JP4740849B2 - 真空蒸着方法、及び真空蒸着用密封型蒸発源装置 - Google Patents
真空蒸着方法、及び真空蒸着用密封型蒸発源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4740849B2 JP4740849B2 JP2006522818A JP2006522818A JP4740849B2 JP 4740849 B2 JP4740849 B2 JP 4740849B2 JP 2006522818 A JP2006522818 A JP 2006522818A JP 2006522818 A JP2006522818 A JP 2006522818A JP 4740849 B2 JP4740849 B2 JP 4740849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- heating
- evaporation material
- sealed
- heating container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
- C30B23/066—Heating of the material to be evaporated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
現在、例えば、眼鏡レンズの表面に対してSiO(蒸発材料)保護膜を蒸着形成する場合にあっては、真空槽の上部に多数のレンズを並べて配置し、かつその下部に開放型の蒸発源を設置した上で、一般的には抵抗加熱手段で蒸着させるようにしている。そして、この場合には、レンズの入れ替えを手作業で行ない、同時に蒸発材料の補充についても手作業で行なっている。このようにして基板(蒸着対象基板である眼鏡レンズ)の交換作業や蒸発材料の補充作業を行なうものは、他にも多数ある。
この参考例2は、図10による真空蒸着方法と真空蒸着用密封型蒸発源装置に基づくものの場合であり、蒸発材料が成形体である点で本発明とは異なる。
11,31,51,71,81 加熱容器
12a,12b,52a,52b 上部、下部の各加熱円筒
13a,13b,53a,53b 上部、下部の各電極
14,34,54 噴射開口
15 保持部
16,56 固定台
17 冷却配管
21,41,61 蒸気化空間
22 成形体
23 蒸発材料の粉粒体
32 保持筐体
33 加熱板
33a,33b 上部、下部の各電極
58 蒸発材料供給管
59 給送スクリュー
62 成長体
A 能動的発熱領域
B 受動的発熱領域
C 蒸発不能領域
Claims (10)
- 噴射用開口を配した気体密封型加熱容器を用いて、昇華性かつ粉粒状の蒸発材料を蒸着する真空蒸着方法において、
前記加熱容器は、前記粉粒状蒸発材料が該加熱容器からの伝導熱によっては蒸発しない領域に供給口を有しており、該供給口から供給される前記粉粒状蒸発材料は、前記加熱容器からの伝導熱によっては蒸発しない領域に保持され、かつ前記放射熱による蒸発領域では、該供給され保持される粉粒状蒸発材料を、加熱容器内の蒸発可能な温度を有する発熱面に接触しない状態で、かつ該発熱面に対向するように保持させ、
前記加熱容器からの伝導熱によっては蒸発しない領域に保持される粉粒状蒸発材料を前記加熱容器からの放射熱により蒸気化し、かつ該発生する蒸気を前記噴射用開口から容器外部の蒸着対象面に向けて噴射させることを特徴とする真空蒸着方法。 - 前記加熱容器の発熱面からの放射熱を受けて生じた前記粉粒状蒸発材料からの蒸気が、該加熱容器内の空間で熱擾乱運動しつつ、その一部が前記粉粒状蒸発材料の表面に再付着し、かつ固相化して所要形態に維持されることを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着方法。
- 前記加熱容器に設けた供給口の気体密封性が、該供給口を経て供給される前記粉粒状蒸発材料の存在によって維持されることを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着方法。
- 前記加熱容器に設けた供給口の気体密封性が、前記蒸気の一部再付着による固相化によって維持されることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空蒸着方法。
- 前記供給口への前記粉粒状蒸発材料の供給が、前記加熱容器内での粉粒状蒸発材料の前記噴射に伴う減少に対応して行なわれることを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着方法。
- 昇華性かつ粉粒状の蒸発材料を蒸着する真空蒸着において、
噴射用開口を配しかつ内面からの放射熱により該粉粒状蒸発材料を蒸気化する領域を有する気体密封型加熱容器と、前記蒸発材料を保持させる保持部とを備え、
前記加熱容器は、前記粉粒状蒸発材料が該加熱容器からの伝導熱によっては蒸発しない領域部分に該粉粒状蒸発材料の供給口を有しており、該供給口から供給される前記粉粒状蒸発材料は、前記加熱容器からの伝導熱によっては蒸発しない領域に保持され、かつ前記放射熱による蒸発領域では、該供給され保持される粉粒状蒸発材料を、加熱容器内の蒸発可能な温度を有する発熱面に接触しない状態で、該発熱面に対向して保持させるようにし、
前記発生する蒸気を前記噴射用開口から容器外部の蒸着対象面に向けて噴射させるようにしたことを特徴とする真空蒸着用密封型蒸発源装置。 - 前記粉粒状蒸発材料の供給口ないしは前記保持部が、前記加熱容器からの伝導熱によっては該粉粒状蒸発材料を蒸発させない位置部分に配したことを特徴とする請求項6に記載の真空蒸着用密封型蒸発源装置。
- 前記加熱容器に設けた供給口の気体密封性が、該供給口を経て供給される前記粉粒状蒸発材料の存在によって維持されるようにしたことを特徴とする請求項6又は7に記載の真空蒸着用密封型蒸発源装置。
- 前記加熱容器に設けた供給口の気体密封性が、前記蒸気の一部再付着による固相化によって維持されるようにしたことを特徴とする請求項6ないし8の何れか1項に記載の真空蒸着用密封型蒸発源装置。
- 前記供給口への前記粉粒状蒸発材料の供給が、前記加熱容器内での粉粒状蒸発材料の前記噴射に伴う減少に対応して行なわれるようにしたことを特徴とする請求項6に記載の真空蒸着用密封型蒸発源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006522818A JP4740849B2 (ja) | 2004-01-22 | 2005-01-21 | 真空蒸着方法、及び真空蒸着用密封型蒸発源装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004014341 | 2004-01-22 | ||
JP2004014341 | 2004-01-22 | ||
PCT/JP2005/001174 WO2005071133A2 (en) | 2004-01-22 | 2005-01-21 | Vacuum deposition method and sealed-type evaporation source apparatus for vacuum deposition |
JP2006522818A JP4740849B2 (ja) | 2004-01-22 | 2005-01-21 | 真空蒸着方法、及び真空蒸着用密封型蒸発源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007518874A JP2007518874A (ja) | 2007-07-12 |
JP4740849B2 true JP4740849B2 (ja) | 2011-08-03 |
Family
ID=34805417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006522818A Expired - Fee Related JP4740849B2 (ja) | 2004-01-22 | 2005-01-21 | 真空蒸着方法、及び真空蒸着用密封型蒸発源装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070281081A1 (ja) |
EP (1) | EP1713948A2 (ja) |
JP (1) | JP4740849B2 (ja) |
CN (1) | CN100557068C (ja) |
WO (1) | WO2005071133A2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2019156A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-01-28 | Applied Materials, Inc. | Shaped crucible and evaporation apparatus having same |
JP5183310B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2013-04-17 | 日立造船株式会社 | 蒸着装置 |
US8512806B2 (en) * | 2008-08-12 | 2013-08-20 | Momentive Performance Materials Inc. | Large volume evaporation source |
KR101174874B1 (ko) * | 2010-01-06 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 소스, 박막 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101562664B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-10-26 | 에이피시스템 주식회사 | 막 형성 장치 및 이를 이용한 막 형성 방법 |
US11404254B2 (en) | 2018-09-19 | 2022-08-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insertable target holder for solid dopant materials |
CN109594046B (zh) * | 2019-01-23 | 2023-07-07 | 湖南宇晶机器股份有限公司 | 一种镀膜用蒸发装置 |
US11170973B2 (en) | 2019-10-09 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Temperature control for insertable target holder for solid dopant materials |
US10957509B1 (en) | 2019-11-07 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Insertable target holder for improved stability and performance for solid dopant materials |
US11854760B2 (en) | 2021-06-21 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Crucible design for liquid metal in an ion source |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3313914A (en) * | 1964-12-31 | 1967-04-11 | Ibm | Monitored evaporant source |
JPS6179763A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 蒸着装置 |
US4748313A (en) * | 1985-08-23 | 1988-05-31 | Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh | Apparatus by the continuous vaporization of inorganic compositions by means of a photon-generating thermal source of radiation heat |
JPH02270959A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸発源用坩堝 |
JPH0368763A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸発源装置 |
JPH1025563A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-01-27 | Shinko Seiki Co Ltd | 真空蒸着装置及び真空蒸着方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2950523A (en) * | 1955-06-02 | 1960-08-30 | John A Bitterli | Cutting tool and method of making |
US3243267A (en) * | 1964-07-31 | 1966-03-29 | Gen Electric | Growth of single crystals |
JP2710670B2 (ja) | 1989-08-01 | 1998-02-10 | 三菱電機株式会社 | 蒸気発生源用るつぼ |
DE4019965A1 (de) * | 1990-06-21 | 1992-01-09 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von substratmaterial |
US5904781A (en) * | 1997-06-23 | 1999-05-18 | Goodman; Claude | Processing and apparatus for manufacturing auto-collimating phosphors |
US7339139B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-03-04 | Darly Custom Technology, Inc. | Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use |
-
2005
- 2005-01-21 JP JP2006522818A patent/JP4740849B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-21 EP EP05704227A patent/EP1713948A2/en not_active Withdrawn
- 2005-01-21 CN CN200580009356.0A patent/CN100557068C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-21 WO PCT/JP2005/001174 patent/WO2005071133A2/en active Application Filing
- 2005-01-21 US US10/586,400 patent/US20070281081A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3313914A (en) * | 1964-12-31 | 1967-04-11 | Ibm | Monitored evaporant source |
JPS6179763A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 蒸着装置 |
US4748313A (en) * | 1985-08-23 | 1988-05-31 | Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh | Apparatus by the continuous vaporization of inorganic compositions by means of a photon-generating thermal source of radiation heat |
JPH02270959A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸発源用坩堝 |
JPH0368763A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸発源装置 |
JPH1025563A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-01-27 | Shinko Seiki Co Ltd | 真空蒸着装置及び真空蒸着方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1946868A (zh) | 2007-04-11 |
EP1713948A2 (en) | 2006-10-25 |
JP2007518874A (ja) | 2007-07-12 |
WO2005071133A2 (en) | 2005-08-04 |
US20070281081A1 (en) | 2007-12-06 |
CN100557068C (zh) | 2009-11-04 |
WO2005071133A3 (en) | 2005-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4740849B2 (ja) | 真空蒸着方法、及び真空蒸着用密封型蒸発源装置 | |
JP3475403B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
JP2009084674A (ja) | 蒸着源、蒸着装置 | |
CN101445907A (zh) | 蒸镀装置 | |
KR20070118917A (ko) | 증발원 | |
JP6647202B2 (ja) | 堆積アレンジメント、堆積装置、及びこれらの操作方法 | |
JP2006063446A (ja) | 有機物蒸着装置 | |
KR20090015324A (ko) | 금속성 박막 증착용 선형 하향식 고온 증발원 | |
JPH07157868A (ja) | 抵抗加熱型蒸発源及びそれを用いる薄膜形成方法 | |
KR20110033590A (ko) | 증착 소스 | |
JP4876212B2 (ja) | 気化器及び気化器を有するプラズマ処理装置 | |
JP5186591B2 (ja) | 有機化合物蒸気発生装置及び有機薄膜製造装置 | |
KR100467535B1 (ko) | 선형 증발원과 이를 이용한 증착장치 | |
KR20180016150A (ko) | 스피팅 방지 구조체를 구비한 증착장치용 증발원 | |
JP2003231963A (ja) | 真空蒸着方法とその装置 | |
CN216947166U (zh) | 一种具有双坩埚结构的真空蒸镀机 | |
JP2002167662A (ja) | 蒸着源材料供給設備 | |
JP6008320B2 (ja) | コンビナトリアル成膜装置 | |
TW201443259A (zh) | 沉積源及具有其之沉積設備 | |
KR101160437B1 (ko) | 하향식 금속박막 증착용 고온 증발원 | |
KR101061101B1 (ko) | 하향식 금속박막 증착용 고온 증발원 | |
JP2004346371A (ja) | 成膜方法及び装置 | |
JP2005048244A (ja) | 有機物薄膜堆積用分子線源 | |
JP4344631B2 (ja) | 有機物薄膜堆積用分子線源 | |
JP2014152365A (ja) | 真空蒸着装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070720 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070720 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071116 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110426 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |