JP4733943B2 - Polishing pad dressing method - Google Patents
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Description
本発明は、チャックテーブルに保持された半導体ウエーハ等の被加工物を研磨する研磨パッドをドレッシングするドレッシング方法に関する。 The present invention relates to a dressing method for dressing a polishing pad for polishing a workpiece such as a semiconductor wafer held on a chuck table.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる切断ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々に半導体回路を形成する。このように多数の半導体回路が形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分離することにより、個々の半導体チップを形成する。半導体チップの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々の矩形領域を分離するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削砥石を、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によって半導体ウエーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂加工歪が生成され、これによって個々に分割された半導体チップの抗折強度が相当低減される。この研削された半導体ウエーハの裏面に生成される加工歪を除去する対策として、研削された半導体ウエーハの裏面を硝酸および弗化水素酸を含むエッチング液を使用して化学的エッチングするウエットエッチング法やエッチングガスを用いるドライエッチング法が使用されている。また、研削された半導体ウエーハの裏面を遊離砥粒を使用してポリッシングするポリッシング法も実用化されている。 In the semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular regions are defined by cutting lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and a semiconductor circuit is formed in each of the rectangular regions. Individual semiconductor chips are formed by separating the semiconductor wafer formed with such a large number of semiconductor circuits along the streets. In order to reduce the size and weight of the semiconductor chip, the semiconductor wafer is usually ground to the predetermined thickness by cutting the semiconductor wafer along the streets and separating the individual rectangular regions. Forming. The grinding of the back surface of the semiconductor wafer is usually performed by pressing a grinding wheel formed by fixing diamond abrasive grains with an appropriate bond such as a resin bond against the back surface of the semiconductor wafer while rotating at high speed. When the back surface of the semiconductor wafer is ground by such a grinding method, a so-called processing strain is generated on the back surface of the semiconductor wafer, thereby considerably reducing the bending strength of the individually divided semiconductor chips. As a countermeasure for removing the processing strain generated on the back surface of the ground semiconductor wafer, a wet etching method in which the back surface of the ground semiconductor wafer is chemically etched using an etchant containing nitric acid and hydrofluoric acid, A dry etching method using an etching gas is used. Further, a polishing method for polishing the back surface of a ground semiconductor wafer using loose abrasive grains has been put into practical use.
しかしながら、上述したウエットエッチング法、ドライエッチング法およびポリッシング法は、生産性が悪いとともに、廃液が環境汚染の原因となる。このような問題を解決するためにフエルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石からなる研磨パッドを用いて、研削された半導体ウエーハの裏面を研磨し、研削歪みを取り除く技術が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)
しかるに、特開2002−283243号公報に開示されたフエルト砥石からなる研磨パッドを用いる研磨法は、被加工物を乾式で研磨するため、研磨パッドの研磨面には目詰まりが生じ易く、従って、研磨パッドの研磨面を頻繁にドレッシングする必要がある。このため、オペレータは作業を中断してドレッサーボードをチャックテーブル上に手作業で載置し、該チャックテーブル上に載置されたドレッサーボードに研磨パッドの研磨面を接触させつつ回転することによりドレッシング作業を行っており、その作業が面倒であるとともに、生産効率を低下させる原因にもなっている。 However, in the polishing method using a felt pad made of a felt grindstone disclosed in JP-A-2002-283243, the work piece is polished dry, so that the polishing surface of the polishing pad is easily clogged. It is necessary to frequently dress the polishing surface of the polishing pad. For this reason, the operator interrupts the operation, manually places the dresser board on the chuck table, and rotates the dresser board placed on the chuck table while bringing the polishing surface of the polishing pad into contact with the dresser board. The work is carried out, which is troublesome and also causes a reduction in production efficiency.
上述した問題を解消するために、研磨パッドを適宜ドレッシングすることができるドレッシング機能を備えた研磨装置が提案されている。(例えば、特許文献2参照。)
上記公報に開示された技術は、研磨パッドをドレッサーボードに押圧し、所定の荷重を検出した研磨パッドの位置を基準として、この基準位置から研磨パッドをドレッサーボード側に所定量送り込むようにしている。 In the technique disclosed in the above publication, the polishing pad is pressed against the dresser board, and the polishing pad is fed from the reference position to the dresser board side by a predetermined amount with reference to the position of the polishing pad at which the predetermined load is detected. .
而して、特開2003−305643号公報に開示された技術は、ドレッシング作業を実施する都度、研磨パッドがドレッサーボードに押圧され所定の荷重に達したときの基準位置を検出しているが、荷重センサーの誤差の影響を受けやすく、また研磨パッドが柔軟であることから研磨パッドの基準位置を必ずしも正確に設定することができない。このため、研磨パッドを確実にドレッシングすることができない場合がある。 Thus, the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-305543 detects the reference position when the polishing pad is pressed against the dresser board and reaches a predetermined load every time the dressing operation is performed. The reference position of the polishing pad cannot always be set accurately because it is easily affected by the error of the load sensor and the polishing pad is flexible. For this reason, the polishing pad may not be surely dressed.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、研磨パッドを確実にドレッシングすることができるドレッシング方法を提供することにある。 This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is to provide the dressing method which can dress a polishing pad reliably.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルを被加工物着脱域と研磨域に移動するチャックテーブル移動機構と、該研磨域に位置付けられた該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨するための研磨パッドを備えた研磨ユニットと、該研磨ユニットを該チャックテーブルの該保持面に対して垂直な方向に移動せしめる研磨ユニット送り機構と、該研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッサーボードと該ドレッサーボードを作用位置と非作用位置に位置付けるドレッサーボード支持手段を備えたドレッシング機構と、を具備する研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、
該チャックテーブルに保持された被加工物を該研磨域において該研磨ユニットの該研磨パッドによって研磨する研磨工程が終了した後、該ドレッサーボードを該作用位置に位置付け該研磨パッドを該ドレッサーボードに作用せしめてドレッシングするドレッシング工程を含み、
該ドレッシング工程においては、該ドレッシング工程の遂行回数をカウントするとともに、該研磨工程を実施することによって1回の研磨工程において該研磨バッドが消耗する該研磨パッドの磨耗量を超える所定の目標送り量が予め設定されており、該研磨パッドを該ドレッサーボードの上面に当接させて荷重変化を検出した基準位置から、該ドレッシング工程の遂行回数のカウント値に該目標送り量を乗じた量だけ移動して該研磨パッドの研磨面を該ドレッサーボードの表面を越えた位置に位置付け、該研磨パッドと該ドレッシングボードを相対移動せしめ、
更に、該カウント値が所定値に達したことによって、研磨パッドの寿命を検知する、ことを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法が提供される。
In order to solve the main technical problem, according to the present invention, a chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a chuck table moving mechanism for moving the chuck table to a workpiece attachment / detachment region and a polishing region, A polishing unit having a polishing pad for polishing a workpiece held on the chuck table positioned in the polishing area, and moving the polishing unit in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table A polishing pad in a polishing apparatus, comprising: a polishing unit feeding mechanism for squeezing; a dresser board for dressing a polishing surface of the polishing pad; and a dressing mechanism having a dresser board support means for positioning the dresser board at an operating position and a non-operating position. Dressing method,
After the polishing step of polishing the workpiece held on the chuck table with the polishing pad of the polishing unit in the polishing area is completed, the dresser board is positioned at the working position and the polishing pad is applied to the dresser board. Including a dressing process of dressing at least,
In the dressing process, a predetermined target feed amount that counts the number of times the dressing process is performed and exceeds the wear amount of the polishing pad consumed by the polishing pad in one polishing process by performing the polishing process. Is set in advance and moved by an amount obtained by multiplying the count value of the number of times of the dressing process by the target feed amount from the reference position where the polishing pad is brought into contact with the upper surface of the dresser board to detect a load change. Then, the polishing surface of the polishing pad is positioned beyond the surface of the dresser board, and the polishing pad and the dressing board are moved relative to each other,
Furthermore, a polishing pad dressing method is provided, wherein the life of the polishing pad is detected when the count value reaches a predetermined value.
本発明による研磨パッドのドレッシング方法は、研磨パッドを所定の基準位置から予め設定された目標送り量だけ移動するので、従来のように荷重センサーの誤差の影響を受けることなく研磨パッドを確実に所定量ドレッシングすることができる。また、ドレッシングした回数をカウントし、カウント値が所定値に達したことにより研磨パッドの寿命を検知することができる。 The dressing method of the polishing pad according to the present invention moves the polishing pad from a predetermined reference position by a preset target feed amount, so that the polishing pad can be reliably placed without being affected by the error of the load sensor as in the prior art. Can be quantitatively dressed. Further, the number of times of dressing is counted, and the life of the polishing pad can be detected when the count value reaches a predetermined value.
以下、本発明による研磨パッドのドレッシング方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of a dressing method for a polishing pad according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1には本発明による研磨パッドのドレッシング方法を実施する研磨装置の斜視図が示されている。
研磨装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研磨ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
FIG. 1 is a perspective view of a polishing apparatus for performing a dressing method for a polishing pad according to the present invention.
The polishing apparatus comprises an apparatus housing, generally designated 2. The apparatus housing 2 includes a rectangular parallelepiped
研磨ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が設けられている。この支持部313にスピンドルユニット32が取り付けられる。
The
スピンドルユニット32は、支持部313に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ323とを具備している。回転スピンドル322の下端部はスピンドルハウジング321の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状の工具装着部材324が設けられている。なお、工具装着部材324には、周方向に間隔をおいて複数のボルト挿通孔(図示していない)が形成されている。この工具装着部材324の下面に研磨工具325が装着される。研磨工具325は、図2および図3に図示する如く、円板形状の支持部材326と円板形状の研磨パッド327とから構成されている。支持部材326には周方向に間隔をおいてその上面から下方に延びる複数の盲ねじ穴326aが形成されている。支持部材326の下面は円形支持面を構成しており、研磨パッド327はエポキシ樹脂系接着剤の如き適宜の接着剤によって支持部材326の円形支持面に接合されている。研磨パッド327は、図示の実施形態においてはフエルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石が用いられている。このフエルト砥石からなる研磨パッド327自体の構成についての詳細な説明は、上述した特開2002−283243号公報に詳細に説明されているのでかかる記載に委ね、本明細書においては説明を省略する。上記回転スピンドル322の下端に固定されている工具装着部材324の下面に研磨工具325を位置付け、工具装着部材324に形成されている貫通孔を通して研磨工具325の支持部材326に形成されている盲ねじ孔326aに締結ボルト328を螺着することによって、工具装着部材324に研磨工具325が装着される。
The
図1に戻って説明を続けると、図示の研磨装置は、上記研磨ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの載置面と垂直な方向)に移動せしめる研磨ユニット送り機構4を備えている。この研磨ユニット送り機構4は、直立壁22の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド41を具備している。この雄ねじロッド41は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材42および43によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材42には雄ねじロッド41を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ44が配設されており、このパルスモータ44の出力軸が雄ねじロッド41に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド41が螺合せしめられている。従って、パルスモータ44が正転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ44が逆転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。
Returning to FIG. 1, the explanation will continue. The illustrated polishing apparatus moves the
図1および図4を参照して説明を続けると、ハウジング2の主部21の後半部上には略矩形状の没入部211が形成されており、この没入部211にはチャックテーブル機構5が配設されている。チャックテーブル機構5は、支持基台51とこの支持基台51に実質上鉛直に延びる回転中心軸線を中心として回転自在に配設された円板形状のチャックテーブル52とを含んでいる。支持基台51は、上記没入部211上に前後方向(直立壁22の前面に垂直な方向)である矢印23aおよび23bで示す方向に延在する一対の案内レール23、23上に摺動自在に載置された移動基台53上に配設されており、後述するチャックテーブル移動機構56によって図1に示す被加工物着脱域24(図4において実線で示す位置)と上記スピンドルユニット32を構成する研磨工具325の研磨部材327と対向する研磨域25(図4において2点鎖線で示す位置)との間で移動せしめられる。
The description will be continued with reference to FIGS. 1 and 4. A substantially rectangular
上記チャックテーブル52は、上面に被加工物を載置する載置面を有し、上記支持基台51に回転可能に支持されている。このチャックテーブル52は、その下面に装着された回転軸(図示せず)に連結されたサーボモータ54によって回転せしめられる。なお、チャックテーブル52は、多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料から構成されており、図示しない吸引手段に接続されている。従って、チャックテーブル52を図示しない吸引手段に選択的に連通することにより、載置面上に載置された被加工物を吸引保持する。
The chuck table 52 has a mounting surface on which a workpiece is mounted, and is rotatably supported by the
上述したチャックテーブル機構5は、上記研磨工具325の研磨パッド327をドレッシングするためのドレッシング機構6を具備している。このドレッシング機構6は、チャックテーブル52の研磨域25側に配設されたドレッサーボード60と、該ドレッサーボード60をチャックテーブル52の上面より高い作用位置とチャックテーブル52の上面より低い非作用位置とに移動可能に支持するドレッサーボード支持機構7を具備している。以下、ドレッサーボード60およびドレッサーボード支持機構7について、図5を参照して説明する。
The
ドレッサーボード60は、矩形状に形成された本体61と、該本体61の上面に装着された砥石部62とからなっている。本体61に砥石部62を設けるには、例えば周知の電鋳法によって形成することができる。即ち、ステンレス鋼板からなる本体61を砥石形成部を残してマスキングし、硫酸ニッケル液にダイヤモンド砥粒を混入せしめたメッキ液中でニッケルメッキすることにより、本体61の砥石形成部に複合メッキ層からなる砥石部62を形成することができる。なお、砥石部62の形状は円形状或いは矩形状でよい。図示の実施形態においては、砥石部62は直径が10mm程度の円形に形成されている。このようにして砥石部62が設けられた本体61には、3個の取付け穴611が形成されている。この取付け穴611の上部は、後述する皿ネジの頭部が嵌合するためのテーパー面に形成されている。
The
上述したドレッサーボード60を上記作用位置と非作用位置に移動可能に支持するドレッサーボード支持機構7は、ドレッサーボード60を装着する支持板71と、該支持板71を支持する移動基板72と、該移動基板72の上下方向の移動を案内する4本の案内ロッド73と、移動基板72を案内ロッド73に沿って移動せしめる昇降手段74と、移動基板72と支持板71との間に配設された水平度調整手段75とを具備している。支持板71は矩形状に形成されており、その上面には上記ドレッサーボード6の本体61に設けられた3個の取付け穴611と対応する位置に3個のネジ穴711が形成されている。このネジ穴711に上記ドレッサーボード60の本体61に設けられた取付け穴611を挿通した皿ネジ76を螺合することによって、支持板71上にドレッサーボード6が装着される。なお、支持板71上にドレッサーボード60を取り付けた状態において皿ネジ76は、その頭部が取付け穴611の上部のテーパー面に嵌合してドレッサーボード60の上面より低い位置に位置付けられる。
The dresser
上述した支持板71を支持する移動基板72は矩形状に形成されており、その4隅部に上下方向に貫通する4個の被案内穴721が設けられている。この4個の被案内穴721を上記移動基台53に立設された4本の案内ロッド73にそれぞれ挿通することにより、移動基板72は案内ロッド73に沿って上下方向に移動可能に構成される。移動基板72を案内ロッド73に沿って移動せしめる昇降手段74は、上記移動基台53上に配設され正転・逆転可能なパルスモータ741および該パルスモータ741によって駆動されるスクリュー機構742を含んでおり、パルスモータ741を正転駆動すると移動基板72を上昇せしめ、パルスモータ741を逆転駆動すると移動基板72を下降せしめる。また、移動基板72と支持板71との間に配設された水平度調整手段75は、支持板71の長手方向に間隔をおいて配設された2個の昇降手段751、751からなっている。この昇降手段751は、パルスモータおよび該パルスモータによって駆動されるスクリュー機構を含んでおり、パルスモータを正転駆動すると支持板71を上昇せしめ、パルスモータを逆転駆動すると支持板71を下降せしめる。従って、2個の昇降手段751、751を移動調整することにより、支持板71の上面に装着されたドレッサーボード60の水平度を調整することができる。
The moving
以上のように構成されたドレッサーボード60およびドレッサーボード支持機構7は、チャックテーブル52の後側即ち研磨域25側に配設される。そして、ドレッサーボード60および支持板71が支持基台51の後端部に形成された矩形状の切欠部511に位置するように配置される。
The
図4に戻って説明を続けると、図示の研磨装置は、上記チャックテーブル機構5を一対の案内レール23に沿って矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめるチャックテーブル移動機構56を具備している。チャックテーブル移動機構56は、一対の案内レール23間に配設され案内レール23と平行に延びる雄ねじロッド561と、該雄ねじロッド561を回転駆動するサーボモータ562を具備している。雄ねじロッド561は、上記移動基台53に設けられたネジ穴531と螺合して、その先端部が一対の案内レール23、23を連結して取り付けられた軸受部材563によって回転自在に支持されている。サーボモータ562は、その駆動軸が雄ねじロッド561の基端と伝動連結されている。従って、サーボモータ562が正転すると移動基台53即ちチャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動し、サーボモータ562が逆転すると移動基台53即ちチャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる。矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル機構5は、図4において実線で示す被加工物着脱域と2点鎖線で示す研磨域に選択的に位置付けられる。また、チャックテーブル機構5は、研磨域においては所定範囲に渡って矢印23aおよび23bで示す方向に往復動せしめられる。
Referring back to FIG. 4, the illustrated polishing apparatus includes a chuck
図1に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構5を構成する支持基台51の移動方向両側には、図1に示すように横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール23、23や雄ねじロッド561およびサーボモータ562等を覆っている蛇腹手段81および82が付設されている。蛇腹手段81および82はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段81の前端は没入部211の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構5の支持基台51の前端面に固定されている。蛇腹手段82の前端はチャックテーブル機構5の支持基台51の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。チャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段81が伸張されて蛇腹手段82が収縮され、チャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段81が収縮されて蛇腹手段82が伸張せしめられる。
Returning to FIG. 1, the explanation will be continued. On both sides of the
図示の研磨装置は、研磨域52に位置せしめられているチャックテーブル機構5とともに、チャックテーブル52上に保持された被加工物に押圧せしめられている研磨工具325を囲繞する防塵カバー9を具備している。この防塵カバー9は全体として箱形状であり、上壁91、前壁92および両側壁93、93を有する。防塵カバー9の両側壁93、93は上下方向中間に下方を向いた肩面93a、93aを有し、両側壁93、93の下半部は上記没入部211の両側面に密接せしめられ、肩面93a、93aがハウジング2の主部21の両側縁部の上面に載置せしめられる。防塵カバー9の前壁92にはチャックテーブル機構5の通過を許容するための矩形開口92aが形成されている。防塵カバー9の上壁91には、研磨工具325の通過を許容するための円形開口91aが形成されている。また、防塵カバー9の上壁91には、円形開口91aの周縁から上方に延びる円筒部材94が設けられている。防塵カバー9の上壁91の一部には、開閉自在な保守点検用の扉95が配設されている。更に、防塵カバー9の上壁91には、防塵カバー9内を排気するための排気ダクト96が付設されている。排気ダクト96は適宜の排気手段(図示していない)に接続されており、研磨工具325によって被加工物を研磨する際には、防塵カバー9によって囲繞されている研磨域25における研磨粉等の粉塵が排気される。
The illustrated polishing apparatus includes a dust-
図1に基づいて説明を続けると、装置ハウジング2の主部21における前半部上には、第1のカセット11と、第2のカセット12と、被加工物仮載置手段13と、洗浄手段14と、被加工物搬送手段15と、被加工物搬入手段16および被加工物搬出手段17が配設されている。第1のカセット11は研磨加工前の被加工物を収納し、装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬入域に載置される。第2のカセット12は装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬出域に載置され、研磨加工後の被加工物を収納する。被加工物仮載置手段13は第1のカセット11と被加工物着脱域24との間に配設され、研磨加工前の被加工物を仮載置する。洗浄手段14は被加工物着脱域24と第2のカセット12との間に配設され、研磨加工後の被加工物を洗浄する。被加工物搬送手段15第1のカセット11と第2のカセット12との間に配設され、第1のカセット11内に収納された被加工物を被加工物仮載置手段13に搬出するとともに洗浄手段14で洗浄された被加工物を第2のカセット12に搬送する。被加工物搬入手段16は被加工物仮載置手段13と被加工物着脱域24との間に配設され、被加工物仮載置手段13上に載置された研磨加工前の被加工物を被加工物着脱域24に位置付けられたチャックテーブル機構6のチャックテーブル52上に搬送する。被加工物搬出手段17は被加工物着脱域24と洗浄手段14との間に配設され、被加工物着脱域24に位置付けられたチャックテーブル52上に載置されている研磨加工後の被加工物を洗浄手段14に搬送する。また、図示の研磨装置は、装置ハウジング2の主部21における中央部に上記チャックテーブル52を洗浄する洗浄水噴射ノズル18を備えている。この洗浄水噴射ノズル18は、チャックテーブル機構5が被加工物着脱域24に位置付けられた状態において、チャックテーブル52に向けて洗浄水を噴出する。
The description will be continued based on FIG. 1. On the front half of the
上記第1のカセット11に収容される被加工物は、環状のフレームに保護テープを介して表面側が装着された半導体ウエーハ(従って、半導体ウエーハは裏面が上側に位置する)、或いは支持基板(サブストレート)上に表面側が装着された半導体ウエーハ(従って、半導体ウエーハは裏面が上側に位置する)でよい。このような被加工物である半導体ウエーハを収容した第1のカセット11は、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセット搬入域に載置された第1のカセット11に収容されていた研磨加工前の半導体ウエーハが全て搬出されると、空のカセット11に代えて複数個の半導体ウエーハを収容した新しいカセット11が手動でカセット搬入域に載置される。一方、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬出域に載置された第2のカセット12に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハが搬入されると、かかる第2のカセット12が手動で搬出され、新しい空の第2のカセット12が載置される。
The workpiece accommodated in the
図示の研磨装置は、図6に示すように上記研磨ユニット3、研磨ユニット送り機構4、チャックテーブル機構5、ドレッシング機構6のドレッサーボード支持機構7、チャックテーブル移動機構56、被加工物仮載置手段13、洗浄手段14、被加工物搬入手段16、被加工物搬出手段17、を制御する制御手段10を具備している。制御手段10は、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)101と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ(ROM)102と、演算結果等を記憶する記憶手段としての読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)103と、カウンター104と、入力インターフェース105および出力インターフェース106を備えている。なお、カウンター104は、上記研磨パッド327をドレッシングした回数をカウントする。また、ランダムアクセスメモリ(RAM)103は、後述する入力手段によって入力された所定送り量を格納する記憶領域103a、上記研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)を検出する後述する位置検出手段からの検出位置を格納する記憶領域103b等を備えている。なお、所定送り量はリードオンリーメモリ(ROM)102に予め記憶させておいてもよい。このように構成された制御手段10の入力インターフェース105には、上記研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)を検出する位置検出手段110や入力手段120等からデータが入力される。一方、制御手段10の出力インターフェース106からは、上記研磨ユニット3のサーボモータ323、研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44、チャックテーブル機構5のサーボモータ54、ドレッシング機構6を構成するドレッサーボード支持機構7のパルスモータ741、チャックテーブル移動機構56のサーボモータ562、被加工物仮載置手段13、洗浄手段14、被加工物搬入手段16、被加工物搬出手段17等に制御信号を出力する。
As shown in FIG. 6, the illustrated polishing apparatus includes the
次に、上述した研磨装置による研磨工程およびドレッシング工程について、主に図1と図7乃至図9を参照して説明する。
第1のカセット11に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体ウエーハは被加工物搬送手段15の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮載置手段13に載置される。被加工物仮載置手段13に載置された半導体ウエーハは、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段16の旋回動作によって被加工物着脱域24に位置せしめられているチャックテーブル機構5のチャックテーブル52上に載置される。チャックテーブル52上に載置された被加工物としての半導体ウエーハは、図示しない吸引手段によってチャックテーブル52上に吸引保持される。
Next, the polishing process and the dressing process performed by the above-described polishing apparatus will be described mainly with reference to FIGS. 1 and 7 to 9.
The semiconductor wafer as the workpiece before polishing, which is accommodated in the
チャックテーブル52上に半導体ウエーハを吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構56を作動してチャックテーブル機構5を矢印23aで示す方向に移動し、図6において実線で示す研磨域の研磨開始位置に位置付ける。なお、このときドレッサーボード60はチャックテーブルの52上面よりより低い退避位置に位置付けられている。研磨域の研磨開始位置おいては、半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル52を例えば300rpm程度で回転し、上記サーボモータ323を駆動して研磨工具325を4000〜7000rpmで回転するとともに、上記研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44を正転駆動して研磨ユニット3を下降即ち前進せしめる。そして、図7において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨部材327をチャックテーブル52上の半導体ウエーハWの裏面に所定の荷重で押圧する。次に、チャックテーブル移動機構56を一方向に作動しチャックテーブル機構5を矢印23aで示す方向に図7において2点鎖線で示す折り返し位置まで移動する。このとき、チャックテーブル機構5の移動速度は、例えば100〜200mm/分に設定されている。そして、チャックテーブル52が折り返し位置まで移動したら、チャックテーブル移動機構56を一方向に作動してチャックテーブル機構5を矢印23bで示す方向に移動し図7において実線で示す研磨開始位置に戻し、研磨工程が終了する。このようにして研磨工程を実行することにより、研磨部材327の作用によって半導体ウエーハWの裏面が所定量乾式研磨され、残留加工歪が除去される。なお、上述した乾式研磨作用によって研磨粉が飛散するが、この際には図示しない排気手段が作動せしめられていて、防塵カバー7内に飛散した粉塵は排気ダクト76を通して排気される。
If the semiconductor wafer is sucked and held on the chuck table 52, the chuck
上記のようにして、研磨工程が終了したら、スピンドルユニット32を所定位置まで上昇させるとともに、研磨工具325の回転を停止し、更に、チャックテーブル52の回転を停止する。次に、研磨工具325の研磨パッド327のドレッシング工程を実施する。なお、研磨工具325を交換した時点で、入力手段120から研磨ユニット3の所定送り量(H)が入力され、制御手段10はこの所定送り量(H)をランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103aに格納する。この所定送り量(H)は、上述した1回の研磨工程による研磨パッド327の磨耗量が例えば1μm程度であれば、磨耗量を超える定量値として例えば2μmに設定する。なお、所定送り量(H)は、同じ研磨パッド327を用いる場合には、入力手段120から最初に入力した値を維持し、研磨工具325を交換する都度入力する必要はない。また、1回目のドレッシング作業を開始するに際して、制御手段10は上記カウンター104をプラス「1」する。従って、カウンター104のカウント値は「1」となる。
When the polishing process is completed as described above, the
1回目のドレッシング工程は、上述した研磨工程終了時に研磨域の研磨開始位置に位置付けられているチャックテーブル機構5を矢印23aで示す方向に移動し、図8に示す1回目のドレッシング開始位置に位置付ける。このドレッシング開始位置は、図8に示すようにドレッサーボード60の砥石部62が研磨工具325の図において右端部下面と対向する位置に設定されている。チャックテーブル機構5が1回目のドレッシング開始位置に位置付けられたならば、ドレッサーボード支持機構7を構成する昇降手段74のパルスモータ741を所定量正転駆動してドレッサーボード60を図8に示すようにチャックテーブル52の上面より高い作用位置に位置付ける。
In the first dressing step, the
次に、上記研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44を正転駆動して研磨ユニット3を下降即ち前進せしめ、図8において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッサーボード60の砥石部62の上面に当接せしめる。このとき図示しない荷重検出手段が急激に荷重の変化を検出した時点で位置検出手段110が研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)を検出して、この位置信号を制御手段10に送る。そして、制御手段10は、位置検出手段110から送られた位置信号を基準位置としてランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103bに格納する。
Next, the
以上のようにして、基準位置が検出されこれをランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103bに格納したら、図9に示すようにチャックテーブル機構5を2回目以降のドレッシング開始位置に位置付ける。このドレッシング開始位置は、図9に示すようにドレッサーボード60の砥石部62が研磨工具325と対向しない位置に設定されている。次に、上記研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44を正転駆動して研磨ユニット3を上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103bに格納された基準位置から所定量下降即ち前進せしめ、図9において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッシング位置に位置付ける。この上記基準位置からの研磨ユニット3の下降量(目標送り量)は、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103aに格納された所定送り量(H)(例えば2μm)に上記カウンター104のカウント値を乗算した値である。従って、今回の研磨ユニット3の下降量(目標送り量)は、カウンター104のカウント値が「1」であるので所定送り量(H)が2μmの場合には、(2μm×1)=4μmとなる。このようにして、研磨ユニット3を目標送り量下降して、図9において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッシング位置に位置付けると、研磨パッド327の下面である研磨面はドレッサーボード60の砥石部62の表面を越えた、即ち砥石部62の表面より下方の位置に位置付けられる。次に、スピンドルユニット32のサーボモータ323を駆動して研磨工具325を4000〜7000rpmで回転するとともに、チャックテーブル移動機構56を作動してチャックテーブル52を矢印23bで示す方向に100〜200mm/秒の速度で移動することにより、1回目のドレッシング工程が実施される。このようにして1回目のドレッシング工程が終了したら、制御手段10はカウンター104をプラス「1」する。従って、カウンター104のカウント値は「2」となる。
When the reference position is detected and stored in the
一方、チャックテーブル機構5は、更に矢印23bで示す方向に移動されて被加工物着脱域24(図1参照)に位置付けられる。チャックテーブル機構5が被加工物着脱域24に位置付けられたならば、ドレッサーボード支持機構7を構成する昇降手段74のパルスモータ741を所定量逆転駆動してドレッサーボード60をチャックテーブル52の上面より低い退避位置に位置付ける。
On the other hand, the
上述したようにチャックテーブル機構5が被加工物着脱域24に位置付けられたならば、チャックテーブル52上の研磨加工された半導体ウエーハの吸引保持が解除され、吸引保持が解除された半導体ウエーハは被加工物搬出手段17により搬出されて洗浄手段14に搬送される。洗浄手段14に搬送された半導体ウエーハは、ここで洗浄された後に被加工物搬送手段15よって第2のカセット12の所定位置に収納される。
As described above, when the
以上のようにして、1枚目の被加工物の研磨工程および1回目のドレッシング工程が終了して、チャックテーブル機構5が被加工物着脱域24に位置付けられたならば、上述したようにチャックテーブル52上に2枚目の被加工物としての半導体ウエーハを吸引保持し、図6において実線で示す研磨域の研磨開始位置に位置付ける。そして、上述した研磨工程を実行する。
As described above, when the first workpiece polishing step and the first dressing step are completed and the
チャックテーブル52上に2枚目の被加工物としての半導体ウエーハの研磨工程が終了したら、2回目のドレッシング工程を実施する。2回目のドレッシング工程は、図9に示すようにチャックテーブル機構5をドレッシング開始位置に位置付ける。チャックテーブル機構5がドレッシング開始位置に位置付けられたならば、ドレッサーボード支持機構7を構成する昇降手段74のパルスモータ741を所定量正転駆動してドレッサーボード6を図9に示すようにチャックテーブル52の上面よりより高い作用位置に位置付ける。
When the polishing process of the semiconductor wafer as the second workpiece is completed on the chuck table 52, the second dressing process is performed. In the second dressing step, the
次に、上記研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44を正転駆動して研磨ユニット3を上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103bに格納された基準位置から目標送り量下降即ち前進せしめ、図9において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッシング位置に位置付ける。今回の上記基準位置からの研磨ユニット3の下降量(目標送り量)は、カウンター104のカウント値が「2」であるので所定送り量(H)が2μmの場合には、(2μm×2)=4μmとなる。
Next, the
このようにして、研磨ユニット3を目標送り量下降して、図9において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッシング位置に位置付けると、上記1回目のドレッシング工程と同様に研磨パッド327の下面である研磨面はドレッサーボード60の砥石部62の表面を越えた、即ち砥石部62の表面より下方の位置に位置付けられる。次に、上記1回目のドレッシング工程と同様にスピンドルユニット32のサーボモータ323を駆動して研磨工具325を4000〜7000rpmで回転するとともに、チャックテーブル移動機構56を作動してチャックテーブル52を矢印23bで示す方向に100〜200mm/秒の速度で移動する。このようにして2回目のドレッシング工程が実施される。なお、3回目以降のドレッシング作業は、上述した2回目のドレッシング作業と同様に実施する。
In this way, when the
上述した実施形態においては、所定送り量(H)に上記カウンター104のカウント値を乗算した値を目標送り量として設定しておき、研磨ユニット3を上記基準値からの目標送り量だけ下降するので、従来のように荷重センサーの誤差の影響を受けることなく、研磨パッド327を確実にドレッシングすることができる。また、上述した実施形態においては、ドレッシングした回数をカウントするカウンター104を備えているので、このカウンター104のカウント値が所定に達したことにより研磨パッド327の寿命を確認することができる。
In the embodiment described above, a value obtained by multiplying the predetermined feed amount (H) by the count value of the
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
上述した実施形態においては1回目のドレッシング時に研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)の基準値を検出して、この基準値からの研磨ユニット3の下降量(目標送り量)を所定送り量(H)に上記カウンター104によってカウントされたドレッシング回数を乗算した値としたが、この実施形態は目標送り量を所定送り量(H)としたものである。即ち、各ドレッシング工程終了時における研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)を検出し、この値を次のドレッシング時の基準値として上記目標送り量として所定送り量(H)だけ研磨ユニット3を下降せしめる。
Next, another embodiment of the present invention will be described.
In the above-described embodiment, the reference value of the vertical position (Z-axis position) of the
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述したドレッシング工程は、被加工物の研磨工程を実行する毎に行ってもよいが、研磨工程を数回実行する毎に行ってもよい。 Although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention. For example, the above-described dressing process may be performed every time the workpiece polishing process is performed, but may be performed every time the polishing process is performed several times.
2:装置ハウジング
3:研磨ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
321:スピンドルハウジング
322:回転スピンドル
323:サーボモータ
324:工具装着部材
325:研磨工具
326:支持部材
327:研磨パッド
4:研磨ユニット送り機構
44:パルスモータ
5:チャックテーブル機構
51:支持基台
52:チャックテーブル
53:移動基台
56:チャックテーブル移動機構
6:ドレッサーボード
7:ドレッサーボード支持機構
71:支持板
72:移動基板
73:案内ロッド
74:昇降手段
75:水平度調整手段
81、82:蛇腹手段
9:防塵カバー
10:制御手段
11:第1のカセット
12:第2のカセット
13:被加工物仮載置手段
14:洗浄手段
15:被加工物搬送手段
16:被加工物搬入手段
17:被加工物搬出手段
18:洗浄水噴射ノズル
2: Device housing 3: Polishing unit 31: Moving base 32: Spindle unit 321: Spindle housing 322: Rotary spindle 323: Servo motor 324: Tool mounting member 325: Polishing tool 326: Support member 327: Polishing pad 4: Polishing unit Feed mechanism 44: Pulse motor 5: Chuck table mechanism 51: Support base 52: Chuck table 53: Moving base 56: Chuck table moving mechanism 6: Dresser board 7: Dresser board supporting mechanism 71: Support plate 72: Moving substrate 73 : Guide rod 74: Lifting means 75: Horizontalness adjusting means 81, 82: Bellows means 9: Dust-proof cover 10: Control means 11: First cassette 12: Second cassette 13: Workpiece temporary placement means 14: Cleaning means 15: Workpiece conveying means 16: Workpiece Input means 17: workpiece unloading means 18: the washing water jetting nozzle
Claims (1)
該チャックテーブルに保持された被加工物を該研磨域において該研磨ユニットの該研磨パッドによって研磨する研磨工程が終了した後、該ドレッサーボードを該作用位置に位置付け該研磨パッドを該ドレッサーボードに作用せしめてドレッシングするドレッシング工程を含み、
該ドレッシング工程においては、該ドレッシング工程の遂行回数をカウントするとともに、該研磨工程を実施することによって1回の研磨工程において該研磨バッドが消耗する該研磨パッドの磨耗量を超える所定の目標送り量が予め設定されており、該研磨パッドを該ドレッサーボードの上面に当接させて荷重変化を検出した基準位置から、該ドレッシング工程の遂行回数のカウント値に該目標送り量を乗じた量だけ移動して該研磨パッドの研磨面を該ドレッサーボードの表面を越えた位置に位置付け、該研磨パッドと該ドレッシングボードを相対移動せしめ、
更に、該カウント値が所定値に達したことによって、研磨パッドの寿命を検知する、
ことを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法。 A chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a chuck table moving mechanism for moving the chuck table to a workpiece attaching / detaching area and a polishing area, and a workpiece held by the chuck table positioned in the polishing area. A polishing unit having a polishing pad for polishing a workpiece, a polishing unit feed mechanism for moving the polishing unit in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table, and dressing the polishing surface of the polishing pad A dressing board having a dresser board and a dressing mechanism having a dresser board support means for positioning the dresser board in an operating position and a non-operating position, and a polishing pad dressing method in a polishing apparatus comprising:
After the polishing step of polishing the workpiece held on the chuck table with the polishing pad of the polishing unit in the polishing area is completed, the dresser board is positioned at the working position and the polishing pad is applied to the dresser board. Including a dressing process of dressing at least,
In the dressing process, a predetermined target feed amount that counts the number of times the dressing process is performed and exceeds the wear amount of the polishing pad consumed by the polishing pad in one polishing process by performing the polishing process. Is set in advance and moved by an amount obtained by multiplying the count value of the number of times of the dressing process by the target feed amount from the reference position where the polishing pad is brought into contact with the upper surface of the dresser board to detect a load change. Then, the polishing surface of the polishing pad is positioned beyond the surface of the dresser board, and the polishing pad and the dressing board are moved relative to each other,
Furthermore, by the count value reaches a predetermined value, to detect the life of the polishing pad,
A polishing pad dressing method characterized by the above.
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