JP4734106B2 - 分析装置 - Google Patents

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本発明は、非破壊で迅速な、特定元素の使用禁止用途・禁止除外用途別評価を可能し、RoHS規制対象の鉛(鉛はんだ)またはカドミニウムの有無を判定する分析装置に関する。
従来より、蛍光X線分析は材料の構成元素を特定する手段として、素材生産における品質管理や材料研究に広く利用されている。また、最近では、欧州のRoHS規制(Restriction of Hazardous Substances)やELV(End of Life Vehicle)など消費者向け製品中の有害物質に関する規制が強化されつつあり、欧州への輸出対象となる製品に関して、外部から購入した部品中に規制対象元素が含まれているか否かをチェックする手段として、電機メーカなどにおける部品仕様化部門や受け入れ部門で装置を大量に導入するケースが増加している。
有害元素の有無判定においては、含有濃度が実際上問題にならない程度に微量である場合に非含有と判定するため、定量下限が十分低いことが必要である。また、製品を構成する膨大な数の部品が調査対象となるため、できる限り非破壊でかつ短時間にチェックを行なう必要がある。エネルギー分散型蛍光X線分析法は、このようなニーズに適していることから、分析機器メーカ各社からRoHS、ELV規制対応のエネルギー分散型蛍光X線分析装置が市販されており、Cd、Pb等の規制対象元素の蛍光X線を検出しやすくするための一次フィルタや検量線プログラムの開発が進み、広く実用化されている。
また、微小領域を非破壊で検査するための装置として、微小ビームで励起した蛍光X線を用いて、元素マッピングが可能な分析装置が市販されている。
また、分析に係る情報処理の観点において、分析業務に必要な分析試料の受付・登録から分析結果報告書の作成までの分析情報を分析者が必要とする際に即座に提供可能とする分析情報一元管理システムが提案されている(例えば、特許文献1)。更に、製品に使用されている部品の全容と、部品に含まれる科学物質の内容とをデータベース化しておき、これらデータベースを用いて含有化学物質の種類と量を算出するようにした製品含有化学物質管理システムが提案されている(例えば、特許文献2)。
また、微小領域を非破壊で検査するための装置として、微小ビームで励起した蛍光X線を用いて、元素マッピングが可能な分析装置が市販されている。
蛍光X線などの2次X線に加え、透過X線に基づいて、分析手段で組成が類似する部分(相)の分布を分析することにより、2次X線により得られる試料表面付近の相に加え、透過X線により得られる試料内部の相も含めた相分離を可能とするX線分析装置が提案されている(例えば、特許文献9)。更に、記憶した第1画像データの一部領域に、該領域の第1画像データに代えて、該領域の前記記憶した第2画像データを合成して合成画像を生成して表示することによって、撮像により得られた画像とX線の計測により得られた画像との対応関係を容易に視認することができる計測結果表示方法が提供されている(例えば、特許文献10)。
特開平9−119933号公報 特開2003−256504号公報 特公平6−76977号公報 特開2001−281235号公報 特公平7−13302号公報 特開平4−223210号公報 特開平7−26385号公報 特開2001−296508号公報 特開2004−93511号公報 特開2001−233262号公報
上記のような分析装置メーカの技術向上により、有害元素の含有チェック可能な、高感度なエネルギー分散型蛍光X線分析装置が実用化されているが、実装はんだ、部品端子めっきなど、多種類のはんだ材が使用されているプリント板ユニット上のはんだ材中の鉛の有無判定においては、微小な電子部品の特定部位やユニット品の各部位に含まれる鉛について、鉛はんだが使用されている個所の情報が得られるのみであったため、検出された鉛はんだが、部品表面にある部品電極めっきまたは実装はんだ(規制対象)か、部品内部にある高融点(規制除外)はんだか特定できないという問題がある。
また、多種多様な材料が使用されている電子部品中のカドミウムの有無判定においては、微小な電子部品の特定部位やユニット品の各部位に含まれるカドミウムについて、禁止用途・除外用途別の評価ができないという問題がある。
そこで、本発明は、微小ビームで励起した蛍光X線を用いて、実装はんだおよびプリント板実装部品電極端子めっきに、規制対象となっている鉛が含まれるか否かを検査・判定するためのインテリジェント化された分析装置及び方法を提供することである。
上記課題を解決するため、開示の技術は、X線で励起した特性X線による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析装置であって、特定物質を構成する任意の元素に関し、エネルギーの異なる2種類以上の特性X線を用いて元素マッピングを行うことにより、第一の元素と第二の元素共存を示す分布を2種類以上取得する共存分布取得手段と、前記2種類以上の分布の差分を取得する差分分布取得手段と、前記差分を示す分布によって前記電子部品の部品内部における前記第一の元素と第二の元素の存在を判定する内部共存元素判定手段とを有するように構成される。
このような分析装置では、電子部品を分解することなく、所定の物質が含有される(使用されている)部位(例えば、電子部品の内部)を特定することが可能となる。したがって、たとえ規制対象として指定されている有害元素であっても除外用途となる場合について検証することが可能となる。
また、上記課題を解決するため、開示の技術は、X線で励起した特性X線による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析装置であって、第一の元素と第二の元素に係り各々に対応する特性X線による元素マッピングを行うことにより取得した該第一の元素の分布と該第二の元素の分布の差分を求めて、該第一の元素と第二の元素共存を示す分布を取得する共存分布取得手段と、前記第一の元素の分布と前記共存分布取得手段によって取得した前記共存を示す分布との差分を取得する差分分布取得手段と、記差分分布取得手段によって取得した差分による分布表示ユニットに表示させる表示手段とを有するように構成される。
このような分析装置では、電子部品を分解することなく、所定の物質が含有される(使用されている)部位(例えば、カドミウム接点)を特定することが可能となる。たとえ規制対象として指定されている有害元素であっても除外用途となる場合について検証することが可能となる。
上記課題を解決するための手段として、本発明は、コンピュータにこのような分析装置での処理を実行させる分析方法又はコンピュータ実行可能なプログラムとすることもできる。
本発明により、微小な単体の電子部品またはプリント板ユニットに実装された電子部品の各部位に含まれる錫−鉛合金(はんだ材)が、部品内部にあるか、部品表面にあるかという評価を可能し、RoHS指令で規制対象の鉛の存在位置を非破壊で迅速に判定することができる。
また、本発明により、微小な電子部品の特定部位やプリント板ユニットの各部位に含まれるカドミニウムについて、非破壊で迅速な、禁止用途・除外用途別評価を可能し、RoHS規制対象のカドミニウムの有無を判定することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本発明の一実施形態に係る分析装置は、例えば、図1に示すようなハードウェア構成を有する。図1は、本発明の一実施形態に係る分析装置のハードウェア構成を示す図である。
図1において、分析装置100は、コンピュータによって制御される端末であって、CPU(Central Processing Unit)51と、メモリユニット52と、表示ユニット53と、出力ユニット54と、入力ユニット55と、通信ユニット56と、記憶装置57と、記憶媒体59へのアクセスを行なうためのドライバ58と、エネルギー分散型蛍光X線分析(EDXRF)を行う蛍光X線測定器62と接続するためのインターフェイス(I/F)61とで構成され、システムバスBに接続される。
CPU51は、メモリユニット52に格納されたプログラムに従って分析装置100を制御する。メモリユニット52は、RAM(Random Access Memory)及びROM(Read-Only Memory)等にて構成され、CPU51にて実行されるプログラム、CPU51での処理に必要なデータ、CPU51での処理にて得られたデータ等を格納する。また、メモリユニット52の一部の領域が、CPU51での処理に利用されるワークエリアとして割り付けられている。
表示ユニット53は、CPU51の制御のもとに必要な各種情報を表示する。出力ユニット54は、プリンタ等を有し、分析担当者等のユーザからの指示に応じて各種情報を出力するために用いられる。入力ユニット55は、マウス、キーボード等を有し、ユーザが分析装置100が処理を行なうための必要な各種情報を入力するために用いられる。通信ユニット56は、分析装置100が例えばインターネット、LAN(Local Area Network)等を介して分析装置100と接続する場合に、分析装置100との間の通信制御をするための装置である。記憶装置57は、例えば、ハードディスクユニットにて構成され、各種処理を実行するプログラム等のデータを格納する。
インターフェイス61に接続される蛍光X線測定器62は、CPU51の制御のもとに、エネルギー分散型蛍光X線分析法(EDXRF)によって金属製又は非金属製部品及び材料中の指定元素(例えば、有害とされる元素)の定量測定を行う。金属製又は非金属製部品及び材料に一次X線を照射することによって得られる蛍光X線スペクトルをCPU51へ提供する。
分析装置100よって行われる処理を実現するプログラムは、例えば、CD−ROM(Compact Disc Read-Only Memory)等の記憶媒体59によって分析装置100に提供される。即ち、プログラムが保存された記憶媒体59がドライバ58にセットされると、ドライバ58が記憶媒体59からプログラムを読み出し、その読み出されたプログラムがシステムバスBを介して記憶装置57にインストールされる。そして、プログラムが起動されると、記憶装置57にインストールされたプログラムに従ってCPU51がその処理を開始する。尚、プログラムを格納する媒体としてCD−ROMに限定するものではなく、コンピュータが読み取り可能な媒体であればよい。本発明に係る処理を実現するプログラムは、通信ユニット56によってネットワークを介してダウンロードし、記憶装置57にインストールするようにしても良い。
まず、蛍光X線測定器62への電子部品のセッティングについて、図2及び図3で説明する。図2は、プリント板のセッティングの例を示す図である。図2(A)に示されるように、ユーザは、蛍光X線測定器62の試料ステージ62s上に有害物質の検出対象となるプリント板62dを設定する。蛍光X線測定器62の測定は、図2(B)に示すように、複数の電子部品62fがプリント板62d上に配置されている領域において、測定位置をずらしつつ距離及びX線強度を測定する。
図3は、電子部品のセッティングの例を示す図である。図3(A)に示されるように、ユーザは、蛍光X線測定器62の試料ステージ62s上に有害物質の検出対象となる1つ以上の電子部品62fを設定する。蛍光X線測定器62の測定は、図3(B)に示すように、1つ以上の電子部品62fがセッティングされている領域において、測定位置をずらしつつ距離及びX線強度を測定する。
図2又は図3に示すセッティングの後、蛍光X線測定器62の測定の開始時に、実装される複数の電子部品62fのうち最も高さのある電子部品62fを用いて、例えば、一次X線発生器62aの照射口から最も高さのある電子部品62fの距離が、一次X線発生器62aに隣接して備えられたCCDカメラ62cのフォーカスによって求められる。また、その求められた距離を用いて検出器62bと電子部品62aとの基準距離を算出することができる。
基準位置での基準距離をゼロとし、その基準位置でのX線強度を100%とする。図2(B)に示すように、配置された領域において、測定位置をずらしつつ距離及びX線強度を測定し、逆二乗の法則を用いて測定して得られたX線強度を基準位置に換算した場合のX線強度へと補正する。
I0= (Liの2乗/L0の2乗) × Ii
I0:基準位置に換算した場合のX線強度の補正値
Ii:各測定位置で測定されたX線強度
L0:検出器から基準位置までの基準距離
Li:検出器から各測定位置までの距離
このように補正されたX線強度は、配置された領域の位置情報に対応させたマッピングデータとして記憶装置57の記憶領域に格納される。このようなマッピングデータは、検出対象として指定された元素毎に生成され、後述する各処理にて使用される。
[第一実施例]
本発明の第一実施例では、鉛(Pb)と共存する錫(Sn)の蛍光X線の種類とエネルギーに注目し、Sn−Kα線(25.2KeV)の分布とSn−Lα線(3.4KeV)の分布の差分を取ることによって得たSnの分布とPbの分布とが重なる場合、Sn−Pb合金は部品表面ではなく部品内部に存在すると判定する。
モールド樹脂(エポキシ樹脂50wt%、SiO2フィラー50wt%)の場合、Sn−Lα線およびSn−Kα線の測定可能なおよその深さは、
・ Sn−Lα線(3.4KeV) 0.05mm
・ Sn−Kα線(25.2KeV) 15.0 mm
であることから、Sn−Lα線を用いると表面付近の情報のみを、Sn−Kα線を用いると表面付近の情報に加えて部品内部の情報を得ることができる。
図4は、本発明の第一実施例に係る部位に応じた鉛はんだ検出方法の概要を説明するための図である。図4(A)に示す分布表示では、Pb−Lα線とSn−Lα線とが重なる場合のSn−Pb合金の分布を示し、この場合、部品表面の分布となる。図4(B)に示す分布表示では、Pb−Lα線とSn−Kα線とが重なる場合のSn−Pb合金の分布を示し、この場合、部品表面及び部品内部の両方の情報を含むSn−Pb合金の分布となる。
図4(C)に示す分布表示は、図4(A)に示す分布表示そのものを採用し、使用禁止の鉛はんだの検出分布となる。図4(D)に示す分布表示は、図4(A)に示す分布表示と図4(B)に示す分布表示との差分によって部品内部のSn−Pb合金の分布を示し、使用可能な鉛はんだの検出分布となる。
第一実施例において、部位とは、電子部品の部品表面や、部品内部などである。
次に、部位に応じた鉛ハンダ検出処理を図5で説明する。図5は、部位に応じた鉛はんだ検出処理を説明するためのフローチャート図である。
図5において、図2又は図3に示すようなユーザによる電子部品のセッティング後、CPU51は、蛍光X線測定器62に電子部品がセットされていることを重量センサーなどで検知することによって確認する(ステップS101)。
CCDカメラ62cで取り込んだ画像情報に基づいて部品データベース30を検索することによって画像認識し、測定エリアを決定する(ステップS102)。部品データベース30には、部品の種類、部品の形状、部品の形状に基づく測定エリアなどが格納されている。CPU51は、部品データベース30を参照することによって、部品の形状に基づく測定エリアを決定する。CPU51は、部品データベース30から部品の種類を取得しておく。
CPU51は、測定条件データベース32を参照することによって、ユーザによって指定された測定精度、および測定エリアのサイズから一意に決まる測定条件を読み込む(ステップS103)。測定条件データベース32には、測定精度と測定エリアとの組み合わせ毎に測定条件が格納されている。
ユーザが測定メニューの中から「鉛はんだ検出」を指定すると、CPU51がマッピングデータを収集する特性X線として、Sn−Kα線と、Sn−Lα線と、Pb−Lα線とを設定する(ステップS104)。ここで、発明者によって着目されたエネルギー量として、Sn−Kα線には25.2KeVが、Sn−Lα線には3.4KeVが設定される。
次に、ユーザが「測定開始」を指定すると、CPU51は、Sn−Kα線、Sn−Lα線、Pb−Lα線夫々によるマッピングデータを収集し(ステップS105)、X線所定値データベース34を参照することによって、部品データベース30から取得しておいた部品の種類に基づいて検出元素と夫々の所定値とを取得し、Sn−Kα線、Sn−Lα線、Pb−Lα線の強度が所定値以上の部分を示すマッピングデータ36を夫々作成して記憶装置57の記憶領域に格納する(ステップS106)。例えば、所定値以上を「1」、所定値未満を「0」として示すようにマッピングデータ36が作成される。所定値として、例えば、Pb 2000ppm程度を検出する場合のSn−Kα線、Sn−Lα線、Pb−Lα線強度所定値は80counts程度に設定する。
Pb−Lα線のマッピングデータとSn−Lα線のマッピングデータとが共に所定値以上(Pb−Lα線 × Sn−Lα線)となる部分を示すマッピングデータを作成し、「使用禁止の鉛はんだ検出」として、そのマッピングデータに基づいて部品表面のSn−Pb分布を任意の色で表示ユニットに表示する(ステップS107)。透過X線映像による電子部品の形状画像を、位置関係が分かりやすいように部品表面のSn−Pb分布を並べて表示させる。
また、Pb−Lα線のマッピングデータと、Sn−Kα線とSn−Lα線との差分によるマッピングデータとが共に所定値以上(Pb−Lα線 × (Sn−Kα線 ― Sn−Lα線))となる部分を示すマッピングデータを作成し、「使用可能な鉛はんだ検出」として、そのマッピングデータに基づいて部品内部のSn−Pb分布を任意の色で表示ユニットに表示する(ステップS108)。透過X線映像による電子部品の形状画像を、位置関係が分かりやすいように部品表面のSn−Pb分布を並べて表示させる。そして、この検出処理を終了する。
図6は、部位に応じた鉛はんだ検出処理による表示例を示す図である。図6(A)では、部品A(内部:高融点鉛はんだ・部品電極:鉛フリーめっき)、部品B(鉛はんだ未使用)、部品C(内部:鉛フリー・部品電極:鉛はんだめっき)の光学像が示される。
微小プローブのX線で励起した蛍光X線を用いた元素マッピング分析を行うことによって、部品表面および部品内部の両方の情報を含むSn−Pbの分布(図4(B))を得るが、図5に示す検出処理によって、図4(C)および図4(D)に示すように、部品表面の鉛はんだの分布および部品内部に存在する鉛はんだの情報を分離して得ることができ(図6(B)、図6(C))、鉛はんだが使用されている位置を特定することが出来る。鉛を含むはんだ材のうち、部品内部に使用される高融点はんだ(Pb<85wt%)(図6(B))は、RoHS指令で除外対象になっており、本発明により使用部位を特定することにより、分解することなしに除外対象の鉛はんだであること判定できる。
本発明によれば、電子部品で錫−鉛が検出された場合、使用されている場所を特定するため電子部品やプリント板ユニットを分解することなく、鉛(Pb−L線)と共存する錫の分布の種類を比較することにより、Sn−K線(25.2keV)の分布と重なるが、Sn−L線(3.4keV)の分布と重ならない場合は部品内部に存在する錫−鉛合金であることが分かり、錫−鉛合金が、部品内部にあるか、部品表面にあるかを迅速に調べることが可能になる。
[第二実施例]
従来技術では、電子部品でカドミウムが検出されると、カドミウム含有という判定になる。または、さらに点分析を行い、組成から接点のカドミニウムめっきであることを確かめる必要がある。また、従来技術では、カドミウムの使用されている場所を特定することができないため、電子部品を分解し、場所を確認する必要があった。
本発明の第二実施例では、微小な電子部品の特定部位やユニット品の各部位に含まれるカドミウム(Cd)について、禁止用途・除外用途別の評価を可能するため、カドミウム(Cd)と銀(Ag)とが共存する場所の分布を調べ(共存元素判定)、さらにカドミニウムの分布形状と透過X線像の比較からカドミウムの使用されている場所を特定することにより、電子部品に使用されている除外用途である接点のカドミニウムめっきの場所を特定する。なお、カドミニウムの禁止用途である顔料、安定剤等では銀は共存せず、除外用途である接点のカドミニウムめっきでのみ銀が共存する。
図7は、本発明の第二実施例に係る部位に応じたカドミウム検出方法の概要を説明するための図である。非破壊でカドミニウムと銀の分布の重なりを調べることにより、カドミニウムの分布形状と透過X線像の比較からカドミウムの使用されている場所を特定し、さらに接点のカドミニウムめっきであるか否かを迅速に調べることが可能になる。
第二実施例において、部位とは、電子部品の接点などである。
次に、部位に応じたカドミウム検出処理を図8で説明する。図8は、部位に応じたカドミウム検出処理を説明するためのフローチャート図である。
図8において、図2又は図3に示すようなユーザによる電子部品のセッティング後、CPU51は、蛍光X線測定器62に電子部品がセットされていることを重量センサーなどで検知することによって確認する(ステップS201)。
CCDカメラ62cで取り込んだ画像情報に基づいて部品データベース30を検索することによって画像認識し、測定エリアを決定する(ステップS202)。部品データベース30には、部品の種類、部品の形状、部品の形状に基づく測定エリアなどが格納されている。CPU51は、部品データベース30を参照することによって、部品の形状に基づく測定エリアを決定する。CPU51は、部品データベース30から部品の種類を取得しておく。
CPU51は、測定条件データベース32を参照することによって、ユーザによって指定された測定精度、および測定エリアのサイズから一意に決まる測定条件を読み込む(ステップS203)。測定条件データベース32には、測定精度と測定エリアとの組み合わせ毎に測定条件が格納されている。
ユーザが測定メニューの中から「カドミウム検出」を指定すると、CPU51がマッピングデータを収集する特性X線として、Cd−Kα線と、Ag−Kα線とを設定する(ステップS204)。
次に、ユーザが「測定開始」を指定すると、CPU51は、Cd−Kα線、Ag−Kα線夫々によるマッピングデータを収集し(ステップS205)、X線所定値データベース34を参照することによって、部品データベース30から取得しておいた部品の種類に基づいて検出元素と夫々の所定値とを取得し、Cd−Kα線、Ag−Kα線の強度が所定値以上の部分を示すマッピングデータ36を夫々作成して記憶装置57の記憶領域に格納する(ステップS206)。例えば、所定値以上を「1」、所定値未満を「0」として示すようにマッピングデータ36が作成される。所定値として、例えば、部品内部のCd接点を検出する場合のCd−Kα線、Ag−Kα線強度所定値は、20counts程度に設定する。
Cd−Kα線のマッピングデータと、Cd−Kα線とAg−Kα線とが重なる部分のマッピングデータとの差分(Cd−Kα線 − (Cd−Kα線 × Ag−Kα線))を示すマッピングデータを作成し、「使用禁止のカドミウム検出」として、そのマッピングデータに基づいて銀が共存しないカドミウム分布を任意の色で表示ユニットに表示する(ステップS207)。
また、Cd−Kα線のマッピングデータと、Ag−Kα線のマッピングデータとが共に所定値以上(Cd−Kα線 × Ag−Kα線)となる部分を示すマッピングデータを作成し、「使用可能なカドミウム検出」として、そのマッピングデータに基づいて銀が共存するカドミウム分布を任意の色で表示ユニットに表示する(ステップS208)。そして、この検出処理を終了する。
図9は、部位に応じたカドミウム検出処理による表示例を示す図である。図9(A)では、部品内部にカドミウム接点を使用している電子部品、カドミウム入りチェック端子の光学像が示される。
図8に示す検出処理によって、CdとAgの重なる分布の有無を調べ、CdとAgの重なる分布が存在した場合、透過X線像も用いた画像認識の結果と形状を比較することにより、カドミウム接点を使用している電子部品(図8(B))であるのか、カドミウム入りの電子部品である(図8(C))のかを判定し、除外用途のカドミウムの有無を判定することができる。
本発明の第二実施例によれば、微小な電子部品の特定部位やプリント板ユニットの各部位に含まれるカドミニウムについて、非破壊で迅速な、禁止用途・除外用途別評価を可能し、非破壊で迅速にRoHS規制対象のカドミニウムの有無を判定することが可能になる。
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
(付記1)
X線で励起した特性X線(蛍光X線)による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析装置であって、
特定物質を構成する任意の元素に関し、エネルギーの異なる2種類以上の特性X線を用いることによって、第一の元素と第二の元素とが共存を示す分布を2種類以上取得する共存分布取得手段と、
前記2種類以上の分布の差分を取得する差分分布取得手段と、
前記差分を示す分布によって前記電子部品の部品内部における前記第一の元素と第二の元素の存在を判定する内部共存元素判定手段とを有することを特徴とする分析装置。
(付記2)
少なくとも前記第一の元素と前記第二の元素とのいずれか一方は有害物質であることを特徴とする付記1記載の分析装置。
(付記3)
前記内部共存元素判定手段によって前記第一の元素と前記第二の元素とが部品内部に共存すると判定した場合、有害物質としての規制対象であるとして表示ユニットに前記分布を表示させる表示手段を有することを特徴とする請求項1記載の分析装置。
(付記4)
前記第一の元素と前記第二の元素は、鉛と錫であることを特徴とする付記1乃至3のいずれか一項記載の分析装置。
(付記5)
共存分布取得手段は、前期第一の元素の蛍光X線の種類としてエネルギーが10.6KeVであるPb−Lα線を、また、前記第二の元素の蛍光X線の種類として、エネルギーが25.2KeVであるSn−Kα線と、エネルギーが3.4KeVであるSn−Lα線とを設定することを特徴とする付記1乃至4のいずれか一項記載の分析装置。
(付記6)
X線で励起した特性X線(蛍光X線)による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析方法であって、コンピュータが、
特定物質を構成する任意の元素に関し、エネルギーの異なる2種類以上の特性X線を用いることによって、第一の元素と第二の元素とが共存を示す分布を2種類以上取得する共存分布取得手順と、
前記2種類以上の分布の差分を取得する差分分布取得手順と、
前記差分を示す分布によって前記電子部品の部品内部における前記第一の元素と第二の元素の存在を判定する内部共存元素判定手順とを実行することを特徴とする分析方法。
(付記7)
X線で励起した特性X線(蛍光X線)による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析処理をコンピュータに行わせるためのコンピュータ実行可能なプログラムであって、該コンピュータに、
特定物質を構成する任意の元素に関し、エネルギーの異なる2種類以上の特性X線を用いることによって、第一の元素と第二の元素とが共存を示す分布を2種類取得する共存分布取得手順と、
前記2種類以上の分布の差分を取得する差分分布取得手順と、
前記差分を示す分布によって前記電子部品の部品内部における前記第一の元素と第二の元素の存在を判定する内部共存元素判定手順とを実行させることを特徴とするコンピュータ実行可能なプログラム。
(付記8)
X線で励起した特性X線(蛍光X線)による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析装置であって、
第一の元素と第二の元素とが共存を示す分布を取得する共存分布取得手段と、
前記第一の元素の分布と前記共存分布取得手段によって取得した前記共存を示す分布との差分を取得する差分分布取得手段と、
前記共存分布取得手段によって取得した分布と前記差分分布取得手段によって取得した差分による分布の少なくとも1つ以上を表示ユニットに表示させる表示手段とを有することを特徴とする分析装置。
(付記9)
透過X線による前記電子部品の形状画像を取得する形状画像取得手段を更に有し、
前記表示手段は、前記形状画像と対比させて、前記前記共存分布取得手段によって取得した前記分布と前記差分分布取得手段によって取得した差分による分布の少なくとも1つ以上を表示ユニットに表示させることを特徴とする付記8記載の分析装置。
(付記10)
前記第一の元素はカドミウムであり、前記第二の元素は銀であることを特徴とする付記8記載の分析装置。
(付記11)
前記表示手段は、前記共存分布取得手段によって取得した分布を有害物質としての規制対象であるとして表示ユニットに表示させることを特徴とする付記8乃至10のいずれか一項記載の分析装置。
(付記12)
X線で励起した特性X線(蛍光X線)による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析方法であって、コンピュータが、
第一の元素と第二の元素とが共存を示す分布を取得する共存分布取得手順と、
前記第一の元素の分布と前記共存分布取得手順によって取得した前記共存を示す分布との差分を取得する差分分布取得手順と、
前記共存分布取得手順によって取得した分布と前記差分分布取得手順によって取得した差分による分布の少なくとも1つ以上を表示ユニットに表示させる表示手順とを有することを特徴とする分析方法。
(付記13)
X線で励起した特性X線(蛍光X線)による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析処理をコンピュータに行わせるためのコンピュータ実行可能なプログラムであって、該コンピュータに、
第一の元素と第二の元素とが共存を示す分布を取得する共存分布取得手順と、
前記第一の元素の分布と前記共存分布取得手順によって取得した前記共存を示す分布との差分を取得する差分分布取得手順と、
前記共存分布取得手順によって取得した分布と前記差分分布取得手順によって取得した差分による分布の少なくとも1つ以上を表示ユニットに表示させる表示手順とを有することを特徴とするコンピュータ実行可能なプログラム。
本発明は、具体的に開示された実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
本発明の一実施形態に係る分析装置のハードウェア構成を示す図である。 プリント板のセッティングの例を示す図である。 電子部品のセッティングの例を示す図である。 本発明の第一実施例に係る部位に応じた鉛はんだ検出方法の概要を説明するための図である。 部位に応じた鉛はんだ検出処理を説明するためのフローチャート図である。 部位に応じた鉛はんだ検出処理による表示例を示す図である。 本発明の第二実施例に係る部位に応じたカドミウム検出方法の概要を説明するための図である。 部位に応じたカドミウム検出処理を説明するためのフローチャート図である。 部位に応じたカドミウム検出処理による表示例を示す図である。
符号の説明
51 CPU
52 メモリユニット
53 表示ユニット
54 出力ユニット
55 入力ユニット
56 通信ユニット
57 記憶装置
58 ドライバ
59 記憶媒体
61 インターフェイス(I/F)
62 蛍光X線測定器

Claims (7)

  1. X線で励起した特性X線による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析装置であって、
    特定物質を構成する任意の元素に関し、エネルギーの異なる2種類以上の特性X線を用いて元素マッピングを行うことにより、第一の元素と第二の元素共存を示す分布を2種類以上取得する共存分布取得手段と、
    前記2種類以上の分布の差分を取得する差分分布取得手段と、
    前記差分を示す分布によって前記電子部品の部品内部における前記第一の元素と第二の元素の存在を判定する内部共存元素判定手段とを有することを特徴とする分析装置。
  2. 前記内部共存元素判定手段によって前記第一の元素と前記第二の元素とが部品内部に共存すると判定した場合、有害物質としての規制対象であるとして表示ユニットに前記分布を表示させる表示手段を有することを特徴とする請求項1記載の分析装置。
  3. 共存分布取得手段は、前記第一の元素の蛍光X線の種類としてエネルギーが10.6KeVであるPb−Lα線を、また、前記第二の元素の蛍光X線の種類として、エネルギーが25.2KeVであるSn−Kα線と、エネルギーが3.4KeVであるSn−Lα線とを設定することを特徴とする請求項1又は2記載の分析装置。
  4. X線で励起した特性X線による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析方法であって、コンピュータが、
    特定物質を構成する任意の元素に関し、エネルギーの異なる2種類以上の特性X線を用いて元素マッピングを行うことにより、第一の元素と第二の元素の共存を示す分布を2種類以上取得する共存分布取得手順と、
    前記2種類以上の分布の差分を取得する差分分布取得手順と、
    前記差分を示す分布によって前記電子部品の部品内部における前記第一の元素と第二の元素の存在を判定する内部共存元素判定手順とを実行することを特徴とする分析方法。
  5. X線で励起した特性X線による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析装置であって、
    第一の元素と第二の元素に係り各々に対応する特性X線による元素マッピングを行うことにより取得した該第一の元素の分布と該第二の元素の分布の差分を求めて、該第一の元素と第二の元素共存を示す分布を取得する共存分布取得手段と、
    前記第一の元素の分布と前記共存分布取得手段によって取得した前記共存を示す分布との差分を取得する差分分布取得手段と、
    記差分分布取得手段によって取得した差分による分布表示ユニットに表示させる表示手段とを有することを特徴とする分析装置。
  6. 透過X線による前記電子部品の形状画像を取得する形状画像取得手段を更に有し、
    前記表示手段は、前記形状画像と対比させて、前記前記共存分布取得手段によって取得した前記分布と前記差分分布取得手段によって取得した差分による分布の少なくとも1つ以上を表示ユニットに表示させることを特徴とする請求項記載の分析装置。
  7. X線で励起した特性X線による元素マッピングを用いて電子部品に含有される特定物質を分析する分析方法であって、コンピュータが、
    第一の元素と第二の元素に係り各々に対応する特性X線による元素マッピングを行うことにより取得した該第一の元素の分布と該第二の元素の分布の差分を求めて、該第一の元素と該第二の元素の共存を示す分布を取得する共存分布取得手順と、
    前記第一の元素の分布と前記共存分布取得手順によって取得した前記共存を示す分布との差分を取得する差分分布取得手順と、
    前記差分分布取得手順によって取得した差分による分布を表示ユニットに表示させる表示手順とを有することを特徴とする分析方法。
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