JP4747584B2 - 半導体用液状封止樹脂組成物及びそれを用いて封止される半導体装置 - Google Patents
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Description
従来は、上記シリコーン変性液状エポキシ樹脂、液状ポリフェノールを用いた液状封止樹脂の硬化触媒として、イミダゾール、リン化合物、ジアザ化合物、第三級アミン等が用いられてきた(特許文献2)。
第一に、イミダゾール等の硬化触媒を用いると硬化樹脂から溶出する塩素イオン濃度が高いため、高温高湿バイアス試験により、アルミパッドやアルミ配線の腐食によるマイグレーション現象が発生するという課題があった。そこで、レジン全体の塩素濃度を低減させたりするものの、塩素濃度が低減せず本問題を解決できなかった。
第二に、従来のリン化合物等の硬化促進剤を使用すると、耐マイグレーション性は良好になるものの、従来の反応性を維持するためには多量の添加量が必要になり、増粘による充填不良が発生するといった課題が生じていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは塩素濃度が低く信頼性、耐クラック性、耐マイグレーション性に優れる半導体装置を提供することにある。また本発明の別な目的は、硬化触媒の添加量が少なく、最適な粘度有する液状封止樹脂を提供するものである。
[2] 前記トリ置換ホスホニオフェノラートが下記一般式(1)で表されるものである[1]記載の半導体用液状封止樹脂組成物。
[3]前記トリ置換ホスホニオフェノラートが下記一般式(2)で表されるものである[1]記載の半導体用液状封止樹脂組成物。
[4]前記トリ置換ホスホニオフェノラートが下記一般式(3)で表されるものである[1]
記載の半導体用液状封止樹脂組成物。
ら選択される1種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。)
[5]シリコーン変性液状エポキシ樹脂(A)が式(4)で表されるエポキシ樹脂である[
1]乃至[4]のいずれかに記載の半導体用液状封止樹脂組成物。
[6]液状ポリフェノール(B)が式(5)で表されるフェノール化合物である[1]乃至[5]のいずれかに記載の半導体用液状封止樹脂組成物。
[7] [1]乃至[6]のいずれかに記載の液状封止樹脂組成物で封止されたことを特徴とする半導体装置。
また、式(4)で示されるシリコーン変性エポキシ樹脂、又は当該シリコーン変性エポキシ樹脂、及び当該シリコーン変性樹脂と反応しうる置換基を有する化合物を反応して得られるもの、ビスフェノールAやビスフェノールF型エポキシ樹脂のようなジシロキサン構造を有さない市販エポキシ樹脂と、カルボン酸、アミン、チオール等のエポキシ基と反応しうる置換基を有し、かつモノジシロキサン構造を有する化合物と反応して得られるもの等も含まれる。これらの反応はエポキシ樹脂過剰下のもとで反応を行うのが好ましい。
その中でも、式(4)で示され、かつm=0であるシリコーン変性エポキシ樹脂とビスフェノール類をエポキシ樹脂過剰下のもとで反応させて得られる反応物が本発明に好適である。
当量比{(a)のエポキシ当量/(b)の水酸基当量}としては、エポキシ基の過剰の下での加熱反応が好ましく、(a)/(b)が1〜10であることがより好ましい。当量比が1未満であるとエホ゜キシ基が残存しないので液状フェノールを添加してももはや反応せず、当量比が10を越えると未反応原料シリコーンエホ゜キシ樹脂が残り、硬化中にアウトガスとして周辺部材を汚染する恐れがあるという問題がある。
また、本発明のシリコーン変性液状エポキシ樹脂(A)は、本発明の液状ポリフェノール(B)と予め反応させておくことも可能である。
当量比{(a)のエポキシ当量/(b)の水酸基当量}としては、エポキシ基の過剰の下での加熱反応が好ましく、(a)/(b)が1〜10であることがより好ましい。これは当量比が1未満であるとエポキシ基が残存しないので液状フェノールを添加してももはや反応しないためであり、10を越えると未反応原料シリコーンエポキシ樹脂が残り、硬化中にアウトガスとして周辺部材を汚染する恐れがあるからである。
また、本発明のポリフェノールと予め反応することも可能である。
本発明で使用される液状ポリフェノール(B)の具体例としては、ビス(モノまたはジt−ブチルフェノール)プロパン、メチレンビス(2−プロペニル)フェノール、プロピレンビス(2−プロペニル)フェノール、ビス[(2−プロペニルオキシ)フェニル]メタン、ビス[(2−プロペニルオキシ)フェニル]プロパン、4,4'−(1−メチルエチリデン)ビス[2−−(2−プロペニル)フェノール]、4,4'−(1−メチルエチリデン)ビス[2−(1−フェニルエチル)フェノール]、4,4'−(1−メチルエチリデン)ビス[2−メチルー6−ヒドロキシメチルフェノール]、4,4'−(1−メチルエチリデン)ビス[2−メチルー6−(2−プロペニル)フェノール]、4,4'−(1−メチルテトラデシリデン)ビスフェノールがあげられる。
このうち、トリ置換ホスホニオフェノラート(ホスホニウム分子内塩)は、前記一般式(1)で表されるものであるのが好ましく、前記一般式(2)で表されるものであるのがより好ましく、前記一般式(3)で表されるものであるのがさらに好ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を組み立てる方法の例としては、初めにキャビティ構造を有するBGA PKG(図1)を挙げる。半導体素子をマウント材料で接着した上にワイヤーボンディングにより半導体素子と端子の導通を確保する。(図2) そして、本発明液状封止樹脂をニードルから、ディスペンサー等の塗布装置を用いて塗布を行い、必要エリアを充填後、オーブン等の熱硬化装置を用いて樹脂を塗布して、オーブン等の熱硬化装置を用いて封止する。(図3)そして、端子(パッド)上にフラックスを塗布し、そこにはんだボールセットしたところに、リフロー等ではんだボールをPKGに搭載し、半導体素子を組み立てる(図4) また、チップと基板等をはんだボール等で接合したフリップチップ構造を有するPKG(図5)においては、本発明液状封止樹脂をニードルから、ディスペンサー等の塗布装置を用いて塗布を行い、毛細管現象を利用して浸透させることによって樹脂を半導体素子と基板の間に流し込み(図6)、オーブン等の熱硬化装置を用いて封止を行う。そして、端子(パッド)上にフラックスを塗布し、そこにはんだボールセットしたところに、リフロー等ではんだボールをPKGに搭載し、半導体素子を組み立てる(図7)。本樹脂組成物により封止された半導体素子は、樹脂と半導体素子との接着性が良く、樹脂が低吸水性であるため、熱衝撃性がよく、信頼性の高い半導体装置となる。
セパラブルフラスコに、式(4)のm=0のエポキシ樹脂(エポキシ当量181)1000g(東芝シリコーン製、TSL-9906)、ビスフェノールF(水酸基当量100、大日本インキ工業製、DIC-BPF)180gに触媒として1,8-シ゛アサ゛ヒ゛スシクロ(5,4,0)ウンテ゛セン10g(サンアプロ製、DBU)を添加し、溶剤成分はないが、反応中、エポキシ樹脂自身が揮発するためにコンデンサーを用いる。オイルバスにて原料温度を180℃に維持しながら、3時間攪拌しながら反応させた。その後、反応物が室温になるまで室温で放置して、液状物の変性樹脂Aを得た。
硬化促進剤として使用する各化合物C−1〜C−10はそれぞれ以下のようにして合成した。
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ(容量:500mL)に、o−メトキシアニリン12.3g(0.100mol)と、予め濃塩酸(37%)25mLを200mLの純水に溶解した塩酸水溶液とを供給し、攪拌下で溶解した。
o−メトキシアニリンに代わり、m−メトキシアニリン12.3g(0.100mol)を用いた以外は、前記化合物C1の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に黄色の結晶12.0gを得た。
o−メトキシアニリンに代わり、p−メトキシアニリン12.3g(0.100mol)を用いた以外は、前記化合物C1の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に淡黄色の結晶17.5gを得た。
o−メトキシアニリンに代わり、2−メトキシ−5−メチルアニリン13.7g(0.100mol)を用い、また、トリフェニルホスフィンに代わり、トリ−p−トリルホスフィン23.1g(0.076mol)を用いた以外は、前記化合物C1の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に褐色の結晶17.0gを得た。
トリフェニルホスフィンに代わり、トリス(4−メトキシフェニル)ホスフィン26.8g(0.076mol)を用いた以外は、前記化合物C1の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に淡黄白色の結晶16.5gを得た。
o−メトキシアニリンに代わり、5−フェニル−2−メトキシアニリン19.9g(0.100mol)を用いた以外は、前記化合物C1の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に黄色結晶23.5gを得た。
トリフェニルホスフィンに代わり、トリブチルホスフィン13.0g(0.076mol)を用いた以外は、前記化合物C1と同じ手順で合成を行い、最終的に白色結晶6.7gを得た。
o−メトキシアニリンに代わり、m−メトキシアニリン12.3g(0.100mol)を用いた以外は、前記化合物C7と同じ手順で合成を行い、最終的に白色結晶6.0gを得た。
o−メトキシアニリンに代わり、p−メトキシアニリン12.3g(0.100mol)を用いた以外は、前記化合物C7と同じ手順で合成を行い、最終的に白色結晶7.8gを得た。
トリフェニルホスフィン26.2g(0.100mol)をビーカー(容量:500mL)中で、75mLのアセトンに室温で溶解させた。
その後、析出した結晶を濾過、乾燥し、緑褐色粉末27.75gを得た。
表1の処方に従って秤量し、ミキサー等にて混練し真空脱泡後液状封止樹脂組成物を作製した。次に樹脂の特性を把握するために、樹脂粘度、塗布作業性評価、Clイオン濃度、HAST評価、Al配線腐食確認をした。評価方法は以下の通りである。
(1)ライン アンド スペースが20/20um、配線厚み2umのAl配線が形成されたシリコンチッフ゜を、パッケージサイズ25mm角、キャビティサイズ20mm角のキャビィティダウンBGAに導電性接着剤にてマウントして、直径umの金線でチッフ゜の回路と、キャビティダウンBGAに接続した。その後、表の液状封止材で回路と金線を封止した。
HAST評価を行ったPKGを発煙硝酸にて樹脂を開封してAl配線の腐食による溶出の有無を確認した。
ブルックフィールド型粘度計(ブルックフィールド社製HDV-II+CP)にて、CP-21コーン用いて、25℃、5rpm、3分後の値を樹脂粘度とした。
液状樹脂組成物を150度3時間にて硬化して、粉砕ミルによって、3分間粉砕する。粉砕された硬化物2gに蒸留水40gをテフロン(登録商標)性密閉容器に入れ、125℃20時間放置した。放置後、遠心分離、フィルターろ過した抽出水をイオンクロマト法にて測定した。測定値を20倍してClイオン濃度とした。
ライン アンド スペースが20/20um、配線厚み2umのAl配線が形成されたシリコンチッフ゜を、パッケージサイズ25mm角、キャビティサイズ20mm角のキャビィティダウンBGAに導電性接着剤にてマウントして、直径umの金線でチッフ゜の回路と、キャビティダウンBGAに接続した。80度HP上に、そのPKGを置いて、ディスペンサーにて塗布を行い、120℃/1hr+150/2hrの条件にて硬化した。それらのPKG上の液状樹脂組成物が、充填されていれば作業性は良好(○)とした。また、充填されてない、硬化物表面に明らかに凹凸が見られる場合は、作業性不良とした。
2 放熱板
3 半導体素子
4 金線
5 マウント材料(半導体素子用接着剤)
6 半導体用液状封止樹脂
7 はんだボール
8 半導体素子
9 はんだボール
10 回路基板
11 半導体液状封止樹脂
12 はんだボール
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- 請求項1又は2記載の半導体用液状封止樹脂組成物で封止されたことを特徴とする半導体装置。
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