JPH01105177A - 電流センサー駆動回路 - Google Patents

電流センサー駆動回路

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JPH01105177A
JPH01105177A JP62261618A JP26161887A JPH01105177A JP H01105177 A JPH01105177 A JP H01105177A JP 62261618 A JP62261618 A JP 62261618A JP 26161887 A JP26161887 A JP 26161887A JP H01105177 A JPH01105177 A JP H01105177A
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JP
Japan
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hall element
temperature
circuit
hall
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP62261618A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Naoi
直井 敏男
Ichiro Shibazaki
一郎 柴崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Asahi Kasei Electronics Co Ltd, Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority to JP62261618A priority Critical patent/JPH01105177A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ホール素子を用いた電流センサーの駆動回路
に関する。
[従来の技術] ホール素子を用いた電流センサー°は、被測定電流回路
とは電気的に絶縁された状態で、独立に、直流電流およ
び交流電流を測定することができ、一部実用的に用いら
れている。
第2図は、このようなポール素子を用いた電流測定の方
法を示す。電流の流れる導体11の周囲に発生するFl
fl界の磁束を強磁性体コア21で集束し、コア21の
一部に形成された空隙22に発生する磁界の磁束密度を
ホール素子23で測定することにより、導体11中を漬
れる電流を測ることができる。
即ち、導体11を涜れる電流に比例した磁束密度が空隙
22中のホール素子に加わるため、ホール電圧を測定す
ることによって導体中を漬れる電流値を、電流の流れる
導体と非接触で電気回路上は独立に測定で包る。
[発明が解決しようとする問題点] ホール素子の出力であるホール電圧は、一般に温度依存
性を持つために、ホール素子を用いた電流センサの測定
電流に比例した出力は温度依存性を示す。この温度依存
性は、ホール素子の基本的な特性に起因するため、解消
することはできない。
例えば、第3図は薄膜型1nAsホール素子をフェライ
トコアの空隙に挿入して定電圧駆動させた電流センサー
の温度依存性を示す。同図の縦軸はホール電圧V、を2
5℃において1.0に基準化した相対値で表わしている
。常温付近の比較的狭い温度範囲では、温度依存性はあ
まり大きくないが、−40℃から+80℃の比較的広い
温度範囲では、約20%の相対的な差違が見られ、測定
精度は大幅に悪く実用上、重大な問題点となっている。
ホール素子を用いた電流センサーの温度依存性は、上述
したようにホール素子に起因するため、その対策はホー
ル素子の温度依存性を見かけ上軽減する方法を用いるが
、既に種々の方法が考案されている。
従来の方法の例として、第4図はボール素子11Eの入
力回路に感温抵抗RTをホール素子に直列に接続する方
法、また第5図はホール素子の出力回路に感温抵抗RT
と定抵抗Rをホール素子HEと直列に接続する方法を示
すが、ともに感温抵抗RTを負の温度係数にすることに
より、第3図に示されるようなホール素子の温度補償が
近似的に可能である。
このほかにも、種々の温度補償法が公知であるが、これ
らの方法には次のような問題がある。
(1)第4図あるいは第5図に示した単に感温抵抗を挿
入する方法では、第6図の曲線aに示すようなりHの温
度変化と逆傾向の電圧でホール素子を駆動させることは
でかない。すなわち感温抵抗の温度係数を選別しても、
第6図の曲線すあるいは曲線Cに示すような傾向の電圧
となり、たかだか二つの温度t+、 hで曲線aにおけ
る電圧V+、 v、と一致するにすぎない。そのため、
比較的狭い範囲の温度補償は可能であっても、広い範囲
の温度補償を高精度で行い、電流センサーの実用上の信
頼性を上げ、かつ、電流の高精度測定を行うことは難し
い。
(2)どのような種類のホール素子も、抵抗値はどうし
ても、ある範囲のバラツキを持っている。
従って、第4図または第5図に示すような従来の方法で
、第6図の曲線aに示すようなホール素子駆動電圧を生
成するには、ホール素子、感温抵抗および定抵抗の抵抗
値を個々の製品ごとに整合する必要があり、電流センサ
ーを量産するうえで大きな障害となる。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、上述した二つの問題点を同時に解決するため
に検討した結果なされたものであり、ホール素子を用い
る電流センサーの駆動回路において、ホール素子の駆動
回路に、温度センサーおよびインピーダンス変換回路を
含む温度補償回路を具備することを特徴とする。
本発明の電流センサーは、上述した問題点(1)を解決
するために、第7図に示すような温度センサーとして感
温抵抗を用いたホール素子駆動回路により、第8図の曲
fidに示されるようなホール素子駆動電圧を生成する
。第8図の曲線aは、ホール素子の温度依存性の逆傾向
をなすホール素子駆動電圧の目標値である。
第8図の曲線dは、第7図の感温抵抗ト、定抵抗Ra、
 RhおよびRcにより定まるが、第8図の曲線aと曲
率が完全に一致せず、誤差分が温度補償誤差となる。
本発明では第8図の曲線aと曲線dが、温度tl、 t
2およびt3で一致する3点補償によって、比較的広い
温度範囲で高精度の温度補償を行った。
感温抵抗R〒はサーミスタ、薄膜抵抗体および薄膜型半
導体素子等を試験した結果、それらのいずれも用いるこ
とができるが、中でも薄膜型1nSbホール素子、又は
薄膜型1nSb抵抗素子によって最も良好な温度補償が
得られた。
次に、前述した問題点(2)を解決するために、インピ
ーダンス変換回路を用いる。ここで用いるインピーダン
ス変換回路は、第7図にZで示されるように、入力端子
Aと出力端子Bの電圧は固定の電圧比を持ち、かつ人力
インピーダンスが理想的には無限大、出力インピーダン
スは零となる機能を有する。このようなインピーダンス
変換回路を用いることにより、いかなる抵抗値のホール
素子が出力端子Bに接続されても、入力端子Aにおける
電圧は変化せず、かつ端子Aを通る電流1oは男となり
、感温抵抗R1,定抵抗Ra、 RbおよびRcとホー
ル素子)IEとは整合が不要なホール素子駆動回路が構
成できた。
[作 用] 次にホール素子の駆動電圧vTに、ホール素子のホール
電圧V、とは逆傾向の温度依存性を付与して、温度補償
を行う電流センサー駆動回路の動作を述べる。
第7図を参照して説明すると、温度tにおける駆動電圧
、感温抵抗値をそれぞれVT (t) 、 Rt (t
)とおけば 一方、第8図に示すように駆動電圧の温度依存性が温度
tl、 t2およびt、の3点で駆動電圧V、、 V2
およびv3になることから次の式となる。
ここで、V、、 V2およびv3は前述のように、ホー
ル素子の温度依存性の逆傾向により決まり、またnt(
t+)、 Rア(t2) 、およびn’r(t3)、は
感温抵抗の温度依存性により決まる。従って (2)式
の三元連立方程式より定抵抗Ra、 RbおよびRcは
求まり、第8図の曲線aと3点で一致するホール素子駆
動電圧曲線dが得られる。
次に第7図に示されるインピーダンス変換回路Zは、電
圧ホロワ回路を使用すれば、入力端子Aと出力端子Bの
電圧は等しく、上記の曲線dの電圧がホール素子にその
まま印加される。
[実施例] 第1図は本発明の一実施例を示す。本実施例の電流セン
サーは、被測定電流の流れる導体11を周回する強磁性
体コア21が、比透磁率μr −4000゜外径20m
m、内径10mm、厚さ5mII+のフェライトコアか
らなり、長さinmの空隙22に薄膜型InAsホール
素子23が挿入されている。ホール素子23が接続され
る電流センサー駆動回路は、温度補償回路を含むホール
素子人力駆動回路24Aと、ホール素子出力増幅回路2
4Bからなる。ホール素子出力駆動回路24Bは、差動
増幅器IC2,オフセット調整用の可変抵抗器部、およ
び電流センサー出力調整用の可変抵抗器VH2等を主要
部にして構成されている。
抵抗RfとRsとの比を選ぶことにより、差動増幅器I
C2の増幅率を任意に設定することができる。
感温抵抗RTは、薄膜型1nSbホール素子を使用した
予めInAsホール素子のホール電圧の温度依存性を測
定し、温度によるホール電圧の変化を打ち消すような駆
動電圧を求めておく。そして使用する感温抵抗R7に対
して定抵抗Ra、 RbおよびRcの値を(2)式によ
、って定める。なお第3図に示した基準化されたホール
電圧の温度依存性はホール素子の材質によって定まり、
個々の製品による変動はほとんどないので、前述した各
抵抗の値を個々の製品に対して定め直す必要はなく、ま
たすでに説明したように、インピーダンス変換回路IC
,が設けられているので、個々のホール素子の抵抗変化
に対して、各抵抗R7,Ra、 RbおよびRcの整合
をとる必要もない。
次に、本発明の実施例で得られた結果について述べる。
第1表に示すように、薄膜型1nSbホール素子を感温
抵抗とするホール素子駆動電圧vTは、目標とする薄膜
型InAsホール素子の駆動電圧Vア。
に対して、−40℃から+80℃の広い温度範囲に対し
て最大で+1.3%の誤差となり、従来の数%の誤差に
比較して極めて良好であった。
電流センサーの精度は、ホール素子駆動回路の誤差にホ
ール素子出力増幅回路の誤差も加算されるが、増幅回路
にはオフセット調整およびゲイン調整の機能があるため
総合誤差1.5%となっ、  た。
マイクロコンピュータおよびll0Mメモリ等を使う複
雑な電流センサー駆動回路によれば、精密な温度補償に
よる高精度な電流センサーは可能であるが、本発明によ
れば、簡単な回路構成で、きわめて広い温度範囲にわた
る高精度の電流センサーが得られた。
本発明が薄膜型1nAsホール素子以外のホール素子を
用いた電流センサにも適用できることは言うまでもない
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の電流センサーは従来、精
度を向上させる際に大きな障害になっていた温度依存性
を、感温抵抗とインピーダンス変換回路を含む簡単な回
路構成の温度補償回路を具備する電流センサー駆動回路
によフて大幅に改善した。特に高感度の薄膜型1nAs
ホール素子や、in又は^Sを含む化合物半導体薄膜で
形成されるホール素子を用いる電流センサーに於ては、
上記改善は著しい効果を持つ。そのため高精度の電流セ
ンサーが量産でき又、その実用上の信頼性は大幅に向上
した。このような本発明の工業的価値は大である。
また、前述のように感温抵抗とホール素子の抵抗値の整
合をとるための選別、あるいは検査等が不要となり、製
造コスト低減の利点も大台い。
【図面の簡単な説明】
第1図は木発明の実施例を示す図、 第2図は従来の電流センサーの斜視口、第3図は薄膜型
1nAsホール素子のホール電圧の温度依存性を示す特
性図、 第4図、および第5図は、それぞれ従来の温度補償方法
を示す図、 第6図は従来の温度補償法における駆動電圧の目標電圧
、および出力電圧の温度依存性の関係を示す特性図、 第7図は木発明の温度補償の動作を説明するための回路
図、 第8図は本発明の温度補償法における駆動電圧の目標電
圧および出力電圧の温度依存性の関係を示す特性図であ
る。 11・・・導体、 21・・・強磁性体コア、 22・・・空隙、 23・・・ホール素子、 24^・・・ホール素子入力駆動回路、2411・・・
ホール素子出力増幅回路。 冬発明の実眉M列を示T図 第1図 従来の電流でンす−の斜才見図 第2図 温度 ホール電圧の1度イ衣t+1・生a示T竹・1・生図第
3図 イア〔Aヒのヨ昌X卆雨゛イ1「ジ[う主材、11図第
4図 宥ε朱の5星厘卆組π丁三五を示1図 第5図 融n土力電if)1崖依存1往只ホ劣1予・1伎図第6
図 $、発」月のヲ呈眉ネ組實重第4乍五官兇明するロア相
第7図 1′t2  温度t3 奉発明1′:よる出力電圧の逼度、不に存小生8示す牛
ト1.生図第8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ホール素子を用いる電流センサーの駆動回路において、
    該ホール素子の駆動回路に、温度センサーおよびインピ
    ーダンス変換回路を含む温度補償回路を具備することを
    特徴とする電流センサー駆動回路。
JP62261618A 1987-10-19 1987-10-19 電流センサー駆動回路 Pending JPH01105177A (ja)

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JP62261618A JPH01105177A (ja) 1987-10-19 1987-10-19 電流センサー駆動回路

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2673715A1 (fr) * 1991-03-04 1992-09-11 Mavechaux Dubost Instr Sa Dispositif d'acquisition de mesures multifonction.
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US10564192B2 (en) 2017-10-12 2020-02-18 Itx-M2M Co., Ltd. Hall sensor apparatus with temperature measurement function and current sensor apparatus with the same function

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