JP4734668B2 - ダイヤモンド素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
このようなダイヤモンドデバイス材料としては、平坦性及び結晶性に優れたダイヤモンドエピタキシャル層を形成し、これに不純物の硼素、アルミニウム等をドープし、p型半導体、n型半導体として使用される。
このようにして得た半導体ダイヤモンド表面に、オーム性電極(オーミック電極)とショットキー電極(整流性電極)を形成し、各種の用途に対応した半導体素子とされるが、これらの電極は不純物の種類によるドーピングによりp型半導体、n型半導体の区別がなされ、これによって、対応するオーム性電極及びショットキー電極とすることができる。これ自体も既に公知であり、またさらに特性の向上のための工夫がなされている。
また、ショットキー電極の材料として耐熱性のあるタングステン、モリブデン、ニオブ、タンタル、多結晶シリコン、ニッケル、金、白金、炭化タングステン、炭化モリブデン、炭化タンタル、炭化ニオブ、ケイ化タングステン、ケイ化モリブデンであることが好ましく、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、CVD法、プラズマCVD法によって形成することが提案されている(特許文献2参照)。
また、ショットキー電極層として2種の金属材料を使用し、第1の金属として、タングステン、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ニオブを用い、第2の金属として、仕事関数が5eV以下の金属であるアルミニウム、亜鉛を使用して、複合金属とする提案がある(特許文献4参照)。
また、ショットキー電極層として、電気陰性度が1.8以下と低い金属を電極として使用し、特にMg、Hf、Zr、Alを使用し、高温で用いる場合は電極の酸化防止にPt又はAuをキャップ層として積層することが提案されている(特許文献5参照)。
そのために、主として耐熱性に優れた金属を使用する例を示している。しかし、これには限界があり、高温で動作させる材料としては十分ではないという問題があった。
窒化物としては、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化ニオブ、窒化バナジウム等の窒化物を使用できる。これらの窒化物は、電極の耐熱性を格段に向上させることができる。
この場合、半導体ダイヤモンド表面上に、予め純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子を形成し、この上にさらに上記窒化物導電体のキャップを形成して耐熱性を向上させても良い。本願発明は、これらのショットキー電極層を備えたダイヤモンド素子の全てを包含する。
また、ショットキー電極層の周囲に、半導体ダイヤモンド層に埋め込まれた高抵抗材料層を形成することもできる。この場合、より破壊電界を改善することができる。この場合、高抵抗材料層の表面は、半導体ダイヤモンドの表面と同一平面内とすることもできる。この場合は、後工程のリソグラフィーによるパターン作成を容易にするという効果がある。
ダイヤモンド素子の製造に際しては、絶縁体ダイヤモンド層又は金属的ダイヤモンド層上に半導体ダイヤモンド層を形成し、さらにその上に窒化物導電体からなるショットキー電極層を形成する。半導体ダイヤモンド層は、公知の技術を使用して製造することができる。
窒化物導電体層の形成並びに純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子及び窒化物導電体からなるキャップ層の形成は、公知の蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、CVD法、プラズマCVD法によって形成することができる。各種の層の形成方法については、特に制限はない。
このようなダイヤモンド絶縁層1を形成する手段としては、特に制限はなく、公知の方法を使用することができる。原料ガスを直流、高周波又はマイクロ波電界による放電を利用する方法、イオン衝撃を利用する方法、レーザー光等の光を使用して原料ガスを分解して形成する方法、熱電子を利用して原料ガスを活性化する方法などである。これにより良好なダイヤモンド絶縁層1を形成することができる。
これ自体はすでに公知であり、本願発明は、これらに特に制限を受けるものではない。そして、対応するショットキー電極3及びオーム性電極4及びを形成する。この例1は、ショットキー電極3とオーム電極4を半導体ダイヤモンド層2の同一平面上に形成した例を示している。
図1では、窒化タングステンからなる耐熱性に優れたショットキー電極3を形成した例を示している。
特に、ショットキー電極用窒化物として、窒化ジルコニウムが優れている。オーム電極4については、半導体ダイヤモンド層の上にチタン、白金・モリブデン、さらに金を被覆(キャップ)した三層構造の電極とした例である。
この図2では、純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子5とそれの保護膜となる窒化物導電体からなるキャップ6からなるショットキー電極とオーム電極4を半導体ダイヤモンド層2の同一平面上に形成した例を示している。
このキャップ6は電極素子5の耐熱性を向上させるために重要であり、この例では、窒化タンタルからなるキャップ材料を示している。
オーム電極4の構造については、前記図1で述べた構造と同様であり、半導体ダイヤモンド層の上にチタン、白金・モリブデン、さらに金を被覆(キャップ)した三層構造の電極とした例である。
金属的ダイヤモンド層7の上に半導体ダイヤモンド層2を形成する。この形成方法は図1と同様である。この半導体ダイヤモンド層2の上に、窒化タンタルからなる耐熱性に優れたショットキー電極3を形成した例を示している。
図1と同様に、窒化タンタルからなるショットキー電極3は、高温大気下、放射線下等の過酷な環境下でも動作できる。この窒化タンタルに替えて、窒化タングステン、窒化ジルコニウム、窒化ニオブ、窒化バナジウム等の窒化物を用いることができる。1層とすることもできるが、多層とすることもできる。
構造としては、図1と同様に、金属的ダイヤモンド層7上に予めチタン層8を形成し、次に該チタン層8の上に白金、モリブデンからなる中間層9を形成し、さらにその上に金層10を形成した三層構造の電極である。金層(キャップ)は、導電性に富み、耐酸化性にも富む。
これらのオーム電極4は、導電性、熱伝導性に富むので、同様に放熱性に優れているので耐熱性も向上する効果を有する。
この高抵抗層11は電界分布を緩和するという機能を備えており、より、破壊電界が改善された特性を得ることができる。図4では、高抵抗材料層の表面は、半導体ダイヤモンド層2の表面と同一平面内とする例を示している。この場合は、後工程のリソグラフィーによるパターン作成を容易にする効果がある。
上記図3及び図4においては、窒化物電極層3のみを示したが、当然ながら図2に示すように、純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子5とそれの保護膜となる窒化物導電体からなるキャップ6からなるショットキー電極とすることもできる。
金属的なダイヤモンド層は、例えば水素雰囲気中のメタン濃度:0.01%〜20%程度、マイクロ波電力:600W〜5000W、基板温度:500°C〜1400°Cに対して、ボロンやアルミ等のIII属元素を、気相中濃度、炭素に対して50ppm以上の濃度で作成することができる。
半導体的なダイヤモンド層は、例えば水素雰囲気中のメタン濃度:0.01%〜20%程度、マイクロ波電力:600W〜5000W、基板温度:500°C〜1400°Cに対して、ボロンやアルミ、リン等のIII属元素又はV属元素を、気相中濃度、炭素に対して0.1ppm〜10%程度の濃度で作成することができる。
上記に一般的に使用される成膜条件を説明したが、これらは好適な例を示すものであり、発明の範囲がこれらの例に制限されるものではないことは知るべきである。
2:半導体ダイヤモンド層
3:ショットキー電極
4:オーム性電極
5:電極素子
6:キャップ
7:金属的ダイヤモンド層
8:チタン膜
9:白金、モリブデン膜
10:金膜
11:高抵抗層
Claims (10)
- 半導体ダイヤモンド表面上に、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化ニオブ、窒化バナジウムのいずれかの窒化物導電体からなるショットキー電極層を備えていることを特徴とするダイヤモンド素子。
- 半導体ダイヤモンド表面上に、純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子とその上に形成された窒化物導電体のキャップからなるショットキー電極層を備え、
前記窒化物導電体が、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化ニオブ、窒化バナジウムのいずれかの窒化物導電体であることを特徴とするダイヤモンド素子。 - 窒化物導電体が単層又は多層に形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のダイヤモンド素子。
- ショットキー電極層の周囲に、半導体ダイヤモンド層に埋め込まれた高抵抗材料層を備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のダイヤモンド素子。
- 半導体ダイヤモンド表面のショットキー電極層と同一表面又は裏面に、オーム性電極を備えていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のダイヤモンド素子。
- 絶縁体ダイヤモンド層又は金属的ダイヤモンド層上に半導体ダイヤモンド層を形成し、さらにその上に、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化ニオブ、窒化バナジウムのいずれかの窒化物導電体からなるショットキー電極層を形成したことを特徴とするダイヤモンド素子の製造方法。
- 絶縁体ダイヤモンド層又は金属的ダイヤモンド層上に半導体ダイヤモンド層を形成し、次にその上に純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子を形成し、さらにその上に、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化ニオブ、窒化バナジウムのいずれかの窒化物導電体のキャップを形成して、ショットキー電極層としたことを特徴とするダイヤモンド素子の製造方法。
- 窒化物導電体を単層又は多層に形成することを特徴とする請求項6又は7記載のダイヤモンド素子の製造方法。
- ショットキー電極層の周囲に、半導体ダイヤモンド層に埋め込まれた高抵抗材料層を形成したことを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載のダイヤモンド素子の製造方法。
- 半導体ダイヤモンド表面のショットキー電極層と同一表面又は裏面に、オーム性電極を形成したことを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載のダイヤモンド素子の製造方法。
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