JP4746854B2 - 有機発光ダイオード - Google Patents
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Description
本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、特に、リン光発光体としてのＩｒ錯体を含むＯＬＥＤに関する。
Ｐｔ、ＯｓおよびＩｒ錯体のような重金属錯体を含むエレクトロルミネッセントリン光材料は、高効率のルミネッセント性を有しているために、ＯＬＥＤの発光体としての用途で大いに注目されている。これらの錯体の中では、Ｉｒ錯体が最も効率が高い。Ｉｒ錯体は、通常、正の３価の酸化状態で正常な八面体構造を有していて、ルミネッセントな性質は、主として、金属から配位子への電荷移動三重項状態−3ＭＬＣＴまたは配位子に起因する三重項状態−3（π−π*）状態からくる。エレクトロルミネッセントリン光発光が高効率であるのは、強いスピン軌道カップリングを有する重金属錯体の電子配置がその理由である。
八面体錯体及びＬ2ＭＸを含むエレクトロルミネッセントリン光材料としての有機金属錯体が開示されているが、ここで、ＬおよびＸは特徴的な二座配位子であり、ＭはＩｒまたはＰｔである（特許文献１参照）。該特許の図４９に示されている配位子（Ｌ）の中には、ビニルピリジンも含まれている。しかしながら、この公開された出願特許では、エレクトロルミネッセントリン光材料としての配位子としてビニルピリジン（Ｌ）と組み合わせてＩｒ錯体を使用することに関する提案はない。さらに、この公開された出願特許では、配位子としてビニルピリジンを有するＩｒ錯体の合成も実際にはされていない。この公開された出願米国特許は、参考として引用し、本明細書に組み入れるものとする。
リン光発光体としてのＩｒ錯体を含むＯＬＥＤが求められている。
本発明の主たる目的は、有機エレクトロルミネッセント素子の発光層として使用するためのリン光性Ｉｒ錯体を提供することにある。このようにして製造された有機エレクトロルミネッセント素子は、高輝度、高外部量子効率、高電流効率および優れたＣＩＥ座標を示す。
本発明のまた別の目的は、黄色から赤色の光を発することが可能なエレクトロルミネッセント素子の発光層として使用するためのＩｒ錯体を提供することにある。
本発明によるリン光性Ｉｒ錯体の主たる特徴は、次式の構造（Ｉ）または（ＩＩ）を有する３つの二座配位子から形成される八面体六配位子錯体にある。
本発明によるリン光性Ｉｒ錯体の主たる特徴は、次式の構造（Ｉ）または（ＩＩ）を有する３つの二座配位子から形成される八面体六配位子錯体にある。
Ｘは、任意のモノアニオン性二座配位子、たとえば、アセチルアセトネート、アミノ酸、サリチルアルデヒド、イミノアセトネートまたはその他の形のものである。
Ｚは、窒素含有ヘテロサイクリック基を形成可能な任意の原子部分、たとえば、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、ピリミジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、インドール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、フェナントロリンまたはその他の形のものでる。
Ｚは、窒素含有ヘテロサイクリック基を形成可能な任意の原子部分、たとえば、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、ピリミジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、インドール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、フェナントロリンまたはその他の形のものでる。
Ｒ１は、Ｈ、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６アルキル（たとえば、メチル、エチルまたはシクロヘキシル）、ハロゲン置換したＣ１〜Ｃ６アルキル（たとえば、トリフルオロメチル）、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル（たとえば、ベンジル）、アミノ、アリールまたはその他の任意の形の置換基である。
ｍは、０または正の整数で、その大きさは窒素含有ヘテロサイクリック環の大きさによって決まるものである。
ｍは、０または正の整数で、その大きさは窒素含有ヘテロサイクリック環の大きさによって決まるものである。
Ｒ２およびＲ３は、独立して、Ｈ、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６アルキル（たとえば、メチル、エチルまたはシクロヘキシル）、ハロゲン置換したＣ１〜Ｃ６アルキル（たとえば、トリフルオロメチル）、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル（たとえば、ベンジル）、アミノ、アリール、ヘテロサイクリックアリールまたは任意の形の置換基である。
上記のアリールに含まれるのは、フェニル、ナフチル、ジフェニル、アントリル、ピレニル、フェナントリルまたは他の形のポリアリール置換基である。上記のヘテロサイクリックアリールに含まれるのは、ベンゾフラン、チオフェンまたはその他の形のヘテロサイクリックアリールである。
以下において、本発明によるリン光性Ｉｒ錯体の合成とスペクトルデータを詳細に記述し、さらに、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のリン光材料としてのこのタイプの錯体の応用についても述べる。ＯＬＥＤの構造には、２層、３層あるいは多層構造がある。図１は多層ＯＬＥＤ素子の概略図であるが、ここで各層の実際の厚みは、図に示した寸法とはまったく別である。多層ＯＬＥＤ素子の構造を順に示せば、基材１００、アノード（＋）、正孔注入モディフィケーション層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１０、正孔輸送層２０、電子阻止層（図示せず）、発光層３０、正孔阻止層４０、電子輸送層５０およびカソード（−）である。前記電子阻止層、正孔注入モディフィケーション層１０および正孔阻止層４０は、前記素子における必要性にもよるが、その構造に含まれていてもいなくてもよく、ここで、正の電極と負の電極との間にある層が前記素子のエレクトロルミネッセント媒体４００を構成している。前記発光層３０は、ホスト化合物中にリン光材料をドーパントとしてドーピングすることによって形成される。
（実施例１）２−［（Ｅ）−２−フェニル−１−エテニル］ピリジン）（ＰＥＰ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
工程（１）において、この合成は、（ａ）ラバディ（Ｌａｂａｄｉｅ）、Ｊ．Ｗ．；テュエティング（Ｔｕｅｔｉｎｇ）、Ｄ．；スチル（Ｓｔｉｌｌｅ）、Ｊ．Ｋ．のジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）の１９８３年、第４８巻、ｐ．４６３４および（ｂ）ラッパート（Ｌａｐｐｅｒｔ）、Ｍ．Ｆ．；ジョーンズ（Ｊｏｎｅｓ）、Ｋ．のジャーナル・オブ・オルガノメタリック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．）の１９６５年、第３巻、ｐ．２９５、に記載の方法に従って、実施する。水素化トリブチルスズ（５．８２ｇ、２０．０ミリモル）、フェニルアセチレン（１．９５ｇ、１９．０ミリモル）および２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）（０．１４ｇ、０．０８５ミリモル）の混合物を徐々に加熱して５０℃にし、その後、２４時間撹拌する。次いで、その混合物を室温まで冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ）パッドを用いてろ過を行い、白色の沈殿物を除去する。ろ液を蒸留すると、６．５０ｇのトリブチル［（Ｅ）−２−フェニル−１−エテニル］スタンナンが得られる。収率は、８４％である。
工程（２）において、パライン（Ｐａｒｒａｉｎ）、Ｊ．Ｌ．；デュクネ（Ｄｕｃｈｅｎｅ）、Ａ．；キンタード（Ｑｕｎｉｔａｒｄ），Ｊ．Ｐ．のジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエティ・パーキン・トランスアクション１（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．１）の１９９０年、第１号、ｐ．１８７に記載された方法に修正を加えて用いる。Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（０．０５ミリモル）および塩化リチウム（ＬｉＣｌ）（２．００ミリモル）を１０ｍＬのＤＭＦに溶解させた溶液に、１．００ミリモルの２−ブロモピリジンと１．２ミリモルのトリブチル［（Ｅ）−２−フェニル−l−エテニル］スタンナンを添加する。その混合物を６５℃で１２時間反応させる。次いで、その反応混合物を室温まで冷却し、１０ｍＬの飽和フッ化カリウム溶液を添加して、室温で３０分間撹拌する。次いで、溶離液として５０ｍＬのエーテルを使用して、その混合物をセライト（Ｃｅｌｉｔｅ）とシリカゲルでろ過する。有機層を集め、水で洗浄してから、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮する。その濃縮した溶液を酢酸エチルとｎ−ヘキサンを溶離液としてシリカゲルカラムを通過させて精製することにより、前記表題化合物を得る。収率は、７５％である。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）７．１３〜７．２１（ｍ、２Ｈ）、７．２６〜７．３０（ｍ、１Ｈ）、７．３３〜７．４１（ｍ、３Ｈ）、７．５６〜７．６９（ｍ、４Ｈ）、８．５８（ｄ、Ｊ＝４．４Ｈｚ、１Ｈ）である。
（実施例２）２−［（Ｅ）−２−フェニル−１−エテニル］−５−（トリフルオロメチル）ピリジン（ＰＥＴＰ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
実施例１の合成工程に従う。収率は、７２％である。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）７．１７（ｄ、Ｊ＝１６．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．３２（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、１Ｈ）、７．３８（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．４３（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）、７．５８（ｄ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）、７．７４（ｄ、Ｊ＝１６．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．８５（ｄｄ、Ｊ＝２．０Ｈｚ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．８２（ｓ、１Ｈ）である。
（実施例３）２−［（Ｅ）−２−ナフチル−l−エテニル］ピリジン（ＮＥＰ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
実施例１の合成工程に従う。収率は、７２％である。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）７．１５〜７．１９（ｍ、２Ｈ）、７．４２〜７．５５（ｍ、４Ｈ）、７．６６〜７．７１（ｍ、１Ｈ）、７．８２〜７．８７（ｍ、３Ｈ）、８．３１（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）、８．４７（ｄ、Ｊ＝１５．６Ｈｚ、１Ｈ）、８．６４（ｄ、Ｊ＝４．４Ｈｚ、１Ｈ）である。
（実施例４）２−［（Ｅ）−２−フェニル−１−エテニル］キノリン（ＰＥＱ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
実施例１の方法における合成工程に従う。収率は、７３％である。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）７．３１〜７．３３（ｍ、１Ｈ）、７．３７〜７．４１（ｍ、３Ｈ）、７．４８（ｔｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、Ｊ＝１．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．６２〜７．７１（ｍ、５Ｈ）、７．７６（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ）、８．０６（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．１１（ｄ、J=８．８Ｈｚ、１Ｈ）である。
（実施例５）４−メチル−２−［（Ｅ）−２−フェニル−１−エテニル］キノリン（ＭＰＥＱ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
実施例１の合成工程に従う。収率は、６８％である。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）２．６６（ｓ、３Ｈ）、７．２８〜７．３３（ｍ、２Ｈ）、７．３６〜７．３９（ｍ、２Ｈ）、７．４６〜７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．６１（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．６５〜７．６９（ｍ、２Ｈ）、７．９０（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ）、８．０７（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）である。
（実施例６）２−［（Ｅ）−２−フェニル−l−エテニル］−１，３−ベンゾチアゾール（ＰＥＢ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
実施例１の方法における合成工程に従う。収率は、６２％である。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）７．３４〜７．５０（ｍ、６Ｈ）、７．５３〜７．５８（ｍ、２Ｈ）、７．５７（ｄ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、１Ｈ）、７．８４（ｄ、Ｊ＝７．６Ｈz、１Ｈ）、７．９８（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈz、１Ｈ）である。
（実施例７）２−［１−プロペニル］ピリジン（ＰＰ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
（実施例７）２−［１−プロペニル］ピリジン（ＰＰ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成は、ポールター（Ｐｏｕｌｔｅｒ）、Ｃ．Ｄ．；ミュールバッハー（Ｍｕｅｈｌｂａｃｈｅｒ）、Ｍ．；デービス（Ｄａｖｉｓ）、Ｄ．Ｒ．のジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）の１９８９年、第１１１巻、ｐ．３７４０に記載の方法に従って実施する。
工程（１）は、窒素雰囲気下で２５ｍＬのエーテルをトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）（３．６０ｇ、１３．７ミリモル）を入れた丸底フラスコの中に添加する。この混合物を撹拌して、ＰＰｈ3を完全に溶解させた溶液を得る。次いで、１分かけて、ヨウ化エチル（１．９５ｇ、１２．５ミリモル）を徐々にこの溶液に加える。その混合物を室温で４８時間、連続的に撹拌する。得られた白色の懸濁液をろ過し、１０ｍＬのエチルエーテルで２回洗浄してから、真空中で乾燥させると、ヨウ化トリフェニルエチル−ホスホニウムが収率７５％で得られる。
工程（２）は、窒素雰囲気下で、６０ｍＬの蒸留直後のＴＨＦとナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．４５ｇ、３５．８ミリモル）とを、ヨウ化トリフェニルエチル−ホスホニウム（１１．９ｇ、２８．６ミリモル）を入れた丸底フラスコの中に添加する。この混合物を室温で１時間撹拌する。次いで、その混合物に２−ピリジンカルボキシアルデヒド（２．５６ｇ、２３．９ミリモル）を加え、一夜連続で撹拌する。塩化アンモニウム飽和水溶液をその溶液に加えて反応を停止させ、次いで、エチルエーテルを用いて抽出する。その抽出物を塩化アンモニウム水溶液と水で洗浄してから、硫酸マグネシウムを用いて乾燥させ、真空中で濃縮する。エチルエーテルとｎ−ヘキサンを溶離液として使用したシリカゲルクロマトグラフィーカラムでこの残渣を分離すると、ＰＰのトランス異性体が収率２８％で、ＰＰのシス異性体が収率３５％で得られる。（Ｅ）−２−［１−プロペニル］ピリジンは、1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）が、δ（ｐｐｍ）１．９０（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、３Ｈ）、６．４９（ｄ、Ｊ＝１６．４Ｈｚ、１Ｈ）、６．６８〜６．７４（ｍ、１Ｈ）、７．０３〜７．０７（ｍ、１Ｈ）、７．２０（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．５６（ｔｄ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、１Ｈ）、８．４９（ｄｄ、Ｊ＝４．０Ｈｚ、Ｊ＝０．８Ｈｚ、１Ｈ）である。
（実施例８）１−［（Ｅ）−２−フェニル−１−エテニル］イソキノリン（ＰＥＩＱ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
工程（１）において、１−クロロイソキノリンの合成は、チャン（Ｚｈａｎｇ）、Ｈ．；クオン（Ｋｗｏｎｇ）、Ｆ．Ｙ．；ティエン（Ｔｉａｎ）、Ｙ．；チェン（Ｃｈａｎ），Ｋ．Ｓ．のジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）の１９９８年、第６３巻、ｐ．６８８６に記載の方法に従って実施する。イソキノリンＮ−オキシド（１４．５ｇ、０．１０モル）を５０ｍＬのＣＨＣｌ3に溶解させる。次いで、ＰＯＣｌ3（塩化ホスホリル）（２８ｍＬ、０．３０モル）を添加する。得られた混合物を２時間還流させてから、室温まで冷却する。得られたオレンジ色の溶液を氷浴に投入する。次いで、濃アンモニア溶液を添加して、その溶液をアルカリ性溶液とする。その溶液が２層に分離したら、水層を５０ｍＬのジクロロメタンで２回抽出する。抽出した有機層を取り出して、硫酸ナトリウムにより乾燥させ、真空中で濃縮すると、褐色の油状物が得られる。最後に、エチルエーテルとｎ−ヘキサンを溶離液として使用したシリカゲルクロマトグラフィーカラムでこの残渣を分離すると、無色の固形物が収率８４％で１４．３ｇ得られる。
工程（２）は、実施例１における合成工程に従って、表題の生成物を得る。収率は、５５％である。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）７．３２（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．４０（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．５５（ｔ、Ｊ＝５．６Ｈz、１Ｈ）、７．５９〜７．７０（ｍ、４Ｈ）、７．８１（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．９８（ｄ、Ｊ＝２．０Ｈｚ、２Ｈ）、８．３５（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．５４（ｄ、Ｊ＝５．２Ｈz、１Ｈ）である。
（実施例９）５−メチル−２−［（Ｅ）−２−フェニル−l−エテニル］ピリジン（５−ＭＰＥＰ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
実施例１の合成工程に従う。収率は、５８％である。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）２．３３（ｓ、３Ｈ）、６．９５（ｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．１２（ｄ、Ｊ＝１６．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．１９（ｓ、１Ｈ）、７．２７（ｄ、Ｊ＝７．６Ｈz、１Ｈ）、７．３５（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．５５（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．６０（ｄ、Ｊ＝１６．０Ｈｚ、１Ｈ）、８．４３（ｄ、Ｊ＝４．４Ｈｚ、１Ｈ）である。
（実施例１０）２−（１−メチル−２−フェニル−１−エテニル）ピリジン（２−ＭＰＥＰ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
実施例１の合成工程に従う。収率は、７１％である。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）２．３４（ｓ、３Ｈ）、７．１６（ｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、１Ｈ）、７．２５（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．３５〜７．４２（ｍ、４Ｈ）、７．４５（ｓ、１Ｈ）、７．５３（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．６８（ｔｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１．６Ｈｚ、１Ｈ）、８．６４（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、１Ｈ）である。
（実施例１１）Ｉｒ錯体（Ｌ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成。
この合成反応を以下に示す。
この合成反応を以下に示す。
実施例１〜実施例１０で得られる化合物それぞれ２．２ミリモルを、１０ｍＬの２−エトキシエタノールに溶解させる。次いで、１ミリモルの三塩化インジウム水和物と３ｍＬの水を加える。窒素雰囲気下でこの混合物を１２０℃で１２時間撹拌する。室温まで冷却してから、生成した沈殿を集め、エタノールとアセトンで洗浄し、真空中で乾燥させると、シクロメタレート化Ｉｒ（ＩＩＩ）−μ−クロロ−ブリッジダイマーが得られる。次いで、そのダイマー、５ミリモルのアセチルアセトネートおよび１０ミリモルの炭酸ナトリウムを１５ｍＬの２−エトキシエタノールに溶解させる。窒素雰囲気下で、この混合物を１２０℃で１２時間還流させる。室温まで冷却してから、蒸留により２−エトキシエタノールを除去する。残分をジクロロメタンに溶解させ、ろ過して炭酸ナトリウムを除く。そのろ液を真空中で濃縮する。ジクロロメタンとｎ−ヘキサンを溶離液として使用したシリカゲルクロマトグラフィーカラムでこの残渣を精製すると、Ｉｒ錯体が得られる。素子を作製する前に、Ｉｒ錯体を２００〜２２０℃および４×１０-3Ｐａで昇華させることにより、さらに精製する。
（実施例１２）（ＰＥＰ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−１）の合成（Ｘ線構造および分子式を図２に示す）。
実施例１で得られるＰＥＰを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−１を調製すると、その収率は７２％である。ジクロロメタンに溶解させたＩ−１錯体の紫外線吸収スペクトルおよび光ルミネッセンス（ＰＬ）発光スペクトルを、図３に示す。これによる発光は、赤色で、その最大発光波長は６１６ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）１．８１（ｓ、６Ｈ）、５．１２（ｓ、１Ｈ）、６．５６（ｔｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、２Ｈ）、６．７３（ｓ、２Ｈ）、６．９１（ｄ、Ｊ＝５．０Ｈｚ、１０Ｈ）、７．０９（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．２９（ｔｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、２Ｈ）、７．７８（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、２Ｈ）であり、ＨＲＭＳ（ｍ／ｚ）計算値（Ｃ31Ｈ27ＩｒＮ2Ｏ2）６５２．１７０２、実測値６５２．１６９９である。
実施例１で得られるＰＥＰを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−１を調製すると、その収率は７２％である。ジクロロメタンに溶解させたＩ−１錯体の紫外線吸収スペクトルおよび光ルミネッセンス（ＰＬ）発光スペクトルを、図３に示す。これによる発光は、赤色で、その最大発光波長は６１６ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）１．８１（ｓ、６Ｈ）、５．１２（ｓ、１Ｈ）、６．５６（ｔｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、２Ｈ）、６．７３（ｓ、２Ｈ）、６．９１（ｄ、Ｊ＝５．０Ｈｚ、１０Ｈ）、７．０９（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．２９（ｔｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、２Ｈ）、７．７８（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、２Ｈ）であり、ＨＲＭＳ（ｍ／ｚ）計算値（Ｃ31Ｈ27ＩｒＮ2Ｏ2）６５２．１７０２、実測値６５２．１６９９である。
（実施例１３）（ＰＥＴＰ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−２）の合成（Ｘ線構造および分子式を図４に示す）。
実施例２で得られるＰＥＴＰを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−２を調製すると、その収率は７０％である。ジクロロメタンに溶解させたＩ−２錯体の紫外線吸収スペクトルおよびＰＬ発光スペクトルを、図５に示す。その発光は、赤色で、最大発光波長は６１０ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）１．８５（ｓ、６Ｈ）、５．１７（ｓ、１Ｈ）、６．７６（ｓ、２Ｈ）、６．８１〜６．８４（ｍ、４Ｈ）、６．９２〜６．９６（ｍ、６Ｈ）、７．１４（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．４５（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．９３（ｓ、２Ｈ）であり、ＨＲＭＳ（ｍ／ｚ）計算値（Ｃ33Ｈ25F6ＩｒＮ2Ｏ2）７８８．１４４９、実測値７８８．１４５１である。
実施例２で得られるＰＥＴＰを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−２を調製すると、その収率は７０％である。ジクロロメタンに溶解させたＩ−２錯体の紫外線吸収スペクトルおよびＰＬ発光スペクトルを、図５に示す。その発光は、赤色で、最大発光波長は６１０ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）１．８５（ｓ、６Ｈ）、５．１７（ｓ、１Ｈ）、６．７６（ｓ、２Ｈ）、６．８１〜６．８４（ｍ、４Ｈ）、６．９２〜６．９６（ｍ、６Ｈ）、７．１４（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．４５（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．９３（ｓ、２Ｈ）であり、ＨＲＭＳ（ｍ／ｚ）計算値（Ｃ33Ｈ25F6ＩｒＮ2Ｏ2）７８８．１４４９、実測値７８８．１４５１である。
（実施例１４）（ＮＥＰ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−３）の合成。
実施例３で得られるＮＥＰを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−３を調製すると、その収率は６１％である。ジクロロメタンに溶解させたＩ−３錯体の紫外線吸収スペクトルおよびＰＬ発光スペクトルを、図６に示す。これによる発光は、赤色で、その最大発光波長は６１６ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）１．８８（ｓ、６Ｈ）、５．１３（ｓ、１Ｈ）、６．０１（ｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、２Ｈ）、６．７９（ｓ、２Ｈ）、６．８６（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．０２〜７．０８（ｍ、６Ｈ）、７．３４〜７．４４（ｍ、８Ｈ）、７．６５（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、２Ｈ）、８．５６（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、２Ｈ）であり、ＨＲＭＳ（ｍ／ｚ）計算値（Ｃ39Ｈ31ＩｒＮ2Ｏ2）７５２．２０１５、実測値７５２．２０１８である。
（実施例１５）（ＰＥＱ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−４）の合成。
実施例４で得られるＰＥＰを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−４を調製すると、その収率は６０％である。ジクロロメタンに溶解させたＩ−４錯体の紫外線吸収スペクトルおよびＰＬ発光スペクトルを、図７に示す。その発光は、赤色で、最大発光波長は６３８ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、δ（ｐｐｍ）１．６０（ｓ、６Ｈ）、４．６０（ｓ、１Ｈ）、６．７０〜６．７２（ｍ、６Ｈ）、７．０２（ｄｄ、Ｊ＝６．８Ｈz、Ｊ＝３．２Ｈz、４Ｈ）、７．０９〜７．１３（ｍ、４Ｈ）、７．４３（ｄｄ、Ｊ＝６．８Ｈz、Ｊ＝３．６Ｈz、２Ｈ）、７．４９（ｄ、Ｊ＝９．６Ｈｚ、２Ｈ）、７．５４（ｓ、２Ｈ）、７．７５（ｄｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、Ｊ＝２．８Ｈz、２Ｈ）、７．８０（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）であり、ＨＲＭＳ（ｍ／ｚ）計算値（Ｃ39Ｈ31ＩｒＮ2Ｏ2）７５２．２０１５、実測値７５２．２０２２である。
（実施例１６）（ＭＰＥＱ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−５）の合成。
実施例５で得られるＭＰＥＱを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−５を調製すると、その収率は５９％である。ジクロロメタンに溶解させたＩ−５錯体の紫外線吸収スペクトルおよびＰＬ発光スペクトルを、図８に示す。その発光は、赤色で、最大発光波長は６３４ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、（ｐｐｍ）１．５８（ｓ、６Ｈ）、１．６６（ｓ、６Ｈ）、４．５７（ｓ、１Ｈ）、６．７１（ｄｄ、Ｊ＝２．４Ｈｚ、６．０Ｈｚ、６Ｈ）、７．０２〜７．１２（ｍ、６Ｈ）、７．１５（ｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．３５（ｓ、２Ｈ）、７．４９（ｓ、２Ｈ）、７．５９（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．７４（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）であり、ＨＲＭＳ（ｍ／ｚ）計算値（Ｃ41Ｈ35ＩｒＮ2Ｏ2）７８０．２３２８、実測値７８０．２３２３である。
（実施例１７）（ＰＥＢ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−６）の合成。
実施例６で得られるＰＥＢを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−６を調製すると、その収率は８１％である。ジクロロメタンに溶解させたＩ−６錯体の紫外線吸収スペクトルおよびＰＬ発光スペクトルを、図９に示す。これによる発光は、赤色で、その最大発光波長は６３６ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、（ｐｐｍ）１．７７（ｓ、６Ｈ）、４．９６（ｓ、１Ｈ）、６．７４〜６．７８（ｍ、６Ｈ）、６．８７（ｄｄ、Ｊ＝２．８Ｈｚ、Ｊ＝７．６Ｈz、４Ｈ）、７．０４〜７．０８（ｍ、６Ｈ）、７．３７（ｄｄ、Ｊ＝２．８Ｈｚ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．５４（ｄｄ、Ｊ＝２．４Ｈｚ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）であり、ＨＲＭＳ（ｍ／ｚ）計算値（Ｃ35Ｈ27ＩｒＮ2Ｏ2Ｓ2）７６４．１１４３、実測値７６４．１１５１である。
（実施例１８）（ＰＰ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−７）の合成。
実施例７で得られるＰＰを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−７を調製すると、その収率は２０％である。ジクロロメタンに溶解させたＩ−７錯体の紫外線吸収スペクトルおよびＰＬ発光スペクトルを、図１０に示す。その発光は、黄色で、最大発光波長は５４２ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、（ｐｐｍ）１．６４（ｓ、６Ｈ）、１．７９（ｓ、６Ｈ）、５．１２（ｓ、１Ｈ）、６．４５（ｓ、２Ｈ）、６．７６（ｔｄ、Ｊ＝６．８Ｈz、Ｊ＝０．８Ｈz、２Ｈ）、７．１２（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．４１（ｔｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、Ｊ＝１．６Ｈz、２Ｈ）、８．１１（ｄ、Ｊ＝５．６Ｈz、２Ｈ）である。
（実施例１９）（ＰＥＩＱ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−８）の合成
実施例８で得られたＰＥＩＱを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−８を調製すると、その収率は５０％である。ジクロロメタン中に溶解させたＩ−８錯体のＰＬ発光スペクトルは、赤色光を示し、その発光最大は６６４ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、（ｐｐｍ）１．８１（ｓ、６Ｈ）、５．１３（ｓ、１Ｈ）、６．８２〜６．８９（ｍ、６Ｈ）、６．９６〜７．０３（ｍ、６Ｈ）、７．４８（ｔｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、Ｊ＝１．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．５５（ｔｄ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、１．６Ｈz、２Ｈ）、７．６７（ｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、６Ｈ）、８．２７（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）である。
（実施例２０）（５−ＭＰＥＰ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−９）の合成
実施例９で得られる５−ＭＰＥＰを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−９を調製すると、その収率は６２％である。ジクロロメタン中に溶解させたＩ−９錯体のＰＬ発光スペクトルは、赤色光を示し、その発光最大波長は６１６ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、（ｐｐｍ）１．８０（ｓ、６Ｈ）、２．３３（ｓ、６Ｈ）、５．１０（ｓ、１Ｈ）、６．４０（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、２Ｈ）、６．６７（ｓ、２Ｈ）、６．９１〜６．９５（ｍ、１２Ｈ）、７．６２（ｄ、Ｊ＝５．６Ｈｚ、２Ｈ）である。
（実施例２１）（２−ＭＰＥＰ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉ−１０）の合成
実施例１０で得られる２−ＭＰＥＰを配位子（Ｌ）として使用する。実施例１１の工程を使用して錯体Ｉ−１０を調製すると、その収率は７２％である。ジクロロメタン中に溶解させたＩ−１０錯体の溶液は赤色光を発し、その最大発光波長は６１２ｎｍである。1ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）は、（ｐｐｍ）１．８０（ｓ、６Ｈ）、１．８２（ｓ、６Ｈ）、５．１３（ｓ、１Ｈ）、６．５３（ｔｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、Ｊ＝０．８Ｈｚ、２Ｈ）、６．７９〜６．９５（ｍ、１２Ｈ）、７．２４（ｔｄ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、Ｊ＝０．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．８１（ｄｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、Ｊ＝０．８Ｈｚ、２Ｈ）である。
（実施例２２〜実施例４７）有機発光ダイオード素子の製造。
上述のようにして合成する本発明のリン光性Ｉｒ錯体を使用して、ＯＬＥＤ素子を作製する。それらの素子はすべて、以下の工程に従って製造する。ガラス基材を備える工程は、順次、アノード、正孔注入モディフィケーション層（任意）、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、正孔注入層（ＫＦフッ化カリウム）（任意）およびカソードを形成する工程である。アノードは、厚み約１００ｎｍの電気伝導性ＩＴＯ（インジウム−スズー酸化物）から作製する。発光層は、ホスト物質の中にリン光性Ｉｒ錯体をドーピングして形成する。有機層の蒸着を実施する前に、ＩＴＯガラスを清浄するが、それにはまず市販の洗浄剤と有機溶媒で清浄し、その後、ＵＶ−オゾンクリーナーを使用する。
上述のようにして合成する本発明のリン光性Ｉｒ錯体を使用して、ＯＬＥＤ素子を作製する。それらの素子はすべて、以下の工程に従って製造する。ガラス基材を備える工程は、順次、アノード、正孔注入モディフィケーション層（任意）、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、正孔注入層（ＫＦフッ化カリウム）（任意）およびカソードを形成する工程である。アノードは、厚み約１００ｎｍの電気伝導性ＩＴＯ（インジウム−スズー酸化物）から作製する。発光層は、ホスト物質の中にリン光性Ｉｒ錯体をドーピングして形成する。有機層の蒸着を実施する前に、ＩＴＯガラスを清浄するが、それにはまず市販の洗浄剤と有機溶媒で清浄し、その後、ＵＶ−オゾンクリーナーを使用する。
本発明の素子の中で正孔注入モディフィケーション層として使用する材料は、次の構造グループＧ１に示すようなｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン）および２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−トリス［２−ナフチルフェニルアミノ］トリフェニルアミン）から選択する。
ホール輸送材料は、以下の構造グループＧ２から選択するアニリン化合物であるが、それには次の化合物が含まれている。ＮＰＢ（４，４’−ビス［１−ナフチルフェニルアミノ］ビフェニル）、ＴＰＤ（４，４’−ビス［ｍ−トリルフェニルアミノ］ビフェニル）、ＮＣＢ（４−［Ｎ−カルバゾリル］−４’−［Ｎ−フェニルナフチルアミノ］ビフェニル）、ＰＰＢ（４，４’−ビス［９−フェナントリルフェニルアミノ］ビフェニル）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ［Ｎ−カルバゾリル］トリフェニルアミン）、ＭＰＭＰ（ビス｛４−［Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ］−２−［メチルフェニル］｝−［４−メチルフェニル］メタン）およびＨＭＴＰＤ（４，４’−ビス｛Ｎ，Ｎ−［３−トリル］アミノ｝−３，３’−ジメチルビフェニル）。
ホスト材料は、次のものから選択する。構造グループＧ２の中のＴＣＴＡまたは正孔輸送能を有する化合物、たとえば、以下の構造グループＧ３のＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、ＣＣＰ（１，４−ビス［カルバゾリル］ベンゼン）、ＴＣＰＢ（l，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン）または電子輸送能を有する化合物、たとえば、以下の構造グループＧ３のＴＰＢＩ（１，３，５−トリス［Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル］ベンゼン）、ＴＡＺ−１（３−フェニル−４−［１’−ナフチル］−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール）、ＴＡＺ−２（３−［４−ビフェニリル］−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール）、ＴＡＺ−３（３−フェニル−４−［１’−フェニル］−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール）、ＰＢＤ（２−［４−ビフェニル］−５−［４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル］−１，３，４−オキサジアゾール）である。
使用した正孔阻止層は、構造グループＧ３の中のＴＰＢＩまたは以下の構造グループＧ４に示すＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＢＡｌｑ（アルミニウム［ＩＩＩ］ビス［２−メチル−８−キノリナト］［４−フェニルフェノレート］）、ＰＡｌｑ（アルミニウム［ＩＩＩ］ビス［２−メチル−８−キノリナト］−［４−フェノレート］）およびＳＡｌｑ（アルミニウム［ＩＩＩ］ビス［２−メチル−８−キノリナト］［トリフェニルシラノレート］）から選択する材料である。電子輸送層は、構造グループＧ３の中のＴＰＢＩ、ＴＡＺ−１、ＴＡＺ−２、ＴＡＺ−３もしくはＰＢＤ、以下の構造グループＧ４の中のＡｌｑ３（トリス［８−ヒドロキシキノリナト］アルミニウム）またはＤＰＡ（４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）から選択する材料から作製する。
構造グループＧ２〜Ｇ４の中では、Ｐｈはフェニル、Ｍｅはメチル、Ｅｔはエチル、Ｂｕはブチルである。
素子の製造において、有機材料、リン光性Ｉｒ錯体および金属を蒸着する際には、チャンバーの圧力は約５×１０-6トルより低く保つ。蒸着速度は、有機材料では約１．５〜２．５オングストローム／秒で、リン光性Ｉｒ錯体では約０．０５〜０．２オングストローム／秒で、フッ化カリウムでは約０．５オングストローム／秒とする。層の厚みは、正孔注入モディフィケーション層は約１０〜１５ｎｍで、正孔輸送層は約２５〜５０ｎｍで、正孔阻止層は約１０〜２０ｎｍで、電子輸送層は約１０〜５０ｎｍで、電子注入層（フッ化カリウム）は約０．５ｎｍとする。カソードはＭｇ−Ａｇ合金であるが、蒸着速度はマグネシウムの場合は５オングストローム／秒で、銀の場合は０．５オングストローム／秒とし、マグネシウムと銀は１０対１の比率の共蒸発により蒸着して厚み５５ｎｍとする。最後に、保護層としての銀を、約１００〜１５０ｎｍの層厚みで蒸着させる。すべての素子（実施例２２−実施例４７）の主要な特性を表１に示すが、それら素子の構造は、次の通りである。
素子の製造において、有機材料、リン光性Ｉｒ錯体および金属を蒸着する際には、チャンバーの圧力は約５×１０-6トルより低く保つ。蒸着速度は、有機材料では約１．５〜２．５オングストローム／秒で、リン光性Ｉｒ錯体では約０．０５〜０．２オングストローム／秒で、フッ化カリウムでは約０．５オングストローム／秒とする。層の厚みは、正孔注入モディフィケーション層は約１０〜１５ｎｍで、正孔輸送層は約２５〜５０ｎｍで、正孔阻止層は約１０〜２０ｎｍで、電子輸送層は約１０〜５０ｎｍで、電子注入層（フッ化カリウム）は約０．５ｎｍとする。カソードはＭｇ−Ａｇ合金であるが、蒸着速度はマグネシウムの場合は５オングストローム／秒で、銀の場合は０．５オングストローム／秒とし、マグネシウムと銀は１０対１の比率の共蒸発により蒸着して厚み５５ｎｍとする。最後に、保護層としての銀を、約１００〜１５０ｎｍの層厚みで蒸着させる。すべての素子（実施例２２−実施例４７）の主要な特性を表１に示すが、それら素子の構造は、次の通りである。
実施例２２は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−１：ＣＢＰ（６．７％、３０ｎｍ）／ＴＰＢＩ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２３は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−１：ＣＢＰ（１４．３％、３０ｎｍ）／ＴＰＢＩ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２３は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−１：ＣＢＰ（１４．３％、３０ｎｍ）／ＴＰＢＩ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２４は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−１：ＣＣＰ（５．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２５は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−１：ＴＰＢＩ（８％、３０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２５は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−１：ＴＰＢＩ（８％、３０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２６は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（２５ｎｍ）／Ｉ−２：ＣＣＰ（２．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２７：は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｉ−２：ＣＣＰ（５％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２７：は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｉ−２：ＣＣＰ（５％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２８は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−２：ＣＣＰ（７．３％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２９は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−２：ＣＣＰ（９．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例２９は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−２：ＣＣＰ（９．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３０は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／Ｉ−２：ＣＣＰ（５％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３１は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＢＰ（５．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３１は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＢＰ（５．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３２は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＢＰ（７．３％、３０ｎｍ）／ＴＰＢＩ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３３は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＢＰ（５．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３３は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＢＰ（５．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３４は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＢＰ（７．３％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３５は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＢＰ（１０．３％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３６は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＣＰ（６％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１O：１である。
実施例３６は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＣＰ（６％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１O：１である。
実施例３７は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＣＰ（６．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３８は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ（２０ｎｍ）／Ｉ−４：ＴＰＢＩ（６．７％、３０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３８は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ（２０ｎｍ）／Ｉ−４：ＴＰＢＩ（６．７％、３０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例３９は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−４：ＴＰＢＩ（６．７％、３０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１O：１である。
実施例４０は、ＩＴＯ／ＴＣＴＡ（３０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＢＰ（６．７％、３０ｎｍ）／ＢＡｌｑ（２０ｎｍ）／Ａｌｑ（１０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４０は、ＩＴＯ／ＴＣＴＡ（３０ｎｍ）／Ｉ−４：ＣＢＰ（６．７％、３０ｎｍ）／ＢＡｌｑ（２０ｎｍ）／Ａｌｑ（１０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４１は、ＩＴＯ／ＴＰＤ（５０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＢＰ（５％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４２は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＢＰ（６．７％、３０ｎｍ）／ＴＰＢＩ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４２は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＢＰ（６．７％、３０ｎｍ）／ＴＰＢＩ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４３は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（５０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＢＰ（７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４４は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＢＰ（７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４４は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＢＰ（７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４５は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＣＰ（５％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４６は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＣＰ（７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４６は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＣＰ（７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
実施例４７は、ＩＴＯ／２−ＴＮＡＴＡ（１０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／Ｉ−５：ＣＣＰ（４．７％、３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。
表１に示したデータから、本発明のリン光性Ｉｒ錯体が、ＯＬＥＤの発光材料として使用できることが判る。このＯＬＥＤ素子は、黄色から赤色のリン光を発するが、その輝度は高く、高効率で、優れたＣＩＥ座標を有している。
１０ 正孔注入モディフィケーション層、２０ 正孔輸送層、３０ 発光層、４０ 正孔阻止層、５０ 電子輸送層、１００ 基材、４００ エレクトロルミネッセント媒体
Claims (26)
- 基材の上にアノード、前記アノードの上にエレクトロルミネッセント媒体、前記エレクトロルミネッセント媒体の上にカソードを含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であって、前記エレクトロルミネッセント媒体が以下の構造（Ｉ）または（ＩＩ）を有するリン光性Ｉｒ錯体を含む発光層を含み、
Ｘは任意のモノアニオン性二座配位子であり、
Ｚは窒素含有ヘテロサイクリック基を形成可能な任意の原子部分であり、
Ｒ１はＨ、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、ハロゲン置換したＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル、アミノ又はアリールからなる群より選択され、
ｍは０または前記窒素含有ヘテロサイクリック基の大きさによって決まる１、２、３、または４であり、
Ｒ２はＨ、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、ハロゲン置換したＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル、アミノ、アリールおよびヘテロサイクリックアリールからなる群より選択され、
Ｒ３はアリールまたはヘテロサイクリックアリールであり、
前記窒素含有ヘテロサイクリック基はベンゾチアゾールであることを特徴とする有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
- 前記アリールは、フェニル、ナフチル、ジフェニル、アントリル、ピレニルまたはフェナントリルであり、前記ヘテロサイクリックアリールはベンゾフランまたはチオフェンであることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ。
- Ｒ２は、Ｈまたはメチルであり、Ｒ３はアリール基であることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ。
- Ｒ３は、フェニルまたはナフチルであることを特徴とする請求項３に記載のＯＬＥＤ。
- 前記リン光性Ｉｒ錯体が構造（Ｉ）を有し、Ｘは、アセチルアセトネート、アミノ酸、サリチルアルデヒドまたはイミノアセトネートであることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ。
- Ｘは、アセチルアセトネートであることを特徴とする請求項５に記載のＯＬＥＤ。
- 前記リン光性Ｉｒ錯体は、下記のＩ−１であることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ。
- 前記アノードおよび前記カソードに電圧をかけるときに、前記発光層が黄色から赤色の発光をすることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ。
- 前記発光層は、ホスト化合物をさらに含み、前記Ｉｒ錯体が前記ホスト化合物の中にドーピングされることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ。
- 前記ホスト化合物は、正孔輸送能を有する化合物であることを特徴とする請求項９に記載のＯＬＥＤ。
- 前記ホスト化合物は、電子輸送能を有する化合物であることを特徴とする請求項９に記載のＯＬＥＤ。
- 正孔輸送能を有する前記化合物は、下記の式で示される化合物であることを特徴とする請求項１０に記載のＯＬＥＤ。
- 正孔輸送能を有する前記化合物は、下記の式で示される化合物であることを特徴とする請求項１０に記載のＯＬＥＤ。
- 電子輸送能を有する前記化合物は、下記の式で示される化合物であることを特徴とする請求項１１に記載のＯＬＥＤ。
- 前記エレクトロルミネッセント媒体は、前記アノードと前記発光層との間に正孔輸送層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ。
- 前記正孔輸送層は、下記の式で示される化合物を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＯＬＥＤ。
- 前記エレクトロルミネッセント媒体は、前記アノードと前記正孔輸送層との間に正孔注入モディフィケーション層をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載のＯＬＥＤ。
- 前記正孔注入モディフィケーション層は、下記の式で示される化合物を含むことを特徴とする請求項１７に記載のＯＬＥＤ。
- 前記エレクトロルミネッセント媒体は、前記カソードと前記発光層との間に正孔阻止層をさらに含み、前記正孔阻止層が前記発光層と接触していることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ。
- 前記正孔阻止層は、下記の式で示される化合物を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＯＬＥＤ。
（ここで、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基である。）
- 前記正孔阻止層は、下記の式で示される化合物を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＯＬＥＤ。
- 前記正孔阻止層は、下記の式で示される化合物を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＯＬＥＤ。
- 前記エレクトロルミネッセント媒体は、前記正孔阻止層と前記カソードとの間に電子輸送層をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載のＯＬＥＤ。
- 前記電子輸送層は、下記の式で示される化合物を含むことを特徴とする請求項２３に記載のＯＬＥＤ。
- Ｘは、アミノ酸またはサリチルアルデヒドであることを特徴とする請求項５に記載のＯＬＥＤ。
- Ｒ２は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキルまたはアリールであり、Ｒ３は、アリールであることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ。
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