JP4751873B2 - リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および基板テーブル - Google Patents

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Description

本発明は、リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に用いることができる。その場合、ICの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板(例えば、シリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば、ダイの一部、又は1つ以上のダイを含む)に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層上への結像によってなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および、放射ビームによってある特定の方向(「スキャン」方向)にパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
リソグラフィ投影装置内の基板を比較的高い屈折率を有する、例えば水といった液体に浸漬し、投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を満たすことが提案されている。これは、液体中では露光放射の波長が短くなり、より微細なフィーチャの結像が可能になるためである。(液体の効果としては、他にも、システムの有効開口数の増加や焦点深度の増大がある。)また、個体粒子(例えばクォーツ)が浮遊する水等、他の液浸液も提案されている。
しかし、基板又は基板および基板テーブルを液体槽に浸漬すること(例えば、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許4509852号を参照。)は、スキャン露光中に大量の液体を加速させなければならないことを意味する。これには追加の、またはより強力なモータが必要となり、さらに、液体の乱流によって予測不可能で望ましくなくない影響が出る可能性もある。
提案されている解決法の1つは、液体供給システムが、基板の局部的領域、および、投影システムの最終エレメントと基板との間にのみ液体を供給する方法である(通常、基板の表面エリアは、投影システムの最終エレメントの表面エリアよりも大きい)。この液体供給システムを構成するために提案された方法の1つが、参照により全体が本明細書に組み込まれるPCT特許出願公開第WO99/49504号に開示されている。図2および図3に示すように、液体は、少なくとも1つの入口INにより、好適には最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って基板上に供給され、投影システムの下方を通過した後、少なくとも1つの出口OUTによって除去される。つまり、基板がエレメントの下方で−X方向へスキャンされると同時に、液体が該エレメントの+X側で供給され、かつ−X側で除去される。図2の概略構成図では、液体が入口INを介して供給され、該エレメントの反対側において、低圧力源に連結された出口OUTにより除去される。図2において、最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って液体が供給されるが、液体の供給はこの場合に限らない。最終のエレメントの周囲に配される入口および出口については、さまざまな配向および数のものを使用することができる。図3に示す例では、1つの入口とその両側に配された2つの出口からなるセットが4つ、最終エレメントの周囲に規則的に設けられている。
空気は液体中を通過することが分かっている。その際に、空気は基板上に投影されたパターンのディストーションを起こし得る。
本発明の目的は、液体中への空気の通過を低減し得る、または液体の汚染を低減し得るリソグラフィ装置およびリソグラフィ方法を提供することである。
本発明の第1の様態によると、基板を保持する基板テーブル、パターン付与された放射ビームを基板上に投影する投影システム、投影システムと基板テーブルとの間の空間に液体を提供する液体供給システム、および、基板テーブルに設置され、開放構成から閉鎖構成へと動作可能なシールであって、閉鎖構成では、基板が基板テーブル上に位置するときに、基板と基板テーブルとの間のギャップを閉じるシールを備えるリソグラフィ装置が提供される。
本発明の第2の様態によると、リソグラフィ基板を保持する基板テーブルであって、開放構成から閉鎖構成へと動作可能なシールを備え、前記閉鎖構成においては、基板が基板テーブルにあるときに前記シールが基板と基板テーブルとの間のギャップを閉じる、基板テーブルが提供される。
本発明の第3の様態によると、基板テーブル上に基板を置くこと、基板と基板テーブルとの間のギャップを閉じるように、回転可能なリングおよびへりを動作させること、投影システムと基板テーブルとの間の空間に液体を供給すること、投影システムを通して基板上にパターンを投影すること、基板と基板テーブルとの間のギャップが再び開放するように回転リングを動作させること、および基板テーブルから基板を取り出すことを含む、リソグラフィ方法が提供される。
以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。
図1(a)は本発明のリソグラフィ装置を概略的に示している。リソグラフィ装置は以下を備える。
− 放射ビームPB(たとえばUV放射またはDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)IL。
− パターニングデバイス(たとえばマスク)MAを支持するように構成され、かつ一定のパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置付けするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(たとえばマスクテーブル)MT。
− 基板(たとえばレジストコートされたウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ一定のパラメータにしたがって基板を正確に位置付けするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(たとえばウェーハテーブル)WT。
− パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(たとえば1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(たとえば屈折投影レンズシステム)PL。
照明システムは、放射を誘導、整形または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組み合わせなどさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといったその他の条件に応じた様態でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、たとえば、投影システムに対して任意の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えてよい。
本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射ビームの断面にパターンを与えるために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(Alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(Attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜することができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを与える。
本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。
本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの(例えば、透過型マスクを採用しているもの)である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの(例えば、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイ又は反射型マスクを採用しているもの)であってもよい。
リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブル(および/または2つ以上のサポート構造)を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルまたはサポート構造を並行して使うことができ、あるいは、予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
図1を参照すると、イルミネータILは、放射ソースSOから放射ビームを受ける。ソースおよびリソグラフィ装置は、たとえば、ソースがエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、ソースは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射ソースSOからイルミネータILへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。別の場合においては、ソースは、たとえば、ソースが水銀ランプである場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。ソースSOおよびイルミネータILは、必要であればビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。
イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調節すれば、放射ビームの断面に任意の均一性および強度分布を持たせることができる。
放射ビームPBは、サポート構造(たとえばマスクテーブル)MT上に保持されているパターニングデバイス(たとえばマスク)MA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスMAを通り抜けた後、放射ビームPBは、投影システムPLを通過し、投影システムPLは基板Wのターゲット部分C上にビームを集束させる。後述される液浸フードIH(液体閉じ込め構造を含む)は、投影システムPLの最終エレメントと基板Wとの間の空間に液浸液を供給する。
第2ポジショナPWおよび位置センサIF(たとえば干渉デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ)を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームPBの経路内に位置付けるように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ(図1には明示されていない)を使い、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームPBの経路に対して正確に位置づけることもできる。通常、サポート構造MTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)を使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は(スキャナとは対照的に)、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2、および基板アライメントマークP1、P2を使って、位置合わせされていてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分の間の空間(これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である)内に置くこともできる。同様に、複数のダイがパターニングデバイスMA上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイの間に置かれてもよい。
例示の装置は、以下のモードの少なくとも1つで使うことができると考えられる。
1.ステップモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付与されたパターン全体を一度に(すなわち、単一静止露光)ターゲット部分C上に投影する。基板テーブルWTは、つぎにXおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に投影されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを同時にスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かすまたはスキャンする一方で、放射ビームをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
上述の使用モードの組み合わせおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なるモードもまた採用可能である。
それぞれ参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開1420300号および米国特許出願公開US2004−0136494号では、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の思想が開示されている。このような装置には、基板を支持するための2つのテーブルが設置される。レベリング測定は第1位置のテーブルを用いて、液浸液を用いずに行われ、露光は液浸液のある第2位置のテーブルを用いて行われる。あるいは、リソグラフィ装置は1つのテーブルのみを有する。本発明の実施形態は、上述のようなデュアルステージ液浸リソグラフィ装置に適用可能である。
局所液体供給システムを用いた、さらなる液浸リソグラフィ解法を図4に示す。液体は、投影システムPLの片側にある2つの溝入口INにより供給され、入口INの外側で放射状に配列された複数の離散的出口OUTにより除去される。入口INおよびOUTは中心に穴のあるプレート上に配置することができ、該穴を通して投影ビームが投影される。液体は、投影システムPLの片側にある1つの溝入口INにより供給され、また、投影システムPLの別の側にある複数の離散的出口OUTにより除去され、それによって投影システムPLと基板Wとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口INおよび出口OUTのどの組み合わせを使用するかは、基板Wの移動方向に応じて選択できる(別の入口INおよび出口OUTの組み合わせは作動しない)。
提案されている局所液体供給システム解決法を用いた別の液浸リソグラフィ解決法は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間にある空間の境界の少なくとも一部に沿って延伸する液体閉じ込め構造を備える液体供給システムを提供することである。このような解決法が図5に示される。液体閉じ込め構造は、Z方向(光軸方向)の相対動作が多少はあるかもしれないが、実質的にはXY平面において投影システムに対し静止状態にある。本実施例では、液体閉じ込め構造と基板表面との間にシールが形成され、該シールはガスシールのような非接触シールであってよい。
液体閉じ込め構造12は、投影システムPLの最終エレメントと基板Wとの間の空間11において少なくとも部分的に液体を含む。基板表面と投影システムの最終エレメントとの間の空間に液体が閉じ込められるように、基板への非接触シール16を投影システムのイメージフィールドに形成することができる。空間の少なくとも一部は、投影システムPLの最終エレメントの下および周囲に位置する液体閉じ込め構造12により形成される。液体は液体入口13によって投影システムの下かつ液体閉じ込め構造12の中の空間に導かれ、液体出口13により除去することができる。液体閉じ込め構造12は、投影システムの最終エレメントより少し上まで伸びてもよく、そうすると液体レベルは最終エレメントより上に上がり、それが液体の緩衝となる。液体閉じ込め構造12は内周を有する。本実施形態において、該内周の上端は投影システムまたはその最終エレメントの形状に厳密に一致しており、たとえば、円形であってもよい。底部では、内周はイメージフィールドの形状に厳密に一致しており、たとえば矩形であるが、その限りではない。
液体はガスシール16により空間11内に収められており、該ガスシールは、使用される際に液体閉じ込め構造12の底部と基板Wの表面との間に形成される。ガスシールは、たとえば空気または合成空気といったガスにより形成されるが、ある実施形態においては、圧力を受けると入口15を通して液体閉じ込め構造12と基板との間のギャップへ供給され、かつ出口14を通して抽出されるNまたはその他の不活性ガスにより形成される。ガス入口15への過度の圧力、出口14での真空レベル、およびギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める高速気体流が内側に向けて生じるように設定される。上述の入口/出口は空間11を囲む環状溝であってもよく、ガス16の流れは空間11内に液体を効果的に収める。このようなシステムは米国特許出願公開US2004-0207824号に開示されており、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
図6は基板テーブルWTの断面を模式的に示す。基板テーブルWTは、外側部分100および基板受け部102を有する。基板Wは基板受け部102上にある。基板テーブルWTの外側部分100に設けられる凹部106には、光ディテクタおよび関連する電子機器104が設置される。基板テーブルの基板受け部102には、基板受け部から上方に突き出た突起部108のアレイが設けられる。基板Wは突起部108の上に置かれる。突起部108は、汚染粒子が該突起部間で留まり、基板Wと接触しないような寸法とされる。
基板Wは、基板テーブルWTの基板受け部102に設けられた凹部110内に置かれる。凹部110は、基板が置かれているときに、基板Wの上面が基板受け部102の側部112の上面と実質的に平行になるような寸法とされる。
基板Wは、使用中は図示しない基板ハンドラにより基板テーブルWTへ搬送される。パターンはリソグラフィ装置の投影システムPL(図1〜図4を参照)を通して基板上に投影される。パターン投影が完了すると、基板ハンドラにより基板Wは基板テーブルWTから取り出され、他の基板と交換される。基板受け部102は、基板テーブルの外側部分100の所定位置に留まる(すなわち、リソグラフィ装置の動作中は外側部分100から取り出されない)。
ギャップ114は基板受け部102と基板テーブルの外側部分100との間にある。さらなるギャップ116が、基板Wの外縁と基板テーブルWTの基板受け部102との間にある。基板テーブルの基板受け部102と外側部分100との間のギャップは、たとえば接着プラスチックテープ118をギャップ上に固定することによって閉じることができる。しかしながら、基板Wの端部と基板テーブルWTの基板受け部102との間のギャップ116を閉じる際には、上述の方法は使用できない。これは、リソグラフィ装置の動作中に、基板を基板受け部に取り付けおよび取り外し可能である必要があるという理由による。
本発明のある実施形態においては、開放構成と閉鎖構成との間を移動可能であって、それによりギャップを開閉するシールを用いて、基板と基板テーブルとの間のギャップ116が開閉される。
図7は基板W、基板テーブルの基板受け部102、および本発明を具体化するシール304の部分断面図である。
基板テーブルの基板受け部102に形成される環状凹部306内には、シール304 が設けられる。
シール304は、凹部306内にあるガイドサポート構造318にて保持されるリング312を備える。リング312の断面は部分的に円形であるが、凹部306の上端にてギャップ116から延伸する上部には、へり314が設けられる。へりの断面は、たとえば30ミクロン以下、25ミクロン以下、または20ミクロン以下であってよい。リング312のへりに隣接する部分の断面は平坦であり、以下においてこの部分をリングの平坦部316と呼ぶ。
作動機構は、リングの平坦部316に隣接する位置にてリング312に取り付けられたフレキシブルシート310を備える。フレキシブルシートは、基板テーブルの基板受け部102の最下部表面に設けられた開口部を通して延伸する。フレキシブルシートは、コントローラ332により制御されるモータ330に連結される。コントローラ332はモータ330を制御して、所望のタイミングでフレキシブルシート310を引く。また、コントローラ332はモータ330を制御して、所望のタイミングでフレキシブルシート310を押してもよい。モータ330およびコントローラ332は基板テーブルWTに設けることができる。あるいは、これらのうち一方または両方が、基板テーブルWT以外の場所に設けられてもよい。
リング312はガイドサポート構造318によって保持される。ガイドサポート構造は基板テーブルの基板受け部102における凹部306に合うような寸法とされる。ガイドサポート構造318は、リング312を受けるよう構成された湾曲した内側表面320を有する。該湾曲表面の上端および下端は、リングを保持する接触点322を備える。接触点322は、たとえば気体軸受、弾性軸受、またはその他の軸受といった軸受を備えてもよい。リング312は、ガイドサポート構造318により回転することができる。
基板テーブルの基板受け部102における凹部306の内部は、垂直壁306aおよび内側に向かったテーパ形の上壁306bを含む。内向きのテーパ上壁(inwardly tapering upper wall》306bは、基板Wと基板テーブルの基板受け部102との間のギャップ116を狭める。リング312の平坦部316は、(少なくとも部分的に)凹部のテーパ上壁306に隣接する位置にある。
リング312は、たとえばポリマーといった弾性素材により形成することができる。該弾性素材はDUV放射に耐性を有し得る。あるいは、該素材はDUVに耐性を有していなくてもよい(または部分的にのみ耐性を有していてもよい)。その場合、リング312の表面の一部または全面が、たとえばDUV耐性フィルムでコーティングされていてもよい。
リング312は、ガイドサポート構造318内で回転可能である。リングの動きが図8に示される。リングは、第1構成(図8aに示す)から第2構成(図8bに示す)へと回転することができる。
リング312が第1構成にあるとき、へり314は上方かつギャップ116から外側に向かって延伸する。この様子は図9aにおいてより詳しく示される。図9aには基板W, 基板テーブルの基板受け部102、リング312、およびガイドサポート構造318の断面が示される。図9aにおいて、へり314はギャップ116から外側に向かって延伸し、基板Wとは接触しない。リング312 が第1構成にあるとき、基板Wは基板テーブルから取り出すことができる。第1構成は、開放構成と称される。
リング312が第2構成へと回転し終えると、へり314はリング315の露出部分と共に、ギャップ116を閉じるように動く。へり314は基板Wに対してシールを形成することができる。この様子は図9bにおいてより詳しく示される。図9bにおいて、へり314は基板Wの上面と接触する。第2構成は、閉鎖構成と称される。へり314は基板Wの端部に重なり合うため、リングが閉鎖構成にあるときは基板Wを基板テーブルから取り出すことができない。
リング312が閉鎖構成にあるとき、へり314およびリング315の露出部分はギャップ116を閉じている。これにより、液浸リソグラフィに使用される液体がギャップ116へ流れ込むことを防ぐ。液体がギャップ116へと流れ込むと、ギャップから投影システムPLの最終エレメントと基板Wとの間の空間11(図5参照)へ空気が押し出される可能性があることが分かっている。そうなった場合、基板上に投影されるパターンが空気により歪められる。このため、ギャップ116を閉じることによりギャップへ液体が流れ込むことを防ぎ、また投影システムの最終エレメントと基板との間の空間へ空気が流れ込むことを防ぎ、それによって基板上に投影されるパターンの歪みを減らす。液体が汚染するリスクも少なくなる。
ギャップへの液体の流入を防ぐための公知の代替方法として、適切に位置決めされた液体抽出装置の使用がある。この従来技術である液体抽出装置は、ギャップへの液体の流入を防ぐために基板の周辺から液体を抽出するが、その際、基板付近の液体が蒸発する。そのため基板が冷却されて該基板に歪みが生じ、そうすると今度はパターンを基板上に投影することのできる精度が低下する。本発明の実施形態では基板が局所的に冷却されず、上述のような不都合は回避される。
へり314は、ギャップ116が実質的に密閉され、液体がギャップへ流れ込まないように配置される。もしくは、へりはたとえばギャップを閉じても完全密閉しようになされてよく、そうすることでギャップ116への液体の流入は、該流入した液体が容易に取り除ける程度にまで減少する(また、上述の局所的冷却の問題が回避される)。
へり314は基板Wと接触していてもよく、また基板を押すように構成されてもよい。しかしながら、へりがギャップ116への液体の流入を防ぐために、必ずしもへり314は基板Wと接触しなくてもよい。
へり314、たとえばへりの底面には、疎水性コーティングがなされていてもよい。へり314と基板Wとの間にいくらかの隔たりがある場合、疎水性コーティングによって水(または、液浸リソグラフィ中に使用される他の液体)の流入を防ぐことができる。
リング312は、フレキシブルシート310を引く、または押すことにより回転する。これは、モータ330を用いることで達成可能である(図7参照)。たとえば、リングが開放構成(図8aおよび図9aに示される)にある場合、フレキシブルシート310を引いてリングを閉鎖構成(図8bおよび図9bに示される)へ移動させることができる。リング312が閉鎖構成へと動かされた後も、フレキシブルシートに引く力(pulling force)をかけ続けることができる。これは、たとえばへり314が基板Wを押すようにへりを基板Wへ付勢するためにして行うことができる。このようにすることでギャップ116を実質的に密閉するよう助けることができ、またそれによってギャップへの液体の流入を防ぐ。
リング312を開放構成へと移動させるために、フレキシブルシート310を(たとえばモータによって)押すことができる。そのために、フレキシブルシート310は、該フレキシブルシートを押す力がリングにまで伝わるよう十分な剛性を有しているべきである。
リングは使用中において、最初は開放構成にある。基板Wは、基板テーブルWTの基板受け部102上に置かれる。その後、コントローラ332はモータ330を用いてフレキシブルシート310に引く力を加える。それによってリング312が閉鎖構成へと回転するため、へり314とリング315の露出部分が基板Wと基板テーブルの基板受け部102との間のギャップ116を閉じる。その後、投影システムPLと基板Wとの間にある液体を用いて、基板上へパターンのリソグラフィ投影が行われる(すなわち液浸リソグラフィ)。ギャップが閉じられているため、ギャップ116への液体の流入は妨げられる。
上述のように、へり314の厚さは30ミクロン(またはそれ以下)とされる。これは、へり314の存在によって液体閉じ込め構造の動作を妨げない程度に十分な薄さである。すなわち、リソグラフィ投影の間に液体閉じ込め構造はへりと接触しない。ある場合には、30ミクロンより厚いへり314を設けることも可能である。一般的に、へり314はリソグラフィ投影中に液体閉じ込め構造に接触しない程度に十分に薄い。
へり314の長さは、へりが基板Wの外周部を越えて延伸するような長さとされる。たとえば、へりは基板の外周部の最初の2mmを越えて延伸する程度に十分な長さ(たとえば直径300mmの基板に対して)を有してよい。へりは、使用中には少なくとも基板Wの平坦部(図9に示すように、基板の端部は湾曲している)まで延伸する程度に十分な長さを有する。へりは、使用中には少なくとも基板上のトップコートまで延伸する程度に十分な長さを有してもよい。へりはまた、使用中に、基板においてエッジビーズが除去された部分を超えるような十分な長さを有してもよい。汚染はしばしば基板の周辺部で発見されるため、へりが確実に基板の外周部を越えて延伸することにより、液体に入り込む汚染量の減少に役立つ。
基板上へのパターン投影が完了した時点で、コントローラ332は、モータ330を用いてフレキシブルシート310へ引く力を加えることを止める(またはモータ330を用いて押す力(pushing force)を加える)。このようにしてリング312は回転構成へと移動し、それによって基板テーブルWTから基板Wを取り除くことができるようになる。その後、新たな基板が基板テーブルに置かれ、処理が繰り返される。
リング312がフレキシブルシートを使用して回転することは必須ではない。あらゆる適切な作動機構を使用することができ、たとえば、溝(図示しない)をリングに設けることができる。該溝は、リングを回転させるために使用し得る1つ以上の回転可能な歯車の歯を受けるように位置づけられる。あるいは、複数のワイヤ、テープ、またはコードを、リング周辺のそれぞれ異なる位置でリングに取り付けてもよい。ワイヤ、テープ、またはコードは、フレキシブルコネクタの例として考えてよい。フレキシブルコネクタは、フレキシブルシートの操作と同じ方法で操作することができる。たとえば、1つまたは複数のモータによって起動することができる。
図10は、リング312を単独で示す(すなわち、基板テーブル、基板、またはガイドサポート構造は示されない)。リング312の回転は矢印により示される。
リング312は、最初からある構成へと付勢されているように形成できる。たとえば、リング312は最初から開放構成へと付勢されているように構成してよい。これは、たとえばリング312の形成に使用される弾性素材の弾力性を考慮することによって達成され得る。リングは、たとえば開放構成にあるリング312を形成する鋳型を使って形成することができる。このような場合、力を加えてリング312を閉鎖構成へと回転させ、またリングを閉鎖構成で保持しなければならない。力を解放することで、リングを開放構成へ戻すことができる。
リングが円形であることは必須ではなく、その他の適切な形とすることもできる。しかしながら、リングが基板周辺に延伸することが望ましい。リングが実質的に円形断面を有することは必須ではなく、その他の適切な形状の断面を有し得る。しかしながら、リングが開放構成と閉鎖構成との間で動作するような断面形状を有することが望ましい。
ガイドサポート構造318が円形形状である必要はなく、その他の適切な形状を有してよい。
リングが基板周辺で連続的に延伸する必要はない。たとえば、基板の各部がギャップの異なる部分を閉じるように動作する部分複合構造(multiple part structure)であってよい。また該構造の異なる部分同士が重なり合ってもよい。
本明細書にて説明された実施形態は、基板と基板テーブルとの間のギャップの代わりに、またはそれに加えて2つの構造間のギャップを選択的に密閉するようなその他の構成にも適用可能である。
本明細書では、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドの製造といった他の用途を有することが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語がすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であると考えてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、例えば、トラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、メトロロジーツール、および/または、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、例えば、多層ICを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語が、既に多層処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線(UV)放射(例えば、約365nm、248nm、193nm、157nm、又は126nmの波長を有する)を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折および反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのうちいずれか1つ又は組合せを指すことができる。
以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、当然のことながら、本発明は上述以外の態様で実施することも可能である。例えば、適用可能な場合には、本発明は上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能な指示のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又は、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記録媒体(例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク)の形態であってもよい。
本発明の実施形態は、基板の局所的な表面エリアに液体が与えられる液浸リソグラフィ装置にについて説明されたが、本発明はまた、基板、または基板および基板テーブルが液浴に浸漬する液浸リソグラフィ装置にも適用可能である。
本発明の1つ以上の実施形態は、あらゆる液浸リソグラフィ装置に適用可能であり、特に、液浸液を浴部の形で備える場合でも基板の局所的な表面エリアにのみ与える場合でも、上述のタイプの液浸リソグラフィ装置に適用できるが、それに限らない。本明細書において説明された液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態では、液体供給システムは投影システムと基板および/または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組み合わせであってもよい。液体供給システムは、液体を該空間に提供する1つ以上の構造体、1つ以上の液体入口、1つ以上のガス入り口、1つ以上のガス出口、および/または1つ以上の液体出口の組み合わせを備えることができる。ある実施形態においては、スペースの表面は基板および/または基板テーブルの一部分であってもよく、または、スペースの表面は基板および/または基板テーブルの表面に完全に覆われていてもよい。液体供給システムはさらに、液体の位置、量、質、形状、流速、またはその他のあらゆる液体の特性を制御するための1つ以上のエレメントを任意に含むことができる。
液浸リソグラフィ装置において使用される液浸液は、使用される露光放射の所望の特性および波長に合わせてさまざまな組成を有することができる。193nmの露光波長に、対しては、超純水または水性組成を使用することができ、そのため、液浸液は水と呼ばれる場合もあり、親水性、疎水性、湿度等、水に関連する表現を使うことができる。
上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。
本発明が適用され得るリソグラフィ装置を示す。 リソグラフィ装置において使用される液体供給システムを示す。 リソグラフィ装置において使用される液体供給システムを示す。 リソグラフィ装置において使用される別の液体供給システムを示す。 リソグラフィ装置において使用される別の液体供給システムを示す。 本発明が適用され得るリソグラフィ装置の基板テーブルを示す。 本発明の実施形態による、リソグラフィ装置の基板テーブルにおける原位置での(in situ)シールを示す。 本発明の実施形態による、リソグラフィ装置の基板テーブルにおける原位置でのシールを示す。 本発明の実施形態による、リソグラフィ装置の基板テーブルにおける原位置でのシールを示す。 本発明の実施形態による、リソグラフィ装置の基板テーブルにおける原位置でのシールを示す。 本発明の実施形態による、リソグラフィ装置の基板テーブルにおける原位置でのシールを示す。 シールを示す。

Claims (19)

  1. 基板を保持する基板テーブル、
    パターン付与された放射ビームを基板上に投影する投影システム、
    前記投影システムと前記基板テーブルとの間の空間に液体を提供する液体供給システム、および
    前記基板テーブルに設置され且つ開放構成から閉鎖構成へと動作可能なシールであって、該閉鎖構成では、基板が前記基板テーブル上にあるときに、基板と前記基板テーブルとの間のギャップを閉じるシールを備え
    前記シールは回転可能なリングおよびへりを備え、前記リングおよびへりは、前記シールが閉鎖構成にあるときに基板と前記基板テーブルとの間のギャップを閉じる、
    リソグラフィ装置。
  2. 前記リングの断面は実質的に円形である、
    請求項に記載の装置。
  3. 前記リングは弾性素材から作られる、
    請求項1又は2に記載の装置。
  4. 前記リング表面は部分的または全面にDUV耐性フィルムを備える、
    請求項に記載の装置。
  5. 前記へりは、リソグラフィ投影中にリソグラフィ装置の液体閉じ込め構造と接触しない程度に十分に薄い、
    請求項1乃至4の何れかに記載の装置。
  6. 前記へりの厚さは30ミクロンまたはそれより小さい、
    請求項1乃至5の何れかに記載の装置。
  7. 前記シールは、前記回転可能なリングを支持するガイドサポート構造をさらに備える、
    請求項1乃至6の何れかに記載の装置。
  8. 前記ガイドサポート構造は1つ以上の軸受けを用いて前記リングを支持する、
    請求項に記載の装置。
  9. 前記リングに力を加えて回転させるフレキシブルシートまたは複数のフレキシブルコネクタをさらに備える、
    請求項1乃至8の何れかに記載の装置。
  10. 前記フレキシブルシートまたは前記複数のフレキシブルコネクタはモータに連結する、
    請求項に記載の装置。
  11. 基板が基板テーブル上に置かれるとき、または基板テーブルから取り出されるときに前記シールを開放構成へと移動させ、パターンが基板上に投影されるときに前記シールを閉鎖構成へと移動させるコントローラをさらに備える、
    請求項1乃至10の何れかに記載の装置。
  12. 前記シールは前記基板テーブルの凹部にある、
    請求項1乃至11の何れかに記載の装置。
  13. 前記ガイドサポート構造は前記基板テーブルの凹部にある、
    請求項7乃至12の何れかに記載の装置。
  14. 前記シールは基板と前記基板テーブルとの間のギャップを密閉し、それによってギャップへの液体の流入を防ぐ、
    請求項1乃至13の何れかに記載の装置。
  15. 前記へりには疎水性コーティングがなされる、
    請求項1乃至14の何れかに記載の装置。
  16. 前記へりは、使用時に基板の周辺部を越えて延伸する程度に十分に長い、
    請求項1乃至15の何れかに記載の装置。
  17. 前記へりは、使用時には基板のエッジビーズ除去がなされた部分を越えて延伸する程度に十分に長い、
    請求項16に記載の装置。
  18. リソグラフィ基板を保持する基板テーブルであって、開放構成から閉鎖構成へと動作可能なシールとを備え、前記閉鎖構成においては、基板が基板テーブルにあるときに前記シールが基板と基板テーブルとの間のギャップを閉じ
    前記シールは回転可能なリングおよびへりを備え、前記リングおよびへりは、前記シールが閉鎖構成にあるときに基板と前記基板テーブルとの間のギャップを閉じる、
    基板テーブル。
  19. 基板テーブル上に基板を置くこと、
    基板と基板テーブルとの間のギャップを閉じるように、回転可能なリングおよびへりを動作させること、
    投影システムと基板テーブルとの間の空間に液体を提供すること、
    投影システムを通して基板上にパターンを投影すること、
    基板と基板テーブルとの間のギャップが再び開くように回転可能なリングを動作させること、および、
    基板テーブルから基板を取り出すこと、
    を含むリソグラフィ方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2003575A (en) 2008-10-29 2010-05-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2004305A (en) * 2009-03-13 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2004807A (en) * 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Substrate table for a lithographic apparatus, litographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method.
NL2006244A (en) 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, cover for use in a lithographic apparatus and method for designing a cover for use in a lithographic apparatus.
NL2006203A (en) * 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Cover for a substrate table, substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
JP5313293B2 (ja) 2010-05-19 2013-10-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、リソグラフィ装置で使用する流体ハンドリング構造およびデバイス製造方法
JP2012134290A (ja) * 2010-12-21 2012-07-12 Nikon Corp 露光装置、露光装置のステージ製造方法及びデバイス製造方法
JP2014045090A (ja) * 2012-08-27 2014-03-13 Toshiba Corp 液浸露光装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4742797A (en) * 1987-06-25 1988-05-10 Xerox Corporation Tear drop seal
US6059879A (en) * 1997-08-22 2000-05-09 Micron Technology, Inc. Method of forming semiconductor wafers, methods of treating semiconductor wafers to alleviate slip generation, ingots of semiconductive material, and wafers of semiconductive material
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
US6136163A (en) * 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
FR2812450B1 (fr) * 2000-07-26 2003-01-10 France Telecom Resine, bi-couche de resine pour photolithographie dans l'extreme ultraviolet (euv) et procede de photolithogravure en extreme ultraviolet (euv)
US6461155B1 (en) * 2001-07-31 2002-10-08 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for heating substrates in supercritical fluid reactor
US6680774B1 (en) * 2001-10-09 2004-01-20 Ultratech Stepper, Inc. Method and apparatus for mechanically masking a workpiece
EP1429188B1 (en) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
SG2010050110A (en) * 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置
KR101729866B1 (ko) * 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP4513534B2 (ja) 2003-12-03 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
TWI530762B (zh) * 2003-12-03 2016-04-21 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
US7517639B2 (en) * 2004-06-23 2009-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Seal ring arrangements for immersion lithography systems
US7501226B2 (en) * 2004-06-23 2009-03-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Immersion lithography system with wafer sealing mechanisms
US7304715B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006120889A (ja) 2004-10-22 2006-05-11 Sony Corp 半導体装置の製造方法及びその方法に用いられる半導体ウェハホルダ
JP2006173527A (ja) 2004-12-20 2006-06-29 Sony Corp 露光装置
JP2006202825A (ja) 2005-01-18 2006-08-03 Jsr Corp 液浸型露光装置
JP2006237255A (ja) 2005-02-24 2006-09-07 Nikon Corp 光学特性測定装置、光学特性測定方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4548789B2 (ja) 2005-11-18 2010-09-22 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 ウェーハ封止機構を有する液浸リソグラフィシステム
US20070126999A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for containing immersion liquid in immersion lithography
US8027019B2 (en) * 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

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