JP4748676B2 - 電流検出装置 - Google Patents

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本発明は被測定系の電流を検出する電流検出装置に関する。
従来より、外部の電流を検出し電気信号に変換する電流検出装置が電力量計、電力計、電流計等の測定器に使用されてきている。当該電流検出装置は電流を磁界に変換する電流−磁界変換部と、磁界を電気信号に変換する磁気センサ部とを具備している。また、磁気センサに半導体素子であるホール素子を用いたものがある。(例えば特許文献1)
特開2000−249726号公報(第8頁、図1)
電流を磁界に変換する電流−磁界変換部と、磁界を電気信号に変換する磁気センサ部とを具備した電流検出装置が普及していることは前述のとおりである。従来の電流検出装置において、当該磁気センサ部に半導体センサであるホール素子等が使用されている。当該ホール素子は半導体素子であるため磁界を電圧に変換する感度の温度変化が大きいという問題点があった。
本発明は前記問題点に鑑み、磁界を電圧に変換する磁気センサが持つ感度の温度勾配を補償し、高精度の電流検出装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1に係る電流検出装置は、外部電流に正比例した磁界を発生する電流・磁界変換手段と、前記電流・磁界変換手段により発生された磁界を検出する磁気センサとしてのホール素子と、正転入力端子を接地電位とし、反転入力端子が前記ホール素子の第一の電圧出力端子に接続され、出力が前記ホール素子の第一の電流端子に接続された演算増幅器と、一定の直流電圧を発生し、かつ、温度によりその抵抗値が変わる温度勾配を有する温度抵抗器からなる温度補償手段を備えた電圧発生手段と、前記ホール素子の第二の電流入力端子と前記電圧発生手段との間に接続され、前記ホール素子の持つ温度勾配を軽減する抵抗値を有する抵抗器と、を具備したことを特徴とする。
また、請求項2に係る電流検出装置は、請求項1記載の電流検出装置において、前記ホール素子の第一の出力端子に接続された第一の増幅手段と、前記ホール素子の第二の出力端子に接続された第二の増幅手段と、を具備したことを特徴とする。
本発明によれば、磁界を電圧に変換する磁気センサが持つ感度の温度勾配を補償し、高精度の電流検出装置を提供することができる。
以下、本発明の実施例を説明する。
本発明による電流検出装置の実施例1につき図1を参照して説明する。
図1(a)は電流・磁界変換手段の概観図であって、110は電流線で、銅等の導電性のある金属により構成されており、端子A1、A2を介し被測定系の電流を導通する。
120はコアで、フェライト等の磁性材料にて構成されており、電流線110に流れる電流に正比例した磁界B1を発生する。
図1(b)は電流検出装置であって、130はホール素子で、シリコン等の半導体により構成されており、コア120のエアギャップ部分に挟持され、コア120が発生した、被測定電流に正比例した磁界B1を検出する。なお、ホール素子130は電流端子T1、T2ならびに電圧出力端子T3,T4を有している。
140は定電圧回路で演算増幅器141、基準電圧源142、温度抵抗器R1、抵抗器R2、R3により構成されており、一定の直流電圧E1を出力する。なお演算増幅器141は温度抵抗器R1、抵抗器R2、R3とともに正相増幅器を構成している。
R4は抵抗器で、一端を定電圧回路140に、他端をホール素子130の一の電流端子T1に接続され、ホール素子130に流れる電流を制限する。
160は演算増幅器で、正転入力端子(+端子)は接地電位に、反転入力端子(−端子)はホール素子130の一の電圧出力端子T4に、出力はホール素子130の一の電流端子T2に接続され、ホール素子130の電圧出力端子T4が、略接地電位となるように制御する。
170は増幅器で、演算増幅器171、抵抗器R5、R6により構成されており、ホール素子130の電圧出力端子T3に現れる電圧を増幅する。なお演算増幅器171は抵抗器R5、R6とともに正相増幅器を構成している。
180は増幅器で、演算増幅器181、抵抗器R7、R8により構成されており、ホール素子130の電圧出力端子T4に現れる電圧を増幅する。なお演算増幅器181は抵抗器R7、R8とともに正相増幅器を構成している。
191、192は出力端子で、被測定系の電流に正比例した電圧を出力する。
次に、本実施例の動作を図1、図2、図3を参照しつつ説明する。
コア120は電流線110に流れる被測定系の電流を、正比例した磁界B1に変換し、ホール素子130に印加する。ホール素子130は出力端子T3、T4間に電圧Voutを出力する。当該Voutは次式で表わされる。
Vout=K*・Vin・B1 ・・・・・・(1)
ここでK*は温度20℃でのホール素子の感度、Vinはホール素子130の電流端子T1、T2間に印加される電圧、B1はコア120により変換された被測定系の電流に正比例した磁界である。
ところで、ホール素子130の内部は図2に示すような等価回路となっている。つまり抵抗器Ra、Rb、Rc、Rdがブリッジ状に組合された等価回路となっている。また、演算増幅器160と抵抗器R4を含む等価回路を図3に示す。
各抵抗Ra、Rb、Rc、Rdは印加される磁界B1により変動し、印加される磁界B1に正比例した電圧を電圧出力端子T3、T4に出力する。しかしその抵抗値の変化分は微量でありRa、Rb、Rc、Rdの各抵抗値は温度20℃で略Roである。ホール素子130の電圧出力端子T4は演算増幅器160により接地電位になるよう制御されており、ホール素子130のT1、T2間に流れる電流Iinは以下のようになる。
Iin=E1/(R4+Ro/2) ・・・・・・・・・(2)
よって、ホール素子130の電流端子T1、T2間に印加される電圧Vinはホール素子130の電流端子T1、T2間の抵抗値がRoであることより以下のようになる。
Vin=Iin・Ro=E1・Ro/(R4+Ro/2) ・・・(3)
よって、ホール素子130が出力端子T3、T4間に出力する電圧Voutは以下のようになる。
Vout=K*・Vin・B1
=K*・B1・E1・Ro/(R4+Ro/2) ・・・・(4)
また、ホール素子130の感度は温度に対してpなる勾配を有しており、その感度K*tは以下の式で表わされる。
K*t=K*・(1+p(t−20)) ・・・・(5)
ここでK*は温度20℃時のホール素子130の感度、tは温度(摂氏)である。なお、実際のpは−0.005程度である。
またホール素子130の電流端子T1、T2間の抵抗値は温度に対してqなる勾配を有しており、その抵抗値Rtは以下の式で表わされる。
Rt=Ro・(1+q(t−20)) ・・・・(6)
ここでRoは温度20℃時のホール素子130の電流端子T1、T2間抵抗値、tは温度(摂氏)である。なお実際のqは+0.008程度である。温度を考慮し上記(4)式に(5)式(6)式を代入すると
Vout=K*t・Vin・B1
=K*t・B1・E1・Rt/(R4+Rt/2)
=K*・(1+p(t−20))・B1・E1・Ro・(1+q(t−20))
/(R4+Ro・(1+q(t−20))/2 ・・・・(7)
となる。
分子は温度勾配pとqが逆であるため相殺する方向であるが、pよりqの絶対値のほうが大きく、依然として、分子の積は全体として温度に対して正方向の勾配を持つ。一方分母は温度勾配を持たないR4を含んでおり、その大きさを選択することにより、分母におけるRoの温度勾配の影響を制御することができる。よってR4の値を大小させることによりVout全体の温度勾配を抑制することが可能である。
例えば、上記のごとくp=−0.005、q=+0.008の場合、R4を2.357Roなる値とすれば20℃と60℃での温度勾配を軽減することができる。なお前述のpならびにqの値は一例であり、素子ごとに異なるため、実験等によりp、qを求め適切なR4を選定することが必要とされる。
定電圧発生回路140は基準電圧源142の出力電圧を演算増幅器141、温度抵抗R1、抵抗R2、R3からなる正相増幅器にて増幅し、抵抗器R4を介しホール素子130の電圧端子T1にE1なる電圧を印加している。基準電圧源142の出力電圧をVrefとすると定電圧回路140の出力電圧E1は
E1=Vref・(1+(R1+R2)/R3) ・・・・(8)
で表わされる。ここでR1は温度によりその抵抗値が変わる温度勾配を有する温度抵抗器である。前述の抵抗R4の選定にておおまかな温度補償を行うことが可能であるが、さらに温度勾配の微調節を行う場合、当該R1の抵抗値の温度勾配を選択することにより、よりきめ細かな温度補償を行うことが可能である。
演算増幅器160の正転入力端子(+端子)は接地電位に、反転入力端子(−端子)はホール素子130の一の電圧出力端子T4に、出力はホール素子130の一の電流端子T2に接続され、ホール素子130の電圧出力端子T4は、略接地電位となるように制御される。ホール素子130の出力電圧は電圧出力端子T3、T4から出力されるが、これにより、T4の電位を接地電位近傍に保つことができる。
増幅器170はホール素子130の電圧出力端子T3の出力電圧Vt3を増幅している。演算増幅器171は抵抗器R5、R6と正相増幅器を構成しておりその出力電圧Vout1は
Vout1=Vt3・(1+R5/R6) ・・・・・・・(9)
である。
増幅器180はホール素子130の電圧出力端子T4の出力電圧Vt4を増幅している。演算増幅器171は抵抗器R7、R8と正相増幅器を構成しておりその出力電圧Vout2は
Vout2=Vt4・(1+R7/R8) ・・・・・・・(10)
である。ここでR7の抵抗値はR5と、R8の抵抗値はR6と等しくすれば
Vout2=Vt4・(1+R5/R6) ・・・・・・・(11)
となる。
演算増幅器160のオフセット電圧がゼロであるならホール素子130の出力電圧端子T4の電位は接地電位となりVout2は接地電位となる。しかし、演算増幅器160は現実にはオフセット電圧を有する。また、演算増幅器160はホール素子130を駆動するにあたり、比較的大きな電流を出力するため、オフセット電圧をさらに増大させる。その結果、ホール素子130の電圧出力端子T4は接地電位とはならない。このため増幅器180にてこのオフセット電圧を増幅している。
出力端子191、192間に現れる電圧をVoutとすると、当該出力電圧Voutは
Vout=Vout1−Vout2
=Vt3・(1+R5/R6)−Vt4・(1+R5/R6)
=(1+R5/R6)・(Vt3−Vt4) ・・・・・・(12)
となりホール素子電圧出力端子T3−T4間の電圧を増幅したものとなる。なお、演算増幅器160、増幅器170ならびに増幅器180は接地電位に対し±5V等の正負両電源にて動作している。
本実施例を用いれば、抵抗器R4の値を選定することによりホール素子の持つ感度の温度勾配を軽減することができるので高精度の電流検出装置を供給することができる。また、定電圧回路140中の温度抵抗R1を選定することにより、さらに緻密な温度補償を行うことができる。
さらに増幅器180によりホール素子130の電圧出力端子T4側に発生するオフセット電圧が増幅器170と同等の増幅率にて増幅されるため、オフセット電圧が除去された高精度の電流検出装置を供給することができる。
以上のように、本実施例を用いれば、温度による誤差発生を軽減することができ、高精度な電流検出装置を供給することが可能となる。
本発明による電流検出装置の実施例1の構成を示す構成図 ホール素子130の等価回路を示す図 ホール素子130ならびに周辺回路の等価回路を示す図
符号の説明
110 電流線
A1、A2 端子
120 コア
130 ホール素子
T1、T2 電流端子
T3、T4 電圧出力端子
140 定電圧回路
141 演算増幅器
142 基準電圧源
R1 温度抵抗器
R2、R3 抵抗器
R4 抵抗器
160 演算増幅器
170 増幅器
171 演算増幅器
R5、R6 抵抗器
180 増幅器
181 演算増幅器
R7、R8 抵抗器
191 出力端子
192 出力端子
Ra、Rb、Rc、Rd 等価抵抗

Claims (2)

  1. 外部電流に正比例した磁界を発生する電流・磁界変換手段と、
    前記電流・磁界変換手段により発生された磁界を検出する磁気センサとしてのホール素子と、
    正転入力端子を接地電位とし、反転入力端子が前記ホール素子の第一の電圧出力端子に接続され、出力が前記ホール素子の第一の電流端子に接続された演算増幅器と、
    一定の直流電圧を発生し、かつ、温度によりその抵抗値が変わる温度勾配を有する温度抵抗器からなる温度補償手段を備えた電圧発生手段と、
    前記ホール素子の第二の電流入力端子と前記電圧発生手段との間に接続され、前記ホール素子の持つ温度勾配を軽減する抵抗値を有する抵抗器と、
    を具備したことを特徴とする電流検出装置。
  2. 前記ホール素子の第一の出力端子に接続された第一の増幅手段と、
    前記ホール素子の第二の出力端子に接続された第二の増幅手段と、
    を具備したことを特徴とする請求項1記載の電流検出装置。
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