JP6727928B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
ダイヤモンド半導体は、5.5eVという大きなバンドギャップエネルギーを有するワイドギャップ半導体である。強固で、高熱伝導率(20W/cm・K)を有するばかりでなく、高キャリア移動度(電子4500cm/V・sec、ホール3800cm/V・sec)、高破壊電界強度(10MV/cm)などのすぐれた材料物性を有する。そのためダイヤモンド半導体は、超高耐圧・超高効率の半導体装置用の材料として優れた特性を有する。
これまでに、ダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの開発が盛んに行われている。
特開2011−181763号公報
本発明が解決しようとする課題は、高耐圧の半導体装置を提供することである。
実施形態の半導体装置は、第1の側面を有するi型又は第1導電型の第1のダイヤモンド半導体層と、第1のダイヤモンド半導体層上に配置され第2の側面及び上面を有する第2導電型の第2のダイヤモンド半導体層と、第1の側面第2の側面及び上面に接し窒素を含む第3のダイヤモンド半導体層と、第3のダイヤモンド半導体層に接する絶縁層と、第1のダイヤモンド半導体層に電気的に接続された第1の電極と、第2のダイヤモンド半導体層に電気的に接続され、絶縁層上に配置された領域を有する第2の電極と、を備える。
第1の実施形態の半導体装置の模式断面図である。 第1の実施形態の半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。 第2の実施形態の半導体装置の模式断面図である。 第2の実施形態の半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。 第3の実施形態の半導体装置の模式断面図である。 第3の実施形態の半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。同じ符号が付されているものは同様のものを示す。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
本明細書中、同一又は類似する部材については、同一の符号を付し、重複する説明を省略することがある。
以下、第1導電型がp型、第2導電型がn型である場合を例に説明する。なお、第1導電型がn型、第2導電型がp型であっても本明細書中に記載の実施形態の半導体装置は好ましく実施可能である。また、以下の説明において、n、n、n及び、p、p、pの表記は、各導電型における不純物濃度の相対的な高低を表す。すなわちnはnよりもn型の不純物濃度が相対的に高く、nはnよりもn型の不純物濃度が相対的に低いことを示す。また、pはpよりもp型の不純物濃度が相対的に高く、pはpよりもp型の不純物濃度が相対的に低いことを示す。なお、n型、n型を単にn型、p型、p型を単にp型と記載する場合もある。
本明細書中、i型の半導体(アンドープ半導体)とは、真性半導体を意味する。ここで真性半導体とは、n型不純物の濃度及びp型不純物の濃度が1×1015cm−3以下である半導体を意味する。
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。以下に説明する実施形態は、以下に図示又は説明された向きとは異なる向きで実施可能である。
(第1の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第1の側面を有するi型又は第1導電型の第1のダイヤモンド半導体層と、第1のダイヤモンド半導体層上に配置され第2の側面を有する第2導電型の第2のダイヤモンド半導体層と、第1の側面及び第2の側面に接し窒素を含む第3のダイヤモンド半導体層と、第1のダイヤモンド半導体層に電気的に接続された第1の電極と、第2のダイヤモンド半導体層に電気的に接続された第2の電極と、を備える。
図1は、本実施形態の半導体装置100の模式断面図である。本実施形態の半導体装置100は、PINダイオードである。
半導体装置100は、ドリフト層(第1のダイヤモンド半導体層)10と、カソード層(第2のダイヤモンド半導体層)12と、半導体層(第3のダイヤモンド半導体層)14と、アノード層(半導体層)16と、コンタクト層(第5のダイヤモンド半導体層)20と、絶縁層30と、アノード電極(第1の電極)40と、カソード電極(第2の電極)42と、を備える。
半導体装置100は、アノード電極40、アノード層16、ドリフト層10、半導体層14、絶縁層30、カソード層12、コンタクト層20及びカソード電極42で構成される。ドリフト層10、カソード層12及びコンタクト層20の形状はメサ構造である。ドリフト層10はメサ構造の部分に側面(第1の側面)10aを有する。ドリフト層10は、メサ構造ではない部分に側面100aを有する。ドリフト層10は、上面10bを有する。カソード層12は、メサ構造の部分に側面(第2の側面)12aを有する。コンタクト層20は、メサ構造の部分に側面20aを有する。
ドリフト層10の導電型はi型又はp型である。ドリフト層10に用いられるp型不純物は、例えばボロン(B)である。ドリフト層10の不純物濃度は、高耐圧化のため1×1013atoms/cm以上5×1016atoms/cm以下であることが好ましい。
カソード層12は、ドリフト層10上に配置されている。カソード層12の導電型はn型である。ダイヤモンド半導体層に用いられるn型不純物は、例えばリン(P)である。カソード層12におけるn型不純物濃度は、オン抵抗低減のため1×1018atoms/cm以上であることが好ましい。
コンタクト層20は、カソード層12上に配置されている。コンタクト層20の導電型はn型である。コンタクト層20におけるn型不純物濃度は、カソード電極42とコンタクト層20のコンタクト抵抗低減のため1×1019atoms/cm以上1×1022atoms/cm以下であることが好ましい。
メサ構造50は、アノード層16上に、ドリフト層10、カソード層12及びコンタクト層20を含んでいる。メサ構造の側面50aは、ドリフト層の側面10a、カソード層の側面12a及びコンタクト層の側面20aよりなる。コンタクト層の上面20bはメサ構造の上面50bである。ドリフト層の上面10bは、メサ構造50の周囲に配置された面である。なお、ドリフト層の側面10a及びカソード層の側面12aは、メサ構造の側面であることには限定されない。
半導体層14は、ドリフト層の上面10b、ドリフト層の側面10a、カソード層の側面12a、コンタクト層の側面20a及びコンタクト層の上面20bの例えば界面に接して、ドリフト層の上面10b、ドリフト層の側面10a、カソード層の側面12a、コンタクト層の側面20a及びコンタクト層の上面20bの上に配置されている。
半導体層14は、窒素(N)を含むダイヤモンド半導体層である。半導体層14における窒素(N)濃度は、1×1015atoms/cm以上1×1019atoms/cm以下であることが、容易にドープを可能にし、かつ半導体層14の伝導度を制御するために好ましい。また、半導体層14の膜厚は、メサ構造50を形成するためのエッチング等により荒れた表面の平坦性を向上するために10nm以上10μm以下であることが好ましく、絶縁性を確保するためには100nm以上10μm以下であることが好ましい。
アノード層16とカソード層12の間にドリフト層10が配置されている。言い換えると、ドリフト層10は、アノード層16上に配置されている。アノード層16の導電型は、p型である。アノード層16の不純物濃度は、アノード電極40とアノード層16の間のコンタクト抵抗低減のため、ドリフト層の不純物濃度より高く、1018atoms/cm以上であることが好ましい。
アノード層16は、ダイヤモンド半導体層であることが、ドリフト層10との間の格子歪みを低減させる上で好ましい。なお、アノード層16としては、Si(シリコン)基板又はSiC(炭化珪素)基板であっても良い。
絶縁層30は、半導体層14の上に、半導体層14に接して配置されている。絶縁層30は、SiO等の酸化シリコン若しくはAl等の酸化アルミニウムを含む酸化物、又はAlN等の窒化アルミニウム若しくはSiN等の窒化シリコンを含む窒化物であることが、絶縁性が良好であり好ましい。
絶縁層30の形成には、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法が用いられる。しかし、例えばSi(シリコン)やAl(アルミニウム)からなる層を堆積させた後に、酸素ガス(Oガス)雰囲気中、窒素ガス(Nガス)雰囲気中又は水蒸気雰囲気中において熱処理することにより絶縁層30を形成しても良い。
アノード電極40は、アノード層16を介して、ドリフト層10に電気的に接続されている。アノード電極40は、アノード層16にオーミック接続していることが好ましい。たとえば、Ti(チタン)/Pt(白金)/Au(金)が積層された電極を電子ビームにより蒸着し、Ar(アルゴン)ガス雰囲気中で熱処理した電極は、ダイヤモンド半導体層に対して良いオーミック電極である。そのため、アノード層16がダイヤモンド半導体層である場合は、Ti(チタン)/Pt(白金)/Au(金)が積層された電極は、アノード電極40として好ましく用いることが出来る。さらに、グラファイトや金属カーバイドをアノード電極40の材料として用いても良い。
図1に示すように、アノード層16の下に、アノード層16とカソード層12の間にドリフト層10が配置されていても良い。また、アノード電極40の構造は、例えば一端が絶縁層30の上に配置され他端がドリフト層10又はアノード層16に電気的に接続されている縦型構造となっていても良い。
カソード電極42は、コンタクト層20上に配置され、コンタクト層20を介してカソード層12に電気的に接続されている。カソード電極42は、上述のTi(チタン)/Pt(白金)/Au(金)が積層された電極を電子ビームにより蒸着し、Ar(アルゴン)ガス雰囲気中で熱処理した電極であることが、コンタクト層20またはカソード層12と良好な接合を形成する上で好ましい。さらに、グラファイトや金属カーバイドをカソード電極42の材料として用いても良い。
カソード電極42は、絶縁層30上に配置された第1のフィールドプレート領域44を有する。第1のフィールドプレート領域44があることにより、半導体装置100内の電界集中が緩和される。
次に、本実施形態の半導体装置100の製造方法を記載する。図2は、本実施形態の半導体装置100の製造方法を示す模式断面図である。
本実施形態の半導体装置100の製造方法は、p型のアノード層16上にi型又はp型のドリフト層10を形成し、ドリフト層10上にn型のカソード層12を形成し、カソード層12上にn型のコンタクト層20を形成し、ドリフト層10上に、ドリフト層10、カソード層12及びコンタクト層20を含むメサ構造を形成し、ドリフト層10、カソード層12及びコンタクト層20上に半導体層14を形成し、半導体層14上に絶縁層30を形成し、ドリフト層10に電気的に接続されるアノード電極40を形成し、カソード層12に電気的に接続されるカソード電極42を形成し、絶縁層30上に第1のフィールドプレート領域44を形成する。
まず、p型のアノード層16上にi型又はp型のドリフト層10を、例えばエピタキシャル成長法により形成する。アノード層16としては、例えばp型不純物としてボロンがドープされたダイヤモンド半導体基板が好ましく用いられる。なおSi基板等をアノード層16として用いても良い。
次に、ドリフト層10上にn型のカソード層12を、例えばエピタキシャル成長法により形成する。次に、カソード層12上にn型のコンタクト層20を、例えばエピタキシャル成長法により形成する(図2(a))。
本実施形態の製造方法におけるダイヤモンド半導体層のエピタキシャル成長には、マイクロ波プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法が好ましく用いられる。
ダイヤモンド半導体において、不純物のドーピングをイオン注入や固相拡散で行うことは困難である。そのため、ダイヤモンド半導体層の形成においては、通常、ダイヤモンド半導体層の形成時にドーピングをおこなう。
本実施形態におけるp型のダイヤモンド半導体層を形成するための原料ガスとしては、H(水素)ガスと、CH(メタン)ガスと、p型不純物ガスとしてのB(ジボラン)ガスと、を用いることが好ましい。また、本実施形態におけるn型のダイヤモンド半導体層を形成するための原料ガスとしては、H(水素)ガスと、CH(メタン)ガスと、n型不純物ガスとしてのPH(ホスフィン)ガスと、を用いることが好ましい。また、CHガスとHガスとの比を制御してαパラメータを調整することが好ましい。
次に、ドリフト層10、カソード層12及びコンタクト層20の一部を、例えばフォトリソグラフィー法とRIE(Reactive Ion Etching:反応性イオンエッチング)法により除去し、ドリフト層10上に、ドリフト層10、カソード層12及びコンタクト層20を含むメサ構造50を形成する。このときに形成されたドリフト層の側面10a、カソード層の側面12a及びコンタクト層の側面20aが、メサ構造の側面50aとなる。また、コンタクト層の上面20bは、メサ構造の上面50bとなる。さらにこのときに、メサ構造50周囲のドリフト層10上に、ドリフト層の上面10bが形成される(図2(b))。
次に、ドリフト層10、カソード層12及びコンタクト層20上に、半導体層14を、例えばエピタキシャル成長法により形成する。ここで、半導体層14を形成するための原料ガスとしては、H(水素)ガスと、CH(メタン)ガスと、窒素原料のガスを用いることが好ましい。ここで窒素原料のガスとしては、例えばNガス又はNHガス等を好ましく用いることが出来る。
次に、半導体層14上に、例えばCVD法により、例えばSiOからなる絶縁層30を形成する(図2(c))。
次に、パターニング及びエッチングにより、コンタクト層20が露出するように、半導体層14の一部及び絶縁層30の一部を除去する(図2(d))。
次に、ドリフト層10に電気的に接続されるアノード電極40及びカソード層12に電気的に接続されるカソード電極42を、Ti/Pt/Auを電子ビーム蒸着により堆積した後に600℃で熱処理することにより形成し、第1のフィールドプレート領域44を絶縁層30上に形成し、本実施形態の半導体装置100を得る(図2(e))。
上述の方法により製造した半導体装置100の不純物濃度をSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry:二次イオン質量分析法)により測定したところ、アノード層16として用いたダイヤモンド半導体基板中のB濃度は5×1020cm−3、ドリフト層10中のP及びB濃度は検出下限(1×1015cm−3)以下、カソード層12中のP濃度は1×1018cm−3、半導体層14中のN濃度は1×1017cm−3、コンタクト層20中のP濃度は1×1020cm−3であった。
この半導体装置100のI−V特性を測定したところ、±10Vにおける整流比は10桁以上、5Vにおける順方向電流密度は1000A/cmであった。また、逆方向の電圧は10kVまで加えてもブレークダウンは発生しなかった。
次に、本実施形態の半導体装置100の作用効果を説明する。
本実施形態の半導体装置の如く、半導体層の側面に窒素含有層を設けることより、この層が密着性に優れた絶縁層となり、信頼性が高くかつ高耐圧の半導体装置を提供することができる。
以下、作用効果についてさらに詳細に説明する。
一般に、PINダイオードにおいては、逆方向耐圧はpn接合に形成される空乏層の特性により決定される。そのため、ダイヤモンド本来の高い絶縁破壊電界を生かしたダイオードの作製が可能である。PINダイオードの順方向電流についても、ダイヤモンドが有する高い移動度の効果だけでなく、伝導度変調の効果が期待できる。そのため、ダイヤモンド半導体を用いたPINダイオードにおいては、ドリフト層10の膜厚が大きい場合であっても低抵抗のダイオードが期待出来る。
また、ダイヤモンドにおいてはn型ドーピングが永年の課題であった。しかし、n型不純物としてリン(P)をドープすることにより室温であっても比較的低抵抗のn型ダイヤモンド半導体が実現され制御出来るようになった。
しかし、ダイヤモンド表面は、酸素や水素等の異種元素と結合することにより安定化する。そのため、終端状態によっても異なるが、一般的に表面準位密度が高い。これにより、表面リークや電界集中が起こりやすく、ダイヤモンド本来の絶縁破壊電界を示す耐圧の高い素子を作製することが難しい。また、ダイヤモンドにおいてはウェットエッチングが困難なためドライエッチングを用いている。このドライエッチングがダイヤモンドに与えるダメージが大きいと考えられる。さらに、特にPをドープしたn型ダイヤモンドにおいては、高濃度にPをドープするとヒロックや異常成長粒子等により表面の平坦性が悪くなりやすい。また、これにより、エッチング後の表面の平坦性もまた悪くなりやすい。
また、半導体装置100の電界緩和や動作制御のためには、様々な部分に絶縁層を用いる。ダイヤモンド半導体を用いた半導体装置100は高耐圧の分野で用いられることが期待されるため、絶縁層にも高耐圧が求められる。ここで絶縁層の耐圧は膜質に依存する。しかし、熱酸化により形成され質が高いと考えられるSiO膜であっても10MV/cmであり、ダイヤモンドの耐圧と同等か、ダイヤモンドの耐圧より低い。従って高耐圧の絶縁層を用いるためには、膜厚が比較的厚くかつ高品質であることが好ましい。
しかし、ダイヤモンド表面に酸化膜等の絶縁層を直接形成すると、密着性が悪いため、高耐圧の応用に用いることが出来る十分な膜厚の酸化膜を形成すると剥離してしまう等の問題がある。
そこで、本実施形態の半導体装置100は、i型又はp型のドリフト層の側面10a及びn型のカソード層の側面12aに接し、窒素(N)を含む半導体層14を備える。窒素(N)のドナー準位は1.7eVと、リン(P)の0.58eVに比べて非常に深い。そのため常温では非常に高抵抗であることから、この半導体層14は良好な絶縁層として用いることが出来る。
また、リン(P)の原子番号が15であるのに対し、窒素(N)の原子番号は7で炭素(C)の原子番号6と近い。そのため、窒素原子と炭素原子は互いに大きさが近いため容易に置換可能である。よって、リン(P)を含むダイヤモンドが<111>方向に成長されることによりリン(P)の取り込み効率及び不純物濃度の制御性が向上するのに対し、窒素(N)を含むダイヤモンド半導体層の成長及びドーピング濃度はその成長される面方位に依存せず容易に行うことが出来る。そのため、窒素(N)を含む半導体層14は、メサ構造の側面50aやメサ構造の上面50b等の凹凸を有する面に対してであっても、エピタキシャル成長が可能であり、半導体層に対し、良好な密着性を示す。
さらに、PN接合やメサ構造等の最表面では、ドライエッチングの際に形成された界面準位の密度が高くなっている。この最表面に直接絶縁層30を設けることは、上述の通り密着性が悪いため難しい。しかし、半導体層14により、半導体装置100に加わる電界の大部分を担うpn接合端が露出する半導体装置100の側面における界面準位密度を低減することができ、電界集中を緩和する効果やpn接合のリーク電流を低減することが可能になる。
さらに、半導体層14は、活性化率の低いn型半導体層としても機能する。そのため、半導体層14を設けることにより空乏層を広げ耐圧を増加させる効果が期待出来る。
さらに、本実施形態の半導体装置100は、半導体層14に接する他の組成の絶縁層30を備えることが耐圧性をさらに向上させる上で望ましい。リン(P)を含むダイヤモンドは、炭素原子よりリン原子が大きいため歪みが入りやすくリンの偏析等も起こりやすい。そのため、リン(P)を含む場合、表面平坦性の制御は困難である。しかし、上述の通り窒素原子と炭素原子は互いに大きさが近いため、結晶に歪みが入りにくく容易に表面を平坦にすることができる。が出来る。そのため、半導体層14の上には、高品質で膜厚の厚い絶縁層30を設けることが出来る。
なお、前述の如く絶縁層30の材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は窒化シリコンである。窒化アルミニウムは絶縁耐性が高くまた半導体層14が窒素を含むため親和性が高いため好ましい。
さらに、本実施形態の半導体装置100においては、第2の電極42は絶縁層30上に配置された第1のフィールドプレート領域44を有することが望ましい。半導体層14を介して絶縁層30を設けることにより、密着性が高く高耐圧で用いることが出来る十分な膜厚を有する絶縁層30を形成することが出来る。よって、この絶縁層30上に第1のフィールドプレート領域44を配置することにより、さらに半導体装置100の電界集中を緩和して高耐圧の半導体装置100を提供することが可能となる。
以上、本実施形態の半導体装置100によれば、高耐圧の半導体装置を提供することが可能になる。
(第2の実施形態)
本実施形態の半導体装置200は、第2のダイヤモンド半導体層12上に配置された第1導電型の第4のダイヤモンド半導体層18と、第4のダイヤモンド半導体層18に電気的に接続された第3の電極46と、をさらに備える点で、第1の実施形態の半導体装置100と異なっている。ここで、第1の実施形態と重複する点については、記載を省略する。
図3は、本実施形態の半導体装置200の模式断面図である。本実施形態の半導体装置200は、バイポーラトランジスタである。半導体装置200は、ドリフト層(第1のダイヤモンド半導体層)10と、ベース層(第2のダイヤモンド半導体層)12と、半導体層(第3のダイヤモンド半導体層)14と、コレクタ層(半導体層)16と、エミッタ層(第4のダイヤモンド半導体層)18と、絶縁層30と、コレクタ電極(第1の電極)40と、ベース電極(第2の電極)42と、エミッタ電極(第3の電極)46と、を備える。
ベース電極42は、第1のフィールドプレート領域44を有する。エミッタ電極46は、第2のフィールドプレート領域48を有する。
半導体装置200は、アノード電極40、アノード層16、ドリフト層10、半導体層14及び絶縁層30に跨がる、半導体装置の側面200aを有する。
エミッタ層18は、ベース層12上に配置されている。エミッタ層18の導電型は、p型である。エミッタ層18に用いられるp型不純物は、例えばボロン(B)である。
エミッタ電極46は、エミッタ層18上に配置され、エミッタ層18と電気的に接続されている。エミッタ電極46は、上述のTi(チタン)/Pt(白金)/Au(金)からなる電極を電子ビームにより蒸着し、Ar(アルゴン)ガス雰囲気中で熱処理した電極であることが、エミッタ層18と良好な接合を形成する上で好ましい。さらに、グラファイトや金属カーバイドをエミッタ電極46の材料として用いても良い。
ベース電極42は、絶縁層30上に配置された第1のフィールドプレート領域44を有する。また、エミッタ電極46は、絶縁層30上に配置された第2のフィールドプレート領域48を有する。第1のフィールドプレート領域44及び第2のフィールドプレート領域48は、半導体装置200内の電界集中の緩和に用いられる。
次に、本実施形態の半導体装置200の製造方法を記載する。図4は、本実施形態の半導体装置200の製造方法を示す模式断面図である。
本実施形態の半導体装置200の製造方法は、p型のコレクタ層16上にi型又はp型のドリフト層10を形成し、ドリフト層10上にn型のベース層12を形成し、ベース層12上にp型のエミッタ層18を形成し、ドリフト層10上に、ドリフト層10、ベース層12及びエミッタ層18を含むメサ構造50を形成し、ドリフト層10及びメサ構造50上に半導体層14を形成し、半導体層14上に絶縁層30を形成し、ドリフト層10に電気的に接続されるコレクタ電極40を形成し、ベース層12に電気的に接続されるベース電極42を形成し、エミッタ層18に電気的に接続されるエミッタ電極46を形成し、絶縁層30上に第1のフィールドプレート領域44及び第2のフィールドプレート領域48を形成する。
まず、p型のコレクタ層16上にi型又はp型のドリフト層10を、例えばエピタキシャル成長法により形成する。コレクタ層16としては、例えばp型不純物としてボロンがドープされたダイヤモンド半導体基板である。なおSi基板等をコレクタ層16として用いても良い。
次に、ドリフト層10上にn型のベース層12を、例えばエピタキシャル成長法により形成する。次に、ベース層12上にp型のエミッタ層18を、例えばエピタキシャル成長法により形成する(図4(a))。
次に、ドリフト層10、ベース層12及びエミッタ層18の一部を、例えばフォトリソグラフィー法とRIE(Reactive Ion Etching:反応性イオンエッチング)法により除去し、ドリフト層10上に、ドリフト層10、ベース層12及びエミッタ層18を含むメサ構造50を形成する(図4(b))。
次に、ドリフト層の上面10b、メサ構造部分の側面50a及びメサ構造の上面50b上に、半導体層14を、例えばエピタキシャル成長法により形成する(図4(c))。ここで、半導体層14を形成するための原料ガスとしては、H(水素)ガスと、CH(メタン)ガスと、窒素原料のガスを用いる。窒素原料のガスとしては、例えばNガス又はNHガスである。
次に、例えばパターニング及びエッチングにより、ベース層12の一部及びエミッタ層18が露出するように、ベース層12の一部、半導体層14の一部及びエミッタ層18の一部を除去する(図4(d))。
次に、半導体層14、ベース層12及びエミッタ層18上に、例えばCVD法により、例えばSiOからなる絶縁層30を形成する。次に、ベース層12の表面の一部及びエミッタ層18の表面の一部が露出するように、例えばパターニング及びエッチングにより、絶縁層30の一部を除去する(図4(e))。
次に、ドリフト層10に電気的に接続されるコレクタ電極40、ベース層12に電気的に接続されるベース電極42、及びエミッタ層18に電気的に接続されるエミッタ電極46を、Ti/Pt/Auを電子ビーム蒸着により堆積した後に600℃で熱処理することにより形成し、絶縁層30上に第1のフィールドプレート領域44及び第2のフィールドプレート領域48を形成し、本実施形態の半導体装置200を得る(図4(f))。
上述の方法により製造した半導体装置200の不純物濃度をSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry:二次イオン質量分析法)により測定したところ、コレクタ層16として用いたダイヤモンド半導体基板中のB濃度は5×1020cm−3、ドリフト層10中のP及びB濃度は検出下限(1×1015cm−3)以下、ベース層12中のP濃度は1×1018cm−3、半導体層14中のN濃度は1×1017cm−3、エミッタ層18中のP濃度は1×1020cm−3であった。この半導体装置のI−V特性を測定したところ、±10Vにおける整流比は10桁以上、5Vにおける順方向電流密度は1000A/cmであった。また、逆方向の電圧は10kVまで加えてもブレークダウンは発生しなかった。
以上、本実施形態の半導体装置200によれば、高耐圧の半導体装置を提供することが可能になる。
(第3の実施形態)
本実施形態の半導体装置300は、第1導電型の第1のダイヤモンド半導体層10と、第1のダイヤモンド半導体層10に接し窒素を含む第2のダイヤモンド半導体層12と、第1のダイヤモンド半導体層10に電気的に接続された第1の電極40と、第1のダイヤモンド半導体層10及び第2のダイヤモンド半導体層12に接する第2の電極42と、を備える。
本実施形態の半導体装置300は、ショットキーダイオードである。ここで第1及び第2の実施形態と重複する点については、記載を省略する。
図5は、本実施形態の半導体装置300の模式断面図である。半導体装置300は、ドリフト層(第1のダイヤモンド半導体層)10と、半導体層(第2のダイヤモンド半導体層)12と、アノード層(半導体層)16と、絶縁層30と、アノード電極(第1の電極)40と、カソード電極(第2の電極)42と、を備える。
ドリフト層10の導電型はp型である。ドリフト層10は、ショットキーダイオードのドリフト層である。ドリフト層10に用いられるp型不純物は、例えばボロン(B)である。ドリフト層10の不純物濃度は、高耐圧化のため5×1016atoms/cm以下であることが好ましい。
半導体層12は、ドリフト層10上に、ドリフト層10に接して配置されている。半導体層12は、窒素(N)を含む。半導体層12における窒素(N)濃度は、1×1015atoms/cm以上1×1019atoms/cm以下であることが、容易にドープが可能でかつ半導体層12の伝導度を制御するために好ましい。また、半導体層12の膜厚は、ドリフト層10の表面の平坦性を向上するために10nm以上であることが好ましく、絶縁性を確保するためには100nm以上であることが好ましい。
絶縁層30は、半導体層12の上に、半導体層12に接して配置されている。絶縁層30は、SiO等の酸化シリコン若しくはAl等の酸化アルミニウムを含む酸化膜、又はAlN等の窒化アルミニウム若しくはSiN等の窒化シリコンを含む窒化膜であることが、絶縁性の良好な絶縁層30を形成する上で好ましい。
アノード層16と半導体層12の間にドリフト層10が配置されている。言い換えると、ドリフト層10は、アノード層16上に配置されている。アノード層16の導電型は、p型である。アノード層16の不純物濃度は、オン抵抗低減のためドリフト層10の不純物濃度より高く1018atoms/cm以上であることが好ましい。
アノード層16は、ダイヤモンドを含むダイヤモンド半導体層であることが、ドリフト層10との間の格子歪みを低減させる上で好ましい。なお、アノード層16としては、Si(シリコン)基板等のSiを含む半導体層も、好ましく用いることが出来る。
ここで、n型ダイヤモンド半導体を用いたショットキーダイオードにおいてはショットキー障壁が高いため高耐圧を維持出来る。しかし、ショットキー障壁が4eV以上と高くかつn型ダイヤモンド半導体へのオーミック電極の作製が難しい。そのため、本実施形態の半導体装置300は、p型ダイヤモンド半導体を用いたショットキーダイオードであることが好ましい。すなわち、ドリフト層10及びアノード層16の導電型はp型であることが好ましい。
アノード電極40は、アノード電極40とドリフト層10の間にアノード層16が配置されるように配置されている。言い換えると、アノード層16は、アノード電極40上に配置されている。アノード電極40は、アノード層16を介して、ドリフト層10に電気的に接続されている。
アノード電極40は、アノード層16にオーミック接続されていることが好ましい。たとえば、Ti(チタン)/Pt(白金)/Au(金)からなる電極を電子ビームにより蒸着し、Ar(アルゴン)ガス雰囲気中で熱処理した電極は、ダイヤモンド半導体層に対して良いオーミック電極である。そのため、アノード層16がダイヤモンド半導体層である場合は、Ti(チタン)/Pt(白金)/Au(金)からなる電極は、アノード電極40として好ましい。さらに、グラファイトや金属カーバイドをアノード電極40の材料として用いても良い。アノード電極40は、図5に示すようにアノード層16の下に配置されていても良いし、例えば一端が絶縁層30の上に配置され他端がドリフト層10又はアノード層16に電気的に接続されている疑似縦型構造となっていても良い。
カソード電極42は、ドリフト層10上に配置されている。カソード電極42は、ドリフト層10に電気的に接続され、また半導体層12に接している。カソード電極42は、ショットキー電極である。カソード電極42は、Ni(ニッケル)、Ti(チタン)、Al(アルミニウム)、Pt(白金)、Au(金)、Mo(モリブデン)、Ru(ルテニウム)及びW(タングステン)からなる第1の群より選択された少なくとも1種類の金属を含むことが、良好な電極形成のため好ましい。又は、カソード電極42は、上述の第1の群より選択された少なくとも1種類の金属を含むカーバイド(炭化物)であってもよい。
カソード電極42は、絶縁層30上に配置された第1のフィールドプレート電極44を有する。第1のフィールドプレート電極44は、半導体装置300内の電界集中の緩和に用いられる。
次に、本実施形態の半導体装置300の製造方法を記載する。図6は、本実施形態の半導体装置300の製造方法を示す模式断面図である。
本実施形態の半導体装置300の製造方法は、p型のアノード層16上にp型のドリフト層10を形成し、ドリフト層10上に半導体層12を形成し、半導体層12上に絶縁層30を形成し、ドリフト層10に電気的に接続されるアノード電極40を形成し、ドリフト層10に電気的に接続されるカソード電極42を形成し、絶縁層30上に第1のフィールドプレート領域44を形成する。
まず、p型のアノード層16上にp型のドリフト層10を、例えばエピタキシャル成長法により形成する。アノード層16としては、例えばp型不純物としてB(ボロン)がドープされたダイヤモンド半導体基板である。なおSi基板等をアノード層16として用いても良い。次に、ドリフト層10上に、半導体層12を、例えばエピタキシャル成長法により形成する(図6(a))。ここで、半導体層12を形成するための原料ガスとしては、H(水素)ガスと、CH(メタン)ガスと、窒素原料のガスを用いる。窒素原料のガスとしては、例えばNガス又はNHガスである。
次に、半導体層12上に、例えばCVD法により、例えばSiOからなる絶縁層30を形成する(図6(b))。
次に、アノード電極40を、Ti/Pt/Auを電子ビーム蒸着により堆積した後に600℃で熱処理することにより形成する(図6(c))。
次に、パターニング及びエッチングにより、ドリフト層10が露出するように、半導体層12の一部及び絶縁層30の一部を除去する(図6(d))。
次に、カソード電極42を、Niを電子ビーム蒸着により堆積することにより形成し、第1のフィールドプレート領域44を絶縁層30上に形成し、本実施形態の半導体装置300を得る(図6(e))。
次に、本実施形態の作用効果を記載する。
第1の実施形態の場合と同様、如く窒素(N)を含む半導体層12は、窒素(N)のドナー準位は1.7eVと、リン(P)の0.58eVに比べて非常に深い。そのため常温では非常に高抵抗であることから、この半導体層12は良好な絶縁層として用いることが出来る。また、窒素(N)を含む半導体層12は、エピタキシャル成長が可能であり、半導体層に対し、良好な密着性を示す。
さらに、本実施形態の半導体装置300は、半導体層12に接する他の組成の絶縁層30を備えることが耐圧性をさらに向上させる上で望ましい。リン(P)を含むダイヤモンドは、炭素原子よりリン原子が大きいため歪みが入りやすくリンの偏析等も起こりやすい。そのため、リン(P)を含む場合、表面平坦性の制御は困難である。しかし、上述の通り窒素原子と炭素原子は互いに大きさが近いため、結晶に歪みが入りにくく容易に表面を平坦にすることができる。そのため、半導体層14の上には、高品質で膜厚の厚い絶縁層30を設けることが出来る。なお、前述の如く絶縁層30の材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は窒化シリコンである。窒化アルミニウムは絶縁耐性が高くまた半導体層12が窒素を含むため親和性が高いため好ましい。
特に、本実施形態の如くダイヤモンド半導体を用いたショットキーダイオードにおいては、カソード電極42の端部及びその近傍で電界集中が発生する。窒素(N)を含む半導体層12を用いることにより、半導体層12が活性化率の低いn型半導体層として機能する。そのため、半導体層12を設けることにより空乏層を広げ耐圧を増加させることが可能となる。
さらに、本実施形態の半導体装置300は、半導体層12に接する他の組成の絶縁層30を備えることが耐圧性をさらに向上させる上で望ましい。リン(P)を含むダイヤモンドは、炭素原子よりリン原子が大きいため歪みが入りやすくリンの偏析等も起こりやすい。そのため、リン(P)を含む場合、表面平坦性の制御は困難である。しかし、上述の通り窒素原子と炭素原子は互いに大きさが近いため、結晶に歪みが入りにくく容易に表面を平坦にすることができる。が出来る。そのため、半導体層14の上には、高品質で膜厚の厚い絶縁層30を設けることが出来る。なお、前述の如く絶縁層30の材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は窒化シリコンである。窒化アルミニウムは絶縁耐性が高くまた半導体層12が窒素を含むため親和性が高いため好ましい。
以上、本実施形態の半導体装置300によれば、高耐圧の半導体装置を提供することが可能になる。
以上述べた少なくとも一つの実施形態の半導体装置によれば、第1の側面を有するi型又は第1導電型の第1のダイヤモンド半導体層と、第1のダイヤモンド半導体層上に配置され第2の側面を有する第2導電型の第2のダイヤモンド半導体層と、第1の側面及び第2の側面に接し窒素を含む第3のダイヤモンド半導体層と、第1のダイヤモンド半導体層に電気的に接続された第1の電極と、第2のダイヤモンド半導体層に電気的に接続された第2の電極と、を備えることにより、高耐圧の半導体装置の提供が可能となる。
本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態及び実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態や実施例及びその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10 第1のダイヤモンド半導体層
10a 第1のダイヤモンド半導体層の側面
10b 第1のダイヤモンド半導体層の上面
12 第2のダイヤモンド半導体層
12a 第2のダイヤモンド半導体層の側面
14 第3のダイヤモンド半導体層
16 半導体層
18 第4のダイヤモンド半導体層
20 第5のダイヤモンド半導体層
20a 第5のダイヤモンド半導体層の側面
20b 第5のダイヤモンド半導体層の上面
30 絶縁層
40 第1の電極
42 第2の電極
44 第1のフィールドプレート領域
46 第3の電極
48 第2のフィールドプレート領域
50 メサ構造
50a メサ構造の側面
50b メサ構造の上面
100 半導体装置
200 半導体装置
300 半導体装置

Claims (5)

  1. 第1の側面を有するi型又は第1導電型の第1のダイヤモンド半導体層と、
    前記第1のダイヤモンド半導体層上に配置され第2の側面及び上面を有する第2導電型の第2のダイヤモンド半導体層と、
    前記第1の側面、前記第2の側面及び前記上面に接し窒素を含む第3のダイヤモンド半導体層と、
    前記第3のダイヤモンド半導体層に接する絶縁層と、
    前記第1のダイヤモンド半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
    前記第2のダイヤモンド半導体層に電気的に接続され、前記絶縁層上に配置された領域を有する第2の電極と、
    を備える半導体装置。
  2. 前記絶縁層は酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は窒化シリコンを含む請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記第1のダイヤモンド半導体層及び前記第2のダイヤモンド半導体層の形状はメサ構造である請求項1又は請求項2記載の半導体装置。
  4. 前記第1のダイヤモンド半導体層の第1導電型不純物濃度より高い第1導電型不純物濃度を有する第1導電型の半導体層を、さらに備え、
    前記第1のダイヤモンド半導体層は前記第1導電型の半導体層と前記第2のダイヤモンド半導体層の間に配置される請求項1乃至請求項3いずれか一項記載の半導体装置。
  5. 前記第2のダイヤモンド半導体層上に配置された第1導電型の第4のダイヤモンド半導体層と、
    前記第4のダイヤモンド半導体層に電気的に接続された第3の電極と、
    をさらに備える請求項1乃至請求項4いずれか一項記載の半導体装置。
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