G1−1)のMnは3200であった。
1HNMR(300.4MHz,溶媒:R−113,基準:TMS)δ(ppm):3.94。
19FNMR(282.65MHz,溶媒:R−113,基準:CFCl3)δ(ppm):−80.1,−88.2。
滴下ロートを備えた250mLの丸底フラスコに、窒素雰囲気下で、例1−5と同様の方法で得た化合物(H1−1)(10g)、R−225(25.0g)、トリエチルアミン(1.0g)、およびハイドロキノン(0.03g)を投入し、均一な溶液になるまで撹拌した。丸底フラスコ出口には20℃に冷却した還流装置を設置し、装置出口を窒素でシールした状態に保った。つぎに、滴下ロートからアクリル酸クロリド(1.34g)を滴下し、室温にて12時間撹拌した。撹拌終了後、R−225および未反応のアクリル酸クロリドを減圧留去し、得られた残さにR−225(100mL)を加えて溶解させ、加圧ろ過を行った。回収したろ液を飽和重曹水(500mL)に滴下して中和し、有機層を回収した。有機層を蒸留水(500mL)で2回洗浄し、さらに硫酸マグネシウムによって乾燥した後、エバポレータでR−225を留去して、25℃で液体の化合物(1−1A)(11.08g)を得た。
1HNMR(300.4MHz,溶媒:R−113,基準:TMS)δ(ppm):4.36、5.79,6.05,6.40。
19FNMR(282.65MHz,溶媒:R−113,基準:CFCl3)δ(ppm):−77.1,−88.2。
250mLの丸底フラスコに、窒素雰囲気下でナトリウムハイドライド(0.36g)を仕込み、ヘキサン(25mL)で洗浄し、ヘキサンを回収した。この操作をさらに2回繰り返したのち、残留するヘキサンを減圧留去した。つぎに、R−419(25.0g)を仕込み、内温を5℃以下に保持した。そこに例1−5と同様の方法で得た化合物(H1−1)(10g)をR−419(25.0g)に溶解した溶液を1時間かけて穏やかに滴下し、約10時間撹拌した。さらにCl(CH2)3Si(OCH3)3(0.85g)を滴下して室温で2時間撹拌した後、72時間加熱還流を行った。還流終了後、室温まで冷却し、未反応の水素化ナトリウムおよび副生した塩化ナトリウムを加圧ろ過し、R−419および過剰のCl(CH2)3Si(OCH3)3を減圧留去し、室温で液体の化合物(1−4A)(10.70g)を得た。
1HNMR(300.4MHz,溶媒:R−113,基準:TMS)δ(ppm):0.76,1.79,3.36,3.8,5.6。
19FNMR(282.65MHz,溶媒:R−113,基準:CFCl3)δ(ppm):−80.8,−88.2。
還流管を備えた250mLの丸底フラスコに、窒素雰囲気下で、水素化ナトリウム(0.6g)を仕込み、ヘキサン(25mL)を加えて洗浄し、ヘキサンを回収した。この操作をさらに2回行った後、残留するヘキサンを減圧留去(40℃、1kPa)し、R−225(25.0g)および1,2−ジメトキシエタン(50.0g)を加え、1時間加熱還流した。そこに例1−5と同様の方法で得た化合物(H1−1)(10g)をR−225(25.0g)に溶解した溶液を1時間かけて穏やかに滴下し、約5時間撹拌した。さらに1−ブロモ−2,3−エポキシプロパン(1.5g)を1,2−ジメトキシエタン(5.0g)に溶解した溶液を0.5時間かけて滴下し、24時間加熱還流を行った。加熱還流終了後、反応粗液を加圧ろ過し、回収したろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。粗生成物を蒸留水(100mL×3回)で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過によって除去し、室温で液体の化合物(1−5A)(10.61g)を得た。
1HNMR(300.4MHz,溶媒:R−113,基準:TMS)δ(ppm):2.5,2.9,3.5,5.6。
19FNMR(282.65MHz,溶媒:R−113,基準:CFCl3)δ(ppm):−80.7,−88.2。
[例5−1]末端に基−CF2CONH2を有する化合物(K1−1)の製造例
ガス導入管を備えた250mLのPFA製丸底フラスコに、窒素雰囲気下で、例1−4と同様の方法で得た化合物(G1−1)(10g)およびR−225(20.0g)を投入し、均一混合するまで撹拌し、氷冷して内温を5℃に保持した。丸底フラスコ出口には20℃に冷却した還流装置を設置し、装置出口を窒素ガスでシールした状態に保った。
つぎに、250mLの丸底フラスコに窒素雰囲気下で、化合物(K−1)(9g)およびR−225(50g)を仕込み溶解させた。ピリジン(15g)および無水トリフルオロ酢酸(20g)を滴下して6時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、反応粗液を氷水に注ぎ、R−225(150mL)で抽出した。R−225層を分離し、エバポレータでR−225を留去し、さらに減圧乾燥を行うことによって化合物(1−3A)を得た。
19FNMR(282.65MHz,溶媒:R−113,基準:CFCl3)δ(ppm):−59.0,−88.2。
1HNMR(300.4MHz、溶媒:R−113、基準:TMS)δ(ppm):4.31、3.9,3.76。
19FNMR(282.65MHz,溶媒:R−113,基準:CFCl3)δ(ppm):−77.0,−88.2。
化合物(H1−1)を化合物(H3−1)に変更する以外は例2と同様の操作を行い、化合物(H3−1)中の−CF2CH2OH構造の99モル%以上が−CF2CH2OCOCH=CH2構造に変換され、−(OCF2O)−が存在しない化合物(1−1B)を得る。収率は例2と同等である。
化合物(H1−1)を化合物(H3−1)に変更する以外は例3と同様の操作を行い、化合物(H3−1)中の−CF2CH2OH構造の98モル%以上が−CF2CH2O(CH2)3Si(OCH3)3構造に変換され、−(OCF2O)−が存在しない化合物(1−1B)を得る。収率は例3と同等である。
化合物(H1−1)を化合物(H3−1)に変更する以外は例4と同様の操作を行い、化合物(H3−1)中の−CF2CH2OH構造の86モル%以上が前記基(W5−2)に変換され、−(OCF2O)−が含まれない化合物(1−1B)を得る。収率は例4と同等である。
[例10−1a]撥水撥油性の評価例(その1)
例3で得た化合物(1−4A)(0.1g)、および1,3−ビストリフルオロメチルベンゼン(2g)を混合し、コーティング溶液aを調製した。フッ化セリウムで洗浄した50mm四方のガラス板表面にスピンコートにてコーティング溶液を塗布した。スピン回転速度は1500rpmであった。塗布後のガラス板を100℃の恒温槽に入れて12時間保持し、試験片aを作製した。
例3で得た化合物(1−4A)(0.1g)、1,3−ビストリフルオロメチルベンゼン(2g)、イソプロピルアルコール(0.5g)を混合する。これに1質量%のHCl水溶液(1.0g)を徐々に滴下する。滴下終了後、25℃に保温し7日間放置してコーティング溶液bを調製する。コーティング溶液bを用いて、例7−1aと同様に試験片bを作製し、評価を行うと、ガラス表面に撥水撥油性が付与される。
油性ペン(寺西化学工業(株)製、商品名:マジックインキ細書き用No.500)を用いて、例7−1aで作製した試験片のコーティングされた表面に長さ1cmの直線を書いた。油性ペンの付着状態について目視判定を行ったところ、コーティングされた表面で油性ペンが球状にはじかれていた。試験片表面に付着した油性ペンを、セルロース製不織布(旭化成(株)社製、商品名:ベンコットM−3)で拭き取ったところ、油性ペンを完全に拭き取ることができた。
オレイン酸スタンプによる模擬試験によって指紋除去性の評価を行った。例13で作製した試験片のコーティングされた表面にオレイン酸スタンプを押しつけ、オレイン酸を付着させた。スタンプ痕をセルロース製不織布にて拭取り、ヘーズ値の変化を観察したところ、7回の拭取りでスタンプ痕を完全に除去できた。
Claims (7)
- 下式(1)で表される含フッ素エーテル。
[W−Q1(O)e(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]3Y(1)
ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
Q1:−(OCH2CH2)c・(OCH2CH(OW)CH2)d−(ただし、cは0〜100の整数。dは0〜100の整数。Wは後述する基を示す。)を示す。
Q2:−CF2CF2O−を示す。
e〜h:eは0または1、fは0〜4の整数、gは1〜6の整数、hは3〜200の整数。ただし、eとgが1である場合のfは1〜4の整数。
Y:3価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または3価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、後者の基である場合には、該基中に−(OCF2O)−構造は存在しない。
W:下式(W1)〜(W6)で表される基から選ばれるいずれかの基を示し、eが1である場合のWの一部は水素原子であってもよい。
CH2=C(R1)CO−・・・(W1)
OCN(CH2)i−・・・(W2)
NC(CH2)j−・・・(W3)
(R3)3−m(R2)mSi(CH2)k−・・・(W4)
- 式(1)で表される化合物が、下式(1−1)で表される化合物〜式(1−5)で表される化合物から選ばれるいずれかの化合物である請求項1に記載の含フッ素エーテル。
[W1O(CH2)f(CF2)gO(Q2)h−]3Y1・・・(1−1)
[W2(CF2)gO(Q2)h−]3Y1・・・(1−2)
[W3CF2O(Q2)h−]3Y1・・・(1−3)
[W4(O)e(CH2)fCF2O(Q2)h−]3Y1・・・(1−4)
[W5OCH2CF2O(Q2)h−]3Y1・・・(1−5)
ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
Q2、e、f、g、h:前記と同じ意味を示す。
Y1:3価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または3価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、後者の基である場合には、該基中に−(OCF2O)−構造は存在しない。
W1:水素原子または前記式(W1)で表される基であり、3つのW1の少なくとも一つは式(W1)で表される基。
W2:前記式(W2)で表される基を示す。
W3:前記式(W3)で表される基を示す。
W4:前記式(W4)で表される基であり、eが1である場合のW4の1または2個は水素原子であってもよい。
W5:水素原子または前記式(W5)で表される基であり、3つのW5の少なくとも一つは式(W5)で表される基。 - ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定した分子量が500〜100万である請求項1または2に記載の含フッ素エーテル。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の含フッ素エーテルと有機溶媒とを含む溶液組成物。
- 含フッ素エーテルが、溶液組成物に対して0.01〜50質量%である請求項4に記載の溶液組成物。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の含フッ素エーテルを必須成分とする表面処理剤。
- 請求項6に記載の表面処理剤を部材表面に処理することによって、部材表面に被膜を形成させてなる処理部材。
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