JP2006055971A - Dressing method for polishing pad - Google Patents

Dressing method for polishing pad Download PDF

Info

Publication number
JP2006055971A
JP2006055971A JP2004242721A JP2004242721A JP2006055971A JP 2006055971 A JP2006055971 A JP 2006055971A JP 2004242721 A JP2004242721 A JP 2004242721A JP 2004242721 A JP2004242721 A JP 2004242721A JP 2006055971 A JP2006055971 A JP 2006055971A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
dressing
chuck table
polishing pad
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004242721A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4733943B2 (en
Inventor
Tokuhito Fuwa
徳人 不破
Naoya Sukegawa
直哉 介川
Masayuki Nakagawa
正幸 中川
Susumu Hayakawa
晋 早川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2004242721A priority Critical patent/JP4733943B2/en
Publication of JP2006055971A publication Critical patent/JP2006055971A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4733943B2 publication Critical patent/JP4733943B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dressing method by which a polishing pad is surely dressed. <P>SOLUTION: The dressing method is for a polishing pad used for polishing a workpiece held to a chuck table. The method includes a dressing process, in which dressing is made by allowing the polishing pad to act on a dresser board by locating the dresser board in an action position, after the completion of a polishing process for polishing the workpiece held to the chuck table with the polishing pad of a polishing unit. The dressing process has the following constitution. A prescribed target feed amount, which exceeds a wear amount of the polishing pad consumed by the execution of the polishing process, is preset. The polishing face of the polishing pad is located in a position beyond the surface of the dresser board by moving the polishing pad from a prescribed reference position by a target feed amount. The polishing pad and the dressing board are relatively moved. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、チャックテーブルに保持された半導体ウエーハ等の被加工物を研磨する研磨パッドをドレッシングするドレッシング方法に関する。   The present invention relates to a dressing method for dressing a polishing pad for polishing a workpiece such as a semiconductor wafer held on a chuck table.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる切断ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々に半導体回路を形成する。このように多数の半導体回路が形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分離することにより、個々の半導体チップを形成する。半導体チップの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々の矩形領域を分離するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削砥石を、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によって半導体ウエーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂加工歪が生成され、これによって個々に分割された半導体チップの抗折強度が相当低減される。この研削された半導体ウエーハの裏面に生成される加工歪を除去する対策として、研削された半導体ウエーハの裏面を硝酸および弗化水素酸を含むエッチング液を使用して化学的エッチングするウエットエッチング法やエッチングガスを用いるドライエッチング法が使用されている。また、研削された半導体ウエーハの裏面を遊離砥粒を使用してポリッシングするポリッシング法も実用化されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular regions are defined by cutting lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and a semiconductor circuit is formed in each of the rectangular regions. Individual semiconductor chips are formed by separating the semiconductor wafer formed with such a large number of semiconductor circuits along the streets. In order to reduce the size and weight of the semiconductor chip, the semiconductor wafer is usually ground to the predetermined thickness by cutting the semiconductor wafer along the streets and separating the individual rectangular regions. Forming. The grinding of the back surface of the semiconductor wafer is usually performed by pressing a grinding wheel formed by fixing diamond abrasive grains with an appropriate bond such as a resin bond against the back surface of the semiconductor wafer while rotating at high speed. When the back surface of the semiconductor wafer is ground by such a grinding method, a so-called processing strain is generated on the back surface of the semiconductor wafer, thereby considerably reducing the bending strength of the individually divided semiconductor chips. As a countermeasure for removing the processing strain generated on the back surface of the ground semiconductor wafer, a wet etching method in which the back surface of the ground semiconductor wafer is chemically etched using an etchant containing nitric acid and hydrofluoric acid, A dry etching method using an etching gas is used. Further, a polishing method for polishing the back surface of a ground semiconductor wafer using loose abrasive grains has been put into practical use.

しかしながら、上述したウエットエッチング法、ドライエッチング法およびポリッシング法は、生産性が悪いとともに、廃液が環境汚染の原因となる。このような問題を解決するためにフエルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石からなる研磨パッドを用いて、研削された半導体ウエーハの裏面を研磨し、研削歪みを取り除く技術が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)
特開2002−283243号公報
However, the wet etching method, the dry etching method, and the polishing method described above have poor productivity and waste liquid causes environmental pollution. In order to solve such problems, there is a technique for polishing the back surface of a ground semiconductor wafer by using a polishing pad made of a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bond agent to remove grinding distortion. Proposed. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP 2002-283243 A

しかるに、特開2002−283243号公報に開示されたフエルト砥石からなる研磨パッドを用いる研磨法は、被加工物を乾式で研磨するため、研磨パッドの研磨面には目詰まりが生じ易く、従って、研磨パッドの研磨面を頻繁にドレッシングする必要がある。このため、オペレータは作業を中断してドレッサーボードをチャックテーブル上に手作業で載置し、該チャックテーブル上に載置されたドレッサーボードに研磨パッドの研磨面を接触させつつ回転することによりドレッシング作業を行っており、その作業が面倒であるとともに、生産効率を低下させる原因にもなっている。   However, in the polishing method using a felt pad made of a felt grindstone disclosed in JP-A-2002-283243, the work piece is polished dry, so that the polishing surface of the polishing pad is easily clogged. It is necessary to frequently dress the polishing surface of the polishing pad. For this reason, the operator interrupts the operation, manually places the dresser board on the chuck table, and rotates the dresser board placed on the chuck table while bringing the polishing surface of the polishing pad into contact with the dresser board. The work is carried out, which is troublesome and also causes a reduction in production efficiency.

上述した問題を解消するために、研磨パッドを適宜ドレッシングすることができるドレッシング機能を備えた研磨装置が提案されている。(例えば、特許文献2参照。)
特開2003−305643号公報
In order to solve the above-described problems, a polishing apparatus having a dressing function capable of dressing a polishing pad as appropriate has been proposed. (For example, see Patent Document 2.)
JP 2003-305543 A

上記公報に開示された技術は、研磨パッドをドレッサーボードに押圧し、所定の荷重を検出した研磨パッドの位置を基準として、この基準位置から研磨パッドをドレッサーボード側に所定量送り込むようにしている。   In the technique disclosed in the above publication, the polishing pad is pressed against the dresser board, and the polishing pad is fed from the reference position to the dresser board side by a predetermined amount with reference to the position of the polishing pad at which the predetermined load is detected. .

而して、特開2003−305643号公報に開示された技術は、ドレッシング作業を実施する都度、研磨パッドがドレッサーボードに押圧され所定の荷重に達したときの基準位置を検出しているが、荷重センサーの誤差の影響を受けやすく、また研磨パッドが柔軟であることから研磨パッドの基準位置を必ずしも正確に設定することができない。このため、研磨パッドを確実にドレッシングすることができない場合がある。   Thus, the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-305543 detects the reference position when the polishing pad is pressed against the dresser board and reaches a predetermined load every time the dressing operation is performed. The reference position of the polishing pad cannot always be set accurately because it is easily affected by the error of the load sensor and the polishing pad is flexible. For this reason, the polishing pad may not be surely dressed.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、研磨パッドを確実にドレッシングすることができるドレッシング方法を提供することにある。   This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is to provide the dressing method which can dress a polishing pad reliably.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルを被加工物着脱域と研磨域に移動するチャックテーブル移動機構と、該研磨域に位置付けられた該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨するための研磨パッドを備えた研磨ユニットと、該研磨ユニットを該チャックテーブルの該保持面に対して垂直な方向に移動せしめる研磨ユニット送り機構と、該研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッサーボードと該ドレッサーボードを作用位置と非作用位置に位置付けるドレッサーボード支持手段を備えたドレッシング機構と、を具備する研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、
該チャックテーブルに保持された被加工物を該研磨域において該研磨ユニットの該研磨パッドによって研磨する研磨工程が終了した後、該ドレッサーボードを該作用位置に位置付け該研磨パッドを該ドレッサーボードに作用せしめてドレッシングするドレッシング工程を含み、
該ドレッシング工程は、該研磨工程を実施することによって消耗する該研磨パッドの磨耗量を超える所定の目標送り量が予め設定されており、該研磨パッドを所定の基準位置から該目標送り量だけ移動して該研磨パッドの研磨面を該ドレッサーボードの表面を越えた位置に位置付け、該研磨パッドと該ドレッシングボードを相対移動せしめる、
ことを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法が提供される。
In order to solve the main technical problem, according to the present invention, a chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a chuck table moving mechanism for moving the chuck table to a workpiece attachment / detachment region and a polishing region, A polishing unit having a polishing pad for polishing a workpiece held on the chuck table positioned in the polishing area, and moving the polishing unit in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table A polishing pad in a polishing apparatus, comprising: a polishing unit feeding mechanism for driving; a dresser board for dressing a polishing surface of the polishing pad; and a dressing mechanism having a dresser board support means for positioning the dresser board at an operating position and a non-operating position. Dressing method,
After the polishing step of polishing the workpiece held on the chuck table with the polishing pad of the polishing unit in the polishing area is completed, the dresser board is positioned at the working position and the polishing pad is applied to the dresser board. Including a dressing process of dressing at least,
In the dressing step, a predetermined target feed amount that exceeds the amount of wear of the polishing pad consumed by performing the polishing step is set in advance, and the polishing pad is moved from the predetermined reference position by the target feed amount. Then, the polishing surface of the polishing pad is positioned beyond the surface of the dresser board, and the polishing pad and the dressing board are moved relative to each other.
A method of dressing a polishing pad is provided.

本発明による研磨パッドのドレッシング方法は、研磨パッドを所定の基準位置から予め設定された目標送り量だけ移動するので、従来のように荷重センサーの誤差の影響を受けることなく研磨パッドを確実に所定量ドレッシングすることができる。   The dressing method of the polishing pad according to the present invention moves the polishing pad from a predetermined reference position by a preset target feed amount, so that the polishing pad can be reliably placed without being affected by the error of the load sensor as in the prior art. Can be quantitatively dressed.

以下、本発明による研磨パッドのドレッシング方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of a dressing method for a polishing pad according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には本発明による研磨パッドのドレッシング方法を実施する研磨装置の斜視図が示されている。
研磨装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研磨ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
FIG. 1 is a perspective view of a polishing apparatus for performing a dressing method for a polishing pad according to the present invention.
The polishing apparatus comprises an apparatus housing, generally designated 2. The apparatus housing 2 includes a rectangular parallelepiped main portion 21 that extends elongated and an upright wall 22 that is provided at a rear end portion (upper right end in FIG. 1) of the main portion 21 and extends substantially vertically upward. Yes. A pair of guide rails 221 and 221 extending in the vertical direction are provided on the front surface of the upright wall 22. The polishing unit 3 is mounted on the pair of guide rails 221 and 221 so as to be movable in the vertical direction.

研磨ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が設けられている。この支持部313にスピンドルユニット32が取り付けられる。   The polishing unit 3 includes a moving base 31 and a spindle unit 32 attached to the moving base 31. The movable base 31 is provided with a pair of legs 311 and 311 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface. The pair of legs 311 and 311 is slidably engaged with the pair of guide rails 221 and 221. Guided grooves 312 and 312 are formed. As described above, a support portion 313 protruding forward is provided on the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 221 and 221 provided on the upright wall 22. The spindle unit 32 is attached to the support portion 313.

スピンドルユニット32は、支持部313に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ323とを具備している。回転スピンドル322の下端部はスピンドルハウジング321の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状の工具装着部材324が設けられている。なお、工具装着部材324には、周方向に間隔をおいて複数のボルト挿通孔(図示していない)が形成されている。この工具装着部材324の下面に研磨工具325が装着される。研磨工具325は、図2および図3に図示する如く、円板形状の支持部材326と円板形状の研磨パッド327とから構成されている。支持部材326には周方向に間隔をおいてその上面から下方に延びる複数の盲ねじ穴326aが形成されている。支持部材326の下面は円形支持面を構成しており、研磨パッド327はエポキシ樹脂系接着剤の如き適宜の接着剤によって支持部材326の円形支持面に接合されている。研磨パッド327は、図示の実施形態においてはフエルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石が用いられている。このフエルト砥石からなる研磨パッド327自体の構成についての詳細な説明は、上述した特開2002−283243号公報に詳細に説明されているのでかかる記載に委ね、本明細書においては説明を省略する。上記回転スピンドル322の下端に固定されている工具装着部材324の下面に研磨工具325を位置付け、工具装着部材324に形成されている貫通孔を通して研磨工具325の支持部材326に形成されている盲ねじ孔326aに締結ボルト328を螺着することによって、工具装着部材324に研磨工具325が装着される。   The spindle unit 32 includes a spindle housing 321 mounted on the support portion 313, a rotary spindle 322 rotatably disposed on the spindle housing 321, and a servo motor as a drive source for rotationally driving the rotary spindle 322. 323. The lower end of the rotary spindle 322 protrudes downward beyond the lower end of the spindle housing 321, and a disk-shaped tool mounting member 324 is provided at the lower end. The tool mounting member 324 is formed with a plurality of bolt insertion holes (not shown) at intervals in the circumferential direction. A polishing tool 325 is mounted on the lower surface of the tool mounting member 324. As shown in FIGS. 2 and 3, the polishing tool 325 includes a disk-shaped support member 326 and a disk-shaped polishing pad 327. The support member 326 is formed with a plurality of blind screw holes 326a extending downward from the upper surface at intervals in the circumferential direction. The lower surface of the support member 326 forms a circular support surface, and the polishing pad 327 is joined to the circular support surface of the support member 326 by an appropriate adhesive such as an epoxy resin adhesive. In the illustrated embodiment, the polishing pad 327 is a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bond agent. Since the detailed description of the structure of the polishing pad 327 itself made of the felt grindstone is described in detail in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-283243, the description is omitted and the description is omitted in this specification. The polishing tool 325 is positioned on the lower surface of the tool mounting member 324 fixed to the lower end of the rotary spindle 322, and the blind screw formed on the support member 326 of the polishing tool 325 through the through hole formed in the tool mounting member 324. The polishing tool 325 is mounted on the tool mounting member 324 by screwing the fastening bolt 328 into the hole 326a.

図1に戻って説明を続けると、図示の研磨装置は、上記研磨ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの載置面と垂直な方向)に移動せしめる研磨ユニット送り機構4を備えている。この研磨ユニット送り機構4は、直立壁22の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド41を具備している。この雄ねじロッド41は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材42および43によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材42には雄ねじロッド41を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ44が配設されており、このパルスモータ44の出力軸が雄ねじロッド41に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド41が螺合せしめられている。従って、パルスモータ44が正転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ44が逆転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。   Returning to FIG. 1, the explanation will continue. The illustrated polishing apparatus moves the polishing unit 3 in the vertical direction along the pair of guide rails 221 and 221 (in a direction perpendicular to the mounting surface of the chuck table described later). A polishing unit feeding mechanism 4 is provided. The polishing unit feed mechanism 4 includes a male screw rod 41 disposed on the front side of the upright wall 22 and extending substantially vertically. The male screw rod 41 is rotatably supported by bearing members 42 and 43 whose upper end and lower end are attached to the upright wall 22. The upper bearing member 42 is provided with a pulse motor 44 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 41, and the output shaft of the pulse motor 44 is connected to the male screw rod 41 by transmission. A connecting portion (not shown) that protrudes rearward from the center portion in the width direction is also formed on the rear surface of the movable base 31, and a through female screw hole that extends in the vertical direction is formed in the connecting portion, The male screw rod 41 is screwed into the female screw hole. Therefore, when the pulse motor 44 rotates in the forward direction, the moving base 31, that is, the polishing unit 3 is lowered or moved forward, and when the pulse motor 44 rotates in the reverse direction, the moving base 31, that is, the polishing unit 3 is raised or moved backward.

図1および図4を参照して説明を続けると、ハウジング2の主部21の後半部上には略矩形状の没入部211が形成されており、この没入部211にはチャックテーブル機構5が配設されている。チャックテーブル機構5は、支持基台51とこの支持基台51に実質上鉛直に延びる回転中心軸線を中心として回転自在に配設された円板形状のチャックテーブル52とを含んでいる。支持基台51は、上記没入部211上に前後方向(直立壁22の前面に垂直な方向)である矢印23aおよび23bで示す方向に延在する一対の案内レール23、23上に摺動自在に載置された移動基台53上に配設されており、後述するチャックテーブル移動機構56によって図1に示す被加工物着脱域24(図4において実線で示す位置)と上記スピンドルユニット32を構成する研磨工具325の研磨部材327と対向する研磨域25(図4において2点鎖線で示す位置)との間で移動せしめられる。   The description will be continued with reference to FIGS. 1 and 4. A substantially rectangular immersive portion 211 is formed on the rear half of the main portion 21 of the housing 2, and the chuck table mechanism 5 is provided in the immersive portion 211. It is arranged. The chuck table mechanism 5 includes a support base 51 and a disk-shaped chuck table 52 disposed on the support base 51 so as to be rotatable about a rotation center axis extending substantially vertically. The support base 51 is slidable on a pair of guide rails 23 and 23 extending in the direction indicated by the arrows 23a and 23b in the front-rear direction (the direction perpendicular to the front surface of the upright wall 22). 1 is placed on a moving base 53 placed on the workpiece base, and the workpiece attachment / detachment area 24 shown in FIG. 1 (position indicated by a solid line in FIG. 4) and the spindle unit 32 are moved by a chuck table moving mechanism 56 described later. The polishing tool 325 is configured to be moved between the polishing member 327 and the polishing area 25 (position indicated by a two-dot chain line in FIG. 4) facing the polishing member 327.

上記チャックテーブル52は、上面に被加工物を載置する載置面を有し、上記支持基台51に回転可能に支持されている。このチャックテーブル52は、その下面に装着された回転軸(図示せず)に連結されたサーボモータ54によって回転せしめられる。なお、チャックテーブル52は、多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料から構成されており、図示しない吸引手段に接続されている。従って、チャックテーブル52を図示しない吸引手段に選択的に連通することにより、載置面上に載置された被加工物を吸引保持する。   The chuck table 52 has a mounting surface on which a workpiece is mounted, and is rotatably supported by the support base 51. The chuck table 52 is rotated by a servo motor 54 connected to a rotating shaft (not shown) mounted on the lower surface thereof. The chuck table 52 is made of an appropriate porous material such as porous ceramics, and is connected to suction means (not shown). Therefore, by selectively communicating the chuck table 52 with a suction means (not shown), the workpiece placed on the placement surface is sucked and held.

上述したチャックテーブル機構5は、上記研磨工具325の研磨パッド327をドレッシングするためのドレッシング機構6を具備している。このドレッシング機構6は、チャックテーブル52の研磨域25側に配設されたドレッサーボード60と、該ドレッサーボード60をチャックテーブル52の上面より高い作用位置とチャックテーブル52の上面より低い非作用位置とに移動可能に支持するドレッサーボード支持機構7を具備している。以下、ドレッサーボード60およびドレッサーボード支持機構7について、図5を参照して説明する。   The chuck table mechanism 5 described above includes a dressing mechanism 6 for dressing the polishing pad 327 of the polishing tool 325. The dressing mechanism 6 includes a dresser board 60 disposed on the side of the polishing area 25 of the chuck table 52, a working position where the dresser board 60 is higher than the upper surface of the chuck table 52, and a non-working position lower than the upper surface of the chuck table 52. And a dresser board support mechanism 7 that is movably supported. Hereinafter, the dresser board 60 and the dresser board support mechanism 7 will be described with reference to FIG.

ドレッサーボード60は、矩形状に形成された本体61と、該本体61の上面に装着された砥石部62とからなっている。本体61に砥石部62を設けるには、例えば周知の電鋳法によって形成することができる。即ち、ステンレス鋼板からなる本体61を砥石形成部を残してマスキングし、硫酸ニッケル液にダイヤモンド砥粒を混入せしめたメッキ液中でニッケルメッキすることにより、本体61の砥石形成部に複合メッキ層からなる砥石部62を形成することができる。なお、砥石部62の形状は円形状或いは矩形状でよい。図示の実施形態においては、砥石部62は直径が10mm程度の円形に形成されている。このようにして砥石部62が設けられた本体61には、3個の取付け穴611が形成されている。この取付け穴611の上部は、後述する皿ネジの頭部が嵌合するためのテーパー面に形成されている。   The dresser board 60 includes a main body 61 formed in a rectangular shape, and a grindstone portion 62 attached to the upper surface of the main body 61. In order to provide the grindstone portion 62 in the main body 61, for example, it can be formed by a known electroforming method. That is, the main body 61 made of a stainless steel plate is masked while leaving the whetstone forming portion, and nickel plating is performed in a plating solution in which diamond abrasive grains are mixed in a nickel sulfate solution. The grindstone part 62 to be formed can be formed. In addition, the shape of the grindstone 62 may be circular or rectangular. In the illustrated embodiment, the grindstone 62 is formed in a circular shape having a diameter of about 10 mm. In this manner, three attachment holes 611 are formed in the main body 61 provided with the grindstone 62. The upper portion of the mounting hole 611 is formed in a tapered surface for fitting a head of a countersunk screw to be described later.

上述したドレッサーボード60を上記作用位置と非作用位置に移動可能に支持するドレッサーボード支持機構7は、ドレッサーボード60を装着する支持板71と、該支持板71を支持する移動基板72と、該移動基板72の上下方向の移動を案内する4本の案内ロッド73と、移動基板72を案内ロッド73に沿って移動せしめる昇降手段74と、移動基板72と支持板71との間に配設された水平度調整手段75とを具備している。支持板71は矩形状に形成されており、その上面には上記ドレッサーボード6の本体61に設けられた3個の取付け穴611と対応する位置に3個のネジ穴711が形成されている。このネジ穴711に上記ドレッサーボード60の本体61に設けられた取付け穴611を挿通した皿ネジ76を螺合することによって、支持板71上にドレッサーボード6が装着される。なお、支持板71上にドレッサーボード60を取り付けた状態において皿ネジ76は、その頭部が取付け穴611の上部のテーパー面に嵌合してドレッサーボード60の上面より低い位置に位置付けられる。   The dresser board support mechanism 7 that supports the above-described dresser board 60 so as to be movable between the operating position and the non-operating position includes a support plate 71 on which the dresser board 60 is mounted, a moving substrate 72 that supports the support plate 71, Four guide rods 73 for guiding the movement of the moving substrate 72 in the vertical direction, lifting / lowering means 74 for moving the moving substrate 72 along the guide rod 73, and the moving substrate 72 and the support plate 71 are disposed. And a horizontality adjusting means 75. The support plate 71 is formed in a rectangular shape, and three screw holes 711 are formed on the upper surface thereof at positions corresponding to the three attachment holes 611 provided in the main body 61 of the dresser board 6. The dresser board 6 is mounted on the support plate 71 by screwing the countersunk screw 76 inserted through the mounting hole 611 provided in the main body 61 of the dresser board 60 into the screw hole 711. In the state where the dresser board 60 is mounted on the support plate 71, the countersunk screw 76 is positioned at a position lower than the upper surface of the dresser board 60 with its head fitting into the upper tapered surface of the mounting hole 611.

上述した支持板71を支持する移動基板72は矩形状に形成されており、その4隅部に上下方向に貫通する4個の被案内穴721が設けられている。この4個の被案内穴721を上記移動基台53に立設された4本の案内ロッド73にそれぞれ挿通することにより、移動基板72は案内ロッド73に沿って上下方向に移動可能に構成される。移動基板72を案内ロッド73に沿って移動せしめる昇降手段74は、上記移動基台53上に配設され正転・逆転可能なパルスモータ741および該パルスモータ741によって駆動されるスクリュー機構742を含んでおり、パルスモータ741を正転駆動すると移動基板72を上昇せしめ、パルスモータ741を逆転駆動すると移動基板72を下降せしめる。また、移動基板72と支持板71との間に配設された水平度調整手段75は、支持板71の長手方向に間隔をおいて配設された2個の昇降手段751、751からなっている。この昇降手段751は、パルスモータおよび該パルスモータによって駆動されるスクリュー機構を含んでおり、パルスモータを正転駆動すると支持板71を上昇せしめ、パルスモータを逆転駆動すると支持板71を下降せしめる。従って、2個の昇降手段751、751を移動調整することにより、支持板71の上面に装着されたドレッサーボード60の水平度を調整することができる。   The moving substrate 72 that supports the support plate 71 described above is formed in a rectangular shape, and four guided holes 721 penetrating in the vertical direction are provided at four corners thereof. By inserting these four guided holes 721 through the four guide rods 73 erected on the movable base 53, the movable substrate 72 is configured to be movable in the vertical direction along the guide rods 73. The The lifting / lowering means 74 for moving the moving substrate 72 along the guide rod 73 includes a pulse motor 741 disposed on the moving base 53 and capable of normal / reverse rotation and a screw mechanism 742 driven by the pulse motor 741. When the pulse motor 741 is driven forward, the moving substrate 72 is raised, and when the pulse motor 741 is driven reversely, the moving substrate 72 is lowered. Further, the horizontality adjusting means 75 disposed between the movable substrate 72 and the support plate 71 is composed of two lifting means 751 and 751 disposed at intervals in the longitudinal direction of the support plate 71. Yes. The lifting / lowering means 751 includes a pulse motor and a screw mechanism driven by the pulse motor. When the pulse motor is driven forward, the support plate 71 is raised, and when the pulse motor is driven reversely, the support plate 71 is lowered. Accordingly, the horizontality of the dresser board 60 mounted on the upper surface of the support plate 71 can be adjusted by moving and adjusting the two lifting means 751 and 751.

以上のように構成されたドレッサーボード60およびドレッサーボード支持機構7は、チャックテーブル52の後側即ち研磨域25側に配設される。そして、ドレッサーボード60および支持板71が支持基台51の後端部に形成された矩形状の切欠部511に位置するように配置される。   The dresser board 60 and the dresser board support mechanism 7 configured as described above are disposed on the rear side of the chuck table 52, that is, on the polishing area 25 side. Then, the dresser board 60 and the support plate 71 are disposed so as to be positioned in a rectangular notch 511 formed at the rear end of the support base 51.

図4に戻って説明を続けると、図示の研磨装置は、上記チャックテーブル機構5を一対の案内レール23に沿って矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめるチャックテーブル移動機構56を具備している。チャックテーブル移動機構56は、一対の案内レール23間に配設され案内レール23と平行に延びる雄ねじロッド561と、該雄ねじロッド561を回転駆動するサーボモータ562を具備している。雄ねじロッド561は、上記移動基台53に設けられたネジ穴531と螺合して、その先端部が一対の案内レール23、23を連結して取り付けられた軸受部材563によって回転自在に支持されている。サーボモータ562は、その駆動軸が雄ねじロッド561の基端と伝動連結されている。従って、サーボモータ562が正転すると移動基台53即ちチャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動し、サーボモータ562が逆転すると移動基台53即ちチャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる。矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル機構5は、図4において実線で示す被加工物着脱域と2点鎖線で示す研磨域に選択的に位置付けられる。また、チャックテーブル機構5は、研磨域においては所定範囲に渡って矢印23aおよび23bで示す方向に往復動せしめられる。   Referring back to FIG. 4, the illustrated polishing apparatus includes a chuck table moving mechanism 56 that moves the chuck table mechanism 5 along the pair of guide rails 23 in the directions indicated by the arrows 23a and 23b. . The chuck table moving mechanism 56 includes a male screw rod 561 that is disposed between the pair of guide rails 23 and extends in parallel with the guide rail 23, and a servo motor 562 that rotationally drives the male screw rod 561. The male screw rod 561 is screwed into a screw hole 531 provided in the moving base 53, and the tip end portion thereof is rotatably supported by a bearing member 563 attached by connecting a pair of guide rails 23 and 23. ing. The servo motor 562 has a drive shaft connected to the base end of the male screw rod 561 by transmission. Therefore, when the servo motor 562 rotates in the forward direction, the moving base 53, that is, the chuck table mechanism 5 moves in the direction indicated by the arrow 23a. When the servo motor 562 rotates in the reverse direction, the moving base 53, that is, the chuck table mechanism 5 moves in the direction indicated by the arrow 23b. It can be moved. The chuck table mechanism 5 that is moved in the directions indicated by the arrows 23a and 23b is selectively positioned in a workpiece attaching / detaching area indicated by a solid line and a polishing area indicated by a two-dot chain line in FIG. The chuck table mechanism 5 is reciprocated in the direction indicated by the arrows 23a and 23b over a predetermined range in the polishing zone.

図1に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構5を構成する支持基台51の移動方向両側には、図1に示すように横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール23、23や雄ねじロッド561およびサーボモータ562等を覆っている蛇腹手段81および82が付設されている。蛇腹手段81および82はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段81の前端は没入部211の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構5の支持基台51の前端面に固定されている。蛇腹手段82の前端はチャックテーブル機構5の支持基台51の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。チャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段81が伸張されて蛇腹手段82が収縮され、チャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段81が収縮されて蛇腹手段82が伸張せしめられる。   Returning to FIG. 1, the explanation will be continued. On both sides of the support base 51 constituting the chuck table mechanism 5 in the moving direction, as shown in FIG. Bellows means 81 and 82 covering the rails 23 and 23, the male screw rod 561, the servo motor 562 and the like are attached. The bellows means 81 and 82 can be formed from any suitable material such as campus cloth. The front end of the bellows means 81 is fixed to the front wall of the immersion part 211, and the rear end is fixed to the front end face of the support base 51 of the chuck table mechanism 5. The front end of the bellows means 82 is fixed to the rear end surface of the support base 51 of the chuck table mechanism 5, and the rear end is fixed to the front surface of the upright wall 22 of the apparatus housing 2. When the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by the arrow 23a, the bellows means 81 is expanded and the bellows means 82 is contracted, and when the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by the arrow 23b, the bellows means. 81 is contracted and the bellows means 82 is extended.

図示の研磨装置は、研磨域52に位置せしめられているチャックテーブル機構5とともに、チャックテーブル52上に保持された被加工物に押圧せしめられている研磨工具325を囲繞する防塵カバー9を具備している。この防塵カバー9は全体として箱形状であり、上壁91、前壁92および両側壁93、93を有する。防塵カバー9の両側壁93、93は上下方向中間に下方を向いた肩面93a、93aを有し、両側壁93、93の下半部は上記没入部211の両側面に密接せしめられ、肩面93a、93aがハウジング2の主部21の両側縁部の上面に載置せしめられる。防塵カバー9の前壁92にはチャックテーブル機構5の通過を許容するための矩形開口92aが形成されている。防塵カバー9の上壁91には、研磨工具325の通過を許容するための円形開口91aが形成されている。また、防塵カバー9の上壁91には、円形開口91aの周縁から上方に延びる円筒部材94が設けられている。防塵カバー9の上壁91の一部には、開閉自在な保守点検用の扉95が配設されている。更に、防塵カバー9の上壁91には、防塵カバー9内を排気するための排気ダクト96が付設されている。排気ダクト96は適宜の排気手段(図示していない)に接続されており、研磨工具325によって被加工物を研磨する際には、防塵カバー9によって囲繞されている研磨域25における研磨粉等の粉塵が排気される。   The illustrated polishing apparatus includes a dust-proof cover 9 surrounding a polishing tool 325 pressed against a workpiece held on the chuck table 52 together with a chuck table mechanism 5 positioned in the polishing area 52. ing. The dust-proof cover 9 has a box shape as a whole and includes an upper wall 91, a front wall 92, and both side walls 93, 93. Both side walls 93, 93 of the dust cover 9 have shoulder surfaces 93 a, 93 a facing downward in the middle in the vertical direction, and the lower half portions of both side walls 93, 93 are brought into close contact with both side surfaces of the immersive portion 211, The surfaces 93 a and 93 a are placed on the upper surfaces of both side edges of the main portion 21 of the housing 2. A rectangular opening 92 a for allowing passage of the chuck table mechanism 5 is formed in the front wall 92 of the dust cover 9. A circular opening 91 a for allowing the polishing tool 325 to pass is formed in the upper wall 91 of the dust cover 9. The upper wall 91 of the dust cover 9 is provided with a cylindrical member 94 extending upward from the peripheral edge of the circular opening 91a. A part of the upper wall 91 of the dustproof cover 9 is provided with a door 95 for maintenance inspection that can be freely opened and closed. Further, an exhaust duct 96 for exhausting the inside of the dustproof cover 9 is attached to the upper wall 91 of the dustproof cover 9. The exhaust duct 96 is connected to an appropriate exhaust means (not shown). When the workpiece is polished by the polishing tool 325, polishing powder or the like in the polishing area 25 surrounded by the dustproof cover 9 is used. Dust is exhausted.

図1に基づいて説明を続けると、装置ハウジング2の主部21における前半部上には、第1のカセット11と、第2のカセット12と、被加工物仮載置手段13と、洗浄手段14と、被加工物搬送手段15と、被加工物搬入手段16および被加工物搬出手段17が配設されている。第1のカセット11は研磨加工前の被加工物を収納し、装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬入域に載置される。第2のカセット12は装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬出域に載置され、研磨加工後の被加工物を収納する。被加工物仮載置手段13は第1のカセット11と被加工物着脱域24との間に配設され、研磨加工前の被加工物を仮載置する。洗浄手段14は被加工物着脱域24と第2のカセット12との間に配設され、研磨加工後の被加工物を洗浄する。被加工物搬送手段15第1のカセット11と第2のカセット12との間に配設され、第1のカセット11内に収納された被加工物を被加工物仮載置手段13に搬出するとともに洗浄手段14で洗浄された被加工物を第2のカセット12に搬送する。被加工物搬入手段16は被加工物仮載置手段13と被加工物着脱域24との間に配設され、被加工物仮載置手段13上に載置された研磨加工前の被加工物を被加工物着脱域24に位置付けられたチャックテーブル機構6のチャックテーブル52上に搬送する。被加工物搬出手段17は被加工物着脱域24と洗浄手段14との間に配設され、被加工物着脱域24に位置付けられたチャックテーブル52上に載置されている研磨加工後の被加工物を洗浄手段14に搬送する。また、図示の研磨装置は、装置ハウジング2の主部21における中央部に上記チャックテーブル52を洗浄する洗浄水噴射ノズル18を備えている。この洗浄水噴射ノズル18は、チャックテーブル機構5が被加工物着脱域24に位置付けられた状態において、チャックテーブル52に向けて洗浄水を噴出する。   The description will be continued based on FIG. 1. On the front half of the main portion 21 of the apparatus housing 2, a first cassette 11, a second cassette 12, a workpiece temporary placing means 13, and a cleaning means are provided. 14, a workpiece conveying means 15, a workpiece carrying-in means 16 and a workpiece carrying-out means 17 are arranged. The first cassette 11 stores a workpiece before polishing and is placed in a cassette carry-in area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. The second cassette 12 is placed in a cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2 and stores a workpiece after polishing. The workpiece temporary placing means 13 is disposed between the first cassette 11 and the workpiece attaching / detaching area 24, and temporarily places the workpiece before polishing. The cleaning means 14 is disposed between the workpiece attaching / detaching area 24 and the second cassette 12, and cleans the workpiece after polishing. Workpiece conveying means 15 is disposed between the first cassette 11 and the second cassette 12, and the work piece stored in the first cassette 11 is carried out to the workpiece temporary placement means 13. At the same time, the workpiece cleaned by the cleaning means 14 is conveyed to the second cassette 12. The workpiece carrying-in means 16 is disposed between the workpiece temporary placing means 13 and the workpiece attaching / detaching area 24 and is placed on the workpiece temporary placing means 13 before the polishing process. The workpiece is conveyed onto the chuck table 52 of the chuck table mechanism 6 positioned in the workpiece attaching / detaching area 24. The workpiece unloading means 17 is disposed between the workpiece attaching / detaching area 24 and the cleaning means 14, and is mounted on a chuck table 52 positioned in the workpiece attaching / detaching area 24 after polishing. The workpiece is conveyed to the cleaning means 14. The illustrated polishing apparatus includes a cleaning water spray nozzle 18 for cleaning the chuck table 52 at the center of the main portion 21 of the apparatus housing 2. The cleaning water jet nozzle 18 ejects cleaning water toward the chuck table 52 in a state where the chuck table mechanism 5 is positioned in the workpiece attaching / detaching area 24.

上記第1のカセット11に収容される被加工物は、環状のフレームに保護テープを介して表面側が装着された半導体ウエーハ(従って、半導体ウエーハは裏面が上側に位置する)、或いは支持基板(サブストレート)上に表面側が装着された半導体ウエーハ(従って、半導体ウエーハは裏面が上側に位置する)でよい。このような被加工物である半導体ウエーハを収容した第1のカセット11は、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセット搬入域に載置された第1のカセット11に収容されていた研磨加工前の半導体ウエーハが全て搬出されると、空のカセット11に代えて複数個の半導体ウエーハを収容した新しいカセット11が手動でカセット搬入域に載置される。一方、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬出域に載置された第2のカセット12に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハが搬入されると、かかる第2のカセット12が手動で搬出され、新しい空の第2のカセット12が載置される。   The workpiece accommodated in the first cassette 11 is a semiconductor wafer having a front surface mounted on an annular frame via a protective tape (therefore, the semiconductor wafer is positioned on the upper surface), or a support substrate (sub A semiconductor wafer having a front surface mounted on a straight surface (therefore, the back surface of the semiconductor wafer is located on the upper side) may be used. The first cassette 11 containing the semiconductor wafer as such a workpiece is placed in a predetermined cassette carry-in area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. Then, when all the semiconductor wafers before polishing that have been accommodated in the first cassette 11 placed in the cassette carry-in area are unloaded, a new cassette that accommodates a plurality of semiconductor wafers instead of the empty cassette 11 11 is manually placed in the cassette carry-in area. On the other hand, when a predetermined number of polished semiconductor wafers are loaded into the second cassette 12 placed in a predetermined cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2, the second cassette 12 is manually moved. It is unloaded and a new empty second cassette 12 is placed.

図示の研磨装置は、図6に示すように上記研磨ユニット3、研磨ユニット送り機構4、チャックテーブル機構5、ドレッシング機構6のドレッサーボード支持機構7、チャックテーブル移動機構56、被加工物仮載置手段13、洗浄手段14、被加工物搬入手段16、被加工物搬出手段17、を制御する制御手段10を具備している。制御手段10は、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)101と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ(ROM)102と、演算結果等を記憶する記憶手段としての読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)103と、カウンター104と、入力インターフェース105および出力インターフェース106を備えている。なお、カウンター104は、上記研磨パッド327をドレッシングした回数をカウントする。また、ランダムアクセスメモリ(RAM)103は、後述する入力手段によって入力された所定送り量を格納する記憶領域103a、上記研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)を検出する後述する位置検出手段からの検出位置を格納する記憶領域103b等を備えている。なお、所定送り量はリードオンリーメモリ(ROM)102に予め記憶させておいてもよい。このように構成された制御手段10の入力インターフェース105には、上記研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)を検出する位置検出手段110や入力手段120等からデータが入力される。一方、制御手段10の出力インターフェース106からは、上記研磨ユニット3のサーボモータ323、研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44、チャックテーブル機構5のサーボモータ54、ドレッシング機構6を構成するドレッサーボード支持機構7のパルスモータ741、チャックテーブル移動機構56のサーボモータ562、被加工物仮載置手段13、洗浄手段14、被加工物搬入手段16、被加工物搬出手段17等に制御信号を出力する。   As shown in FIG. 6, the illustrated polishing apparatus includes the polishing unit 3, the polishing unit feed mechanism 4, the chuck table mechanism 5, the dresser board support mechanism 7 of the dressing mechanism 6, the chuck table moving mechanism 56, and a temporary work piece placement. The control means 10 which controls the means 13, the cleaning means 14, the workpiece carrying-in means 16, and the workpiece carrying-out means 17 is provided. The control means 10 includes a central processing unit (CPU) 101 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 102 that stores a control program and the like, and read / write random access as a storage means that stores arithmetic results and the like. A memory (RAM) 103, a counter 104, an input interface 105, and an output interface 106 are provided. The counter 104 counts the number of times that the polishing pad 327 is dressed. Further, a random access memory (RAM) 103 is a storage area 103a for storing a predetermined feed amount input by an input means described later, and a position detection means described later for detecting the vertical position (Z-axis position) of the polishing unit 3. Storage area 103b for storing the detected position from Note that the predetermined feed amount may be stored in advance in a read-only memory (ROM) 102. Data is input to the input interface 105 of the control means 10 configured in this way from the position detection means 110, the input means 120, and the like that detect the vertical position (Z-axis position) of the polishing unit 3. On the other hand, from the output interface 106 of the control means 10, the servo motor 323 of the polishing unit 3, the pulse motor 44 of the polishing unit feed mechanism 4, the servo motor 54 of the chuck table mechanism 5, and the dresser board support mechanism constituting the dressing mechanism 6. 7, a servo motor 562 of the chuck table moving mechanism 56, a workpiece temporary placing unit 13, a cleaning unit 14, a workpiece loading unit 16, a workpiece unloading unit 17, and the like.

次に、上述した研磨装置による研磨工程およびドレッシング工程について、主に図1と図7乃至図9を参照して説明する。
第1のカセット11に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体ウエーハは被加工物搬送手段15の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮載置手段13に載置される。被加工物仮載置手段13に載置された半導体ウエーハは、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段16の旋回動作によって被加工物着脱域24に位置せしめられているチャックテーブル機構5のチャックテーブル52上に載置される。チャックテーブル52上に載置された被加工物としての半導体ウエーハは、図示しない吸引手段によってチャックテーブル52上に吸引保持される。
Next, the polishing process and the dressing process by the above-described polishing apparatus will be described mainly with reference to FIGS. 1 and 7 to 9.
The semiconductor wafer as the workpiece before polishing, which is accommodated in the first cassette 11, is conveyed by the vertical movement and the advance / retreat operation of the workpiece conveying means 15 and is placed on the workpiece temporary placing means 13. . The semiconductor wafer placed on the workpiece temporary placing means 13 is positioned in the workpiece attaching / detaching area 24 by the turning operation of the workpiece carrying means 16 after being centered here. It is placed on the chuck table 52 of the mechanism 5. A semiconductor wafer as a workpiece placed on the chuck table 52 is sucked and held on the chuck table 52 by suction means (not shown).

チャックテーブル52上に半導体ウエーハを吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構56を作動してチャックテーブル機構5を矢印23aで示す方向に移動し、図6において実線で示す研磨域の研磨開始位置に位置付ける。なお、このときドレッサーボード60はチャックテーブルの52上面よりより低い退避位置に位置付けられている。研磨域の研磨開始位置おいては、半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル52を例えば300rpm程度で回転し、上記サーボモータ323を駆動して研磨工具325を4000〜7000rpmで回転するとともに、上記研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44を正転駆動して研磨ユニット3を下降即ち前進せしめる。そして、図7において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨部材327をチャックテーブル52上の半導体ウエーハWの裏面に所定の荷重で押圧する。次に、チャックテーブル移動機構56を一方向に作動しチャックテーブル機構5を矢印23aで示す方向に図7において2点鎖線で示す折り返し位置まで移動する。このとき、チャックテーブル機構5の移動速度は、例えば100〜200mm/分に設定されている。そして、チャックテーブル52が折り返し位置まで移動したら、チャックテーブル移動機構56を一方向に作動してチャックテーブル機構5を矢印23bで示す方向に移動し図7において実線で示す研磨開始位置に戻し、研磨工程が終了する。このようにして研磨工程を実行することにより、研磨部材327の作用によって半導体ウエーハWの裏面が所定量乾式研磨され、残留加工歪が除去される。なお、上述した乾式研磨作用によって研磨粉が飛散するが、この際には図示しない排気手段が作動せしめられていて、防塵カバー7内に飛散した粉塵は排気ダクト76を通して排気される。   If the semiconductor wafer is sucked and held on the chuck table 52, the chuck table moving mechanism 56 is actuated to move the chuck table mechanism 5 in the direction indicated by the arrow 23a and to the polishing start position of the polishing area indicated by the solid line in FIG. Position. At this time, the dresser board 60 is positioned at a retracted position lower than the upper surface of the chuck table 52. At the polishing start position in the polishing area, the chuck table 52 holding the semiconductor wafer W is rotated at, for example, about 300 rpm, the servo motor 323 is driven to rotate the polishing tool 325 at 4000 to 7000 rpm, and the polishing unit The pulse motor 44 of the feed mechanism 4 is driven forward so that the polishing unit 3 is lowered or advanced. 7, the polishing member 327 of the polishing tool 325 is pressed against the back surface of the semiconductor wafer W on the chuck table 52 with a predetermined load as indicated by a two-dot chain line in FIG. Next, the chuck table moving mechanism 56 is operated in one direction, and the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by the arrow 23a to the folding position indicated by the two-dot chain line in FIG. At this time, the moving speed of the chuck table mechanism 5 is set to 100 to 200 mm / min, for example. When the chuck table 52 moves to the folding position, the chuck table moving mechanism 56 is operated in one direction to move the chuck table mechanism 5 in the direction indicated by the arrow 23b and return to the polishing start position indicated by the solid line in FIG. The process ends. By executing the polishing step in this manner, the back surface of the semiconductor wafer W is dry-polished by a predetermined amount by the action of the polishing member 327, and residual processing strain is removed. Although the above-mentioned dry polishing action causes the abrasive powder to scatter, the exhaust means (not shown) is operated at this time, and the dust scattered in the dustproof cover 7 is exhausted through the exhaust duct 76.

上記のようにして、研磨工程が終了したら、スピンドルユニット32を所定位置まで上昇させるとともに、研磨工具325の回転を停止し、更に、チャックテーブル52の回転を停止する。次に、研磨工具325の研磨パッド327のドレッシング工程を実施する。なお、研磨工具325を交換した時点で、入力手段120から研磨ユニット3の所定送り量(H)が入力され、制御手段10はこの所定送り量(H)をランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103aに格納する。この所定送り量(H)は、上述した1回の研磨工程による研磨パッド327の磨耗量が例えば1μm程度であれば、磨耗量を超える定量値として例えば2μmに設定する。なお、所定送り量(H)は、同じ研磨パッド327を用いる場合には、入力手段120から最初に入力した値を維持し、研磨工具325を交換する都度入力する必要はない。また、1回目のドレッシング作業を開始するに際して、制御手段10は上記カウンター104をプラス「1」する。従って、カウンター104のカウント値は「1」となる。   When the polishing process is completed as described above, the spindle unit 32 is raised to a predetermined position, the rotation of the polishing tool 325 is stopped, and the rotation of the chuck table 52 is further stopped. Next, a dressing process for the polishing pad 327 of the polishing tool 325 is performed. When the polishing tool 325 is replaced, a predetermined feed amount (H) of the polishing unit 3 is input from the input unit 120, and the control unit 10 stores the predetermined feed amount (H) in the random access memory (RAM) 103. Store in area 103a. The predetermined feed amount (H) is set to 2 μm, for example, as a quantitative value exceeding the wear amount when the wear amount of the polishing pad 327 by the above-described single polishing step is about 1 μm, for example. When the same polishing pad 327 is used, the predetermined feed amount (H) maintains the value initially input from the input unit 120 and does not need to be input every time the polishing tool 325 is replaced. Further, when starting the first dressing operation, the control means 10 adds “1” to the counter 104. Therefore, the count value of the counter 104 is “1”.

1回目のドレッシング工程は、上述した研磨工程終了時に研磨域の研磨開始位置に位置付けられているチャックテーブル機構5を矢印23aで示す方向に移動し、図8に示す1回目のドレッシング開始位置に位置付ける。このドレッシング開始位置は、図8に示すようにドレッサーボード60の砥石部62が研磨工具325の図において右端部下面と対向する位置に設定されている。チャックテーブル機構5が1回目のドレッシング開始位置に位置付けられたならば、ドレッサーボード支持機構7を構成する昇降手段74のパルスモータ741を所定量正転駆動してドレッサーボード60を図8に示すようにチャックテーブル52の上面より高い作用位置に位置付ける。   In the first dressing step, the chuck table mechanism 5 positioned at the polishing start position in the polishing zone at the end of the above-described polishing step is moved in the direction indicated by the arrow 23a to be positioned at the first dressing start position shown in FIG. . As shown in FIG. 8, the dressing start position is set such that the grindstone portion 62 of the dresser board 60 faces the lower surface of the right end portion in the drawing of the polishing tool 325. When the chuck table mechanism 5 is positioned at the first dressing start position, the pulse motor 741 of the lifting / lowering means 74 constituting the dresser board support mechanism 7 is driven forward by a predetermined amount so that the dresser board 60 is shown in FIG. The position is higher than the upper surface of the chuck table 52.

次に、上記研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44を正転駆動して研磨ユニット3を下降即ち前進せしめ、図8において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッサーボード60の砥石部62の上面に当接せしめる。このとき図示しない荷重検出手段が急激に荷重の変化を検出した時点で位置検出手段110が研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)を検出して、この位置信号を制御手段10に送る。そして、制御手段10は、位置検出手段110から送られた位置信号を基準位置としてランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103bに格納する。   Next, the pulse motor 44 of the polishing unit feed mechanism 4 is driven to rotate forward to lower or advance the polishing unit 3, and the polishing pad 327 of the polishing tool 325 is placed on the dresser board 60 as shown by a two-dot chain line in FIG. It is brought into contact with the upper surface of the grindstone 62. At this time, when a load detection unit (not shown) suddenly detects a change in load, the position detection unit 110 detects the vertical position (Z-axis position) of the polishing unit 3 and sends this position signal to the control unit 10. Then, the control means 10 stores the position signal sent from the position detection means 110 in the storage area 103b of the random access memory (RAM) 103 as a reference position.

以上のようにして、基準位置が検出されこれをランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103bに格納したら、図9に示すようにチャックテーブル機構5を2回目以降のドレッシング開始位置に位置付ける。このドレッシング開始位置は、図9に示すようにドレッサーボード60の砥石部62が研磨工具325と対向しない位置に設定されている。次に、上記研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44を正転駆動して研磨ユニット3を上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103bに格納された基準位置から所定量下降即ち前進せしめ、図9において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッシング位置に位置付ける。この上記基準位置からの研磨ユニット3の下降量(目標送り量)は、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103aに格納された所定送り量(H)(例えば2μm)に上記カウンター104のカウント値を乗算した値である。従って、今回の研磨ユニット3の下降量(目標送り量)は、カウンター104のカウント値が「1」であるので所定送り量(H)が2μmの場合には、(2μm×1)=4μmとなる。このようにして、研磨ユニット3を目標送り量下降して、図9において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッシング位置に位置付けると、研磨パッド327の下面である研磨面はドレッサーボード60の砥石部62の表面を越えた、即ち砥石部62の表面より下方の位置に位置付けられる。次に、スピンドルユニット32のサーボモータ323を駆動して研磨工具325を4000〜7000rpmで回転するとともに、チャックテーブル移動機構56を作動してチャックテーブル52を矢印23bで示す方向に100〜200mm/秒の速度で移動することにより、1回目のドレッシング工程が実施される。このようにして1回目のドレッシング工程が終了したら、制御手段10はカウンター104をプラス「1」する。従って、カウンター104のカウント値は「2」となる。   When the reference position is detected and stored in the storage area 103b of the random access memory (RAM) 103 as described above, the chuck table mechanism 5 is positioned at the second or subsequent dressing start position as shown in FIG. The dressing start position is set to a position where the grindstone 62 of the dresser board 60 does not face the polishing tool 325 as shown in FIG. Next, the pulse motor 44 of the polishing unit feed mechanism 4 is driven to rotate forward so that the polishing unit 3 is lowered or advanced by a predetermined amount from the reference position stored in the storage area 103b of the random access memory (RAM) 103. 9, the polishing pad 327 of the polishing tool 325 is positioned at the dressing position as indicated by a two-dot chain line. The descent amount (target feed amount) of the polishing unit 3 from the reference position is set to a predetermined feed amount (H) (for example, 2 μm) stored in the storage area 103a of the random access memory (RAM) 103. It is a value obtained by multiplying the count value. Accordingly, the current lowering amount (target feed amount) of the polishing unit 3 is (2 μm × 1) = 4 μm when the predetermined feed amount (H) is 2 μm because the count value of the counter 104 is “1”. Become. In this way, when the polishing unit 3 is lowered by the target feed amount and the polishing pad 327 of the polishing tool 325 is positioned at the dressing position as shown by a two-dot chain line in FIG. 9, the polishing surface which is the lower surface of the polishing pad 327 is The dresser board 60 is positioned beyond the surface of the grindstone 62, that is, at a position below the surface of the grindstone 62. Next, the servo motor 323 of the spindle unit 32 is driven to rotate the polishing tool 325 at 4000 to 7000 rpm, and the chuck table moving mechanism 56 is operated to move the chuck table 52 in the direction indicated by the arrow 23b to 100 to 200 mm / second. The first dressing step is carried out by moving at a speed of. When the first dressing process is completed in this manner, the control means 10 increments the counter 104 by “1”. Therefore, the count value of the counter 104 is “2”.

一方、チャックテーブル機構5は、更に矢印23bで示す方向に移動されて被加工物着脱域24(図1参照)に位置付けられる。チャックテーブル機構5が被加工物着脱域24に位置付けられたならば、ドレッサーボード支持機構7を構成する昇降手段74のパルスモータ741を所定量逆転駆動してドレッサーボード60をチャックテーブル52の上面より低い退避位置に位置付ける。   On the other hand, the chuck table mechanism 5 is further moved in the direction indicated by the arrow 23b and positioned in the workpiece attaching / detaching area 24 (see FIG. 1). When the chuck table mechanism 5 is positioned in the workpiece attaching / detaching area 24, the pulse motor 741 of the lifting / lowering means 74 constituting the dresser board support mechanism 7 is reversely driven by a predetermined amount to move the dresser board 60 from the upper surface of the chuck table 52. Position it in a low retracted position.

上述したようにチャックテーブル機構5が被加工物着脱域24に位置付けられたならば、チャックテーブル52上の研磨加工された半導体ウエーハの吸引保持が解除され、吸引保持が解除された半導体ウエーハは被加工物搬出手段17により搬出されて洗浄手段14に搬送される。洗浄手段14に搬送された半導体ウエーハは、ここで洗浄された後に被加工物搬送手段15よって第2のカセット12の所定位置に収納される。   As described above, when the chuck table mechanism 5 is positioned in the workpiece attaching / detaching region 24, the suction holding of the polished semiconductor wafer on the chuck table 52 is released, and the semiconductor wafer released from the suction holding is released. It is unloaded by the workpiece unloading means 17 and conveyed to the cleaning means 14. The semiconductor wafer transported to the cleaning means 14 is cleaned here and then stored in a predetermined position of the second cassette 12 by the workpiece transport means 15.

以上のようにして、1枚目の被加工物の研磨工程および1回目のドレッシング工程が終了して、チャックテーブル機構5が被加工物着脱域24に位置付けられたならば、上述したようにチャックテーブル52上に2枚目の被加工物としての半導体ウエーハを吸引保持し、図6において実線で示す研磨域の研磨開始位置に位置付ける。そして、上述した研磨工程を実行する。   As described above, when the first workpiece polishing step and the first dressing step are completed and the chuck table mechanism 5 is positioned in the workpiece attaching / detaching area 24, the chuck is operated as described above. A semiconductor wafer as a second workpiece is sucked and held on the table 52 and positioned at the polishing start position of the polishing area indicated by the solid line in FIG. And the grinding | polishing process mentioned above is performed.

チャックテーブル52上に2枚目の被加工物としての半導体ウエーハの研磨工程が終了したら、2回目のドレッシング工程を実施する。2回目のドレッシング工程は、図9に示すようにチャックテーブル機構5をドレッシング開始位置に位置付ける。チャックテーブル機構5がドレッシング開始位置に位置付けられたならば、ドレッサーボード支持機構7を構成する昇降手段74のパルスモータ741を所定量正転駆動してドレッサーボード6を図9に示すようにチャックテーブル52の上面よりより高い作用位置に位置付ける。   When the polishing process of the semiconductor wafer as the second workpiece is completed on the chuck table 52, the second dressing process is performed. In the second dressing step, the chuck table mechanism 5 is positioned at the dressing start position as shown in FIG. When the chuck table mechanism 5 is positioned at the dressing start position, the pulse motor 741 of the lifting / lowering means 74 constituting the dresser board support mechanism 7 is driven forward by a predetermined amount to move the dresser board 6 to the chuck table as shown in FIG. Positioned at a higher working position than the top surface of 52.

次に、上記研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44を正転駆動して研磨ユニット3を上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の記憶領域103bに格納された基準位置から目標送り量下降即ち前進せしめ、図9において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッシング位置に位置付ける。今回の上記基準位置からの研磨ユニット3の下降量(目標送り量)は、カウンター104のカウント値が「2」であるので所定送り量(H)が2μmの場合には、(2μm×2)=4μmとなる。   Next, the pulse motor 44 of the polishing unit feed mechanism 4 is driven to rotate forward so that the polishing unit 3 is lowered or advanced from the reference position stored in the storage area 103b of the random access memory (RAM) 103, In FIG. 9, the polishing pad 327 of the polishing tool 325 is positioned at the dressing position as indicated by a two-dot chain line. The amount of descent (target feed amount) of the polishing unit 3 from the reference position this time is (2 μm × 2) when the count value of the counter 104 is “2” and the predetermined feed amount (H) is 2 μm. = 4 μm.

このようにして、研磨ユニット3を目標送り量下降して、図9において2点鎖線で示すように研磨工具325の研磨パッド327をドレッシング位置に位置付けると、上記1回目のドレッシング工程と同様に研磨パッド327の下面である研磨面はドレッサーボード60の砥石部62の表面を越えた、即ち砥石部62の表面より下方の位置に位置付けられる。次に、上記1回目のドレッシング工程と同様にスピンドルユニット32のサーボモータ323を駆動して研磨工具325を4000〜7000rpmで回転するとともに、チャックテーブル移動機構56を作動してチャックテーブル52を矢印23bで示す方向に100〜200mm/秒の速度で移動する。このようにして2回目のドレッシング工程が実施される。なお、3回目以降のドレッシング作業は、上述した2回目のドレッシング作業と同様に実施する。   In this way, when the polishing unit 3 is lowered by the target feed amount and the polishing pad 327 of the polishing tool 325 is positioned at the dressing position as shown by a two-dot chain line in FIG. 9, the polishing is performed in the same manner as the first dressing step. The polishing surface, which is the lower surface of the pad 327, is positioned beyond the surface of the grindstone portion 62 of the dresser board 60, that is, at a position below the surface of the grindstone portion 62. Next, as in the first dressing step, the servo motor 323 of the spindle unit 32 is driven to rotate the polishing tool 325 at 4000 to 7000 rpm, and the chuck table moving mechanism 56 is operated to move the chuck table 52 to the arrow 23b. It moves at a speed of 100 to 200 mm / second in the direction indicated by. In this way, the second dressing step is performed. The third and subsequent dressing operations are performed in the same manner as the second dressing operation described above.

上述した実施形態においては、所定送り量(H)に上記カウンター104のカウント値を乗算した値を目標送り量として設定しておき、研磨ユニット3を上記基準値からの目標送り量だけ下降するので、従来のように荷重センサーの誤差の影響を受けることなく、研磨パッド327を確実にドレッシングすることができる。また、上述した実施形態においては、ドレッシングした回数をカウントするカウンター104を備えているので、このカウンター104のカウント値が所定に達したことにより研磨パッド327の寿命を確認することができる。   In the embodiment described above, a value obtained by multiplying the predetermined feed amount (H) by the count value of the counter 104 is set as the target feed amount, and the polishing unit 3 is lowered by the target feed amount from the reference value. Thus, the polishing pad 327 can be dressed reliably without being affected by the error of the load sensor as in the prior art. In the above-described embodiment, the counter 104 that counts the number of times of dressing is provided, so that the life of the polishing pad 327 can be confirmed when the count value of the counter 104 reaches a predetermined value.

次に、本発明の他の実施形態について説明する。
上述した実施形態においては1回目のドレッシング時に研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)の基準値を検出して、この基準値からの研磨ユニット3の下降量(目標送り量)を所定送り量(H)に上記カウンター104によってカウントされたドレッシング回数を乗算した値としたが、この実施形態は目標送り量を所定送り量(H)としたものである。即ち、各ドレッシング工程終了時における研磨ユニット3の上下方向位置(Z軸位置)を検出し、この値を次のドレッシング時の基準値として上記目標送り量として所定送り量(H)だけ研磨ユニット3を下降せしめる。
Next, another embodiment of the present invention will be described.
In the above-described embodiment, the reference value of the vertical position (Z-axis position) of the polishing unit 3 is detected during the first dressing, and the descent amount (target feed amount) of the polishing unit 3 from this reference value is a predetermined feed. The amount (H) is multiplied by the number of dressings counted by the counter 104. In this embodiment, the target feed amount is a predetermined feed amount (H). In other words, the vertical position (Z-axis position) of the polishing unit 3 at the end of each dressing process is detected, and this value is used as a reference value for the next dressing, and the polishing unit 3 by the predetermined feed amount (H) as the target feed amount. Move down.

以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述したドレッシング工程は、被加工物の研磨工程を実行する毎に行ってもよいが、研磨工程を数回実行する毎に行ってもよい。   Although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention. For example, the above-described dressing process may be performed every time the workpiece polishing process is performed, but may be performed every time the polishing process is performed several times.

本発明による研磨パッドのドレッシング方法を実施する研磨装置の一実施形態を示す斜視図。1 is a perspective view showing an embodiment of a polishing apparatus for performing a dressing method of a polishing pad according to the present invention. 図1に示す研磨装置に装備される研磨ユニットを構成する研磨工具を示す斜視図。The perspective view which shows the grinding | polishing tool which comprises the grinding | polishing unit with which the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図2に示す研磨工具その下面側から見た状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state seen from the lower surface side of the grinding | polishing tool shown in FIG. 図1に示す研磨装置に装備されるチャックテーブル機構およびチャックテーブル移動機構を示す斜視図。The perspective view which shows the chuck table mechanism and chuck table moving mechanism with which the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図4に示すチャックテーブル機構を構成するドレッサーボードおよびドレッサーボード移動機構を示す斜視図。The perspective view which shows the dresser board which comprises the chuck table mechanism shown in FIG. 4, and a dresser board moving mechanism. 図1に示す研磨装置に装備される制御手段のブロック構成図。The block block diagram of the control means with which the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図1に示す研磨装置の研磨工程におけるチャックテーブルと研磨工具との関係を示す説明図。Explanatory drawing which shows the relationship between the chuck table and the grinding | polishing tool in the grinding | polishing process of the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 図1に示す研磨装置の1回目のドレッシング工程におけるドレッサーボードと研磨工具との関係を示す説明図。Explanatory drawing which shows the relationship between a dresser board and the grinding | polishing tool in the dressing process of the 1st time of the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 図1に示す研磨装置の2回目以降のドレッシング工程におけるドレッサーボードと研磨工具との関係を示す説明図。Explanatory drawing which shows the relationship between a dresser board and the grinding | polishing tool in the dressing process of the 2nd time or later of the grinding | polishing apparatus shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

2:装置ハウジング
3:研磨ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
321:スピンドルハウジング
322:回転スピンドル
323:サーボモータ
324:工具装着部材
325:研磨工具
326:支持部材
327:研磨パッド
4:研磨ユニット送り機構
44:パルスモータ
5:チャックテーブル機構
51:支持基台
52:チャックテーブル
53:移動基台
56:チャックテーブル移動機構
6:ドレッサーボード
7:ドレッサーボード支持機構
71:支持板
72:移動基板
73:案内ロッド
74:昇降手段
75:水平度調整手段
81、82:蛇腹手段
9:防塵カバー
10:制御手段
11:第1のカセット
12:第2のカセット
13:被加工物仮載置手段
14:洗浄手段
15:被加工物搬送手段
16:被加工物搬入手段
17:被加工物搬出手段
18:洗浄水噴射ノズル
2: Device housing 3: Polishing unit 31: Moving base 32: Spindle unit 321: Spindle housing 322: Rotary spindle 323: Servo motor 324: Tool mounting member 325: Polishing tool 326: Support member 327: Polishing pad 4: Polishing unit Feed mechanism 44: Pulse motor 5: Chuck table mechanism 51: Support base 52: Chuck table 53: Moving base 56: Chuck table moving mechanism 6: Dresser board 7: Dresser board supporting mechanism 71: Support plate 72: Moving substrate 73 : Guide rod 74: Lifting means 75: Horizontalness adjusting means 81, 82: Bellows means 9: Dust-proof cover 10: Control means 11: First cassette 12: Second cassette 13: Workpiece temporary placement means 14: Cleaning means 15: Workpiece conveying means 16: Workpiece Input means 17: workpiece unloading means 18: the washing water jetting nozzle

Claims (1)

被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルを被加工物着脱域と研磨域に移動するチャックテーブル移動機構と、該研磨域に位置付けられた該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨するための研磨パッドを備えた研磨ユニットと、該研磨ユニットを該チャックテーブルの該保持面に対して垂直な方向に移動せしめる研磨ユニット送り機構と、該研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッサーボードと該ドレッサーボードを作用位置と非作用位置に位置付けるドレッサーボード支持手段を備えたドレッシング機構と、を具備する研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、
該チャックテーブルに保持された被加工物を該研磨域において該研磨ユニットの該研磨パッドによって研磨する研磨工程が終了した後、該ドレッサーボードを該作用位置に位置付け該研磨パッドを該ドレッサーボードに作用せしめてドレッシングするドレッシング工程を含み、
該ドレッシング工程は、該研磨工程を実施することによって消耗する該研磨パッドの磨耗量を超える所定の目標送り量が予め設定されており、該研磨パッドを所定の基準位置から該目標送り量だけ移動して該研磨パッドの研磨面を該ドレッサーボードの表面を越えた位置に位置付け、該研磨パッドと該ドレッシングボードを相対移動せしめる、
ことを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法。
A chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a chuck table moving mechanism for moving the chuck table to a workpiece attaching / detaching area and a polishing area, and a workpiece held by the chuck table positioned in the polishing area. A polishing unit having a polishing pad for polishing a workpiece, a polishing unit feed mechanism for moving the polishing unit in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table, and dressing the polishing surface of the polishing pad A dressing board having a dresser board and a dressing mechanism having a dresser board support means for positioning the dresser board in an operating position and a non-operating position, and a polishing pad dressing method in a polishing apparatus comprising:
After the polishing step of polishing the workpiece held on the chuck table with the polishing pad of the polishing unit in the polishing area is completed, the dresser board is positioned at the working position and the polishing pad is applied to the dresser board. Including a dressing process of dressing at least,
In the dressing step, a predetermined target feed amount that exceeds the amount of wear of the polishing pad consumed by performing the polishing step is set in advance, and the polishing pad is moved from the predetermined reference position by the target feed amount. Then, the polishing surface of the polishing pad is positioned beyond the surface of the dresser board, and the polishing pad and the dressing board are moved relative to each other.
A polishing pad dressing method characterized by the above.
JP2004242721A 2004-08-23 2004-08-23 Polishing pad dressing method Active JP4733943B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004242721A JP4733943B2 (en) 2004-08-23 2004-08-23 Polishing pad dressing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004242721A JP4733943B2 (en) 2004-08-23 2004-08-23 Polishing pad dressing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006055971A true JP2006055971A (en) 2006-03-02
JP4733943B2 JP4733943B2 (en) 2011-07-27

Family

ID=36103871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004242721A Active JP4733943B2 (en) 2004-08-23 2004-08-23 Polishing pad dressing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4733943B2 (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009125814A (en) * 2007-11-19 2009-06-11 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing pad dressing method and polishing device
JP2010069601A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Disco Abrasive Syst Ltd Method for dressing polishing pad and polishing device
JP2010162637A (en) * 2009-01-14 2010-07-29 Disco Abrasive Syst Ltd Treatment method of polishing pad
JP2011056615A (en) * 2009-09-09 2011-03-24 Disco Abrasive Syst Ltd Dressing method for polishing pad
KR101053363B1 (en) * 2009-09-11 2011-08-01 삼성전기주식회사 Automatic dressing grinder
JP2011156601A (en) * 2010-01-29 2011-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing device
JP2011189456A (en) * 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp Grinding device and grinding method
JP2011224697A (en) * 2010-04-19 2011-11-10 Disco Corp Method of adjusting polishing pad
KR20160024818A (en) * 2014-08-26 2016-03-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus
JP2017100254A (en) * 2015-12-03 2017-06-08 株式会社ディスコ Polishing device
JP2018192541A (en) * 2017-05-15 2018-12-06 株式会社ディスコ Polishing device
KR20180131422A (en) * 2017-05-30 2018-12-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Calibration method and non-transitory computer-readable storage medium storing a program of calibration

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04122574A (en) * 1990-09-13 1992-04-23 Daisho Seiki Kk Dressing reference position detecting device for duplex head plane grinding machine
JP2000061838A (en) * 1998-08-21 2000-02-29 Toshiba Mach Co Ltd Dressing device and dressing method
JP2003303797A (en) * 2002-04-08 2003-10-24 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing equipment
JP2003305643A (en) * 2002-04-11 2003-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing device
JP2004025416A (en) * 2002-06-28 2004-01-29 Kuraki Co Ltd Precision hole finishing method and device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04122574A (en) * 1990-09-13 1992-04-23 Daisho Seiki Kk Dressing reference position detecting device for duplex head plane grinding machine
JP2000061838A (en) * 1998-08-21 2000-02-29 Toshiba Mach Co Ltd Dressing device and dressing method
JP2003303797A (en) * 2002-04-08 2003-10-24 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing equipment
JP2003305643A (en) * 2002-04-11 2003-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing device
JP2004025416A (en) * 2002-06-28 2004-01-29 Kuraki Co Ltd Precision hole finishing method and device

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009125814A (en) * 2007-11-19 2009-06-11 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing pad dressing method and polishing device
JP2010069601A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Disco Abrasive Syst Ltd Method for dressing polishing pad and polishing device
JP2010162637A (en) * 2009-01-14 2010-07-29 Disco Abrasive Syst Ltd Treatment method of polishing pad
JP2011056615A (en) * 2009-09-09 2011-03-24 Disco Abrasive Syst Ltd Dressing method for polishing pad
KR101053363B1 (en) * 2009-09-11 2011-08-01 삼성전기주식회사 Automatic dressing grinder
JP2011156601A (en) * 2010-01-29 2011-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing device
JP2011189456A (en) * 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp Grinding device and grinding method
JP2011224697A (en) * 2010-04-19 2011-11-10 Disco Corp Method of adjusting polishing pad
KR102228786B1 (en) * 2014-08-26 2021-03-18 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus
KR20160024818A (en) * 2014-08-26 2016-03-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus
US11731240B2 (en) 2014-08-26 2023-08-22 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
KR20170065456A (en) 2015-12-03 2017-06-13 가부시기가이샤 디스코 Polishing apparatus
TWI703011B (en) * 2015-12-03 2020-09-01 日商迪思科股份有限公司 Grinding device
CN106994649A (en) * 2015-12-03 2017-08-01 株式会社迪思科 Lapping device
KR102503527B1 (en) * 2015-12-03 2023-02-23 가부시기가이샤 디스코 Polishing apparatus
JP2017100254A (en) * 2015-12-03 2017-06-08 株式会社ディスコ Polishing device
JP2018192541A (en) * 2017-05-15 2018-12-06 株式会社ディスコ Polishing device
KR20180131422A (en) * 2017-05-30 2018-12-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Calibration method and non-transitory computer-readable storage medium storing a program of calibration
JP2018202491A (en) * 2017-05-30 2018-12-27 株式会社荏原製作所 Calibration method and calibration program
KR102530196B1 (en) 2017-05-30 2023-05-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Calibration method and non-transitory computer-readable storage medium storing a program of calibration

Also Published As

Publication number Publication date
JP4733943B2 (en) 2011-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5406676B2 (en) Wafer processing equipment
JP4790322B2 (en) Processing apparatus and processing method
US10279452B2 (en) Processing apparatus
JP4733943B2 (en) Polishing pad dressing method
JP2008155292A (en) Method and apparatus for machining substrate
JP5179928B2 (en) How to carry out the wafer
JP2009160700A (en) Polishing device
JP5399672B2 (en) Polishing equipment
JP6925715B2 (en) Processing equipment
JP2009113145A (en) Chuck table mechanism of polishing device
JP5331470B2 (en) Wafer grinding method and grinding apparatus
JP4851227B2 (en) Grinding equipment
JP5350127B2 (en) Workpiece grinding method
JP5225733B2 (en) Grinding equipment
JP4295469B2 (en) Polishing method
JP5037255B2 (en) Grinding apparatus and observation method of grinding apparatus
JP2011031359A (en) Polishing tool, polishing device, and polishing machining method
JP4074118B2 (en) Polishing equipment
JP6851761B2 (en) How to process plate-shaped objects
JP5399829B2 (en) Polishing pad dressing method
JP2012106293A (en) Method and apparatus for polishing wafer
JP2003305643A (en) Polishing device
JP6808292B2 (en) Diagnosis method of processing equipment
JP2009125814A (en) Polishing pad dressing method and polishing device
JP2002307286A (en) Grinding device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070712

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100402

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110405

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110425

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4733943

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250